JPH03230968A

JPH03230968A - 静電記録装置

Info

Publication number: JPH03230968A
Application number: JP2512990A
Authority: JP
Inventors: Tetsuo Kodera; 哲郎小寺; Keizo Abe; 敬三阿部; Isao Ito; 功伊藤; Daisuke Tsuda; 大介津田; Hiroaki Sato; 博昭佐藤; Shigeo Ono; 茂雄大野
Original assignee: Fuji Xerox Co Ltd
Current assignee: Fujifilm Business Innovation Corp
Priority date: 1990-02-06
Filing date: 1990-02-06
Publication date: 1991-10-14

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】［産業上の利用分野］この発明は静電記録装置に関するもので、更に詳細には
、イオン量を制御して静電潜像受容体に均一に帯電させ
て、高画質の画像を得られるようにした静電記録装置に
関するものである。

［従来の技術］一般に、記録媒体上に静電潜像を形成する記録装置とし
て、特開昭５９−１６４１５４号公報に示されるような
イオン流制御記録装置が知られている。

このイオン流制御記録装置は、第５図に示すように、イ
オン流を制御しつつ照射するイオン流制御用の記録ヘッ
ドａと、記録ヘッドａから照射されたイオンを帯電する
記録媒体である静電潜像受容体すとで構成されている。

この場合、記録ヘッドａは、接地された一対の導電性シ
ールドｃ、　　ｄ間に円筒状のチャンバｅを形成し、こ
のチャンバｅ内における長手方向に沿って放電ワイヤｆ
を張設してイオン発生手段ｇを形成し、一方のシールド
ｄの下部には絶縁層り及び導電性基板ｉを介して絶縁性
基板ｊを取り付けると共に、他方のシールドＣの下方に
接続される導電性基準電極ｎと絶縁性基板ｊとの間にイ
オン発生手段ｇに連通ずるスリットｋにてイオン流導出
部ｌを形成して成る。そして、絶縁性基板ｊのスリット
側面上に複数の制御電極ｍを配設すると共に、制御電極
ｍに画像情報に応じて切換可能な制御回路ｒを接続して
、イオン流の導出を制御するイオン流制御手段を構成す
る構造となっている。

また、記録ヘッドａから照射されるイオンを帯電する静
電潜像受容体すは、電荷リセプタ０の背面側すなわち電
荷リセプタ０の記録ヘッドａと対向する面の反対側面に
高電位源ｐに接続する背面電極ｑを配設した構造となっ
ている。

上記のように構成される静電記録装置において、ワイヤ
電源Ｓから放電ワイヤｆに高圧電圧を印加することによ
り、チャンバｅ内にイオンが発生され、そして、チャン
バｅの上方からチャンバｅに空気流Ａを吹き込むことに
より、チャンバｅ内のイオンをチャンバｅに連通して設
けられたスリブトｋを通して静電潜像受容体すに付着帯
電することができる。このとき、制御回路ｒから各制御
電極ｍ【ｑ画像信号に応じた電圧を印加することにより
、スリットｋを通過するイオン流を制御して静電潜像受
容体す上に帯電させて静電潜像を形成することができる
。

［発明が解決しようとする課題］しかしながら、従来のこの種の記録装置においては、制
御電極ｍと対向する基準電極ｎがいわゆるベタ状の導体
であるため、第６図に示すように、画像情報に応じて電
圧が印加された制御電極ｍと基準電極ｎとの間に生じる
制御電界Ｂがイオン導出領域まで拡散してしまう。

したがって、従来のこの種の静電記録装置においては、
例えば、プロセス方向の１画素を記録しようとした時、
その画素に隣接する制御電極ｍに印加された電圧による
電界Ｂが記録しようとするビットの制御通路にも影響を
与え、意図に反して制御されてしまうことがあり、その
結果、細線が明確にならず画質の低下をきたすという問
題点があった。

