JPH03231187A - シンチレーション検出器 - Google Patents
シンチレーション検出器Info
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- JPH03231187A JPH03231187A JP2630790A JP2630790A JPH03231187A JP H03231187 A JPH03231187 A JP H03231187A JP 2630790 A JP2630790 A JP 2630790A JP 2630790 A JP2630790 A JP 2630790A JP H03231187 A JPH03231187 A JP H03231187A
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- Japan
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- light
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- sheet
- radiation
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- Pending
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- 230000007547 defect Effects 0.000 abstract description 24
- 238000001514 detection method Methods 0.000 abstract description 9
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- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 abstract description 8
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Landscapes
- Measurement Of Radiation (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
不発BAはシンチレータ(よって放射線を検出するよっ
てしたシンチレーション検出器、4?(放射1検出効率
の高い検出器に関する。
てしたシンチレーション検出器、4?(放射1検出効率
の高い検出器に関する。
第2図は従来のシンチレーシヨン検出51の斜視外観図
、第3図はシンナレーション検出51の縦断面図である
。
、第3図はシンナレーション検出51の縦断面図である
。
第2図及び第3図において、2はその一面2磯に方形の
開口部3が設けられかつ開口部3以外の部分が光及び放
射線を透過させないように形成された直方体状のケース
、4はケース2の一面21に開口部3を設けることによ
ってこの開口部3のWR囲に形成された口の字状の骨部
2bの上に積み上げられた同じく口の字状のスペーサ、
5はスペーサ4の上(積み重ねることによってスペーサ
4を介してケース27)開口部3を薯ぐよ5Kした方形
の遮光膜で、この遮光膜5は合5!樹脂製の膜体として
のマイラーシート5mとシー)51のスペーサ4の備の
面の全面にわたって形成した遮光層としてのアルミニウ
ム蒸着膜5bとで構成されている。6は遮光膜5の上に
更に積み重ねられた口の字状の枠体で、この場合、枠体
6と遮光膜5とスヘーサ4とケース嫌部2bとが図示し
ていないねじで一体的に締めつけられて固定されている
。
開口部3が設けられかつ開口部3以外の部分が光及び放
射線を透過させないように形成された直方体状のケース
、4はケース2の一面21に開口部3を設けることによ
ってこの開口部3のWR囲に形成された口の字状の骨部
2bの上に積み上げられた同じく口の字状のスペーサ、
5はスペーサ4の上(積み重ねることによってスペーサ
4を介してケース27)開口部3を薯ぐよ5Kした方形
の遮光膜で、この遮光膜5は合5!樹脂製の膜体として
