JPH03214648A - Compaction treatment system - Google Patents

Compaction treatment system

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Publication number
JPH03214648A
JPH03214648A JP2008235A JP823590A JPH03214648A JP H03214648 A JPH03214648 A JP H03214648A JP 2008235 A JP2008235 A JP 2008235A JP 823590 A JP823590 A JP 823590A JP H03214648 A JPH03214648 A JP H03214648A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
cell
compaction
terminals
slice
cell blocks
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2008235A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Masato Iwabuchi
真人 岩渕
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Ltd filed Critical Hitachi Ltd
Priority to JP2008235A priority Critical patent/JPH03214648A/en
Publication of JPH03214648A publication Critical patent/JPH03214648A/en
Pending legal-status Critical Current

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Abstract

PURPOSE:To enhance an integration density as desired by a compaction opera tion and to prevent that an interconnection resistance and a parasitic capacity are increased or become irregular by the compaction operation by a method wherein a pattern is compacted from the lower-rank side of a tree structure grasped from a slice structure and terminals of adjacent patterns are aligned. CONSTITUTION:Since a pattern is compacted from the lower-rank side of a tree structure grasped from a slice structure and terminals of adjacent patterns are aligned, a treatment on the upper-rank side acts in such a way that it does not affect a treatment which has been already completed on the lower-rank side. Consequently, adjacent cell blocks of the slice structure which can be expressed as the tree structure can be connected directly at terminals without a need for a special bent interconnection. Thereby, an integration density can be enhanced as desired by a compaction operation, and it is possible to prevent that an interconnection resistance and a parasitic capacity are increased or become irregular by the compaction operation.

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、レイアウトパターンのコンパクションに関し
、例えば半導体集積回路のコンパクションに適用して有
効な技術に関するものである。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Field of Industrial Application] The present invention relates to the compaction of layout patterns, and relates to a technique that is effective when applied to compaction of semiconductor integrated circuits, for example.

〔従来の技術〕[Conventional technology]

所謂CAD (コンピュータ・エイデッド・デザイン)
もしくはDA(デザイン・オー1・メーショ−3 ン)により自動的に配置配線されたレイアウトパターン
などに対して、集積密度を上げるためにレイアウトパタ
ーンの空き領域を排除したり、或いは微細化されたプロ
セスルールに対応させるために全体を圧縮したりするた
めのコンパクション処理を、計算機により実行させるこ
とができる。
So-called CAD (computer aided design)
Alternatively, for layout patterns that are automatically placed and routed by DA (Design Automation), empty areas in the layout pattern may be eliminated to increase integration density, or miniaturized processes may be applied. A computer can perform compaction processing to compress the entire data in order to comply with the rules.

このようなコンパクション処理の従来技術としては、特
開昭61−224080号公報に記載されるように、圧
縮領域とその周りの非圧縮領域ととの実際の結合関係を
一旦解除し、その結合関係を仮想的な結合関係に導き、
該仮想的な結合関係から圧縮結合関係への検証を経て前
記圧縮領域への整合圧縮結合を行って前記圧縮領域の部
分コンパクションを行うという内容の技術が提供されて
いる。
As described in Japanese Unexamined Patent Publication No. 61-224080, a conventional technology for such compaction processing involves first canceling the actual coupling relationship between the compressed area and the surrounding uncompressed area, and then changing the coupling relationship. into a virtual connection relationship,
A technique is provided in which the virtual connection relationship is verified to be a compressed connection relationship, and then a matching compression connection is performed to the compressed area, and a partial compaction of the compressed area is performed.

尚、コンパクションについて記載されたその他の文献の
例としては、 ■;特開昭62−78681号公報、 ■;アイ・イー・イー・イー,トランザクションオン 
コンピュータ エイデット デザインオブ インテグレ
ーテッド サーキッツ アンドシステムズ 第1巻 C
AD−2 [1983年コ第62頁から第69頁(IE
EE  Trans.on  Computer  A
ided  Design  of  Tntegra
ted  Circujts  and  Syste
ms,Vol.ICAD−2  No.2  pp62
−69  Apri1  1983) ■;アドバンセズ イン シーエーディー フオー ブ
イエルエスアイ 第4巻 第6章 レイアウトコンパク
ション(Advances  inCAD  for 
 VLSI  Vol.4  Chapter6  L
ayout  Compactlon) などがある。
Examples of other documents describing compaction include: ■; Japanese Patent Application Laid-open No. 1983-78681; ■; I.E.E., Transaction on
Computer Aided Design of Integrated Circuits and Systems Volume 1 C
AD-2 [1983, pages 62 to 69 (IE
EE Trans. on Computer A
ided Design of Tntegra
ted Circujts and System
ms, Vol. ICAD-2 No. 2 pp62
-69 Apri1 1983) ■Advances in CAD for VLSI Volume 4 Chapter 6 Layout compaction (Advances in CAD for
VLSI Vol. 4 Chapter 6 L
ayout Compactlon).

