JPH03235401A - Terminal for ultrahigh frequency - Google Patents
Terminal for ultrahigh frequencyInfo
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- JPH03235401A JPH03235401A JP2030344A JP3034490A JPH03235401A JP H03235401 A JPH03235401 A JP H03235401A JP 2030344 A JP2030344 A JP 2030344A JP 3034490 A JP3034490 A JP 3034490A JP H03235401 A JPH03235401 A JP H03235401A
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Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
〔概 要〕
電気的直流成分を阻止し、超高周波帯域信号は通過させ
る超高周波用端子に関し、
小型で安価な超高周波用端子を提供することを目的とし
、
裏面に導体層を形成したセラミック基板と、セラミック
基板上にパターニングされたマイクロストリップライン
の入出力パターンと、入出力パターンの先端に形成した
超高周波帯域信号を通過させ、直流成分は阻止するカッ
プルパターンと、入出力パターン、カップルパターン上
に焼結したセラミック層と、セラミック層上に形成した
導体層と、セラミック基板を保持する金属壁を備え構成
する。[Detailed Description of the Invention] [Summary] The present invention relates to an ultra-high frequency terminal that blocks electrical direct current components and passes ultra-high frequency band signals.The purpose of this invention is to provide a small and inexpensive ultra-high frequency terminal. A ceramic substrate with a conductor layer formed thereon, a microstrip line input/output pattern patterned on the ceramic substrate, and a couple pattern formed at the tip of the input/output pattern that passes ultra-high frequency band signals but blocks direct current components; The device includes a ceramic layer sintered on the input/output pattern and the couple pattern, a conductor layer formed on the ceramic layer, and a metal wall that holds the ceramic substrate.
本発明は、電気的直流成分を阻止し、超高周波帯域信号
は通過させる超高周波用端子に関する。The present invention relates to an ultra-high frequency terminal that blocks electrical direct current components and allows ultra-high frequency band signals to pass.
例えば、種々の半導体デバイスや分布定数回路によって
構成された超高周波用装置を、気密性を必要とする筐体
に実装するとき、この装置の入出力において、直流成分
を阻止し、必要とする超高周波帯域のみを通過させるこ
とが必要となる。For example, when an ultra-high frequency device composed of various semiconductor devices and distributed constant circuits is mounted in a case that requires airtightness, DC components are blocked at the input and output of this device, and the necessary ultra-high frequency It is necessary to pass only high frequency bands.
かかる、直流成分を阻止し、超高周波帯域信号のみを通
過させる小型で安価な超高周波用端子が要求されている
。There is a need for a small and inexpensive ultra-high frequency terminal that blocks such direct current components and allows only ultra-high frequency band signals to pass.
第4−A図は従来例のハーメチックガラス端子を説明す
る図、第4−B図はその他の従来例の平衡型マイクロス
トリップラインを説明する図である。FIG. 4-A is a diagram illustrating a conventional hermetic glass terminal, and FIG. 4-B is a diagram illustrating another conventional balanced microstrip line.
第4−A図はハーメチックガラス端子であり、導体30
Cを絶縁するハーメチックガラス50とこれを支持する
金属壁40Aよりなっている。Figure 4-A shows a hermetic glass terminal with a conductor 30
It consists of a hermetic glass 50 that insulates C and a metal wall 40A that supports it.
第4−B図は平衡型マイクロストリップラインであり、
裏面に導体層10Aを形成したセラミック基板20Aで
サンドインチ構成された導体パターン30Dよりなって
いる。Figure 4-B is a balanced microstrip line,
It consists of a conductor pattern 30D formed in a sandwich structure with a ceramic substrate 20A having a conductor layer 10A formed on its back surface.
第4−A図のハーメチックガラス端子、第4−B図は平
衡型マイクロストリップラインともに、入出力は1本の
導体30C又は導体30Dでつながっており、これらを
入出力用の端子として使用すると超高周波帯域信号とも
に直流成分を通過させてしまう。For both the hermetic glass terminal in Figure 4-A and the balanced microstrip line in Figure 4-B, the input and output are connected by a single conductor 30C or 30D, and when these are used as input/output terminals, Both high frequency band signals and DC components are passed through.
したがって、超高周波帯域信号のみを通過させ、直流成
分を阻止するときには、上述の端子に直列にコンデンサ
を接続している。Therefore, when passing only ultra-high frequency band signals and blocking direct current components, a capacitor is connected in series to the above-mentioned terminals.
超高周波用回路は、その周波数が高いことから小さな回
路となる。したがって、超高周波用回路を気密構造の筐
体に収容し、上述の従来例に示すような端子を使用して
入出力するときには、直流成分を阻止するためのコンデ
ンサの容積が、全体に対して大きな割合を占めるように
なり、実装密度が低下する。Ultra-high frequency circuits are small circuits because their frequencies are high. Therefore, when an ultra-high frequency circuit is housed in an airtight housing and is input/output using the terminals shown in the conventional example above, the volume of the capacitor for blocking the DC component is It will occupy a large proportion and the packaging density will decrease.
