JPH03222184A - Asic for video ram - Google Patents
Asic for video ramInfo
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- JPH03222184A JPH03222184A JP2017430A JP1743090A JPH03222184A JP H03222184 A JPH03222184 A JP H03222184A JP 2017430 A JP2017430 A JP 2017430A JP 1743090 A JP1743090 A JP 1743090A JP H03222184 A JPH03222184 A JP H03222184A
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Landscapes
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Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、テレビ、パソコン、EWS (エンジニア
リング・ワーク・ステーション)用デイスプレィ等の画
像表示装置に用いられるビデオRAM用ニーシックに関
する。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Industrial Application Field] The present invention relates to a video RAM display device used in image display devices such as televisions, personal computers, and displays for EWS (engineering work stations).
従来の画像データを専用に記憶させるVRAMは、画像
データをアクセスする際に外部接続したCPU又はそれ
にかわる外付回路により、逐一アドレス指定信号を発生
しアドレスバスに供給している。In a conventional VRAM that exclusively stores image data, when accessing image data, an externally connected CPU or an external circuit replacing the CPU generates address designation signals one by one and supplies them to an address bus.
そのため、VRAMのアクセス速度が、アドレスバスの
駆動タイミングによって制限されてしまい、高速化の障
害になっていた。Therefore, the access speed of the VRAM is limited by the drive timing of the address bus, which has been an obstacle to increasing the speed.
また、従来のVRAMには駆動用CPtJ接続のための
配線が複雑になって占有面積が増し、小型化に逆行する
などの不都合があった。Furthermore, conventional VRAMs have had disadvantages such as complicated wiring for driving CPtJ connections, which increases the occupied area and goes against the trend of miniaturization.
そこで、本発明は上記の問題点を解消するためになされ
たものであり、その目的とするところはアクセス速度を
高速化するとともに、取付時の占有面積を小さくし、小
型化を可能にしたビデオRAM用ニーシックを提供する
ことにある。Therefore, the present invention has been made to solve the above-mentioned problems, and its purpose is to increase the access speed, reduce the area occupied at the time of installation, and make it possible to downsize the video. The objective is to provide a memory block for RAM.
上記目的を達成するために、本発明は、デュアルポート
・メモリと、アドレス入力ピンと、シーケンシャル・ア
クセス・データ入出力ピンと、ランダム・アクセス・デ
ータ入出力ピンと、シーケンシャル・アクセス・リード
/ライト信号入力ピンと、ランダム・アクセス・リード
/ライト信号入力ピンと、上記アドレス入力ピンから入
力されたアドレスデータにもとづき、上記デュアルポー
ト・メモリをアクセスするためのアドレス信号を発生す
るアドレス・ジェネレータと、上記シーケンシャル・ア
クセス・リード/ライト信号入力ピンからリード/ライ
ト信号が入力されたとき、上記アドレス・ジェネレータ
に指定されたアドレスに該当するデュアルポート・メモ
リ中のメモリ・セルと上記シーケンシャル・アクセス・
データ入出力ピンとの間でシーケンシャル・アクセスデ
ータをリード/ライトするシーケンシャル・アクセス回
路と、上記ランダム・アクセス・リード/ライト信号入
力ピンからリード/ライト信号が入力されたとき、アド
レス・入力ピンから入力された外部アドレスにより指定
されたデュアルポート・メモリ中のメモリ・セルと上記
ランダム・アクセスデータ入出力ピンとの間で、ランダ
ム・アクセスデータをリード/ライトするランダム・ア
クセス回路と、上記デュアルポート・メモリへのアクセ
スが重複した場合にアクセスタイミングの調停をするア
ービタを備え、内部アドレス・ジェネレータにより外付
の回路やCPUを用いることなくデータアクセスを可能
にするとともに、全体をモノリシックに形成したことを
特徴とする。To achieve the above object, the present invention provides a dual-port memory, an address input pin, a sequential access data input/output pin, a random access data input/output pin, a sequential access read/write signal input pin, , a random access read/write signal input pin, and an address generator that generates an address signal for accessing the dual-port memory based on address data input from the address input pin; When a read/write signal is input from the read/write signal input pin, the memory cell in the dual-port memory corresponding to the address specified by the address generator and the sequential access
A sequential access circuit that reads/writes sequential access data between data input/output pins, and when a read/write signal is input from the random access read/write signal input pin, input from the address input pin. a random access circuit that reads/writes random access data between a memory cell in the dual-port memory specified by the external address specified by the external address and the random access data input/output pin; It features an arbiter that arbitrates access timing in the event of duplicate accesses, an internal address generator that enables data access without the use of external circuits or CPUs, and a monolithic structure. shall be.
