JPH0322748B2 - - Google Patents
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- JPH0322748B2 JPH0322748B2 JP57152108A JP15210882A JPH0322748B2 JP H0322748 B2 JPH0322748 B2 JP H0322748B2 JP 57152108 A JP57152108 A JP 57152108A JP 15210882 A JP15210882 A JP 15210882A JP H0322748 B2 JPH0322748 B2 JP H0322748B2
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- correction coefficient
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N1/00—Scanning, transmission or reproduction of documents or the like, e.g. facsimile transmission; Details thereof
- H04N1/04—Scanning arrangements, i.e. arrangements for the displacement of active reading or reproducing elements relative to the original or reproducing medium, or vice versa
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Multimedia (AREA)
- Signal Processing (AREA)
- Facsimile Scanning Arrangements (AREA)
- Facsimile Image Signal Circuits (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は複写機、フアクシミリ（送信部）など
に固体撮像素子等の光電変換素子を用いた原稿読
取装置のシエーデイング補正装置に係り、更に詳
しくは原稿を照射する光源の劣化現像を信号とし
て表示するようにしたシエーデイング補正装置に
関する。
に固体撮像素子等の光電変換素子を用いた原稿読
取装置のシエーデイング補正装置に係り、更に詳
しくは原稿を照射する光源の劣化現像を信号とし
て表示するようにしたシエーデイング補正装置に
関する。
記録すべき原稿をランプによつて照射し、その
反射光を反射鏡やレンズを含む光学系を通して、
固体撮像素子やフオトダイオードアレイなどの光
電変換素子に撮像し、電気信号に変換した後、針
状電極などにより静電荷像を形成し現像して記録
像を作る記録装置がすでに知られ広く利用されて
いる。
反射光を反射鏡やレンズを含む光学系を通して、
固体撮像素子やフオトダイオードアレイなどの光
電変換素子に撮像し、電気信号に変換した後、針
状電極などにより静電荷像を形成し現像して記録
像を作る記録装置がすでに知られ広く利用されて
いる。
この種の記録装置では均一濃度の原稿面を読取
つても光電変換信号の出力が不均一となり、特に
中央部に比べて端部の出力が小さく記録画像とし
ては、信号出力が小さい部分では黒つぼくなるな
ど濃度が不均一になる現象がみられる。この現象
はシエーデイングと呼ばれ、このシエーデイング
を補正するために、従来種々の補正対策がとられ
ている。本発明はこのシエーデイング補正装置を
原稿を照射する光源の劣化現像を検知するように
したものである。
つても光電変換信号の出力が不均一となり、特に
中央部に比べて端部の出力が小さく記録画像とし
ては、信号出力が小さい部分では黒つぼくなるな
ど濃度が不均一になる現象がみられる。この現象
はシエーデイングと呼ばれ、このシエーデイング
を補正するために、従来種々の補正対策がとられ
ている。本発明はこのシエーデイング補正装置を
原稿を照射する光源の劣化現像を検知するように
したものである。
原稿を照射する光源が劣化してくると、光量が
減少してくる。例えば螢光灯では劣化によつて管