〔発明が解決しようとする課題〕[Problem to be solved by the invention]

ところで、複数個のセルブロックの集合によって構成さ
れるレイアウトパターンをコンパクションするような場
合、圧縮されたセルブロック間において相互に接続され
るべき端子の位置がX方向又はY方向に一直線で結ぶこ
とのできない場合がある。そのような場合に従来のコン
パクション処理技術では、接続対象端子をX方向及びY
方向に屈曲する配線で接続せざるを得なかった。例えば
第9図に示されるように、コンパクションされたセルブ
ロック1の端子IA〜IDと、コンパクションされたセ
ルブロック2の端子2A〜2Dとを接続する場合、夫々
の端子の位置がY方向にずれているため、セルブロック
1,2を直接隣接させて当該端子を接続することができ
ない。したがって、対応端子を屈曲する配線3A〜3D
によって接続しなければならない。これら屈曲した配線
3A〜3Dの途中の屈曲部には実際コンタクトホールな
ど形成されることになり、セルブロック1と2との間に
はそのような配線専用の領域3を確保しておかなければ
ならない。
By the way, when compacting a layout pattern made up of a set of multiple cell blocks, it is important to note that the positions of terminals to be connected to each other between the compressed cell blocks are connected in a straight line in the X or Y direction. It may not be possible. In such cases, conventional compaction processing technology
The connection had to be made using wiring that bent in the direction. For example, as shown in FIG. 9, when connecting terminals IA to ID of compacted cell block 1 and terminals 2A to 2D of compacted cell block 2, the positions of the respective terminals are shifted in the Y direction. Therefore, cell blocks 1 and 2 cannot be directly adjacent to each other and their terminals cannot be connected. Therefore, the wirings 3A to 3D that bend the corresponding terminals
Must be connected by. A contact hole or the like will actually be formed in the middle of these bent wiring lines 3A to 3D, and an area 3 dedicated to such wiring must be secured between cell blocks 1 and 2. No.

これにより、コンパクションの結果セルブロック間を接
続するための特別な配線領域が必要になり、コンパクシ
ョンによっても集積密度を思うように上げることができ
なかったり、さらには配線抵抗や寄生容量が増えたり不
揃いになったりすることに起因して動作特性の悪化の虞
もあった。
As a result of compaction, a special wiring area is required to connect between cell blocks, and compaction may not be able to increase the integration density as desired, and furthermore, wiring resistance and parasitic capacitance may increase or misalignment may occur. There was also a risk that the operating characteristics would deteriorate due to this.

本発明の目的は、複数個のセルブロックの集合によって
構成されるレイアウトパターンをコンパクションしたと
き、セルブロック間の接続又は所要セルブロック間の接
続を、セルブロックの端子同士で行うことができるよう
にするコンパクション処理方式を提供することにある。
An object of the present invention is to enable connections between cell blocks or connections between required cell blocks to be made between the terminals of the cell blocks when a layout pattern consisting of a set of a plurality of cell blocks is compacted. The purpose of the present invention is to provide a compaction processing method.

本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は本明
細書の記述及び添付図面から明らかになるであろう。
The above and other objects and novel features of the present invention will become apparent from the description of this specification and the accompanying drawings.

〔課題を解決するための手段〕[Means to solve the problem]

本願において開示される発明のうち代表的なものの概要
を簡単に説明すれば下記の通りである。
A brief overview of typical inventions disclosed in this application is as follows.

すなわち、複数個のセルブロックの集合によって構成さ
れるレイアウトパターンをコンパクションするに当り、
レイアウトパターンの全部又は一部をX方向及びY方向
に階層的にスライスして木構造の形態で表現可能なスラ
イス構造を抽出するステップと、抽出された木構造の下
位側セルブロ一7一 ックから順番に、セルブロックをスライス方向へ圧縮す
ると共に、圧縮された隣接セルブロック間で結合される
べき端子の位置を合せるように該当セルブロックを圧縮
又は伸長するステップとを含めるようにするものである
In other words, when compacting a layout pattern composed of a set of multiple cell blocks,
A step of hierarchically slicing all or part of the layout pattern in the X direction and the Y direction to extract a slice structure that can be expressed in the form of a tree structure, and 171 slices of lower cell blocks of the extracted tree structure. The cell block is compressed in the slicing direction, and the compressed cell block is compressed or expanded so as to align the terminals to be connected between the compressed adjacent cell blocks. be.

このとき、レイアウトルールなどとの関係上、全てのセ
ルブロックに対して端子位置合せのステップを完全に実
行することができないような場合には、圧縮された特定
のセルブロック間の接続を部分的に屈曲配線で行っても
よい。
At this time, if it is not possible to completely execute the terminal alignment step for all cell blocks due to layout rules, etc., the connections between specific compressed cell blocks may be partially Alternatively, bent wiring may be used.

複数個のセルブロックのレイアウト構造が前記スライス
構造を採るものと採らないものとの集合によって構成さ
れるときは、スライス構造を採る部分に対しては上記各
ステップを実行させ、スライス構造を採るものと採らな
いものとの相互接続は屈曲配線を部分的に利用すること
ができる。
When the layout structure of a plurality of cell blocks is composed of a set of those that adopt the slice structure and those that do not adopt the slice structure, each of the above steps is executed for the portion that adopts the slice structure, and the cell block that adopts the slice structure Flexible wiring can be partially used for interconnection between the wire and the wire that does not have to be used.

上記コンパクション処理方式は半導体集積回路全体のレ
イアウトパターンに適用することができるのはもとより
、半導体集積回路を構成するためのスタンダートセル手
法に利用されるマクロセル−8 のレイアウl・パターンのような半導体集積回路の部分
的な回路ブロックのレイアウトパターンにも適用するこ
とができる。
The above-mentioned compaction processing method can be applied not only to the layout pattern of the entire semiconductor integrated circuit, but also to the layout pattern of the macro cell-8 used in the standard cell method for configuring the semiconductor integrated circuit. It can also be applied to a layout pattern of a partial circuit block of a circuit.