本発明によれば、アドレス・ジェネレータはアドレス入
力ピンより入力されたアドレスデータにもとづいて、デ
ュアルポート・メモリをアクセスするためのアドレス信
号を発生する。シーケンシャル・・アクセス・リード/
ライト信号入力ピンからリードまたはライト信号が入力
されると、シーケンシャル・アクセス回路はアドレス・
ジェネレータに指定されたアドレスに該当するデュアル
ポート・メモリ中のメモリ・セルとシーケンシャル・ア
クセスデータ入出力ピンとの間でシーケンシャル・アク
セス・データをリードまたはライトする。同様にランダ
ム・アクセス・リード/ライト信号入力ピンからリード
またはライト信号が入力されると、ランダム・アクセス
回路はアドレス・入力ピンから入力された外部アドレス
により指定されたアドレスに該当するデュアルポート・
メモリ中のメモリ・セルとランダム・アクセスデータ入
出力ピンとの間でランダム・アクセスデータをリードま
たはライトする。また、デュアルポートへのアクセスが
同一アドレスに重複した場合に、アービタは一方のアク
セス・タイミングをおくらせてタイミング調整をする。According to the present invention, the address generator generates an address signal for accessing the dual-port memory based on address data input from the address input pin. Sequential access read/
When a read or write signal is input from the write signal input pin, the sequential access circuit
Reads or writes sequential access data between the memory cell in the dual-port memory corresponding to the address specified by the generator and the sequential access data input/output pin. Similarly, when a read or write signal is input from the random access read/write signal input pin, the random access circuit selects the dual port signal corresponding to the address specified by the external address input from the address input pin.
Read or write random access data between memory cells in memory and random access data input/output pins. Furthermore, when accesses to the dual port overlap to the same address, the arbiter adjusts the timing by delaying one access timing.
〔実 施 例〕 次に本発明の実施例を図面にもとづいて説明する。〔Example〕 Next, embodiments of the present invention will be described based on the drawings.
図面は本発明に係るビデオRAM用ニーシックの構成を
示すブロック図であり、デコーダ1は、アドレス入力ピ
ン(ADD)から入力されたアドレスデータをアドレス
・コンパレータ7からの一致検出信号に従いメモリ・セ
ル6上の行(ロウ)と列(カラム)の選択信号を発生し
、メモリセル6へ送る。ここでアドレス入力ピン(AD
D)に入力されるのは、ランダム・アクセス用のアドレ
スである。The drawing is a block diagram showing the configuration of a video RAM NICK according to the present invention, in which a decoder 1 inputs address data input from an address input pin (ADD) to a memory cell 6 according to a coincidence detection signal from an address comparator 7. A selection signal for the upper row and column is generated and sent to the memory cell 6. Here address input pin (AD
D) is an address for random access.
アクセス・タイミング・ジェネレータには、クロック入
力ピン(CLK)から入力されるクロック信号にもとづ
き、所定のアクセスタイミング信号を発生し、メモリ・
セル6へ送る。The access timing generator generates a predetermined access timing signal based on the clock signal input from the clock input pin (CLK), and
Send to cell 6.
アドレス・ジェネレータ3は、クロック入力ピン(CL
K)から入力されたクロック信号のタイミングで、アー
ビタ5からのアクセスレディ信号に従い、メモリセル6
上の行(ロウ)と列(カラム)の選択信号を発生し、ア
ドレス・コンパレータ4およびメモリ・セル6へ送る。Address generator 3 has a clock input pin (CL
According to the access ready signal from the arbiter 5 at the timing of the clock signal input from the memory cell 6
Upper row and column selection signals are generated and sent to address comparator 4 and memory cell 6.
また、アドレス・ジェネレータ3からは、動作状態をあ
られす2ビツトのステータス・コードがステータス・コ
ード出力ピン(STC)から外部へ出力される。Further, the address generator 3 outputs a 2-bit status code indicating the operating state from the status code output pin (STC) to the outside.
