JPH03206419A - Optical shutter array - Google Patents

Optical shutter array

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JPH03206419A
JPH03206419A JP141090A JP141090A JPH03206419A JP H03206419 A JPH03206419 A JP H03206419A JP 141090 A JP141090 A JP 141090A JP 141090 A JP141090 A JP 141090A JP H03206419 A JPH03206419 A JP H03206419A
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JP
Japan
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substrate
electrodes
individual electrodes
electrode
optical shutter
Prior art date
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Pending
Application number
JP141090A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Hidenori Sukigara
鋤柄 英則
Kazuo Kobayashi
一雄 小林
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Nidec Instruments Corp
Original Assignee
Sankyo Seiki Manufacturing Co Ltd
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Publication date
Application filed by Sankyo Seiki Manufacturing Co Ltd filed Critical Sankyo Seiki Manufacturing Co Ltd
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Priority to PCT/JP1990/000310 priority patent/WO1990010887A1/en
Publication of JPH03206419A publication Critical patent/JPH03206419A/en
Pending legal-status Critical Current

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Abstract

PURPOSE:To flatten the surface of a substrate after electrode formation, to eliminate the unevenness on an insulating layer, and to prevent stress after adhesion from being irregular by forming individual electrodes of embedded electrodes formed by embedding conductive metal in plural groove parts formed on the substrate surface. CONSTITUTION:The individual electrodes 3 consist of the embedded electrodes formed by embedding the conductive metal in plural groove parts 2A formed in the surface of the substrate 2 composed of an electrooptic effect element. The substrate surface after the electrodes 3 are formed is therefore flattened to prevent the surface of the insulating layer 9 covering the surface from being irregular, and the irregularity in the adhesion is prevented from being generated at the time of the adhesion to the side of a support member 5. Consequently, stress is applied uniformly to the substrate 2 even after the substrate 2 and support member 5 are adhered and sliced at right angles to the lamination direction, and such a problem as a shutter function defect due to the generation of a stress distribution in the substrate 2 is prevented from being generated.

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、電気光学効果を利用した光シャツターアレイ
に関する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Industrial Application Field] The present invention relates to an optical shutter array that utilizes electro-optic effects.

〔従来の技術〕[Conventional technology]

電気光学効果として、印加電界に対して媒質の複屈折が
変化する現象が知られているが、この現象を利用して、
印加する電界を制御することによって媒質に光の透光・
遮光動作を行わせるようにした光シャツターアレイが知
られている。
It is known that the electro-optic effect is a phenomenon in which the birefringence of a medium changes in response to an applied electric field.Using this phenomenon,
By controlling the applied electric field, light can be transmitted through the medium.
An optical shutter array that performs a light shielding operation is known.

このような光シャツターアレイにおいて、近年、安価で
且つ低い廓動電圧によって確実に作動する光シャッター
アレイの実現が要望されていたが、これに答えるものと
して、本出願人は、先に特許出願した特願平1−549
42号において、第2図(A)及び(B)に示すような
構成の新規な光シャッタアレイを提案した。
In recent years, there has been a demand for an optical shutter array that is inexpensive and operates reliably with a low operating voltage. Patent application Hei 1-549
In No. 42, a novel optical shutter array having the configuration shown in FIGS. 2(A) and 2(B) was proposed.

より詳しく説明すると、この光シャッタアレイは、第2
図(A)及び(B)に示すように、二組のシャッタアレ
イ1,1を、それらの共通電極が向い合わせになるよう
に背中合せに接合してlっのブロックとしたものであり
、1組のシャッタアレイ1は、電気光学効果を有するP
LZT等の物質からなる基板2と、上記基板2の一方の
面に設けられた複数の個別電極3,・・・,3と、上記
基板2の他方の面に設けられた共通電極4と、上記個別
電極3,・・・,3を上記基板2との間で挾む支持部材
5と、上記支持部材5上に設けられて上記各個別電極3
,・・・,3に個々に接続されている端子電極6,・・
・,6とから構威されている。そして、この二組のシャ
ッタアレイ1.1は、向い合う各共通電極4,4の間及
び各個別電極3と支持部材5との間にSin2及び低融
点ガラスの接着剤を兼ねた絶縁層8,9が形成されてl
つのブロックを構成するように固められている。また、
各基板2,2に形成されている個別電極3,・・・,3
、及び支持部材5,5上に形成され個別電極3と接続さ
れる端子電極6,・・・,6とは、一方側の個別電極及
び端子電極が他方側の個別電極間に位置するように千鳥
状に配置されている。また、低融点ガラス・Sin,等
の接着剤を兼ねた絶縁層8を介して接合された共通電極
4,4には一本の端子電極7が同時に接続されている。
To explain in more detail, this optical shutter array
As shown in Figures (A) and (B), two sets of shutter arrays 1, 1 are joined back to back with their common electrodes facing each other to form one block. The shutter array 1 of the set has an electro-optical effect P
A substrate 2 made of a substance such as LZT, a plurality of individual electrodes 3,..., 3 provided on one surface of the substrate 2, and a common electrode 4 provided on the other surface of the substrate 2, a support member 5 that sandwiches the individual electrodes 3, . . . , 3 with the substrate 2;
,...,3 are individually connected to the terminal electrodes 6,...
・, 6. These two sets of shutter arrays 1.1 have an insulating layer 8 which also serves as an adhesive of Sin2 and low-melting glass between each of the common electrodes 4, 4 facing each other and between each individual electrode 3 and the support member 5. ,9 are formed and l
It is consolidated to form two blocks. Also,
Individual electrodes 3, ..., 3 formed on each substrate 2, 2
, and the terminal electrodes 6, . They are arranged in a staggered pattern. Further, one terminal electrode 7 is simultaneously connected to the common electrodes 4, 4, which are bonded via an insulating layer 8, which also serves as an adhesive, such as low melting point glass or Sin.

