JPH03215375A - 低密度炭化珪素多孔質体の製造方法 - Google Patents
低密度炭化珪素多孔質体の製造方法Info
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- JPH03215375A JPH03215375A JP1158190A JP1158190A JPH03215375A JP H03215375 A JPH03215375 A JP H03215375A JP 1158190 A JP1158190 A JP 1158190A JP 1158190 A JP1158190 A JP 1158190A JP H03215375 A JPH03215375 A JP H03215375A
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Landscapes
- Ceramic Products (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野]
本発明は高気孔率を有する低密度炭化珪素多孔質体の製
造方法に関する。
造方法に関する。
[従来の技術及び発明が解決しようとする課題]昨今、
炭化珪素多孔質体は、例えば、その中に金属、樹脂、潤
滑剤等の各種物質を含浸させて、その物性に特徴を付与
した新規複合材料を開発するための骨材、ガス浄化用の
触媒担体、あるいは酸やアルカリ等の腐蝕性の強い溶液
を濾過するためのフィルターとして、その用途が広く開
拓されつつある。特に、炭化珪素多孔質一体を担体とし
て利用する場合には、高い気孔率を有し坦持効率に優れ
る低密度の多孔質体が一般に要求される。
炭化珪素多孔質体は、例えば、その中に金属、樹脂、潤
滑剤等の各種物質を含浸させて、その物性に特徴を付与
した新規複合材料を開発するための骨材、ガス浄化用の
触媒担体、あるいは酸やアルカリ等の腐蝕性の強い溶液
を濾過するためのフィルターとして、その用途が広く開
拓されつつある。特に、炭化珪素多孔質一体を担体とし
て利用する場合には、高い気孔率を有し坦持効率に優れ
る低密度の多孔質体が一般に要求される。
従来、炭化珪素多孔質体の製造方法としては、炭化珪素
粉末に有機樹脂バインダー等を加えて成形した後、炭化
珪素の再結晶温度以上の高温度で加熱焼成することによ
り炭化珪素多孔質体を形成する方法が知られている。し
かし、この方法では気孔率が最大でも40%程度で、嵩
密度も2.0g/cn?程度と比較的高.い多孔質体し
か得られないという問題があった。
粉末に有機樹脂バインダー等を加えて成形した後、炭化
珪素の再結晶温度以上の高温度で加熱焼成することによ
り炭化珪素多孔質体を形成する方法が知られている。し
かし、この方法では気孔率が最大でも40%程度で、嵩
密度も2.0g/cn?程度と比較的高.い多孔質体し
か得られないという問題があった。
一方、特開昭58−122016号公報においては、高
分子発泡体材料に炭化珪素素地泥漿を含浸し、該高分子
発泡体材料を熱処理により消失せしめて炭化珪素素地ス
ケルトン構造体を形成後、これを焼結させて低密度炭化
珪素多孔質体を製造する方法が開示されている。この方
法では、気孔径の大きい多孔質体とする場合には気孔率
を80〜90%と高くすることができる反面、炭化珪素
粒子間の結合が弱く、多孔質体の機械的強度が極めて低
いという問題があった。また、発泡材料が消失するまで
に長大な時間を要し、生産性が低いという問題があった
。
分子発泡体材料に炭化珪素素地泥漿を含浸し、該高分子
発泡体材料を熱処理により消失せしめて炭化珪素素地ス
ケルトン構造体を形成後、これを焼結させて低密度炭化
珪素多孔質体を製造する方法が開示されている。この方
法では、気孔径の大きい多孔質体とする場合には気孔率
を80〜90%と高くすることができる反面、炭化珪素
粒子間の結合が弱く、多孔質体の機械的強度が極めて低
いという問題があった。また、発泡材料が消失するまで
に長大な時間を要し、生産性が低いという問題があった
。
本発明は上記事情に鑑みなされたものであり、その目的