アドレス・コンパレータ4は、アドレス・ジェネレータ
3が発生したアドレス信号と、アドレス入力ピン(AD
D)から入力されたアドレス・データとを比較し、両者
が一致した場合に、一致検出信号をデコーダ1およびア
ービタ5へ送る。Address comparator 4 connects the address signal generated by address generator 3 and the address input pin (AD
D) is compared with the address data input from D), and if the two match, a match detection signal is sent to the decoder 1 and the arbiter 5.
アービタ5は入力されるクロック信号のタイミングで、
シーケンシャル・アクセス・ライト信号入力ピン(WE
−A)、ランダム・アクセス・イネーブル入力ピン(R
ND) 、ランダム・アクセス・リード/ライト信号入
力ピン(R/WE −B)からの入力信号を判別し、シ
ーケンシャル・アクセス時にランダム・アクセス・イネ
ーブル入力信号がイネーブル状態になるとアドレス・コ
ンパレータはランダム・アクセス用のアドレス入力ピン
から入力されたアドレスと内部アドレス・ジェネレータ
から自動的に発生したアドレスを比較し、アドレスが一
致した場合であればアクセスレディ信号を、アドレス・
ジェネレータ3、I10コントローラ7およびアクセス
レディ信号出力ピン(ACC−RDY)へ出力する。At the timing of the input clock signal, the arbiter 5
Sequential access write signal input pin (WE
-A), random access enable input pin (R
ND), the input signal from the random access read/write signal input pin (R/WE-B) is determined, and when the random access enable input signal is enabled during sequential access, the address comparator outputs the random access signal. The address input from the address input pin for access is compared with the address automatically generated from the internal address generator, and if the addresses match, an access ready signal is sent to the address input pin.
It is output to the generator 3, I10 controller 7, and access ready signal output pin (ACC-RDY).
メモリ・セル6は、デュアルポート・タイプのDRAM
により構成され、アクセス・タイミング・ジェネレータ
2からのタイミング信号に従い、デコーダl及びアドレ
ス・ジェネレータ3に指定されるアドレスについてアク
セスされI10コントローラ7との間でデータのリード
またはライトがおこなわれる。Memory cell 6 is a dual-port type DRAM
According to the timing signal from the access timing generator 2, the address designated by the decoder 1 and the address generator 3 is accessed, and data is read or written to/from the I10 controller 7.
■/○コントローラ7は、アクセス・データを一時貯留
するバッファを内蔵し、アービタ5からのアクセスレデ
ィ信号に従い、メモリ・セル6と外部ピン、シーケンシ
ャル・アクセス・データ出力ピン(D、・A〉、シーケ
ンシャル・アクセス・データ入力ピン(DI・A)、ラ
ンダム・アクセスデータ入出力ピン(D Ilo −B
)との間で、アクセス・データの授受をおこなう。なお
、メモリ・セル6についてのアクセスがシーケンシャル
・アクセス・ライトとランダム・アクセス・ライトとが
重複した場合は、一方のデータをI10コントローラ7
のバッファに、いったん格納してから次のタイミングで
ライト処理をする。■/○ The controller 7 has a built-in buffer that temporarily stores access data, and according to the access ready signal from the arbiter 5, the controller 7 connects the memory cell 6, external pins, sequential access data output pins (D, ・A>, Sequential access data input pin (DI・A), random access data input/output pin (DIlo-B)
) to exchange access data. Note that if the sequential access write and random access write overlap with respect to the memory cell 6, one of the data is transferred to the I10 controller 7.
Once stored in the buffer, write processing is performed at the next timing.
なお、水平同期信号入力ピン(H3YC) 、垂直同期
信号入力ピン(YSYC)を介してアドレス・ジェネレ
ータ3に入力される水平、垂直同期信号はメモリ・セル
6内の画像データをリードする際の同期をとり表示画面
に生じるジッタを解消し、クリヤな画像を得ることがで
きる。Note that the horizontal and vertical synchronization signals input to the address generator 3 via the horizontal synchronization signal input pin (H3YC) and vertical synchronization signal input pin (YSYC) are synchronized when reading the image data in the memory cell 6. This eliminates jitter that occurs on the display screen, allowing you to obtain clear images.