端部に黒化現象が現われてくる。こうなるとラン
プを交換する必要が生じてくる。一方、普通の複
写機等ではランプの寿命を検知する手段は設けて
おらず、カブリ等が複写画像に生じても使用を続
行することが普通で、カブリが発生してもカブリ
の原因が判然とせず、トナー濃度について調べた
り、電子写真感光体寿命について調べたりして、
メンテナンス性が悪かつた。
減少してくる。例えば螢光灯では劣化によつて管
端部に黒化現象が現われてくる。こうなるとラン
プを交換する必要が生じてくる。一方、普通の複
写機等ではランプの寿命を検知する手段は設けて
おらず、カブリ等が複写画像に生じても使用を続
行することが普通で、カブリが発生してもカブリ
の原因が判然とせず、トナー濃度について調べた
り、電子写真感光体寿命について調べたりして、
メンテナンス性が悪かつた。
画像をCCD（電荷結合素子）センサにより光電
変換し処理を行う新しいタイプの事務機につい
て、中間調の出力等を考慮した場合にはシエーデ
イング補正の回路が設けてあり、ある程度の補正
は可能であるが、光源の劣化による黒化の現象が
あると補正の精度が充分得られなくなり、悪い複
写画像となる。このことはシエーデイング補正が
シエーデイング波形をサンプリングし、補間法を
用いるシエーデイング補正を行う場合に著しい。
変換し処理を行う新しいタイプの事務機につい
て、中間調の出力等を考慮した場合にはシエーデ
イング補正の回路が設けてあり、ある程度の補正
は可能であるが、光源の劣化による黒化の現象が
あると補正の精度が充分得られなくなり、悪い複
写画像となる。このことはシエーデイング補正が
シエーデイング波形をサンプリングし、補間法を
用いるシエーデイング補正を行う場合に著しい。
本発明は、光源の劣化が光源端部の黒化現象と
してあらわれることに注目してなされたもので、
光源の劣化を検出するシエーデイング補正装置を
提供することを目的としたもので、この目的を達
成するための次記する第１発明と第２発明とを提
供するものである。
してあらわれることに注目してなされたもので、
光源の劣化を検出するシエーデイング補正装置を
提供することを目的としたもので、この目的を達
成するための次記する第１発明と第２発明とを提
供するものである。
即ち第１発明として、原稿を照射する光源と、
均一反射率を有する反射部と、前記光源から該反
射部に反射された反射光を固体撮像素子でシエー
デイング波形を読取り、もつてシエーデイング補
正係数を演算し、画像信号を補正するシエーデイ
ング補正装置において、前記補正係数が所定の値
であるか否かを判断する基準となる値が記憶され
た記憶手段と、前記シエーデイング補正係数と前
記記憶手段に記憶されている基準値とを比較し、
該シエーデイング補正係数が該基準値を超えたと
き、前記光源の劣化検出信号を出力する演算処理
手段とを備えたシエーデイング補正装置を提供す
るものである。
均一反射率を有する反射部と、前記光源から該反
射部に反射された反射光を固体撮像素子でシエー
デイング波形を読取り、もつてシエーデイング補
正係数を演算し、画像信号を補正するシエーデイ
ング補正装置において、前記補正係数が所定の値
であるか否かを判断する基準となる値が記憶され
た記憶手段と、前記シエーデイング補正係数と前
記記憶手段に記憶されている基準値とを比較し、
該シエーデイング補正係数が該基準値を超えたと
き、前記光源の劣化検出信号を出力する演算処理
手段とを備えたシエーデイング補正装置を提供す
るものである。
また第２発明として、原稿を照射する光源と、
均一反射率を有する反射部と、前記光源から該反
射部に反射された反射光を固体撮像素子でシエー
デイング波形を読取り、もつてシエーデイング補
正係数を演算し、画像信号を補正するシエーデイ
ング補正装置において、記憶手段に記憶した前記
光源使用開始時のシエーデイング波形又は補正係
数と、随時読取られたシエーデイング波形又は補
正係数とを比較し、少なくとも光源端部に相当す
る部分での比率又は差分が所定値を越えたとき、
前記光源の劣化検出信号を出力するようにしたシ
エーデイング補正装置を提供するものである。
均一反射率を有する反射部と、前記光源から該反
射部に反射された反射光を固体撮像素子でシエー
デイング波形を読取り、もつてシエーデイング補
正係数を演算し、画像信号を補正するシエーデイ