[作 用〕 上記した手段によれば、スライス構造から把握される木
構造の下位側からパターンの圧縮そして隣接パターンの
端子位置合せを行うことは、上位側の処理が下位側の既
に完了した処理に一切影響を与えないように作用し、こ
のことが、木構造として表現可能なスライス構造の隣接
セルブロックを特別な屈曲配線を必要とすることなく直
接端子同士で接続可能にすることを達成する。これによ
り、コンパクションによって集積密度を思うように向上
させること、そして、コンパクションによって配線抵抗
や寄生容量が増えたり不揃いになったりすることの防止
を達成するものである。
[Operation] According to the above means, compression of patterns and terminal alignment of adjacent patterns are performed from the lower side of the tree structure understood from the slice structure, so that the processing on the upper side overlaps the already completed processing on the lower side. This enables adjacent cell blocks in a slice structure that can be expressed as a tree structure to be directly connected to each other with their terminals without the need for special bent wiring. . This makes it possible to improve the integration density as desired through compaction, and to prevent wiring resistance and parasitic capacitance from increasing or becoming uneven due to compaction.

〔実施例1〕 第1図には本発明に係るコンパクション処理方式の一実
施例処理手順が示される。
[Embodiment 1] FIG. 1 shows a processing procedure of an embodiment of the compaction processing method according to the present invention.

コンパクシミンの対象とされる1ノイアウトパターンは
、特に制限されないが、既に配置配線設計された半導体
集積回路全体のレイアウトパターンとされ、レイアウト
ライブラリ10として保存されている。
One noise-out pattern targeted for compaction is, although not particularly limited, a layout pattern of the entire semiconductor integrated circuit that has already been designed for placement and wiring, and is stored as a layout library 10.

コンパクションの対象とされるレイアウトパターンは、
特に制限されないが、複数個のセルブロックの階層的な
集合によって構成され、所謂スライス構造を持つ。ここ
で、スライス構造とは、例えば半導体集積回路のセルブ
ロック領域の分割に関する手法であり、全体領域を矩形
とし、これをX方向Y方向に順次分割していくことによ
って、分割領域としてのセルブロックもしくはセルブロ
ック領域を得るものである。尚、スライス構造自体につ
いては、第23回,ディー エー コンファレンス,1
01頁から107頁1987年(23rd  DA  
Conference  PPIO1 〜PP107 
 1986) に記載されテイる。
The layout patterns targeted for compaction are:
Although not particularly limited, it is constituted by a hierarchical set of a plurality of cell blocks and has a so-called slice structure. Here, the slice structure is a method for dividing the cell block area of a semiconductor integrated circuit, for example, by making the entire area into a rectangle and dividing it sequentially in the X and Y directions. Alternatively, the cell block area can be obtained. Regarding the slice structure itself, please refer to the 23rd DA Conference, 1
Pages 01 to 107 1987 (23rd DA
Conference PPIO1 ~ PP107
1986).

レイアウトパターンのスライス構造の一例は第3A図に
示される。同図に示されるレイアウトパターンは、2箇
所でY方向カッI・され、1箇所てX方向カットされて
おり、4個のセルブロック11〜14に分割されている
An example of the slice structure of the layout pattern is shown in FIG. 3A. The layout pattern shown in the figure is cut in two places in the Y direction and cut in one place in the X direction, and is divided into four cell blocks 11 to 14.

例えば第3A図に示されるようなレイアウトパターンを
コンパクションする場合、そのレイアウトパターン情報
に基づいて、当該レイアウトパターンのスライス構造が
認識され、木構造によって表現される(ステップSl)
。第3A図に示されるレイアウ1・パターンから把握さ
れるスライス構造を木構造として表現したものが第3B
図に示される。この木構造の節点はY方向カット又はX
方向カットを意味し、節点からの枝は当該節点の意味す
るスライス状態によって分離されたセルブロックを現わ
す。
For example, when compacting a layout pattern as shown in FIG. 3A, the slice structure of the layout pattern is recognized based on the layout pattern information and expressed as a tree structure (step Sl).
. Figure 3B represents the slice structure grasped from the layout 1 pattern shown in Figure 3A as a tree structure.
As shown in the figure. The nodes of this tree structure can be cut in the Y direction or
It means a directional cut, and a branch from a node represents a cell block separated by the slice state meant by the node.

このような木構造が認識されると、その木構造の下位側
セルブロックから順番に、セルブロックをスライス方向
へ圧縮すると共に、圧縮された隣接セルブロック間で結
合されるべき端子の位置を合せるように該当セルブロッ
クを圧縮又は伸長する処理が行われる(ステップ82)
。この処理はステップS3を介して木構造の最上位節点
の枝に一11一 到達するまで繰返し行われる。このとき必要なレイアウ
トルールやコンパクションルールなどはLSI構造ライ
ブラリ15から与えられる。
When such a tree structure is recognized, the cell blocks are compressed in the slice direction starting from the lower cell blocks of the tree structure, and the positions of the terminals to be connected between the compressed adjacent cell blocks are aligned. The corresponding cell block is compressed or expanded as follows (step 82).
. This process is repeated through step S3 until the branch of the highest node in the tree structure is reached. At this time, necessary layout rules, compaction rules, etc. are given from the LSI structure library 15.

第4A図乃至第4G図にはコンパクション並びに端子位
置合せステップ(ステップS2)の一例が示される。
An example of the compaction and terminal alignment step (step S2) is shown in FIGS. 4A to 4G.

第4A図に′は第3B図の木構造最下位に位置するセル
ブロック11.12の相対位置関係が示される。例えば
セルブロック11には代表的に示された端子16.17
が存在し、セルブロック12には代表的に示された端子
18.19が存在している。そして、セルブロック11
.12の境界辺において端子17と18は実際には同じ
座標位置に存在している。尚、本明細書においてセルブ
ロックの端子とは特に回路」二の外部端子や電極パッド
だけを意味するものではなく、配線上の特定座標位置と
しても把握することができる。
In FIG. 4A, ' indicates the relative positional relationship between cell blocks 11 and 12 located at the lowest level of the tree structure in FIG. 3B. For example, in the cell block 11, terminals 16 and 17 are typically shown.
There are terminals 18 and 19 representatively shown in the cell block 12. And cell block 11
.. Terminals 17 and 18 actually exist at the same coordinate position on the boundary side of 12. Note that in this specification, the terminals of the cell block do not particularly mean only the external terminals and electrode pads of the circuit, but can also be understood as specific coordinate positions on the wiring.