は、高気孔率を有すると共に機械的強度にも優れた炭化
珪素多孔質体を簡便かつ確実に製造することのできる低
密度炭化珪素多孔質体の製造方法を提供することにある
。
は、高気孔率を有すると共に機械的強度にも優れた炭化
珪素多孔質体を簡便かつ確実に製造することのできる低
密度炭化珪素多孔質体の製造方法を提供することにある
。
[課題を解決するための手段及び作用]上記課題を解決
するために本発明においては、炭化珪素粉末に炭素質物
質を配合してなる原料組成物から成形体を成形し、これ
を非酸化性雰囲気下にて焼成して炭化珪素粉末を焼結さ
せることにより、炭素質物質が分散含有された炭化珪素
焼結体を形成し、その後、その焼結体を酸化性雰囲気下
にて加熱することにより焼結体中の炭素質物質を燃焼し
て消失させ、焼結体中に気孔を形成している。
するために本発明においては、炭化珪素粉末に炭素質物
質を配合してなる原料組成物から成形体を成形し、これ
を非酸化性雰囲気下にて焼成して炭化珪素粉末を焼結さ
せることにより、炭素質物質が分散含有された炭化珪素
焼結体を形成し、その後、その焼結体を酸化性雰囲気下
にて加熱することにより焼結体中の炭素質物質を燃焼し
て消失させ、焼結体中に気孔を形成している。
この方法では、炭化珪素粒子を互いに完全に焼結させた
後、焼結粒子間に介在される炭素質物質を燃焼させ、そ
の消失部位を気孔としているため、焼結体の強度が確保
され、しかも炭素質物質の配合割合を適宜設定すること
により、焼結体の気孔率を任意に設定することが、でき
る。
後、焼結粒子間に介在される炭素質物質を燃焼させ、そ
の消失部位を気孔としているため、焼結体の強度が確保
され、しかも炭素質物質の配合割合を適宜設定すること
により、焼結体の気孔率を任意に設定することが、でき
る。
本発明について更に詳細に説明すると、前記炭化珪素粉
末としては、α型又はβ型の炭化珪素を微細粒子状態又
は顆粒状態にて使用することが望ましい。使用する炭化
珪素粉末の平均粒径は、焼結によって得られる多孔質体
において所望の気孔径を実現するために任意に選定され
る。但し、平均粒径が200μmを超える場合、得られ
た多孔質体の機械的強度を著しく低下させるため、一般
には顆粒も含めて200μm以下のものを使用すること
が望ましい。
末としては、α型又はβ型の炭化珪素を微細粒子状態又
は顆粒状態にて使用することが望ましい。使用する炭化
珪素粉末の平均粒径は、焼結によって得られる多孔質体
において所望の気孔径を実現するために任意に選定され
る。但し、平均粒径が200μmを超える場合、得られ
た多孔質体の機械的強度を著しく低下させるため、一般
には顆粒も含めて200μm以下のものを使用すること
が望ましい。
前記炭素質物質としては、ファーネスブラック、サーマ
ルブラック、コンタクトブラック、ランプブラック等に
代表される粉末状のカーボンブラックや、コークス粉末
が使用される。前記炭化珪素粉末が焼結され、炭素質物
質が消失されるまでの間、成形体の形を崩さないように
する必要があるため、炭素質物質として液状のものを単
独で使用することは不適当である。
ルブラック、コンタクトブラック、ランプブラック等に
代表される粉末状のカーボンブラックや、コークス粉末
が使用される。前記炭化珪素粉末が焼結され、炭素質物
質が消失されるまでの間、成形体の形を崩さないように
する必要があるため、炭素質物質として液状のものを単
独で使用することは不適当である。
炭素質物質の平均粒径は、前記炭化珪素粉末の平均粒径
のl/10〜l/5の範囲とすることが好ましい。この
平均粒径が前記1/1 0未満では、炭化珪素粉末の粒
径を選定することにより所望の気孔率を有する多孔質体
を得ることが困難になり、平均粒径が前記1/5を超え
ると、炭化珪素粉末の焼結が不十分となって多孔質体の
機械的強度が著しく低下する。
のl/10〜l/5の範囲とすることが好ましい。この
平均粒径が前記1/1 0未満では、炭化珪素粉末の粒
径を選定することにより所望の気孔率を有する多孔質体
を得ることが困難になり、平均粒径が前記1/5を超え
ると、炭化珪素粉末の焼結が不十分となって多孔質体の