ング補正装置において、記憶手段に記憶した前記
光源使用開始時のシエーデイング波形又は補正係
数と、随時読取られたシエーデイング波形又は補
正係数とを比較し、少なくとも光源端部に相当す
る部分での比率又は差分が所定値を越えたとき、
前記光源の劣化検出信号を出力するようにしたシ
エーデイング補正装置を提供するものである。
上記の第１及び第２発明は、その発明の構成に
欠くことができない事項の主要部を同じくし、同
一目的を達成するものである。
欠くことができない事項の主要部を同じくし、同
一目的を達成するものである。
以下図面を用いて本発明の説明を行うが、まず
第１発明の実施例につき説明を行い、ついで第２
発明の相違点について説明を行う。
第１発明の実施例につき説明を行い、ついで第２
発明の相違点について説明を行う。
第１図は原稿台移動式の原稿読取装置を有する
複写機の原稿読取り部の構成の一例を概略的に示
しており、原稿台１上に載置した原稿２をランプ
３により照射し、原稿２からの反射光をミラー
４、レンズ５を介して光電変換素子６に入射させ
電気画像信号に変換する。この例では原稿台１の
前方の非画像領域に白色の反射面が設けてある。
複写機の原稿読取り部の構成の一例を概略的に示
しており、原稿台１上に載置した原稿２をランプ
３により照射し、原稿２からの反射光をミラー
４、レンズ５を介して光電変換素子６に入射させ
電気画像信号に変換する。この例では原稿台１の
前方の非画像領域に白色の反射面が設けてある。
画像信号の発生は、移動する原稿２よりの画像
を、例えば光源３、レンズ５、ミラー４よりなる
光学系により、光電変換素子６へ結像させること
により、光学像を電気信号に変換するもので、出
力増幅部を内蔵し、光から電圧へのアナログ変換
がなされる。
を、例えば光源３、レンズ５、ミラー４よりなる
光学系により、光電変換素子６へ結像させること
により、光学像を電気信号に変換するもので、出
力増幅部を内蔵し、光から電圧へのアナログ変換
がなされる。
光電変換を行う固体撮像素子としては、通常１
次元構造のものが使用され、MOS型イメージセ
ンサの他に、アナログ転送が可能で、転送効率・
周波数特性のすぐれCCDイメージセンサが用い
られる。
次元構造のものが使用され、MOS型イメージセ
ンサの他に、アナログ転送が可能で、転送効率・
周波数特性のすぐれCCDイメージセンサが用い
られる。
CCDイメージセンサは、CCD受光部への原稿
よりの光情報の蓄積を電荷量として各画素毎に行
い、受光部とシフトレジスタ間のトランスフアー
ゲートに電圧を印加してシフトレジスタに電荷を
移動させ、シフトクロツクを加えることによりシ
リアル転送を可能とするもので、転送された電荷
は出力増幅部により電圧に変換され、電圧信号と
して出力される。シフトレジスタにおいてシリア
ル転送を行なつている間に次の光情報を受光部に
入れておけば連続動作が可能となる。
よりの光情報の蓄積を電荷量として各画素毎に行
い、受光部とシフトレジスタ間のトランスフアー
ゲートに電圧を印加してシフトレジスタに電荷を
移動させ、シフトクロツクを加えることによりシ
リアル転送を可能とするもので、転送された電荷
は出力増幅部により電圧に変換され、電圧信号と
して出力される。シフトレジスタにおいてシリア
ル転送を行なつている間に次の光情報を受光部に
入れておけば連続動作が可能となる。
本発明に使用する好都合なCCDの例としては、
画素数が大きいことや感度・転送スピードを考慮
して、日本電気製品μPD792D、フエアチヤイル
ド製品CCD121HC、CCD142，143などが挙げら
れる。これらは受光部が付加され、光電変換−電
荷蓄積−転送機能が連続し、電圧信号としてとり
だすことができる。
画素数が大きいことや感度・転送スピードを考慮
して、日本電気製品μPD792D、フエアチヤイル
ド製品CCD121HC、CCD142，143などが挙げら
れる。これらは受光部が付加され、光電変換−電
荷蓄積−転送機能が連続し、電圧信号としてとり
だすことができる。
さて原稿読取り時に、原稿台１が白色の反射面
７方向に移動したとき、１回の走査によつて白色
の反射面７からの反射光をCCD６で受光すると、
第２図の実線に示すようなシエーデイング波形が
画像信号として出力される。
７方向に移動したとき、１回の走査によつて白色