第4A図のセルブロック11.12に対しては、相互間
でのスライス方向であるY方向に所要のコンパクション
が行われ、コンパクションされた状一12一 態は第4B図に示される。同図においてllaはセルブ
ロック11を圧縮してなるセルブロック、12aはセル
ブロック12を圧縮してなるセルブロックである。同図
から明らかなうに、Y方向へのコンパクション比率の相
違により、端子1−7と19のY座標位置は相違される
。このままで当該セルブロック11.12に対するコン
パクションを終了すると、相互に座標位置の異なる端子
17と19とを接続するための特別な屈曲配線が必要に
なる。
The cell blocks 11 and 12 in FIG. 4A are subjected to the required compaction in the Y direction, which is the slicing direction between them, and the compacted state 12 is shown in FIG. 4B. In the figure, lla is a cell block formed by compressing the cell block 11, and 12a is a cell block formed by compressing the cell block 12. As is clear from the figure, the Y coordinate positions of the terminals 1-7 and 19 are different due to the difference in compaction ratio in the Y direction. If the compaction for the cell blocks 11 and 12 is completed in this state, special bending wiring will be required to connect the terminals 17 and 19 at mutually different coordinate positions.

そこで、第4B図においてY座標位置の相違する端子1
7.19の位置合せを行うために、例えばセルブロック
12aがY方向に伸張される。端子位置合せ上必要なら
ばセルブロックllaの圧縮をも併用してもよい。この
ようにして端子17と19との位置合せが行われた状態
が第4C図に示される。第4C図において11.b,1
2bは端子位置合せ終了後におけるセルブロックである
Therefore, in FIG. 4B, terminals 1 with different Y coordinate positions
In order to perform the alignment of 7.19, for example, the cell block 12a is expanded in the Y direction. If necessary for terminal alignment, compression of the cell block lla may also be used. A state in which the terminals 17 and 19 are aligned in this manner is shown in FIG. 4C. In Figure 4C, 11. b,1
2b is the cell block after terminal alignment is completed.

これにより、隣接するセルブロックllbと121)と
の間で結合されるべき端子17.19の位置は同一座標
」二に存在することにより、当該端子17,19の結合
には特別な屈曲配線は必要とされなくなる。
As a result, the positions of the terminals 17 and 19 to be connected between adjacent cell blocks llb and 121) are located at the same coordinates, so that no special bent wiring is required to connect the terminals 17 and 19. no longer needed.

第4D図には第3B図の木構造最下位から第2番目の節
点以下に存在するセルブロック11b,12b,13の
相対位置関係が示される。セルブロック13は、前記端
子16と結合されるべき端子20と、前記端子18と結
合されるべき端子21を保有する。尚、X方向へのコン
パクションが行われていない第4D図の段階において端
子16と20の座標位置は一致し、同様に端子18と2
1座標位置は一致している。
FIG. 4D shows the relative positional relationship of cell blocks 11b, 12b, and 13 that exist below the second node from the bottom of the tree structure shown in FIG. 3B. The cell block 13 has a terminal 20 to be connected to the terminal 16 and a terminal 21 to be connected to the terminal 18. In addition, at the stage of FIG. 4D when compaction in the X direction is not performed, the coordinate positions of terminals 16 and 20 match, and similarly
The 1st coordinate positions match.

第4D図に示されるセルブロックllb,12b,13
に対しては、相互間でのスライス方向であるX方向に所
要のコンパクションが行われ、コンパクションされた状
態は第4E図に示される。
Cell blocks llb, 12b, 13 shown in FIG. 4D
, the required compaction is performed in the X direction, which is the slicing direction between them, and the compacted state is shown in FIG. 4E.

同図において」−10はセルブロック1 ]. bをX
方向に圧縮してなるセルブロック、12Cはセルブロッ
ク12bをX方向に圧縮してなるセルブロック、13a
はセルブロック13をX方向に圧縮してなるセルブロッ
クである。尚、夫々の圧縮率はコンパクションルールも
しくはレイアウトルールに従って個別的に決定される。
In the figure, "-10 is cell block 1". b to X
12C is a cell block formed by compressing cell block 12b in the X direction, 13a is a cell block formed by compressing cell block 12b in the X direction.
is a cell block formed by compressing the cell block 13 in the X direction. Note that each compression rate is individually determined according to compaction rules or layout rules.

同図から明らかなうに、各セルブロックに対するX方向
へのコンパクション比率の相違により、端子16と20
のX座標位置、そして端子18と21のX座標位置は相
違される。このままで当該セルブロックに対するX方向
コンパクションを終了すると、相互に座標位置の異なる
端子16と20そして端子18と21を接続するために
特別な屈曲配線が必要になる。
As is clear from the figure, due to the difference in the compaction ratio in the X direction for each cell block, the terminals 16 and 20
The X coordinate positions of the terminals 18 and 21 are different. If the X-direction compaction for the cell block is completed in this state, special bent wiring will be required to connect the terminals 16 and 20 and the terminals 18 and 21, which have different coordinate positions.