この発明は上記事情に鑑みなされたもので、上記問題を
解決するために、制御された画素の電界を集中させて、
隣接画素への影響を抑制して高画質を得られるようにし
た静電記録装置を提供しようとするものである。

［課題を解決するための手段］上記目的を達成するために、この発明の静電記録装置は
、イオン発生手段と、このイオン発生手段に連通ずると
共にイオン発生手段にて発生したイオン流を導出するた
めのイオン流導出部と、イオン流の導出を制御するイオ
ン流制御手段とから成る記録ヘッドと、上記イオン流導
出部に対向配置された静電潜像受容体とを具備する静電
記録装置を前提とし、上記イオン流導出部を、スリット
を形成すべく対向配置される第１及び第２の絶縁性基板
と、これら絶縁５性基板の対向面にそれぞれ配設される
複数の第１及び第２の電極とで構成し、上記イオン流制
御手段を、イオン導出領域における第１、第２の電極を
同電位にすると共に、イオン非導出領域の第１、第２の
電極に電位差を付与すべく切換可能な制御回路にて形成
して成ることを特徴とするものである。

この発明において、上記第１及び第２の絶縁性基板は絶
縁性を有する材質であれば両者は必ずしも同じ材質でな
くても差し支えないが、好ましくは両者が同様の材質、
例えばガラス、あるいは、セラミックス等の絶縁性基板
である方がよい。

また、上記第１及び第２の電極は互いに対向された位置
においてそれぞれ適宜間隔をおいて列設される複数の電
極にて形成されるもので、例えば、いずれか一方の電極
を櫛歯状の制御電極にて形成し、他方の電極を同じく櫛
歯状の対向電極にて形成されるものを使用することがで
きる。

加えて、上記制御回路の制御方式はイオン導出領域にお
ける第１、第２の電極を同電位にすると共に、イオン非
導出領域の第１、第２の電極に電位差を付与すべく切換
可能な方式であれば任意のものでよく、例えば全ての電
極に一様に弱い電圧（−０，５〜−ＩＶ）を印加し、制
御電極には制御する時」−１５〜−１−３０Ｖの電圧を
させて電位差を付与してもよく、あるいは、対向電極に
も制御電極と対応して選択的に電圧を印加させて同様に
電位差を付与させるようにしてもよい。

［作用］上記技術的手段は以下のように作用する。

上記のように構成することにより、イオン発生手段で発
生されたイオンが空気流によってスリットを通る際に制
御手段にて所定の画像信号に応じて制御されて、静電潜
像受容体上に帯電される。

この際、制御手段のイオン導出領域における第１、第２
の電極か同電位にされると共に、イオン非導出領域の第
１、第２の電極に電位差が付与されるので、制御された
画素の電界が集中されて隣接画素への影響が抑制されて
画質の低下が防止される。

［実施例］以下にこの発明の実施例を図面に基いて詳細に説明する
。

第１図はこの発明の静電記録装置の断面図が示されてい
る。

この発明の静電潜像記録装置は、イオン流を制御しつつ
照射するイオン流制御用の記録ヘッド１０と、記録ヘッ
ド１０から照射されたイオンを帯電する記録媒体である
静電潜像受容体１２とて主要部が構成されている。

記録ヘッド１０は、接地された一対の導電性シールド１
４．１６間に円筒状のチャンバ１８を形成すると共に、
このチャンバ１８内における長手方向に沿って放電ワイ
ヤ２０を張設してイオン発生手段２２を形成して成り、
一方のシールド１６の下部には絶縁層２４及び導電性基
板２６を介してシールド１４．１６を覆うように第１の
絶縁性基板２８が取り付けられると共に、他方のシール
ド１４の下部には絶縁層２５及び導電性基板２７を介し
て第２の絶縁性基板２９が取り付けられている。そして
、これら第２の絶縁性基板２９と絶縁性基板２８との間
にイオン発生手段２２に連通ずるスリット３０にてイオ
ン流導出部３２が形成されている。この場合、第１及び
第２の絶縁性基板２８．２９は例えばガラスあるいはセ
ラミックス等の絶縁性材料にて形成されている。