機械的強度が著しく低下する。
炭素質物質の炭化珪素粉末に対する配合割合は、炭化珪
素粉末100重量部に対して炭素質物質50〜200重
量部の範囲が好適であり、更に望ましくは50〜100
重量部の範囲である。
素粉末100重量部に対して炭素質物質50〜200重
量部の範囲が好適であり、更に望ましくは50〜100
重量部の範囲である。
この配合割合が50重量部未満では、炭化珪素粉末間の
粒成長のために得られる多孔質体の気孔率が低くなる。
粒成長のために得られる多孔質体の気孔率が低くなる。
また、高気孔率の焼結体を得るためには、炭素質物質を
50重量部以上配合し、炭化珪素粉末の粒成長を適度に
抑制することが必要である。一方、前記配合割合が20
0重量部を超えると、焼成時に成形体が崩壊してしまい
、焼結体を得ることができなくなる。炭素質物質の配合
割合を100〜200重量部とする範囲においては、当
該炭素質物質を消失させた後の多孔質体の機械的強度を
低下させる傾向にあるが、再度焼成することによって強
度の向上を図ることも可能である。
50重量部以上配合し、炭化珪素粉末の粒成長を適度に
抑制することが必要である。一方、前記配合割合が20
0重量部を超えると、焼成時に成形体が崩壊してしまい
、焼結体を得ることができなくなる。炭素質物質の配合
割合を100〜200重量部とする範囲においては、当
該炭素質物質を消失させた後の多孔質体の機械的強度を
低下させる傾向にあるが、再度焼成することによって強
度の向上を図ることも可能である。
炭化珪素粉末及び炭素質物質の混合によって原料組成物
を得る場合、成形用バインダーを添加することが望まし
い。
を得る場合、成形用バインダーを添加することが望まし
い。
成形用バインダーとしては、ポリエチレングリコール(
PEG)、ポリビニルアルコール(PVA)、フェノー
ル樹脂、メチルセルロース(MC)等の有機樹脂バイン
ダーの他、アルミナゾル、シリカゾル等が使用される。
PEG)、ポリビニルアルコール(PVA)、フェノー
ル樹脂、メチルセルロース(MC)等の有機樹脂バイン
ダーの他、アルミナゾル、シリカゾル等が使用される。
この成形用バインダーの配合割合は一般に、炭化珪素粉
末及び炭素質物質の合計100重量部に対し、l−10
重量部の範囲が好適である。この配合割合が1重量部未
満では、成形体の強度が不十分となり、10重量部を超
えると、バインダーを除去する際に成形体にクラックが
発生し易くなる。
末及び炭素質物質の合計100重量部に対し、l−10
重量部の範囲が好適である。この配合割合が1重量部未
満では、成形体の強度が不十分となり、10重量部を超
えると、バインダーを除去する際に成形体にクラックが
発生し易くなる。
上記原料組成物から成形された成形体は非酸化性雰囲気
下にて焼成されて炭化珪′素粉末のみが焼結され、炭素
質物質を含有した炭化珪素焼結体が得られる。
下にて焼成されて炭化珪′素粉末のみが焼結され、炭素
質物質を含有した炭化珪素焼結体が得られる。
非酸化性雰囲気下にて焼成するのは、焼成時の熱によっ
て炭素質物質が燃焼し消失するのを防止するためである
。この時の焼成温度は1800〜2000℃の範囲が好
ましい。焼成温度が18QO℃未満では炭化珪素粉末の
焼結が不十分となって、多孔質体の強度が低下し、一方
、2000℃を超えると炭化珪素粉末の粒成長が進行し
て多孔質体の気孔率が低下する。
て炭素質物質が燃焼し消失するのを防止するためである
。この時の焼成温度は1800〜2000℃の範囲が好
ましい。焼成温度が18QO℃未満では炭化珪素粉末の
焼結が不十分となって、多孔質体の強度が低下し、一方
、2000℃を超えると炭化珪素粉末の粒成長が進行し
て多孔質体の気孔率が低下する。
その後、前記焼結体を酸化性雰囲気下にて加熱すること
により焼結体中の炭素質物質及び成形用バインダー等に
由来する残留炭素を燃焼して消失させる。この時の加熱
温度は600〜800℃の範囲が好適である。この加熱
温度が600℃未満では炭素質物質を充分に燃焼させる
ことができず、一方、800℃を超えると炭化珪素の結
晶粒が酸化され、強度が劣化するので好ましくない。