そこで、第4E図においてX座標位置の相違する端子1
6と20そして端子18と21の位置合ぜを行うために
、例えばセルブロックllc及び12cがX方向に伸張
される。端子位置合せ上必要ならばセルブロック13a
の圧縮をも併用してもよい。このようにして端子16と
20そして端子18と21の位置合せが行われた状態が
第4F図に示される。第4F図において1.1d,12
d13bは端子位置合せ終了後における夫々のセルー1
5 ブロックである。これにより、X方向にカットされた隣
接するセルブロック13とlid,12dとの間で結合
されるべき端子16と20そして端子18と21の位置
は同一座標上に存在することになり、当該端子の結合に
は特別な屈曲配線は必要とされなくなる。この第2階層
目の処理においてY方向への圧縮伸張は一切行われない
から、第1階層目の処理結果が第2階層目の処理によっ
て変更されてしまうことはない。
Therefore, in FIG. 4E, terminals 1 with different X coordinate positions
In order to align terminals 6 and 20 and terminals 18 and 21, for example, cell blocks llc and 12c are stretched in the X direction. Cell block 13a if necessary for terminal alignment
Compression may also be used. The state in which the terminals 16 and 20 and the terminals 18 and 21 are aligned in this manner is shown in FIG. 4F. 1.1d, 12 in Figure 4F
d13b is each cell 1 after terminal alignment is completed.
There are 5 blocks. As a result, the positions of the terminals 16 and 20 and the terminals 18 and 21 to be connected between the adjacent cell block 13 cut in the X direction and the lid, 12d exist on the same coordinates, and the terminals No special bent wiring is required for the connection. Since no compression/expansion in the Y direction is performed in this second layer processing, the results of the first layer processing will not be changed by the second layer processing.

そして最後に第3B図の木構造の最上位の節点位置に着
目した第3階層目の処理が行われる。この処理は第1階
層目と同じであり、セルブロックlid,12d,13
b,14がY方向にコンパクションされる。このとき、
セルブロック11d,12dに対するコンパクシミン比
率は同一とされる。この処理で、端子22と23、そし
て端子24と25の位置がずれる場合には端子位置合ぜ
が行われる。最終的なコンパクション処理の結果は第4
G図に示される。同図においてlle,12e,13e
,14eは最終的に得られたセルブロ16 ックである。この処理によって得られたレイアウ1−パ
ターンはコンパクション結果ファイル27に格納される
Finally, processing of the third hierarchy is performed, focusing on the topmost node position of the tree structure in FIG. 3B. This process is the same as the first layer, and cell blocks lid, 12d, 13
b, 14 is compacted in the Y direction. At this time,
The compactimine ratios for the cell blocks 11d and 12d are the same. In this process, if the positions of the terminals 22 and 23 and the terminals 24 and 25 are shifted, terminal alignment is performed. The final compaction result is the fourth
This is shown in Figure G. In the same figure, lle, 12e, 13e
, 14e is the finally obtained cell block 16. The layout 1-pattern obtained through this process is stored in the compaction result file 27.

第2図には上記コンパクション処理などに適用されるシ
ステム構成例が示される。
FIG. 2 shows an example of a system configuration applied to the above-mentioned compaction process.

同図に示されるシステムは、自動配置配線などにも利用
し得るCADもしくはエンジニアリングワークステーシ
ョンとして位置付けられるコンピュータシステムであり
、CPU (セントラル・プロセッシング・ユニット)
30、RAM (ランダム・アクセス・メモリ)から成
るようなメインメモリ31、ディスク装置のような補助
記憶装置32、ディスプレイやキーボードなどを含む操
作卓33、そしてその他の入出力回路34がバス35で
共通接続されて成るi前記レイアウトライブラリ]○、
LSI構造ライブラリ15、及びコンパクション結果フ
ァイル27は補助記憶装置32によって構成される。そ
して、コンパクションのための動作プログラムはメイン
メモリ31又は入出力回路34からCPU30に供給さ
れ、これによって第1図に示される手順にしたがってコ
ンパクション処理が行われる。
The system shown in the figure is a computer system positioned as a CAD or engineering workstation that can be used for automatic placement and wiring, etc.
30, a main memory 31 such as a RAM (random access memory), an auxiliary storage device 32 such as a disk device, an operation console 33 including a display, a keyboard, etc., and other input/output circuits 34 are commonly connected to a bus 35. connected layout library] ○,
The LSI structure library 15 and the compaction result file 27 are configured by an auxiliary storage device 32. Then, the operation program for compaction is supplied from the main memory 31 or the input/output circuit 34 to the CPU 30, whereby the compaction process is performed according to the procedure shown in FIG.

上記実施例によれば以下の作用効果を得る。According to the above embodiment, the following effects are obtained.

(1)コンパクション対象IノイアウI・パターンのス
ライス構造から把握される木構造の下位側からパターン
の圧縮そして隣接パターンの端子位置合せを行うことに
より、上位階層側の処理が下位階層側の既に完了した処
理に一切影響を与えないようにすることを保証しつつ、
木構造として表現可能なスライス構造の隣接セルブロッ
クを特別な屈曲配線を必要とすることなく直接端子同士
で接続可能にすることを達成する。
(1) Compaction target I - By compressing the pattern from the lower side of the tree structure understood from the slice structure of the pattern and aligning the terminals of adjacent patterns, the processing on the upper layer side is already completed on the lower layer side. While ensuring that the processing performed is not affected in any way,
To achieve that adjacent cell blocks of a slice structure that can be expressed as a tree structure can be directly connected between terminals without requiring special bent wiring.

(2)」二記作用効果により、従来のようにセルブロッ
クの端子を結合するための特別な屈曲配線形成領域が必
要なくなり、その分だけ、コンパクションによって集積
密度を思うように向上させることができる。
(2) Due to the effects mentioned above, there is no need for a special bending wiring formation area to connect the terminals of the cell block as in the past, and the integration density can be increased as desired by compaction. .