また、チップ・イネーブル信号入力ピン(CE)からは
、動作を可能にするイネーブル信号が入力され、メモリ
・クリア信号入力ピン(CLR)からは、記憶したデー
タを一括して消去する場合にメモリクリア信号が入力さ
れる。In addition, an enable signal that enables operation is input from the chip enable signal input pin (CE), and a memory clear signal is input from the memory clear signal input pin (CLR) to clear the stored data all at once. A signal is input.
以上のように構成したことにより、ランダム・アクセス
・イネーブル入力ピン(RND)の入力信号がOFF
(Lレベル)の場合、シーケンシャル・アクセスのみが
おこなわれ、シーケンシャル・アクセス・ライト信号入
力ピン(WE−A)がON (Lレベル)でライト、0
FF(Hレベル)でリードとなる。ランダム・アクセス
・イネーブル入力ピン(RND)の入力信号がON (
Hレベル)の場合、シーケンシャル、ランダムいずれの
アクセスも可能となり、ランダム・アクセス・リード/
ライト信号入力ピン(R/WE−B)がLレベルでライ
ト、Hレベルでリードとなる。With the above configuration, the input signal of the random access enable input pin (RND) is turned OFF.
(L level), only sequential access is performed, and when the sequential access write signal input pin (WE-A) is ON (L level), it is written to 0.
It becomes a lead at FF (H level). The input signal of the random access enable input pin (RND) is ON (
H level), both sequential and random access are possible, and random access read/
When the write signal input pin (R/WE-B) is at L level, it is write, and when it is H level, it is read.
また、内部アドレス信号を発生させるためのアドレス・
ジェネレータを設けたため、外部にアドレス発生用のC
PU又はそれにかわる外付回路が不要となり、このビデ
オ用ニーシック単独で画像データの書込み、読み出しが
可能となり、画像表示装置に対する取付時の占有面積を
小さくすることができる。In addition, the address /
Since a generator is installed, there is an external C for address generation.
There is no need for a PU or an external circuit to replace it, and image data can be written and read by the video NIC by itself, making it possible to reduce the area occupied when attached to an image display device.
さらには、アドレス・ジェネレータを内蔵したことによ
り、データのアクセス速度を高速に設定することができ
る。Furthermore, by incorporating an address generator, the data access speed can be set to high speed.
本発明は上述したように、内部にアドレス・ジェネレー
タを設けたことにより、外部にアドレス発生用のCPU
又はそれにかわる外付回路を設けることなく、表示画面
の所定エリアに対応するアドレス信号が生成されて、メ
モリ内の画像データをアクセスすることが可能になる。As described above, in the present invention, by providing an internal address generator, an external CPU for generating addresses is provided.
Alternatively, an address signal corresponding to a predetermined area of the display screen is generated, and image data in the memory can be accessed without providing a replacement external circuit.
また、ビデオRAM用ニーシックをモノリシックにして
ワンチップに構成したことにより、小型化を可能にし、
しかも接続バス本数が減った分、4゜
人出力ピン数を少なくして結線工程の作業を容易にする
ことが可能となり、低コストの画像表示装置を提供する
ことができる。In addition, by making the video RAM memory chip monolithic and configuring it as a single chip, it is possible to reduce the size.
Furthermore, since the number of connected buses is reduced, the number of output pins can be reduced to facilitate the wiring process, and a low-cost image display device can be provided.
図は本発明に係るビデオRAM用ニーシックの内部構造
を示すブロック図である。
1・・・デコーダ 2・・・アクセス・タイミング・ジ
ェネレータ 3・・・アドレス・ジェネレータ 4・・
・アドレス・コンパレータ 5・・・アービタ 6・・
・メモリ・セル フ・・・I10コントローラRND
・・・ ランダム・アクセス・イネーブル入力ピン
ADD ・・・ アドレス入力ピンD0・A ・・
・ シーケンシャル・アクセス・データ出力ピン
D、−A ・・・ シーケンシャル・アクセス・デー
タ入力ピン
DIlo−B ・・・ ランダム・アクセス・データ入
出力ピン
WE−A ・・・ シーケンシャル・アクセス・ライ
ト信号入力ピン
R/WE −B・・・ランダム・アクセス・リード/ラ
イト信号入力ピンThe figure is a block diagram showing the internal structure of a video RAM NICK according to the present invention. 1...Decoder 2...Access timing generator 3...Address generator 4...