また、使用する周波数が高いためにコンデンサのリード
線がインダクタンスとして作用し、装置の特性に影響を
及ぼす可能性がある。Furthermore, since the frequency used is high, the lead wire of the capacitor acts as an inductance, which may affect the characteristics of the device.
本発明は、小型で安価な超高周波用端子を提供すること
を目的とする。An object of the present invention is to provide a small and inexpensive ultra-high frequency terminal.
第1図は本発明の詳細な説明する図を示す。 FIG. 1 shows a detailed illustration of the invention.
第1図の(萄は上面図、(b)は正面図、(C)は断面
図である。In FIG. 1, (the stem is a top view, (b) is a front view, and (C) is a cross-sectional view.
第1図に示す本発明の原理ブロック図中の20Aは、裏
面に導体層10Aを形成したセラミック基板であり、
3、OAは、セラミック基板20A上にパターニングさ
れたマイクロストリップの入出力パターンであり、・
30Bは、入出力パターン30Aの先端に直角に形成し
た超高周波帯域信号を通過させ、直流成分は阻止するカ
ップルパターンであり、20Bは、入出力パターン30
A、カップルパターン30B上に焼結したセラミック層
であり、10Bは、セラミック層20Bの上に形成した
導体層であり、
40は、セラミック基板20Aを保持する金属壁であり
、
かかる手段を具備することにより本課題を解決するため
の手段とする。20A in the principle block diagram of the present invention shown in FIG. 1 is a ceramic substrate with a conductor layer 10A formed on the back surface, and 3. OA is a microstrip input/output pattern patterned on the ceramic substrate 20A. , 30B is a couple pattern formed perpendicularly to the tip of the input/output pattern 30A to pass an ultra-high frequency band signal and block a DC component, and 20B is a couple pattern formed at right angles to the tip of the input/output pattern 30A
A is a ceramic layer sintered on the couple pattern 30B, 10B is a conductor layer formed on the ceramic layer 20B, 40 is a metal wall that holds the ceramic substrate 20A, and is equipped with such means. This is a means to solve this problem.
入出力パターン30Aの一方から入力された超高周波帯
信号は、カップルパターン30Bで、交流的にカップル
し、直流的には絶縁されているので、超高周波帯信号の
みを通過させ、他方の入出力パターン30Aより出力し
、直流成分は阻止す峰ことが可能となる。The ultra-high frequency band signal input from one side of the input/output pattern 30A is coupled in the couple pattern 30B in an alternating current manner and insulated in terms of direct current, so only the ultra high frequency band signal is passed through, and the input/output signal from the other input/output pattern is It is possible to output from the pattern 30A and block the DC component.
・〔実施例〕
以下本発明の要旨を第2図、第3図に示す実施例により
具体的に説明する。- [Example] The gist of the present invention will be specifically explained below with reference to the example shown in FIGS. 2 and 3.
第2図は本発明の詳細な説明する図、第3図は本発明の
実施例による増幅器を説明する図をそれぞれ示す。なお
、全図を通じて同一符号は同一対象物を示す。FIG. 2 is a diagram for explaining the present invention in detail, and FIG. 3 is a diagram for explaining an amplifier according to an embodiment of the present invention. Note that the same reference numerals indicate the same objects throughout the figures.
第2図に示す本発明の実施例は、裏面に図示省略しであ
る導体層10Aを薫着したセラミック基板20Aと、
セラミック基板20A上にバータニングされた入出力パ
ターン30A、カップルパターン30Bを説明する図で
ある。The embodiment of the present invention shown in FIG. 2 describes a ceramic substrate 20A with a conductor layer 10A (not shown) attached to the back surface, an input/output pattern 30A and a couple pattern 30B that are patterned on the ceramic substrate 20A. It is a diagram.
入出力パターン30Aの幅は0.25鵬、長さ0゜68
5鴫、カップルパターンの幅は0.15閣、長さ0.6
3閣で、入出力パターン30Aとカップルパターン30
BはL字型に接続している。The width of the input/output pattern 30A is 0.25mm, the length is 0°68
5. The width of the couple pattern is 0.15, and the length is 0.6.
Three cabinets, input/output pattern 30A and couple pattern 30
B is connected in an L shape.
カップルパターンの対向する間隙は間隙は0.02閣で
あり、このときの通過帯域は37.5〜39GHzであ
る。The gap between the couple patterns facing each other is 0.02 mm, and the pass band at this time is 37.5 to 39 GHz.
入出力パターン30A、カップルパターン30Bは対称
の構造となっており、第2図の上下いずれが、入力端子
、出力端子になっても動作は同じである。The input/output pattern 30A and the couple pattern 30B have a symmetrical structure, and the operation is the same regardless of whether the upper or lower side in FIG. 2 is an input terminal or an output terminal.