(3)そして、配線抵抗や寄生容量の増大並びにそれら
の不揃を防止することができる。
(3) It is also possible to prevent increases in wiring resistance and parasitic capacitance, as well as their misalignment.

〔実施例2〕 上記実施例1では全てのセルブロックに対してコンパク
ション及び端子の位置合せを行ったが、第5図に示され
るように一部のセルブロック40に対しては端子位置合
せを行わないようにすることができる。例えば木構造に
おいて最上階層でスライスされたセルブロック40の端
子41.42とセルブロック43の端子44そしてセル
ブロック45の端子46との接続は屈曲配線47.48
で行われる。この手法は、レイアウトルールなどとの関
係上全てのセルブロックに対して端子位置合せを行うこ
とができないような場合に有効である。この場合にもセ
ルブロック40,43,45.49に対しては実施例1
と同様の効果がある。
[Example 2] In the above-mentioned Example 1, compaction and terminal alignment were performed for all cell blocks, but as shown in FIG. 5, terminal alignment was performed for some cell blocks 40. You can prevent it from happening. For example, in a tree structure, the terminals 41 and 42 of the cell block 40 sliced at the top layer, the terminal 44 of the cell block 43, and the terminal 46 of the cell block 45 are connected by bent wiring 47, 48.
It will be held in This method is effective in cases where terminal alignment cannot be performed for all cell blocks due to layout rules and the like. In this case, Example 1 is also applied to cell blocks 40, 43, 45, and 49.
has the same effect.

〔実施例3〕 本発明は全てのセルブロックが完全にスライス構造にな
っていない半導体集積回路にも適用することができる。
[Embodiment 3] The present invention can also be applied to a semiconductor integrated circuit in which all cell blocks do not have a completely sliced structure.

例えば第6A図に示されるように、複数個のセルブロッ
ク51〜55のレイアウト構造が前記スライス構造を採
るものと採らないものとの集合によって構成されるとき
は、スライス構一19一 造を採るセルブロック51〜54に対しては上記第1図
に示される各ステップを実行させてコンパクション並び
に端子位置合せを行い、スライス構造を採らないセルブ
ロック55に対してはコンパクションだけを行う。コン
パクションによって縮小されたセルブロックは第6B図
において51a〜55aとして示される。そして、当該
スライス構造を採らないセルブロック55に応ずるセル
ブロック55aとその他のセルブロックとの相互接続は
、第6B図に示されるように屈曲配線56〜58によっ
て行われる。本実施例においてもスライス構造のセルブ
ロック51〜54に対しては実施例1と同様の効果があ
る。
For example, as shown in FIG. 6A, when the layout structure of a plurality of cell blocks 51 to 55 is composed of a set of cells that adopt the slice structure and cells that do not adopt the slice structure, a slice structure 19 is adopted. The steps shown in FIG. 1 are executed for the cell blocks 51 to 54 to perform compaction and terminal alignment, and only the compaction is performed for the cell block 55 which does not have a slice structure. The cell blocks reduced by compaction are shown as 51a-55a in FIG. 6B. Interconnection between the cell block 55a corresponding to the cell block 55 that does not adopt the slice structure and other cell blocks is performed by bent wires 56 to 58, as shown in FIG. 6B. This embodiment also has the same effect as the first embodiment for the cell blocks 51 to 54 having a slice structure.

〔実施例4〕 上記実施例では半導体集積回路全体のレイアウトパター
ンをコンパクション処理の対象とする場合について説明
したが、半導体集積回路を構成するためのスタンダード
セル手法に利用されるマクロセルのレイアウトパターン
のような半導体集積回路の部分的な回路ブロックのレイ
アウi・パター20 ンのコンパクション処理にも適用することができる。
[Embodiment 4] In the above embodiment, the case where the layout pattern of the entire semiconductor integrated circuit is subjected to compaction processing has been explained. The present invention can also be applied to compaction processing of layout patterns of partial circuit blocks of semiconductor integrated circuits.

例えば第7図にはRAMの概略レイアウトパターン例が
示されている。同図において60はメモリセル、61は
メモリセルをマトリクス配置して成るメモリセルアレイ
、62は論理ゲート63の集合によって構成される行ア
ドレスデコーダ、同じく64は論理ゲート65の集合に
よって構成される列アドレスデコーダである。このよう
にRAMのようなメモリは、メモリセル60や論理ゲー
ト63,65といった基本単位回路が多数繰返し配置さ
れていて、スライス構造化されている。このRAMの場
合には、特に制限されないが、メモリセル60や論理ゲ
ート63.65などがセルブロックとして把握されるこ
とによって上記コンパクション処理が行われる。
For example, FIG. 7 shows an example of a schematic layout pattern of a RAM. In the figure, 60 is a memory cell, 61 is a memory cell array formed by arranging memory cells in a matrix, 62 is a row address decoder made up of a set of logic gates 63, and 64 is a column address made up of a set of logic gates 65. It is a decoder. In this way, a memory such as a RAM has a slice structure in which a large number of basic unit circuits such as memory cells 60 and logic gates 63 and 65 are repeatedly arranged. In the case of this RAM, although not particularly limited, the compaction process is performed by understanding the memory cells 60, logic gates 63, 65, etc. as cell blocks.

第8図にはCPUなどに含まれる演算ユニットの概略レ
イアウトパターンが示される。同図において70はドラ
イバ、71〜73はIノジスタ、74は算術論理演算器
である。この演算ユニツ1・は、夫々個別的な機能を持
つ単位回路ブロックが配置されていて、スライス構造化
されている。この演算ユニットの場合には、特に制限さ
れないが、夫々の単位回路ブロックがセルブロックとし
て把握されることによって上記コンパクション処理が行
われる。
FIG. 8 shows a schematic layout pattern of arithmetic units included in a CPU or the like. In the figure, 70 is a driver, 71 to 73 are I-no registers, and 74 is an arithmetic and logic unit. This arithmetic unit 1. has a slice structure in which unit circuit blocks each having an individual function are arranged. In the case of this arithmetic unit, although not particularly limited, the compaction process is performed by understanding each unit circuit block as a cell block.