のマイラーシート5mとシー)51のスペーサ4の備の
面の全面にわたって形成した遮光層としてのアルミニウ
ム蒸着膜5bとで構成されている。6は遮光膜5の上に
更に積み重ねられた口の字状の枠体で、この場合、枠体
6と遮光膜5とスヘーサ4とケース嫌部2bとが図示し
ていないねじで一体的に締めつけられて固定されている
。
7は上述りよってして固定された遮光膜5と縁部2bと
の間に配置された方形板状のプラスチックシンチレータ
、8はシンチレータ7に放射線9が入射することによつ
℃こDシン千レーダ7内に発生するシンチレーション光
7afケース2の底部2Cの内面に固定した九゛電子増
倍管lOの光入射9103に導くよう(した光ガイドで
、シンチレーション検出器1は上述n各部で構成されて
いる。
の間に配置された方形板状のプラスチックシンチレータ
、8はシンチレータ7に放射線9が入射することによつ
℃こDシン千レーダ7内に発生するシンチレーション光
7afケース2の底部2Cの内面に固定した九゛電子増
倍管lOの光入射9103に導くよう(した光ガイドで
、シンチレーション検出器1は上述n各部で構成されて
いる。
なお、シン千レージ1)検出器1では、シンチレータ7
は枠体6とケース酸部2bとの間に遮光膜5と充填材1
1及び12とを介して挟みつけられており、また、蒸M
膜5bで外来光を遮光すること(よって放射線9のみが
遮光膜5を透過してシンチレータ7(入射するようです
るために遮光膜5が上述のように構成されてSす、さら
に、上記の外来光及び放射線gnいずれもが遮光膜5を
透過しない限りシンチレータ7に入射することのないよ
うに上述の各部が構成されている。
は枠体6とケース酸部2bとの間に遮光膜5と充填材1
1及び12とを介して挟みつけられており、また、蒸M
膜5bで外来光を遮光すること(よって放射線9のみが
遮光膜5を透過してシンチレータ7(入射するようです
るために遮光膜5が上述のように構成されてSす、さら
に、上記の外来光及び放射線gnいずれもが遮光膜5を
透過しない限りシンチレータ7に入射することのないよ
うに上述の各部が構成されている。
シンチレーション検出器lは上述のよう(構成されてい
るので、増倍管10の出力信号10bにjツ”(、fi
九#5Y透してシンチレータ7vC入射した放射@9の
検出を行い得ることが明らかである。
るので、増倍管10の出力信号10bにjツ”(、fi
九#5Y透してシンチレータ7vC入射した放射@9の
検出を行い得ることが明らかである。
シンチレーション検出器1では遮光膜5が上述のようV
Cmlfflされているので5アルミニウム蒸着模5
b Kピンホールやひび割れ等の被膜欠陥が存在すると
、この欠陥から外来光がケース2内に入射することによ
って増倍管10の出力信号10b中の雑音レベルが高く
なって、このためシンナレーション光7aが増倍管lO
に入射することによって信号10b中に現れる放射線検
出パルスの中には上記の雑音レベルの中に埋もれてしま
うものも出現するようになる。そうして、上述のような
破膜欠陥は遮光膜5においては蒸着膜5bの厚さが非常
に薄いためにしばしば発生する。したがって、シンチレ
ーション検出器lには、 蒸着膜56に被膜欠陥が生じ
易いので、一般に、放射線検出効率が低いという問題点
がある。
Cmlfflされているので5アルミニウム蒸着模5
b Kピンホールやひび割れ等の被膜欠陥が存在すると
、この欠陥から外来光がケース2内に入射することによ
って増倍管10の出力信号10b中の雑音レベルが高く
なって、このためシンナレーション光7aが増倍管lO
に入射することによって信号10b中に現れる放射線検
出パルスの中には上記の雑音レベルの中に埋もれてしま
うものも出現するようになる。そうして、上述のような
破膜欠陥は遮光膜5においては蒸着膜5bの厚さが非常
に薄いためにしばしば発生する。したがって、シンチレ
ーション検出器lには、 蒸着膜56に被膜欠陥が生じ
易いので、一般に、放射線検出効率が低いという問題点
がある。
そこで、紫f嗅5t)を車くすれば破膜欠陥の発生確率
の低減を図ることができるわけであるが、模5bを厚く
シようとするとマイラーシート5aを高温のアルミニウ