の反射面７からの反射光をCCD６で受光すると、
第２図の実線に示すようなシエーデイング波形が
画像信号として出力される。
第２図は、白色の反射面７のシエーデイング波
形を示したもので、縦軸が電圧に変換された比照
度、横軸が原稿中央部を基点とする原稿面上の距
離で、Ｓはある原稿サイズの主走査巾に対応して
おり、読取り装置全体のシエーデイング波形を示
す。第２図で実線で示す曲線は螢光灯の使用初期
のシエーデイング波形を示し、破線で示す曲線は
螢光灯が劣化して黒化現象が現われたときのシエ
ーデイング波形を中部部の比照度を初期のシエー
デイング波形と一致させて示す。
形を示したもので、縦軸が電圧に変換された比照
度、横軸が原稿中央部を基点とする原稿面上の距
離で、Ｓはある原稿サイズの主走査巾に対応して
おり、読取り装置全体のシエーデイング波形を示
す。第２図で実線で示す曲線は螢光灯の使用初期
のシエーデイング波形を示し、破線で示す曲線は
螢光灯が劣化して黒化現象が現われたときのシエ
ーデイング波形を中部部の比照度を初期のシエー
デイング波形と一致させて示す。
次に第３図に示したシエーデイング補正回路の
一実施例について説明する。
一実施例について説明する。
図において、８は光電変換素子６の駆動クロツ
クおよび光電変換のスタート・ストツプ信号を出
力するコントロール回路、９はコントロール回路
８から出力される光電変換素子６の駆動クロツク
に基づき白色反射面７の光電変換のサンプリング
密度を変える信号を出力するためのサンプル・ホ
ールドタイミング回路、１０は光電変換素子６に
より光電変換されて得られる画像信号をサンプ
ル・ホールドタイミング回路９からのタイミング
信号により補正係数を求める時間のみホールドす
るサンプル・ホールド回路、１１はシエーデイン
グ補正係数をデジタル・アナログ変換するＤ／Ａ
変換器１２は画像信号VxとＤ／Ａ変換器１１か
ら出力するシエーデイング補正係数VYとを演算
する演算回路、１３は基準電圧VRと演算処理回
路１２により演算処理された信号VOとを比較し
てＨ（High）レベルかＬ（LOW）レベルかを出力
する比較器、１４はサンプル・ホールドタイミン
グ回路９により起動し、Ｄ／Ａ変換器１１のアナ
ログスイツチを上位（MSB）から順次オンして
ゆき比較器１３の出力信号によりスイツチをオン
のままあるいはスイツチをオフして次のスイツチ
に移るかどうかを制御する制御回路、１５は制御
回路１４により制御されたＤ／Ａ変換器１１のス
イツチの状態を記憶するRAMなどの記憶回路、
１６は記憶回路１５にＤ／Ａ変換器１１のスイツ
チの状態すなわちシエーデイング補正係数を書込
むときのタイミング信号を出力するタイミング回
路、１７は記憶回路１５からシエーデイング補正
係数を読出すためのタイミング信号を出力するタ
イミング回路、１８は記憶回路１５から読出した
シエーデイング補正係数を求めたときのサンプリ
ング密度に基づいて補間法により演算処理して、
その間の補正係数を求めるための補間回路、１９
は補間回路１８で、補間法にて演算処理するとき
のタイミング信号を出力する補間タイミング回路
である。スイツチS1，S2，S3，S4はコントロール
回路８からの切換信号によりシエーデイング補正
係数を記憶する場合は接点ａに、原稿読取りの場
合は接点ｂに切換えられるスイツチである。
クおよび光電変換のスタート・ストツプ信号を出
力するコントロール回路、９はコントロール回路
８から出力される光電変換素子６の駆動クロツク
に基づき白色反射面７の光電変換のサンプリング
密度を変える信号を出力するためのサンプル・ホ
ールドタイミング回路、１０は光電変換素子６に
より光電変換されて得られる画像信号をサンプ
ル・ホールドタイミング回路９からのタイミング
信号により補正係数を求める時間のみホールドす
るサンプル・ホールド回路、１１はシエーデイン
グ補正係数をデジタル・アナログ変換するＤ／Ａ
変換器１２は画像信号VxとＤ／Ａ変換器１１か
ら出力するシエーデイング補正係数VYとを演算
する演算回路、１３は基準電圧VRと演算処理回
路１２により演算処理された信号VOとを比較し
てＨ（High）レベルかＬ（LOW）レベルかを出力
する比較器、１４はサンプル・ホールドタイミン
グ回路９により起動し、Ｄ／Ａ変換器１１のアナ
ログスイツチを上位（MSB）から順次オンして