以上本発明者によってなされた発明を実施例に基づいて
具体的に説明したが、本発明はそれに限定されるもので
はなく、その要旨を逸脱しない範囲において種々変更可
能であることは言うまでもない。
Although the invention made by the present inventor has been specifically described above based on examples, it goes without saying that the present invention is not limited thereto and can be modified in various ways without departing from the gist thereof.

例えばコンパクション対象とされるセルブロックは、コ
ンパクションの規模もしくはコンパクションの階層的処
理手法などの点に応じて、基本セルからマクロセルの範
囲まで任意に設定することができる。また、上記コンパ
クション処理は、自動的に配置配線されたレイアウトパ
ターンなどに対して、集積密度を上げるためにレイアウ
トパターンの空き領域を排除したり、或いは微細化され
たプロセスルールに対応させるためにLSI全体若しく
は所要の回路ブロックを圧縮したりするときに利用され
る。
For example, the cell blocks targeted for compaction can be arbitrarily set from basic cells to macro cells depending on the scale of compaction, the hierarchical processing method of compaction, and the like. In addition, the above-mentioned compaction process can be used to eliminate empty areas of a layout pattern that has been automatically placed and routed in order to increase the integration density, or to reduce the size of an LSI in order to comply with miniaturized process rules. It is used when compressing the entire circuit block or a required circuit block.

以上の説明では主として本発明者によってなされた発明
をその背景となった利用分野である半導体集積回路のレ
イアウトパターンのコンパクションに適用した場合につ
いて説明したが、本発明はそれに限定されず、基板」二
の配線パターンなど各種レイアウトパターンのコンパク
ションに広く適用することができる。
In the above description, the invention made by the present inventor was mainly applied to compaction of layout patterns of semiconductor integrated circuits, which is the background field of application of the invention, but the present invention is not limited thereto. It can be widely applied to the compaction of various layout patterns such as wiring patterns.

〔発明の効果〕〔Effect of the invention〕

本願において開示される発明のうち代表的なものによっ
て得られる効果を簡単に説明すれば下記の通りである。
A brief explanation of the effects obtained by typical inventions disclosed in this application is as follows.

すなわち、コンパクション対象レイアウトパターンのス
ライス構造から把握される木構造の下位側からパターン
の圧縮そして隣接パターンの端子位置合せを行うことに
より、上位階層側の処理が下位階層側の既に完了した処
理に一切影響を与えないようにすることを保証しつつ、
木構造として表現可能なスライス構造の隣接セルブロッ
クを特−23− 別な屈曲配線を必要とすることなく直接端子同士で接続
することができるという効果がある。
In other words, by compressing patterns and aligning the terminals of adjacent patterns from the lower side of the tree structure ascertained from the slice structure of the layout pattern to be compacted, the processing on the upper layer side will not interfere with the processing that has already been completed on the lower layer side. While ensuring that there is no impact on
Adjacent cell blocks in a slice structure that can be expressed as a tree structure can be directly connected to each other through terminals without the need for special bent wiring.

これにより、コンパクションによって集積密度を思うよ
うに向上させること、そして、コンパクションによって
配線抵抗や寄生容量が増えたり不揃いになったりするこ
とを防止することを達成することができる。
This makes it possible to improve the integration density as desired through compaction, and to prevent wiring resistance and parasitic capacitance from increasing or becoming uneven due to compaction.

圧縮された特定のセルブロック間の接続を部分的に屈曲
配線で行うことにより、レイアウ1・ルールなどとの関
係上、全てのセルブロックに対して端子位置合せのステ
ップを完全に実行することができないような場合にも対
応することができる。
By partially connecting compressed specific cell blocks with bent wiring, it is possible to completely perform the terminal alignment step for all cell blocks in relation to layout 1 rules, etc. We can also handle cases where this is not possible.

スライス構造を採る部分に対しては上記各ステップを実
行させ、スライス構造を採るものと採らないものとの相
互接続には屈曲配線を部分的に利用することにより、複
数個のセルブロックのレイアウト構造が前記スライス構
造を採るものと採らないものとの集合によって構成され
る場合にも対応することができる。
The layout structure of multiple cell blocks can be created by executing each of the above steps for sections that adopt a slice structure, and by partially using bent wiring for interconnection between sections that adopt a slice structure and those that do not. It is also possible to deal with the case where the data is composed of a set of those that adopt the above-mentioned slice structure and those that do not.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