尚、電極3,4にはアルミニウム等の電極材が使用され
、所望の形状及び厚みに真空蒸着等によって形成されて
いる。また、共通電極4は図示の如く基板2の全面に亙
る一本の電極とせず、個別電極3,・・・,3に対応す
る複数の電極としても良い。
Note that the electrodes 3 and 4 are made of an electrode material such as aluminum, and are formed into a desired shape and thickness by vacuum evaporation or the like. Further, the common electrode 4 may not be a single electrode covering the entire surface of the substrate 2 as shown in the figure, but may be a plurality of electrodes corresponding to the individual electrodes 3, . . . , 3.

電気光学効果を有する基板2は、印加電界に対して複屈
折が変化する現象を呈する媒質であり、例えば、PLZ
Tの使用が好適である。PLZTは(Pb, La)(
Zr, Ti)○,の化学式で表されるセラミックスで
あり、透過率が高く大きな電気光学係数を有し、応答速
度が速く可動部がない等の高速光シャッタとして有利な
条件を備えている。
The substrate 2 having an electro-optic effect is a medium exhibiting a phenomenon in which birefringence changes in response to an applied electric field, such as PLZ.
The use of T is preferred. PLZT is (Pb, La) (
It is a ceramic represented by the chemical formula Zr, Ti), and has advantages as a high-speed optical shutter, such as high transmittance, large electro-optic coefficient, fast response speed, and no moving parts.

また,支持部材5としては、通常セラミックスが使用可
能であり、好ましくはアルミナセラミックスまたはガラ
スが使用される。
Further, as the support member 5, ceramics can usually be used, and preferably alumina ceramics or glass is used.

さて、以上のように構成された光シャッタアレイにおい
ては、任意の個別電極3,・・・,3と共通電極4との
間に所定の電圧を印加して電界を形或すれば、それらの
間のPLZTが複屈折を起こし、その前後に偏光板で偏
光子、検光子を構或すると、シャッタとして動作する。
Now, in the optical shutter array configured as described above, if a predetermined voltage is applied between any individual electrodes 3,..., 3 and the common electrode 4 to form an electric field, their The PLZT in between causes birefringence, and if a polarizer and an analyzer are constructed with polarizing plates before and after the PLZT, it operates as a shutter.

例えば、第2図(A)において、上側の個別電極3と共
通電極4との間に電界を印加すると、それらの間のPL
ZT2のシャッタ部分A−,が動作し、光を通過させる
。尚、図中符号A −1 y A − z p・・・,
A一Nはシャッタ部を示す.ところで、上述の構戒の光
シャッタアレイの製造方法としては、第3図に示すよう
に、まず、PLZTの基板2の一方の全面にアルミニウ
ムA1等の電極材を真空蒸着等によって固着させ、一定
厚さの薄膜10を形成する[第3図(A)]。そして、
このAl薄膜10にフォトリングラフィによりストライ
プ状の個別電極3,・・・,3を形或する[第3図CB
)コ。
For example, in FIG. 2(A), when an electric field is applied between the upper individual electrode 3 and the common electrode 4, the PL between them
The shutter portion A-, of ZT2 operates, allowing light to pass through. In addition, the symbol A −1 y A − z p...,
A and N indicate the shutter section. By the way, as shown in FIG. 3, the method for manufacturing the above-mentioned optical shutter array is as follows: First, an electrode material such as aluminum A1 is fixed on one entire surface of the PLZT substrate 2 by vacuum evaporation. A thin film 10 having a certain thickness is formed [FIG. 3(A)]. and,
Striped individual electrodes 3, . . . , 3 are formed on this Al thin film 10 by photolithography [Fig. 3 CB
)Ko.

次に、PLZT基板2の他方の面(裏面側)にA1等の
電極材を真空蒸着等によって固着し、共通電極4を全面
に形成する[第3図(C)]。尚、この場合、個別電極
3,・・・,3と同様の方法により、個別電極に対応す
る部分のみ共通電極を形或しても良い。
Next, an electrode material such as A1 is fixed to the other surface (back side) of the PLZT substrate 2 by vacuum evaporation or the like to form a common electrode 4 on the entire surface [FIG. 3(C)]. In this case, common electrodes may be formed only in the portions corresponding to the individual electrodes by the same method as for the individual electrodes 3, . . . , 3.