ゆき比較器１３の出力信号によりスイツチをオン
のままあるいはスイツチをオフして次のスイツチ
に移るかどうかを制御する制御回路、１５は制御
回路１４により制御されたＤ／Ａ変換器１１のス
イツチの状態を記憶するRAMなどの記憶回路、
１６は記憶回路１５にＤ／Ａ変換器１１のスイツ
チの状態すなわちシエーデイング補正係数を書込
むときのタイミング信号を出力するタイミング回
路、１７は記憶回路１５からシエーデイング補正
係数を読出すためのタイミング信号を出力するタ
イミング回路、１８は記憶回路１５から読出した
シエーデイング補正係数を求めたときのサンプリ
ング密度に基づいて補間法により演算処理して、
その間の補正係数を求めるための補間回路、１９
は補間回路１８で、補間法にて演算処理するとき
のタイミング信号を出力する補間タイミング回路
である。スイツチS1，S2，S3，S4はコントロール
回路８からの切換信号によりシエーデイング補正
係数を記憶する場合は接点ａに、原稿読取りの場
合は接点ｂに切換えられるスイツチである。
次に上記シエーデイング補正回路の動作につい
て説明する。
て説明する。
まずシエーデイング補正係数の記憶動作につい
て説明すると、このときスイツチS1〜S4は接点ａ
に切換えられている。サンプル・ホールドタイミ
ング回路９ではコントロール回路８から出力され
る第４図イに示す光電変換素子の駆動クロツクお
よび同図ロに示す光電変換のスタート・ストツプ
信号に基づき同図ハに示すようなサンプル・ホー
ルド信号が作られる。なお、第４図ロにおいて、
区間Ｐがシエーデイング補正係数の記憶期間であ
り、区間Ｑが原稿読取り期間である。サンプル・
ホールド回路１０では、光電変換素子６からの出
力すなわち白色反射面７を光電変換して得られる
シエーデイング波形をサンプル・ホールド信号の
Ｌレベルでサンプリングし、Ｈレベルでホールド
し、演算処理回路１２に出力するサンプリング時
間およびホールド時間ならびにサンプリング密度
は所望により設定しておく。
て説明すると、このときスイツチS1〜S4は接点ａ
に切換えられている。サンプル・ホールドタイミ
ング回路９ではコントロール回路８から出力され
る第４図イに示す光電変換素子の駆動クロツクお
よび同図ロに示す光電変換のスタート・ストツプ
信号に基づき同図ハに示すようなサンプル・ホー
ルド信号が作られる。なお、第４図ロにおいて、
区間Ｐがシエーデイング補正係数の記憶期間であ
り、区間Ｑが原稿読取り期間である。サンプル・
ホールド回路１０では、光電変換素子６からの出
力すなわち白色反射面７を光電変換して得られる
シエーデイング波形をサンプル・ホールド信号の
Ｌレベルでサンプリングし、Ｈレベルでホールド
し、演算処理回路１２に出力するサンプリング時
間およびホールド時間ならびにサンプリング密度
は所望により設定しておく。
一方、制御回路１４は、サンプル・ホールドタ
イミング回路９から出力されるサンプル・ホール
ド信号により動作を開始する。まず、Ｄ／Ａ変換
器１１のMSBのアナログスイツチをオンにする。
これによりＤ／Ａ変換器１１から出力信号VYが
出力され、サンプル・ホールド回路１０にホール
ドされて出力されるシエーデイング波形の１つの
信号VXと演算処理回路１２によりV0＝ＶＸ・VY
が演算される。この信号V0は比較器１３におい
て基準電圧VRと比較され、VR＞V0のときはＨレ
ベル、VR＜V0のときはＬレベルが比較器１３か
ら出力される。制御回路１４は比較器１３からの
出力がＨレベルのときはアナログスイツチはその
ままＬレベルのときはスイツチをオフにして次の
ビツトに進む。以下同様な動作をLSBまで行な
いスイツチの状態を記憶回路１５に記憶する。こ
の動作は制御回路１４の内部クロツクに同期して
行なわれ、そのタイミングを第５図に示す。ここ
ではＤ／Ａ変換器１１の分解能を８ビツトとして
いる。スタート信号はサンプル・ホールド信号か
ら作られ動作を開始する。次のクロツクにより
Q7（ASB）のアナログスイツチがオンされ、その
次のクロツクで矢印で示したように比較器１３の
出力がセツトされる。それと同時にQ6のアナツ
グスイツチがオンされ、以下同様にQ0までくり
返す。ここで変換終了信号が出力されこの信号に
よりシエーデイング補正係数読取りタイミング回
路１６は記憶回路１５のアドレスをセツトし、
Ｄ／Ａ変換器１１のアナログスイツチの状態（シ