一24 第1図は本発明の一実施例に係るコンパクション処理方
式の手順説明図、 第2図はコンパクション処理方式を行うためのシステム
構成例のブロック図、 第3A図はコンパクション対象レイアウトパターンの一
例説明図、 第3B図は第3A図のレイアウトパターンから抽出され
たスライス構造を表現する木構造図、第4A図から第4
G図は第3A図のレイアウトパターンをコンパクション
する処理の流れに従った処理状態説明図、 第5図はコンパクション並びに位置合せを一部のセルブ
ロックに対して行わない場合の処理結果説明図、 第6A図及び第6B図は全てのセルブロックがスライス
構造になっていない場合における処理の状態説明図、 第7図は本発明方式が適用されるRAMの概略レイアウ
トパターン説明図、 第8図は本発明方式が適用される演算器の概略レイアウ
トパターン説明図、 第9図は従来手法によるセルブロック間の接続状態を示
す説明図である。 11〜14・・・セルブロック、16〜25・・・端子
、30・・・CPU、31・・・メインメモリ、32・
補助記憶装置、40・・・セルブロック、46.47・
・屈曲配線、51〜55・・・セルブロック、56〜5
8・・・屈曲配線、61・・・メモリセルアレイ、62
 行アドレスデコーダ、64・・・列アドレスデコーダ
、70・・・ドライバ、71〜73・ レジスタ、74
算術論理演算器。 \r ば) 『)
-24 Fig. 1 is a procedure explanatory diagram of a compaction processing method according to an embodiment of the present invention, Fig. 2 is a block diagram of an example of a system configuration for performing the compaction processing method, and Fig. 3A is an example of a compaction target layout pattern. Explanatory diagram, Figure 3B is a tree structure diagram expressing the slice structure extracted from the layout pattern of Figure 3A, and Figures 4A to 4
Figure G is an explanatory diagram of the processing state according to the process flow of compacting the layout pattern of Figure 3A, Figure 5 is an explanatory diagram of the processing results when compaction and alignment are not performed for some cell blocks, 6A and 6B are explanatory diagrams of processing states when all cell blocks do not have a slice structure. FIG. 7 is an explanatory diagram of a schematic layout pattern of a RAM to which the method of the present invention is applied. FIG. 9 is an explanatory diagram of a schematic layout pattern of an arithmetic unit to which the invention method is applied. FIG. 9 is an explanatory diagram showing a connection state between cell blocks according to a conventional method. 11-14... Cell block, 16-25... Terminal, 30... CPU, 31... Main memory, 32...
Auxiliary storage device, 40... Cell block, 46.47.
・Bending wiring, 51-55...Cell block, 56-5
8... Bent wiring, 61... Memory cell array, 62
Row address decoder, 64... Column address decoder, 70... Driver, 71-73 Register, 74
Arithmetic logic unit. \r ba) ``)

Claims (1)

【特許請求の範囲】 1、複数個のセルブロックの集合によって構成されるレ
イアウトパターンをコンパクシヨンする方式において、 レイアウトパターンの全部又は一部をX方向及びY方向
に階層的にスライスして木構造の形態で表現可能なスラ
イス構造を抽出するステップと、 抽出された木構造の下位側セルブロックから順番に、セ
ルブロックをスライス方向へ圧縮すると共に、圧縮され
た隣接セルブロック間で結合されるべき端子の位置を合
せるように該当セルブロックを圧縮又は伸長するステッ
プと、を含むことを特徴とするコンパクション処理方式
。 2、所定のセルブロックをスライス方向へ圧縮するステ
ップと、 上記ステップにより端子位置合せが行われていないセル
ブロックの端子とこれに隣接して接続されるべきセルブ
ロックの端子とを、屈曲する配線で接続するステップと
を、 追加した請求項1記載のコンパクシヨン処理方式。 3、複数個のセルブロックのレイアウト構造がX方向及
びY方向に階層的にスライスして木構造の形態で表現可
能なスライス構造を採るものと採らないものとの集合に
よって構成されるレイアウトパターンをコンパクシヨン
する方式において、 レイアウトパターンから木構造として表現可能なスライ
ス構造を抽出するステップと、 抽出された木構造の下位側セルブロックから順番に、セ
ルブロックをスライス方向へ圧縮すると共に、圧縮され
た隣接セルブロック間で結合されるべき端子の位置を合
せるように該当セルブロックを圧縮又は伸長するステッ
プと、スライス構造を採らないセルブロックをスライス
方向へ圧縮するステップと、 圧縮されたスライス構造セルブロックの端子と圧縮され
た非圧縮スライス構造セルブロックの端子とを、屈曲す
る配線で接続するステップと、 を含むことを特徴とするコンパクション処理方式。 4、前記コンパクション対象レイアウトパターンは、半
導体集積回路を構成するためのスタンダードセル手法に
利用されるマクロセルのレイアウトパターンである請求
項1乃至3の何れか1項記載のコンパクション処理方式
[Claims] 1. In a method of compacting a layout pattern constituted by a set of a plurality of cell blocks, all or part of the layout pattern is hierarchically sliced in the X direction and the Y direction to form a tree structure. A step of extracting a slice structure that can be expressed in the form of , compressing the cell blocks in the slice direction starting from the lower cell block of the extracted tree structure, and compressing the compressed adjacent cell blocks to be combined. A compaction processing method comprising the step of compressing or expanding a corresponding cell block so as to align terminal positions. 2. Compressing a predetermined cell block in the slicing direction, and wiring to bend the terminals of the cell block whose terminals have not been aligned in the above step and the terminals of the cell block to be connected adjacent thereto. 2. The compaction processing method according to claim 1, further comprising the step of connecting with. 3. The layout structure of a plurality of cell blocks is hierarchically sliced in the X and Y directions and can be expressed in the form of a tree structure. A layout pattern is created by a set of slice structures that have a slice structure and those that do not. In the compaction method, there is a step of extracting a slice structure that can be expressed as a tree structure from the layout pattern, and compressing the cell blocks in the slice direction in order from the lower cell blocks of the extracted tree structure. Compressing or expanding the corresponding cell blocks so as to align terminals to be connected between adjacent cell blocks; compressing cell blocks that do not have a slice structure in the slice direction; and compressing the compressed slice structure cell blocks. A compaction processing method comprising the steps of: connecting a terminal of a compressed uncompressed slice structure cell block to a terminal of the compressed uncompressed slice structure cell block with a bending wiring; 4. The compaction processing method according to claim 1, wherein the layout pattern to be compacted is a layout pattern of a macro cell used in a standard cell method for configuring a semiconductor integrated circuit.
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