また、絶縁性基板２８のスリット側面上に導電性基板２
６に連なる複数の櫛歯状の制御電極３４が配設され、絶
縁性基板２９のスリット面上に導電性基板２７に連なる
複数の櫛歯状の対向電極３５が配設され、かつ、これら
制御電極３４及び対向電極３５に切換可能に電圧を印加
する制御回路４０が接続されて、制御手段が構成されて
いる。なお、制御電極３４及び対向電極３５は、例えば
６４本×４０ブロックの計２．５６０本から成るマトリ
ックス配線とされ、制御電極３４と対向電極３５の各ビ
ットがスリット３０を挟んで互いに対向するように形成
されている。

また、制御電極３４及び対向電極３５は絶縁性基板２８
゜２９の表面上に、例えばステンレスやニッケル等の薄
板をエツチング処理して形成したり、タングステンや金
等から成るペースト状のインクによって電極パターンに
従って印刷することにより、画素密度に応じて分離され
るべく互いに平行な直線状に２面にわたって連続して形
成されている。なお、制御電極３４と対向電極３５の電
極の幅と電極間の絶縁性基板２８．２９の露出部の幅は
１：２〜２：１であることが好ましい。

この場合、制御回路４０は、制御電極３４とアース部４
２、プラス電源４４とをスイッチング素子４６を介して
選択的に接続する第１の制御回路４８と、対向電極３５
とアース部４３、マイナス電源４５とをスイッチング素
子４７を介して選択的に接続する第２の制御回路４９と
で構成されている（第１図及び第２図参照）。この場合
、プラス電源４４は＋７〜＋１５■の電圧に設定され、
また、マイナス電源４５は−７〜−１５Ｖの電圧に設定
されている。したがって、画像情報に基いてスイッチン
グ素子４６．４７がプラス電源４４、マイナス電源４５
に接続されると、第２図に示すように、各対向する制御
電極３４と対向電極３５間に集中した状態の制御電界Ｂ
が発生して隣接画素への影響を抑制した状態でイオン流
が制御され、また、スイッチング素子４６．４７がアー
ス部４２．４３に接続した箇所においては、イオン流は
制御されずに静電潜像受容体１２に向かって照射される
。

なお、放電ワイヤ２０には抵抗５０を介してワイヤ電源
５２が接続されている。

一方、記録ヘッドＩＯから照射されるイオンを帯電する
静電潜像受容体１２は、電荷リセプタ５４の背面側すな
わち電荷リセプタ５４の記録ヘッド１０と対向する面の
反対側面に高電位源５６に接続する背面電極５８を配設
した構造となっている。

なお、符号Ｃは電荷リセプタ５４の移動方向である。

上記のように構成される静電記録装置において、ワイヤ
電源５２から放電ワイヤ２０に高圧電圧を印加すると、
チャンバ１８内にイオンが発生され、そして、チャンバ
１８の上方からチャンバ１８に空気流Ａを吹き込むこと
により、チャンバ１８内のイオンがチャンバ１８に連通
して設けられたスリット３０を通って静電潜像受容体１
２に照射される。この際、制御回路４０（具体的には第
１の制御回路４８、第２の制御回路４９）のスイッチン
グ素子４６．４７が画像情報に基いて切り換って各制御
電極３４及びそれに対向する各対向電極３５に画像信号
に応じた電圧が印１加されることにより、スリット３０を通過するイオン流
が制御されて静電潜像受容体１２上に帯電され、静電潜
像が形成される。

したがって、イオンが拡がらずに電荷リセプタ５４に付
着帯電され、電荷リセプタ５４が矢印Ｃ方向に移動して
、図示しない現像部にて電荷リセプタ５４の帯電部に現
像剤が付着されると共に、転写部にて記録シート（図示
せず）に転写される。