エーデイング補正係数）は記憶回路１５に記憶さ
れる。（ただし、アナログスイツチはＱがＨレベ
ルでオン、Ｌレベルでオフとなる。）以上の動作
をサンプル・ホールド信号に基づいてくり返す。
上記シエーデイング補正係数の算出動作はサンプ
ル・ホールド・タイミング回路９で設定された数
だけ行ないシエーデイング補正係数の記憶を終了
する。
イミング回路９から出力されるサンプル・ホール
ド信号により動作を開始する。まず、Ｄ／Ａ変換
器１１のMSBのアナログスイツチをオンにする。
これによりＤ／Ａ変換器１１から出力信号VYが
出力され、サンプル・ホールド回路１０にホール
ドされて出力されるシエーデイング波形の１つの
信号VXと演算処理回路１２によりV0＝ＶＸ・VY
が演算される。この信号V0は比較器１３におい
て基準電圧VRと比較され、VR＞V0のときはＨレ
ベル、VR＜V0のときはＬレベルが比較器１３か
ら出力される。制御回路１４は比較器１３からの
出力がＨレベルのときはアナログスイツチはその
ままＬレベルのときはスイツチをオフにして次の
ビツトに進む。以下同様な動作をLSBまで行な
いスイツチの状態を記憶回路１５に記憶する。こ
の動作は制御回路１４の内部クロツクに同期して
行なわれ、そのタイミングを第５図に示す。ここ
ではＤ／Ａ変換器１１の分解能を８ビツトとして
いる。スタート信号はサンプル・ホールド信号か
ら作られ動作を開始する。次のクロツクにより
Q7（ASB）のアナログスイツチがオンされ、その
次のクロツクで矢印で示したように比較器１３の
出力がセツトされる。それと同時にQ6のアナツ
グスイツチがオンされ、以下同様にQ0までくり
返す。ここで変換終了信号が出力されこの信号に
よりシエーデイング補正係数読取りタイミング回
路１６は記憶回路１５のアドレスをセツトし、
Ｄ／Ａ変換器１１のアナログスイツチの状態（シ
エーデイング補正係数）は記憶回路１５に記憶さ
れる。（ただし、アナログスイツチはＱがＨレベ
ルでオン、Ｌレベルでオフとなる。）以上の動作
をサンプル・ホールド信号に基づいてくり返す。
上記シエーデイング補正係数の算出動作はサンプ
ル・ホールド・タイミング回路９で設定された数
だけ行ないシエーデイング補正係数の記憶を終了
する。
第５図は第４図と同じく、第３図に示したシエ
ーデイング補正回路要部信号波形図で、このよう
な回路と信号波形によつてシエーデイング補正が
なされる。
ーデイング補正回路要部信号波形図で、このよう
な回路と信号波形によつてシエーデイング補正が
なされる。
本発明の原稿を照射する光源の劣化を検出する
ための回路を第３図との関連で図示したのが第６
図である。CCD等の光電変換素子６に入射した
均一反射率を有する白色の反射面７からの反射光
は、サンプルホールド回路１０によつて中央部と
端部との光量が信号としてサンプリングされる。
次に中央部での電圧値が一定値となるように増幅
度が決められる。この増幅度により端部出力が増
幅され、その後Ａ／Ｄ変換がなされる。これが光
源の中央部を基準とした補正係数となる。
ための回路を第３図との関連で図示したのが第６
図である。CCD等の光電変換素子６に入射した
均一反射率を有する白色の反射面７からの反射光
は、サンプルホールド回路１０によつて中央部と
端部との光量が信号としてサンプリングされる。
次に中央部での電圧値が一定値となるように増幅
度が決められる。この増幅度により端部出力が増
幅され、その後Ａ／Ｄ変換がなされる。これが光
源の中央部を基準とした補正係数となる。
一方、光源の中央部を基準とした端部に相当す
る部分の補正係数がある所定値を越えたとき光源
劣化と判断する所定値をRAMに格納しておく。
ここでRAMは不輝発生で、Ｃ−MOS RAMの
ようなもので、書き込まれた値が独立な電源でバ
ツクアツプされたもの等が用いられる。次に今回
求められた光源の端部補正係数とRAMの記憶所
定値とが比較され、今回求められた光源の端部補
正係数がRAM内容よりも低い時は、光源の劣化
検出信号を出力する。た複写機やフアクシミリ
（送信部）等においては、光源交換表示部を設け
ておいて、点灯等によつて光源交換が必要である
との異常表示を行うこともできる。
る部分の補正係数がある所定値を越えたとき光源
劣化と判断する所定値をRAMに格納しておく。
ここでRAMは不輝発生で、Ｃ−MOS RAMの