ム蒸気に長時間!!寸必要があり、このような高@琢曲
気中に長時量産いても。
の低減を図ることができるわけであるが、模5bを厚く
シようとするとマイラーシート5aを高温のアルミニウ
ム蒸気に長時間!!寸必要があり、このような高@琢曲
気中に長時量産いても。
シート53にしわが寄るようなことがなくて、シート5
aの平滑な状犠が保たれるよってするためには、シート
5aの厚さを厚くする必要がある。
aの平滑な状犠が保たれるよってするためには、シート
5aの厚さを厚くする必要がある。
すなわち、M−W45b79tl<Lようとするとマイ
ラーシート5aも厚くしなければならないこと(なり、
膜5 b及びシート5aを厚くすると当然放射線9が
遮光膜5を透過し難くなる力で、曜い蒸着膜5bを有す
る遮光膜5を採用したシンチレーション検出器1/Cも
放射線検出幼名が低いという間咽点があることになる。
ラーシート5aも厚くしなければならないこと(なり、
膜5 b及びシート5aを厚くすると当然放射線9が
遮光膜5を透過し難くなる力で、曜い蒸着膜5bを有す
る遮光膜5を採用したシンチレーション検出器1/Cも
放射線検出幼名が低いという間咽点があることになる。
本発明の目的は薄い遮yt、膜を用いても放射線検出効
率の高いシンチレーション検出器が得られるようくする
ことにある。
率の高いシンチレーション検出器が得られるようくする
ことにある。
上記目的を連敗するたぬ1本発明でよ性ば、開口部が設
ンtられかつ前記開口部以外の部分が光及び放射線を透
過させないように形Wされたケースと、前記開口部を塞
ぐようにした閉塞手段と、前記閉塞手段を透;4して前
記ケース内に入射する前記放射線を検出するシンチレー
タと、前記放射線を検出して前記シンチレータが発する
シンナレーション光を受光する光電子増倍管とを1蒲え
、前記閘1手段を合成虜詣製の膜体と核膜体の少なくと
も一面シで設けた遮光・層とからなるml遮ffi漠を
複数枚重ねて形成するか、または、#記5膜体と該膜体
の両工のそれぞれ、C投けた前記遮光層とからなる一枚
の纂2遮光膜で形成するかしてシンチレーション検出器
を構成する。
ンtられかつ前記開口部以外の部分が光及び放射線を透
過させないように形Wされたケースと、前記開口部を塞
ぐようにした閉塞手段と、前記閉塞手段を透;4して前
記ケース内に入射する前記放射線を検出するシンチレー
タと、前記放射線を検出して前記シンチレータが発する
シンナレーション光を受光する光電子増倍管とを1蒲え
、前記閘1手段を合成虜詣製の膜体と核膜体の少なくと
も一面シで設けた遮光・層とからなるml遮ffi漠を
複数枚重ねて形成するか、または、#記5膜体と該膜体
の両工のそれぞれ、C投けた前記遮光層とからなる一枚
の纂2遮光膜で形成するかしてシンチレーション検出器
を構成する。
上記のように構成すると、各遮光膜の遮光層にそれぞれ
ピンホールやひび割れ等の被膜欠陥が存在しても、この
ようなイ数収の遮光膜を重ねて形成した閉塞手段の場合
、第1の遮光膜の被膜欠陥を透過した光が引き続いて纂
2の遮光膜の破膜欠陥に入射するというよって、各遮光
膜ににける被膜欠陥が閉基手段における丁度同じ場所(
存在する確率は極めて小さくて、このため、厚い蒸着膜
5bを耳する遮光膜5の一枚力厚さより4閉塞手段を構
成する全遮光膜の合計厚さの方を薄くすることができて
、したがって、放射線検出効率0高いシンチレーション
検出器が得られろことになろ。
ピンホールやひび割れ等の被膜欠陥が存在しても、この
ようなイ数収の遮光膜を重ねて形成した閉塞手段の場合
、第1の遮光膜の被膜欠陥を透過した光が引き続いて纂
2の遮光膜の破膜欠陥に入射するというよって、各遮光
膜ににける被膜欠陥が閉基手段における丁度同じ場所(
存在する確率は極めて小さくて、このため、厚い蒸着膜
5bを耳する遮光膜5の一枚力厚さより4閉塞手段を構
成する全遮光膜の合計厚さの方を薄くすることができて
、したがって、放射線検出効率0高いシンチレーション
検出器が得られろことになろ。
第1図は本発明の一1!廟例の縦断面図で1本図は第3
図に対応した図面である。そうして、第1図の第3図と
異なる所は、第3図のぎ#、導5に対応して閉塞手段1