・Address comparator 5...Arbiter 6...
・Memory cell...I10 controller RND
... Random access enable input pin ADD ... Address input pin D0・A ...
- Sequential access data output pins D, -A... Sequential access data input pin DIlo-B... Random access data input/output pin WE-A... Sequential access write signal input pin R/WE-B...Random access read/write signal input pin
Claims (1)
、シーケンシャル・アクセス・データ入出力ピンと、ラ
ンダム・アクセスデータ入出力ピンと、シーケンシャル
・アクセス・リード/ライト信号入力ピンと、ランダム
・アクセス・リード/ライト信号入力ピンと、上記アド
レス入力ピンから入力されたアドレス・データにもとづ
き、上記デュアルポート・メモリをアクセスするための
アドレス信号を発生するアドレス・ジェネレータと、上
記シーケンシャル・アクセス・リード/ライト信号入力
ピンからリード/ライト信号が入力されたとき、上記ア
ドレス・ジェネレータに指定されたアドレスに該当する
デュアルポート・メモリ中のメモリ・セルと上記シーケ
ンシャル・アクセス・データ入出力ピンとの間でシーケ
ンシャル・アクセス・データをリード/ライトするシー
ケンシャル・アクセス回路と、上記ランダム・アクセス
・リード/ライト信号入力ピンからリード/ライト信号
が入力されたとき、アドレス・入力ピンから入力された
外部アドレスにより指定されたデュアルポート・メモリ
中のメモリ・セルと上記ランダム・アクセス・データ入
出力ピンとの間で、ランダム・アクセス・データをリー
ド/ライトするランダム・アクセス回路と、上記デュア
ルポート・メモリへのアクセスが重複した場合にアクセ
スタイミングの調停をするアービタを備え・内部アドレ
ス・ジェネレータにより外付の回路やCPUを用いるこ
となくデータアクセスを可能にするとともに、全体をモ
ノリシックに形成したことを特徴とするビデオRAM用
エーシック。(1) Dual port memory, address input pin, sequential access data input/output pin, random access data input/output pin, sequential access read/write signal input pin, and random access read/write signal input an address generator that generates an address signal for accessing the dual-port memory based on the address data input from the address input pin, and a read/write signal input from the sequential access read/write signal input pin. When a write signal is input, sequential access data is read between the memory cell in the dual port memory corresponding to the address specified by the address generator and the sequential access data input/output pin. When a read/write signal is input from the sequential access circuit to write and the above random access read/write signal input pin, the data in the dual port memory specified by the external address input from the address input pin is A random access circuit that reads/writes random access data between the memory cell and the random access data input/output pin, and arbitrates access timing when accesses to the dual port memory overlap. ASIC for video RAM is characterized by being equipped with an arbiter and an internal address generator to enable data access without using an external circuit or CPU, and having a monolithic structure as a whole.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2017430A JPH03222184A (en) | 1990-01-26 | 1990-01-26 | Asic for video ram |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2017430A JPH03222184A (en) | 1990-01-26 | 1990-01-26 | Asic for video ram |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH03222184A true JPH03222184A (en) | 1991-10-01 |
Family
ID=11943808
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2017430A Pending JPH03222184A (en) | 1990-01-26 | 1990-01-26 | Asic for video ram |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH03222184A (en) |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6076089A (en) * | 1983-09-30 | 1985-04-30 | Nec Corp | Semiconductor memory |
JPS6346698A (en) * | 1986-08-13 | 1988-02-27 | Texas Instr Japan Ltd | Semiconductor memory device |
JPH01179291A (en) * | 1987-12-29 | 1989-07-17 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Semiconductor memory device |
-
1990
- 1990-01-26 JP JP2017430A patent/JPH03222184A/en active Pending
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6076089A (en) * | 1983-09-30 | 1985-04-30 | Nec Corp | Semiconductor memory |
JPS6346698A (en) * | 1986-08-13 | 1988-02-27 | Texas Instr Japan Ltd | Semiconductor memory device |
JPH01179291A (en) * | 1987-12-29 | 1989-07-17 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Semiconductor memory device |
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