ようなもので、書き込まれた値が独立な電源でバ
ツクアツプされたもの等が用いられる。次に今回
求められた光源の端部補正係数とRAMの記憶所
定値とが比較され、今回求められた光源の端部補
正係数がRAM内容よりも低い時は、光源の劣化
検出信号を出力する。た複写機やフアクシミリ
（送信部）等においては、光源交換表示部を設け
ておいて、点灯等によつて光源交換が必要である
との異常表示を行うこともできる。
ここでRAMに格能される光源劣化と判断され
る光源端部の補正係数は多くの実験により求めた
もので、シエーデイング補正装置を用いても補正
精度が充分得られなくなり、画像の劣化が認めら
れるようになる補正係数を求めたものである。
る光源端部の補正係数は多くの実験により求めた
もので、シエーデイング補正装置を用いても補正
精度が充分得られなくなり、画像の劣化が認めら
れるようになる補正係数を求めたものである。
第２発明は、第７図の回路により光源の劣化を
検出するようにしたもので、新光源使用開始時の
白色の反射面７からの反射光を光電変換素子６に
よつて読取り、また必要に応じて処理を行い、
RAM等の記憶手段１５に新光源のシエーデイン
グ波形又は光源端部の補正係数を記憶するように
したものである。
検出するようにしたもので、新光源使用開始時の
白色の反射面７からの反射光を光電変換素子６に
よつて読取り、また必要に応じて処理を行い、
RAM等の記憶手段１５に新光源のシエーデイン
グ波形又は光源端部の補正係数を記憶するように
したものである。
シエーデイング補正装置の作動中、除々に光源
は劣化して行くが随時白色の反射面７からの反射
光を光電変換素子６によつて読取られた光源端部
でのシエーデイング波形又は補正係数を、前記の
記憶された新光源のシエーデイング波形又は補正
係数と演算処理回路１２によつて比較し、光源の
端部のみならず中央部付近に関してもその比率又
は差分が予め定めたある所定値を越えたとき、光
源の劣化検出信号を出力する。また複写機やフア
クシミリ（送信部）等においては、光源交換表示
部を設けておいて、点灯等によつて光源交換が必
要であるとの表示を行うこともできる。
は劣化して行くが随時白色の反射面７からの反射
光を光電変換素子６によつて読取られた光源端部
でのシエーデイング波形又は補正係数を、前記の
記憶された新光源のシエーデイング波形又は補正
係数と演算処理回路１２によつて比較し、光源の
端部のみならず中央部付近に関してもその比率又
は差分が予め定めたある所定値を越えたとき、光
源の劣化検出信号を出力する。また複写機やフア
クシミリ（送信部）等においては、光源交換表示
部を設けておいて、点灯等によつて光源交換が必
要であるとの表示を行うこともできる。
以上説明したように本発明によるシエーデイン
グ補正装置は、光源の劣化を検出して劣化検出信
号を出力し、あるいは光源交換表示を行うように
したもので、このことにより良好なシエーデイン
グ補正が行われて、カブリ等のない良好な複写画
像が常に得られるようになつた。
グ補正装置は、光源の劣化を検出して劣化検出信
号を出力し、あるいは光源交換表示を行うように
したもので、このことにより良好なシエーデイン
グ補正が行われて、カブリ等のない良好な複写画
像が常に得られるようになつた。
第１図は複写機の原稿読取り部の一例の概略構
成図、第２図は光源部の新旧によるシエーデイン
グ波形を示し、第３図は原稿読取り装置のシエー
デイング補正回路、第４図・第５図は第３図に示
したシエーデイング補正回路の要部信号波形図、
第６図・第７図は第１発明・第２発明による光源
の劣化現象を出力する回路図の実施例である。 １……原稿台、２……原稿、３……ランプ、６
……光電変換素子、８……コントロール回路、９
……サンプル・ホールドタイミング回路、１０…
…サンプル・ホールド回路、１１……Ｄ／Ａ変換
器、１２……演算処理回路、１３……比較器、１
４……制御回路、１５……記憶回路、１６，１７
……タイミング回路、１８……補間回路、１９…
…タイミング回路。
成図、第２図は光源部の新旧によるシエーデイン
グ波形を示し、第３図は原稿読取り装置のシエー
デイング補正回路、第４図・第５図は第３図に示
したシエーデイング補正回路の要部信号波形図、
第６図・第７図は第１発明・第２発明による光源