なお、上記実施例では、制御電極３４に＋７〜＋１５Ｖ
の電圧が印加され、対向電極３５に一７〜１５Ｖの電圧
が印加されて、イオン非導出領域の電極３４．３５間に
電位差を付与するようにした場合について説明したが、
必ずしも画電極３４．３５間に正負の電圧を印加する場
合に限定されるものではなく、例えば全ての電極３４．
３５に一様にマイナスの弱い電圧（−０，５〜−ＩＶ）
を印加し、制御電極３４には制御時に＋１５〜＋３０Ｖ
の電圧を印加するようにしてもよい。

次に、この発明の静電記録装置の記録ヘッド１０と従来
の記録ヘッドａとのライン像の制御特性の１．２比較テストについて説明する。

テストに当って、この発明の記録ヘッド１０における制
御電極３４と対向電極３５にそれぞれ＋Ｖ　［Ｖ］−Ｖ
　［Ｖ］を印加し、従来の記録ヘッドａにおける制御電
極ｍに２Ｖ［Ｖ］、対向する基準電極ｎを接地した状態
とした。そして、画素の制御のデーターパターンを０１
１０１０　（０：ＯＦＦ。

１：ＯＮ）とした時のスリット３０を通過するイオン量
を測定したところ、第３図及び第４図に示すように、従
来ではＯＦＦの電極に印加された電圧による電界が隣接
する領域にまで影響し、０１１０の２ビット部分で線幅
が細くなったり、０１０部では全く再現されなかったと
いうことが発生していたが、この発明によればそのよう
な欠点が改善された。

［発明の効果］以上に説明したように、この発明の静電記録装置によれ
ば、上記のように構成されているので、以下のような効
果が得られる。

制御された画素の電界を集中させて隣接画素への影響を
抑制することができるので、線幅を明確にすることがで
きると共に、画質の向上を図ることができる。

【図面の簡単な説明】

第１図はこの発明の静電記録装置の断面図、第２図はこ
の発明の静電記録装置の要部を示す断面図、第３図はこ
の発明における記録ヘッドのイオン量と画素制御のデー
ターパターンとの関係を示すグラフ、第４図は従来の記
録ヘッドのイオン量と画素制御のデーターパターンとの
関係を示すグラフ、第５図は従来の静電記録装置の断面
図、第６図は従来の静電記録層の要部の断面図である。符号説明（１０）・・・記録ヘッド（１２）・・・静電潜像受容体（２２）・・・イオン発生手段（２８）・・・第１の絶縁性基板（２９）・・・第２の絶縁性基板（３０）・・・スリット（３２）・・・イオン流導出部（３４）・制御電極（３５）・・・対向電極（４０）・・・制御回路（４２，４３）・・・アース部（４４）・・・プラス電源（４５）・・マイナス電源（４６，４７）・・・スイッチング素子（４ｇ）・・・
第１の制御回路（４９）・・・第２の制御回路

Claims

【特許請求の範囲】

（１）イオン発生手段と、このイオン発生手段に連通す
ると共にイオン発生手段にて発生したイオン流を導出す
るためのイオン流導出部と、イオン流の導出を制御する
イオン流制御手段とから成る記録ヘッドと、上記イオン流導出部に対向配置された静電潜像受容体と
を具備する静電記録装置において、上記イオン流導出部
を、スリットを形成すべく対向配置される第１及び第２
の絶縁性基板と、これら絶縁性基板の対向面にそれぞれ
配設される複数の第１及び第２の電極とで構成し、上記イオン流制御手段を、イオン導出領域における第１
、第２の電極を同電位にすると共に、イオン非導出領域
の第１、第２の電極に電位差を付与すべく切換可能な制
御回路にて形成して成ることを特徴とする静電記録装置
。