3が投げられていて、この閉基手段13が1合成樹脂製
の膜体としてのPEEK(ボiエーテルエーテルケトン
)シート14! 、!−このシート14aの一面の全面
にわたって形成したアルミニウム蒸着@5bとからなる
速尤嘆14をMR模5 bがスペーサ4の@(なるよっ
てして2枚重ねて形成され℃いることで、この場合、2
枚の遮光414.14+!それぞれ方形の枠状に形成し
た両面テープ15.15で枠体6.−s光僕14にそれ
ぞれ貼青されている。16は閉基手段13を含む図示し
た各部からなるシンチレーシヨン検出器である。シンチ
レーション検出器16では閉基手段13が上述のように
構成されているので、この手段13(=ケース2の開口
部3を塞ぐようにしたものであるということがで會る。
図に対応した図面である。そうして、第1図の第3図と
異なる所は、第3図のぎ#、導5に対応して閉塞手段1
3が投げられていて、この閉基手段13が1合成樹脂製
の膜体としてのPEEK(ボiエーテルエーテルケトン
)シート14! 、!−このシート14aの一面の全面
にわたって形成したアルミニウム蒸着@5bとからなる
速尤嘆14をMR模5 bがスペーサ4の@(なるよっ
てして2枚重ねて形成され℃いることで、この場合、2
枚の遮光414.14+!それぞれ方形の枠状に形成し
た両面テープ15.15で枠体6.−s光僕14にそれ
ぞれ貼青されている。16は閉基手段13を含む図示し
た各部からなるシンチレーシヨン検出器である。シンチ
レーション検出器16では閉基手段13が上述のように
構成されているので、この手段13(=ケース2の開口
部3を塞ぐようにしたものであるということがで會る。
シン千し−ノヨ/検出器16は上述のように構成さnて
いるが、この場合、遮光膜14.14の各アルミニウム
蒸i1慎5I)、5bにピンホールやひび割れ等の破膜
欠陥が存在し℃いても、閉塞手段13の上方から上N遮
光膜14と入射した光が破膜14における被膜欠陥を透
過した装丁り連光[14における被膜欠陥に入射すると
いうように、遮光膜14.14における各被膜欠陥が閉
塞手段130Ti同じ場FJrに出現する確率は僅少で
あることが明らかである。したがって、シンチレーシヨ
ン検出器16においては、各遮光$14.14を薄く形
成することによつ℃、このたぬ蒸着膜5bにおける被膜
欠陥の発生確率が多少大きくなったとしても。
いるが、この場合、遮光膜14.14の各アルミニウム
蒸i1慎5I)、5bにピンホールやひび割れ等の破膜
欠陥が存在し℃いても、閉塞手段13の上方から上N遮
光膜14と入射した光が破膜14における被膜欠陥を透
過した装丁り連光[14における被膜欠陥に入射すると
いうように、遮光膜14.14における各被膜欠陥が閉
塞手段130Ti同じ場FJrに出現する確率は僅少で
あることが明らかである。したがって、シンチレーシヨ
ン検出器16においては、各遮光$14.14を薄く形
成することによつ℃、このたぬ蒸着膜5bにおける被膜
欠陥の発生確率が多少大きくなったとしても。
外来光が閉基手段13を透過することは殆どない。
したがって、検出516の#II成てよれば、環1嗅5
b1に厚くして被膜欠陥の発生1率を低減した前述の遮
光膜5の一枚の厚さよりも閉塞手段13の厚さの方を薄
くすることができ、かつ、この場合外来光が閉基手段1
3を透過することは殆どないので、放射線検出効率の高
いシンチレーシヨン検出器が得らnることとなる。
b1に厚くして被膜欠陥の発生1率を低減した前述の遮
光膜5の一枚の厚さよりも閉塞手段13の厚さの方を薄
くすることができ、かつ、この場合外来光が閉基手段1
3を透過することは殆どないので、放射線検出効率の高
いシンチレーシヨン検出器が得らnることとなる。
なお、検出器16では、上述したように、遮光[14な
PEEKシート14aを用いて形成したが。
PEEKシート14aを用いて形成したが。
このシート14aは遮光膜5(おIするマイラーシート
5aよりも耐熱性の点ですぐれている。故VC。
5aよりも耐熱性の点ですぐれている。故VC。
検出器16/Cおいては、遮光膜14が非常に薄く形成
されているにもかかわらず被膜欠陥の少ないものとなつ
℃いる。