の劣化現象を出力する回路図の実施例である。 １……原稿台、２……原稿、３……ランプ、６
……光電変換素子、８……コントロール回路、９
……サンプル・ホールドタイミング回路、１０…
…サンプル・ホールド回路、１１……Ｄ／Ａ変換
器、１２……演算処理回路、１３……比較器、１
４……制御回路、１５……記憶回路、１６，１７
……タイミング回路、１８……補間回路、１９…
…タイミング回路。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 原稿を照射する光源と均一反射率を有する反
射部と前記光源から該反射部に反射された反射光
を固体撮像素子でシエーデイング波形を読取り、
もつてシエーデイング補正係数を演算し、画像信
号を補正するシエーデイング補正装置において、
前記補正係数が所定の値であるか否かを判断する
基準となる値が記憶された記憶手段と、前記シエ
ーデイング補正係数と前記記憶手段に記憶されて
いる基準値とを比較し、該シエーデイング補正係
数が該基準値を超えたとき、前記光源の劣化検出
信号を出力する演算処理手段とを備えたシエーデ
イング補正装置。 ２ 前記劣化検出信号に基づき、光源異常表示を
行うようにした特許請求の範囲第１項記載のシエ
ーデイング補正装置。 ３ 原稿を照射する光源と均一反射率を有する反
射部と前記光源から該反射部に反射された反射光
を固体撮像素子でシエーデイング波形を読取り、
もつてシエーデイング補正係数を演算し、画像信
号を補正するシエーデイング補正装置において、
記憶手段に記憶した前記光源使用開始時のシエー
デイング波形または補正係数と、随時読み取られ
たシエーデイング波形または補正係数とを比較
し、少なくとも光源端部に相当する部分での比率
または差分が所定値を越えたとき、前記光源の劣
化検出信号を出力するように構成したシエーデイ
ング補正装置。 ４ 前記劣化検出信号に基づき、光源異常表示を
行うようにした特許請求の範囲第３項記載のシエ
ーデイング補正装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57152108A JPS5941962A (ja) | 1982-08-31 | 1982-08-31 | シェ−ディング補正装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57152108A JPS5941962A (ja) | 1982-08-31 | 1982-08-31 | シェ−ディング補正装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5941962A JPS5941962A (ja) | 1984-03-08 |
| JPH0322748B2 true JPH0322748B2 (ja) | 1991-03-27 |
Family
ID=15533224
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57152108A Granted JPS5941962A (ja) | 1982-08-31 | 1982-08-31 | シェ−ディング補正装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5941962A (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57183701A (en) * | 1981-05-01 | 1982-11-12 | Nippon Oil Co Ltd | Novel adhesive composition for capturing small organism |
| JPS61102865A (ja) * | 1984-10-26 | 1986-05-21 | Hitachi Ltd | 螢光灯の寿命判定方式 |
-
1982
- 1982-08-31 JP JP57152108A patent/JPS5941962A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5941962A (ja) | 1984-03-08 |
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