により焼結体中の炭素質物質及び成形用バインダー等に
由来する残留炭素を燃焼して消失させる。この時の加熱
温度は600〜800℃の範囲が好適である。この加熱
温度が600℃未満では炭素質物質を充分に燃焼させる
ことができず、一方、800℃を超えると炭化珪素の結
晶粒が酸化され、強度が劣化するので好ましくない。
このように、前記焼結体の炭化珪素骨格はそのまま残さ
れた状態で、炭素質物質が占めていた部分には気孔が形
成されるため、多数の微細気孔を有すると共に、気孔率
にして70〜80%の低密度炭化珪素多孔質体が確実に
形成される。
れた状態で、炭素質物質が占めていた部分には気孔が形
成されるため、多数の微細気孔を有すると共に、気孔率
にして70〜80%の低密度炭化珪素多孔質体が確実に
形成される。
[実施例1及び2並びに比較例1〜3コ(実施例l)
スプレードライ製法によって得た平均粒径が100μm
の炭化珪素顆粒10gに、平均粒径が20μmのコーク
ス粉末logを配合すると共に、ポリエチレングリコー
ル0.2g及びアセトン30gを加え、メノウ乳鉢にて
充分に湿式混合して原料組成物を得た。この原料組成物
をカーボン製円筒成形型(内径40mm)に充填し、一
軸プレス機を使用して面圧1 5 0 〜2 0 0k
gf/ctlにて加圧成形することにより、円板状の成
形体(φ40mmx5mm)を形成した。
の炭化珪素顆粒10gに、平均粒径が20μmのコーク
ス粉末logを配合すると共に、ポリエチレングリコー
ル0.2g及びアセトン30gを加え、メノウ乳鉢にて
充分に湿式混合して原料組成物を得た。この原料組成物
をカーボン製円筒成形型(内径40mm)に充填し、一
軸プレス機を使用して面圧1 5 0 〜2 0 0k
gf/ctlにて加圧成形することにより、円板状の成
形体(φ40mmx5mm)を形成した。
この成形体を焼成炉を使用してアルゴン雰囲気下、昇温
速度5℃/min.にて加熱を開始し、1900℃にて
4時間焼成した。その後、この焼結体を酸化炉に移し、
昇温速度5℃/min.にて加熱を開始し、800℃に
て1時間加熱することにより炭化珪素多孔質体を得た。
速度5℃/min.にて加熱を開始し、1900℃にて
4時間焼成した。その後、この焼結体を酸化炉に移し、
昇温速度5℃/min.にて加熱を開始し、800℃に
て1時間加熱することにより炭化珪素多孔質体を得た。
この多孔質体について嵩密度、気孔率、角棒(3mmX
4mmX 3 6mm)による三点曲げ強度を測定し
た。その結果を表−1に示す。
4mmX 3 6mm)による三点曲げ強度を測定し
た。その結果を表−1に示す。
(実施例2)
平均粒径が0. 3μmの炭化珪素粉末10gに、平
均粒径が500人のアセチレンブラック10gを配合す
ると共に、ポリエチレングリコール0.2g及びアセト
ン30gを加え、メノウ乳鉢にて充分に湿式混合して原
料組成物を得た。
均粒径が500人のアセチレンブラック10gを配合す
ると共に、ポリエチレングリコール0.2g及びアセト
ン30gを加え、メノウ乳鉢にて充分に湿式混合して原
料組成物を得た。
以下、前記実施例lと同様にして炭化珪素多孔質体を作
成し、嵩密度、気孔率、角棒(3mmX4mmX 3
6 mm)による三点曲げ強度を測定した。その結果を
表−1に示す。
成し、嵩密度、気孔率、角棒(3mmX4mmX 3
6 mm)による三点曲げ強度を測定した。その結果を
表−1に示す。
(比較例l)
スプレードライ製法によって得た平均粒径が100μm
の炭化珪素顆粒10gに、平均粒径が20μmのコーク
ス粉末1gを配合すると共に、ポリエチレングリコール
0.2g及びアセトン30gを加え、メノウ乳鉢にて充
分に湿式混合して原料組成物を得た。
の炭化珪素顆粒10gに、平均粒径が20μmのコーク
ス粉末1gを配合すると共に、ポリエチレングリコール
0.2g及びアセトン30gを加え、メノウ乳鉢にて充
分に湿式混合して原料組成物を得た。
以下、前記実施例lと同様にして炭化珪素多孔質体を作
成し、嵩密度、気孔率、角棒(3mmX4mmX 3
6 mm)による三点曲げ強度を測定した。その結果を
表一lに示す。