されているにもかかわらず被膜欠陥の少ないものとなつ
℃いる。
上述7)実施列においては閉塞手段13を片面に蒸W摸
5bを設けた遮光膜14を二枚重ねて形成したが1本発
明では、遮光膜14を三枚以上重ねて閉塞手段を形成し
てもよく、また、PEEKシート14aとこのシー)1
4aの両面のそれぞれに形成したアルミニウム蒸着膜5
b、5bとからなる一枚の遮光膜で閉基手段を形成して
もよい。そうして、また1本発明でおいては、と達した
遮光膜14においてtjI遮光遮光形成する膜体をPE
EKシート以外乃合成樹脂で形成してもよく、さらて。
5bを設けた遮光膜14を二枚重ねて形成したが1本発
明では、遮光膜14を三枚以上重ねて閉塞手段を形成し
てもよく、また、PEEKシート14aとこのシー)1
4aの両面のそれぞれに形成したアルミニウム蒸着膜5
b、5bとからなる一枚の遮光膜で閉基手段を形成して
もよい。そうして、また1本発明でおいては、と達した
遮光膜14においてtjI遮光遮光形成する膜体をPE
EKシート以外乃合成樹脂で形成してもよく、さらて。
遮光膜147cおける轟光層をアルミニウム以外の材料
で形成しても差し支えない。なお、上述したシンチレー
ション検出器16ではシンチレータとしてプラス千ツク
シン千し−97を用いたが1本発明はこのようなンン千
レータ7以外のシン千レーダを用いたシンチレーション
検出器にも適用でするも0である。
で形成しても差し支えない。なお、上述したシンチレー
ション検出器16ではシンチレータとしてプラス千ツク
シン千し−97を用いたが1本発明はこのようなンン千
レータ7以外のシン千レーダを用いたシンチレーション
検出器にも適用でするも0である。
上述したよって1本発明においては、開口部が設けられ
かつこの開口部以外の部分が光及び放射線を透過させな
いように形成されたケースと、開口部を塞ぐよってした
閉塞手段と、閉塞手段を透過してケース内に入射する放
射線を検出するシンチレータと、放射線を検出してシン
チレータが発するシン千レージコン光を受光する光電子
増倍管とを備え、閉塞手段を合成樹脂製の膜体と該膜体
の少なくとも一面に投げた遮光層とからなる第1遮尤嗅
を償奴枚重ねて形成するD・、または、1ii1体と該
漢体の両面のそれぞれに設けた遮光層とからなる一文7
1第2遮#SJで形成する6)してシン千レージ7ン検
出器を構成した。
かつこの開口部以外の部分が光及び放射線を透過させな
いように形成されたケースと、開口部を塞ぐよってした
閉塞手段と、閉塞手段を透過してケース内に入射する放
射線を検出するシンチレータと、放射線を検出してシン
チレータが発するシン千レージコン光を受光する光電子
増倍管とを備え、閉塞手段を合成樹脂製の膜体と該膜体
の少なくとも一面に投げた遮光層とからなる第1遮尤嗅
を償奴枚重ねて形成するD・、または、1ii1体と該
漢体の両面のそれぞれに設けた遮光層とからなる一文7
1第2遮#SJで形成する6)してシン千レージ7ン検
出器を構成した。
このため、上記のよう/C構dすると、各遮光膜の遮光
層に七ltぞj、ピンホールやひび刷れ等の被膜欠乃が
存在しても、このような1ji数枚の遮光膜を重ねて形
成した閉塞手段の場合、第1の遮光膜の被膜欠陥を透過
した光が引き硬い1:第2の遮光層の被膜欠陥に入射す
るというように、各遮光膜における被膜欠陥が閉塞手段
にSける丁度同じ場所に存在する14は啄め℃小さ(て
、このため。
層に七ltぞj、ピンホールやひび刷れ等の被膜欠乃が
存在しても、このような1ji数枚の遮光膜を重ねて形
成した閉塞手段の場合、第1の遮光膜の被膜欠陥を透過
した光が引き硬い1:第2の遮光層の被膜欠陥に入射す
るというように、各遮光膜における被膜欠陥が閉塞手段
にSける丁度同じ場所に存在する14は啄め℃小さ(て
、このため。
厚い蒸着Iii、5bを有する遮光膜5の一枚の厚さよ
りも閉塞手段を構成する全遮光膜の合計厚さの方を薄く
することができて、したがって1不発ai4には放射線
検出効率の高いシンチー−シー1ン検出器が得られる効
果がある。
りも閉塞手段を構成する全遮光膜の合計厚さの方を薄く
することができて、したがって1不発ai4には放射線
検出効率の高いシンチー−シー1ン検出器が得られる効