第3図は、本発明の実施例による増幅器であり、筐体I
A内に2つの部屋を設け、各々に半導体デバイス3.7
と分布定数回路2.4.6.8よりなる半導体回路を実
装し、入出力端子1.9、段間接続端子5に本発明の超
高周波用端子を使用したものであり、直流阻止用のコン
デンサを必要としないので高集積化が可能となり、さら
に本発明の端子はフィルタとして動作するので、回路の
高性能化が可能となる。FIG. 3 shows an amplifier according to an embodiment of the invention, with housing I
Two rooms are provided in A, each containing 3.7 semiconductor devices.
A semiconductor circuit consisting of a distributed constant circuit 2.4.6.8 is mounted, and the ultra-high frequency terminal of the present invention is used for the input/output terminal 1.9 and the interstage connection terminal 5, and the Since no capacitor is required, high integration is possible, and since the terminal of the present invention operates as a filter, it is possible to improve the performance of the circuit.
以上のような本発明によれば、直流成分は阻止し、超高
周波帯信号のみを通過させる、小型で実装密度を高める
ことができ、コストの易い超高周波用端子を提供するこ
とができる。According to the present invention as described above, it is possible to provide an ultra-high frequency terminal that blocks direct current components and allows only ultra-high frequency band signals to pass, is compact, has high packaging density, and is inexpensive.
第1図は本発明の詳細な説明する図、
第2図は本発明の詳細な説明する図、
第3図は本発明の実施例による増幅器を説明する図、
第4−A図は従来例のハーメチックガラス端子を説明す
る図、
第4−B図はその他の従来例の平衡型マイクロストリッ
プライン説明する図、
をそれぞれ示す。
図において、
10A、10Bは導体層、
20Aはセラミック基板、
20Bはセラミック層、
30Aは入出力パターン、
30Bはカップルパターン、
30Cは導体、
30Dは中心導体、
40.40Aは金属壁、
50はハーメチックガラス、
IAは筐体、
l、5.9は超高周波用端子、
2.4.6.8は分布定数回路、
3.7は半導体デバイス、
をそれぞれ示す。
(b)
(C)
本発明の詳細な説明する図
第1図
第3図
第2図
従来例のハーメチックガラス端子を説明する図書4−A
図
その他の従来例の平衡型マイクロストリップラインを説
明する図第4−B図FIG. 1 is a diagram explaining the present invention in detail, FIG. 2 is a diagram explaining the invention in detail, FIG. 3 is a diagram explaining an amplifier according to an embodiment of the present invention, and FIG. 4-A is a conventional example. Figure 4-B is a diagram illustrating another conventional balanced type microstrip line, respectively. In the figure, 10A and 10B are conductor layers, 20A is a ceramic substrate, 20B is a ceramic layer, 30A is an input/output pattern, 30B is a couple pattern, 30C is a conductor, 30D is a center conductor, 40.40A is a metal wall, and 50 is a hermetic Glass, IA is a housing, l, 5.9 is an ultra-high frequency terminal, 2.4.6.8 is a distributed constant circuit, and 3.7 is a semiconductor device. (b) (C) Detailed drawings explaining the present invention Fig. 1 Fig. 3 Fig. 2 Book 4-A explaining the conventional hermetic glass terminal
Figures 4-B and other diagrams illustrating conventional balanced microstrip lines
Claims (1)
る超高周波用端子であって、 裏面に導体層(10A)を形成したセラミック基板(2
0A)と、 前記セラミック基板(20A)上にパターニングされた
マイクロストリップラインの入出力パターン(30A)
と、 前記入出力パターン(30A)の先端に直角に形成した
超高周波帯域信号を通過させ、直流成分は阻止するカッ
プルパターン(30B)と、前記入出力パターン(30
A)、前記カップルパターン(30B)上に焼結したセ
ラミック層(20B)と、 前記セラミック層(20B)上に形成した導体層(10
B)と、 前記セラミック基板(20A)を保持する金属壁(40
)を備えたことを特徴とする超高周波用端子。[Claims] An ultra-high frequency terminal that blocks electrical DC components and passes ultra-high frequency band signals, comprising a ceramic substrate (2
0A) and the microstrip line input/output pattern (30A) patterned on the ceramic substrate (20A).
and a couple pattern (30B) formed perpendicularly to the tip of the input/output pattern (30A) to pass an ultra-high frequency band signal and block a DC component;
A), a ceramic layer (20B) sintered on the couple pattern (30B), and a conductor layer (10B) formed on the ceramic layer (20B).
B), and a metal wall (40A) that holds the ceramic substrate (20A).
) A terminal for ultra-high frequencies.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2030344A JPH03235401A (en) | 1990-02-09 | 1990-02-09 | Terminal for ultrahigh frequency |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2030344A JPH03235401A (en) | 1990-02-09 | 1990-02-09 | Terminal for ultrahigh frequency |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH03235401A true JPH03235401A (en) | 1991-10-21 |
Family
ID=12301222
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2030344A Pending JPH03235401A (en) | 1990-02-09 | 1990-02-09 | Terminal for ultrahigh frequency |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH03235401A (en) |
-
1990
- 1990-02-09 JP JP2030344A patent/JPH03235401A/en active Pending
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