成し、嵩密度、気孔率、角棒(3mmX4mmX 3
6 mm)による三点曲げ強度を測定した。その結果を
表一lに示す。
(比較例2)
スプレードライ製法によって得た平均粒径がlOOμm
の炭化珪素顆粒10gに、平均粒径がlμmのコークス
粉末10gを配合すると共に、ポリエチレングリコール
0,2g及びアセトン30gを加え、メノウ乳鉢にて充
分に湿式混合して原料組成物を得た。
の炭化珪素顆粒10gに、平均粒径がlμmのコークス
粉末10gを配合すると共に、ポリエチレングリコール
0,2g及びアセトン30gを加え、メノウ乳鉢にて充
分に湿式混合して原料組成物を得た。
以下、前記実施例lと同様にして炭化珪素多孔質体を作
成しようとしたが、酸化炉にて加熱処理した後に焼結体
が崩壊してしまい、炭化珪素多孔質体は得られなかった
。
成しようとしたが、酸化炉にて加熱処理した後に焼結体
が崩壊してしまい、炭化珪素多孔質体は得られなかった
。
(比較例3)
平均粒径が0. 3μmの炭化珪素粉末logに、平
均粒径がlμmのコークス粉末10gを配合すると共に
、ポリエチレングリコール0.2g及びアセトン30g
を加え、メノウ乳鉢にて充分に湿式混合して原料組成物
を得た。
均粒径がlμmのコークス粉末10gを配合すると共に
、ポリエチレングリコール0.2g及びアセトン30g
を加え、メノウ乳鉢にて充分に湿式混合して原料組成物
を得た。
以下、前記実施例1と同様にして炭化珪素多孔質体を作
成しようとしたが、酸化炉にて加熱処理した後に焼結体
が崩壊してしまい、炭化珪素多孔質体は得られなかった
。
成しようとしたが、酸化炉にて加熱処理した後に焼結体
が崩壊してしまい、炭化珪素多孔質体は得られなかった
。
表一
■
表−1からわかるように、原料炭化珪素顆粒の平均粒径
に対して粒径が1/5のコークスを使用すると共に両者
の配合比を1対lとした実施例1、及び原料炭化珪素粉
末の平均粒径に対して粒径が約0.17倍のアセチレン
ブラックを使用すると共に両者の配合比をl対lとした
実施例2においては、気孔率が77〜78%と極めて高
く、しかも、比較的強度に優れた低密度炭化珪素多孔質
体を確実に得ることができた。
に対して粒径が1/5のコークスを使用すると共に両者
の配合比を1対lとした実施例1、及び原料炭化珪素粉
末の平均粒径に対して粒径が約0.17倍のアセチレン
ブラックを使用すると共に両者の配合比をl対lとした
実施例2においては、気孔率が77〜78%と極めて高
く、しかも、比較的強度に優れた低密度炭化珪素多孔質
体を確実に得ることができた。
これに対し、原料炭化珪素顆粒に対してコークスをその
10分の1しか配合していない比較例lにおいては、高
気孔率の多孔質体を得ることができず、また、原料炭化
珪素顆粒の平均粒径に対して粒径が1/l 0 0のコ
ークスを使用した比較例2、及び原料炭化珪素粉末の平
均粒径に対して粒径が約3.3倍のコークスを使用した
比較例3においては、いずれも製造途中で崩壊してしま
い多孔質体を形成することができなかった。
10分の1しか配合していない比較例lにおいては、高
気孔率の多孔質体を得ることができず、また、原料炭化
珪素顆粒の平均粒径に対して粒径が1/l 0 0のコ
ークスを使用した比較例2、及び原料炭化珪素粉末の平
均粒径に対して粒径が約3.3倍のコークスを使用した
比較例3においては、いずれも製造途中で崩壊してしま
い多孔質体を形成することができなかった。
[発明の効果]
以上詳述したように本発明によれば、高気孔率を有する
と共に機械的強度にも優れた低密度炭化珪素多孔質体を
簡便かつ確実に製造することのできるという優れた効果
を奏する。
と共に機械的強度にも優れた低密度炭化珪素多孔質体を
簡便かつ確実に製造することのできるという優れた効果
を奏する。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 炭化珪素粉末に炭素質物質を配合してなる原料組成
物から成形体を成形し、これを非酸化性雰囲気下にて焼
成して炭化珪素粉末を焼結させることにより、炭素質物
質が分散含有された炭化珪素焼結体を形成し、その後、