果がある。
眞1図を工本発明の一笑施例の縦断面図。
第2図は従来′〕シン千レしジ曹ン検出器の斜視外M図
。 第3図は第2図に示したシンチレーシヨン検出器の縦断
面図である。 1.16・・・・−・シン千し−シッン検出器、2・・
・・・・ケース、3・・・・・・開口部、5・−・・−
・1Xts、sa・・・用マイラーシート(合Fli實
指襄膜体)、5b・・・・・・アルミニウムMylPl
(a光H′V1)、7・・・・−プラスチックシン千
レーダ(シン千し−1)、7a・・・・・・シンナレー
ション光、9・・・・・・放射線、 10・・・・・
・光電子増倍管、13・・・・・・閉塞手段、14・・
・・−・遮光膜(第1遮光膜)、14m・・・・・・P
EEKシート(合成樹脂製膜体)。 −一)
。 第3図は第2図に示したシンチレーシヨン検出器の縦断
面図である。 1.16・・・・−・シン千し−シッン検出器、2・・
・・・・ケース、3・・・・・・開口部、5・−・・−
・1Xts、sa・・・用マイラーシート(合Fli實
指襄膜体)、5b・・・・・・アルミニウムMylPl
(a光H′V1)、7・・・・−プラスチックシン千
レーダ(シン千し−1)、7a・・・・・・シンナレー
ション光、9・・・・・・放射線、 10・・・・・
・光電子増倍管、13・・・・・・閉塞手段、14・・
・・−・遮光膜(第1遮光膜)、14m・・・・・・P
EEKシート(合成樹脂製膜体)。 −一)
Claims (1)
- 1)開口部が設けられかつ前記開口部以外の部分が光及
び放射線を透過させないように形成されたケースと、前
記開口部を塞ぐようにした閉塞手段と、前記閉塞手段を
透過して前記ケース内に入射する前記放射線を検出する
シンチレータと、前記放射線を検出して前記シンチレー
タが発するシンチレーシヨン光を受光する光電子増倍管
とを備え、前記閉塞手段を合成樹脂製の膜体と該膜体の
少なくとも一面に設けた遮光層とからなる第1遮光膜を
複数枚重ねて形成するか、または、前記膜体と該膜体の
両面のそれぞれに設けた前記遮光層とからなる一枚の第
2遮光膜で形成するかしたことを特徴とするシンチレー
シヨン検出器。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2630790A JPH03231187A (ja) | 1990-02-06 | 1990-02-06 | シンチレーション検出器 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2630790A JPH03231187A (ja) | 1990-02-06 | 1990-02-06 | シンチレーション検出器 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
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JPH03231187A true JPH03231187A (ja) | 1991-10-15 |
Family
ID=12189713
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2630790A Pending JPH03231187A (ja) | 1990-02-06 | 1990-02-06 | シンチレーション検出器 |
Country Status (1)
Country | Link |
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JP (1) | JPH03231187A (ja) |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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1990
- 1990-02-06 JP JP2630790A patent/JPH03231187A/ja active Pending
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