その焼結体を酸化性雰囲気下にて加熱することにより焼
結体中の炭素質物質を燃焼して消失させ、焼結体中に気
孔を形成することを特徴とする低密度炭化珪素多孔質体
の製造方法。 2 前記原料組成物は、炭化珪素粉末100重量部に対
して炭素質物質50〜200重量部を配合したものであ
ることを特徴とする請求項1に記載の低密度炭化珪素多
孔質体の製造方法。 3 前記炭素質物質は、その平均粒径が炭化珪素粉末の
平均粒径の1/10〜1/5の粒状物質であることを特
徴とする請求項1又は2に記載の低密度炭化珪素多孔質
体の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1158190A JP2851100B2 (ja) | 1990-01-19 | 1990-01-19 | 低密度炭化珪素多孔質体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1158190A JP2851100B2 (ja) | 1990-01-19 | 1990-01-19 | 低密度炭化珪素多孔質体の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH03215375A true JPH03215375A (ja) | 1991-09-20 |
JP2851100B2 JP2851100B2 (ja) | 1999-01-27 |
Family
ID=11781875
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1158190A Expired - Fee Related JP2851100B2 (ja) | 1990-01-19 | 1990-01-19 | 低密度炭化珪素多孔質体の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2851100B2 (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5422322A (en) * | 1993-02-10 | 1995-06-06 | The Stackpole Corporation | Dense, self-sintered silicon carbide/carbon-graphite composite and process for producing same |
JPWO2005091393A1 (ja) * | 2004-03-22 | 2008-05-22 | 独立行政法人科学技術振興機構 | 多孔質熱電材料及びその製造方法 |
TWI644883B (zh) * | 2017-10-03 | 2018-12-21 | 淡江大學 | 多孔性薄膜的製備方法、乳化元件及乳化裝置 |
-
1990
- 1990-01-19 JP JP1158190A patent/JP2851100B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5422322A (en) * | 1993-02-10 | 1995-06-06 | The Stackpole Corporation | Dense, self-sintered silicon carbide/carbon-graphite composite and process for producing same |
JPWO2005091393A1 (ja) * | 2004-03-22 | 2008-05-22 | 独立行政法人科学技術振興機構 | 多孔質熱電材料及びその製造方法 |
TWI644883B (zh) * | 2017-10-03 | 2018-12-21 | 淡江大學 | 多孔性薄膜的製備方法、乳化元件及乳化裝置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2851100B2 (ja) | 1999-01-27 |
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