次に、基板2の両面に電極3,・・・,3及び4を被う
ように、スパッタリング等によってSi○2の薄膜8,
9を形成し、ブロック11とする[第3図 (D)  
コ . そして、上述のブロック11を2組形成した後、2組の
ブロックl1を共通電極4,4同士が向い合うように背
中合わせに突合せ、且つ一方の支持部材5上の個別電極
3,・・・,3が他方の支持部材5上の個別電極3,・
・・,3の間に位置するように千鳥状に配列して、それ
らの共通電極4,4の間にスペーサ(図示省略)を挾み
込んで重ねる。更に、各個別電極3,・・・,3側にス
ペーサ(図示省略)を介して支持部材5としてのセラミ
ックス等のブロックを夫々重ねる。その後、支持部材5
と個別電極側絶縁層9との間及び共通電極側絶縁層8と
の間に加熱状態下で低融点ガラスl2を侵入させて全体
をlつのブロック状に固める[第3図(E)  コ 。
Next, a thin film 8 of Si○2 is formed by sputtering or the like so as to cover the electrodes 3, .
9 to form block 11 [Fig. 3 (D)
Ko . After forming the two sets of blocks 11 described above, the two sets of blocks l1 are butted back to back so that the common electrodes 4, 4 face each other, and the individual electrodes 3, . . . on one support member 5 are formed. 3 is the individual electrode 3 on the other support member 5,
. Furthermore, blocks made of ceramics or the like as supporting members 5 are stacked on each of the individual electrodes 3, . . . , 3 through spacers (not shown). After that, the support member 5
A low melting point glass l2 is introduced under heating between the insulating layer 9 on the individual electrode side and the insulating layer 8 on the common electrode side, and the whole is solidified into a block shape [Fig. 3(E)].

次に、このブロック13を積層方向と直交する面で,即
ち、PLZT基板2と直角方向に所望の厚さにスライス
する[第3図(F)]。そして、スライスされたブロッ
クチップ14を研磨した後、そのブロックチップ14の
片面にアルミニウム等の電極材を真空蒸着等によって薄
膜状に被膜し、フォトリソグラフィによって所望の端子
電極6,・・・,6を支持部材5上に,また、共通電極
4,4.上に端子電極7を形或する[第3図(G)]。
Next, this block 13 is sliced to a desired thickness in a plane perpendicular to the stacking direction, that is, in a direction perpendicular to the PLZT substrate 2 [FIG. 3(F)]. After polishing the sliced block chip 14, one side of the block chip 14 is coated with an electrode material such as aluminum in a thin film form by vacuum deposition or the like, and desired terminal electrodes 6, . . . , 6 are formed by photolithography. on the support member 5, and the common electrodes 4, 4 . A terminal electrode 7 is formed on the top [FIG. 3(G)].

尚、端子電極6,・・・,6は対応する個別電極3,・
・・3と夫々接続され、端子電極7は双方の共通電極4
,4と同時に接続される。
Note that the terminal electrodes 6, . . . , 6 correspond to the corresponding individual electrodes 3, .
...3, respectively, and the terminal electrode 7 is connected to both common electrodes 4.
, 4 are connected at the same time.

さて、以上のようにして製造された光シャッタアレイに
おいては、電気光学効果素子の光の透過方向に平行な面
に形或された個別電極と共通電極との間で電界が印加さ
れ、電気光学効果が厚み方向に均一に現れるため、低電
圧で銀動できる。また、シャッタ部分にだけ電気光学効
果を有する物質、例えばPLZTを使用し、端子電極を
配線する部分には別のセラミックスなどの支持部材を使
用するため、P L Z Tの使用量が少なく低コスト
化が可能である。
Now, in the optical shutter array manufactured as described above, an electric field is applied between the individual electrodes and the common electrode, which are formed on a plane parallel to the light transmission direction of the electro-optic effect element, and the electro-optic Since the effect appears uniformly in the thickness direction, silver movement can be achieved with low voltage. In addition, since a material with an electro-optic effect, such as PLZT, is used only in the shutter part, and a support member such as another ceramic is used in the part where the terminal electrodes are wired, the amount of PLZT used is small, resulting in low cost. It is possible to

〔発明が解決しようとする課題〕[Problem to be solved by the invention]

ところで,上述の構或の光シャッタアレイにおいては、
第3図を参照して説明したように、PLZT基板2の一
方の基板面上に個別電極3を積層形成し、その後、絶縁
M9を被覆形成しているが、このように個別電極3を形
成すると、個別電極3が有る部分と無い部分の高さ(厚
み)が変わるため、PLZT基板2上に加わる応力分布
が悪くなる。また、第4図に示すように、絶縁層9の表
面に凸凹ができやすくなり、絶縁層9の電極3が有る部
分と無い部分の高さが変わるため、支持部材5を低融点
ガラスエ2で接着するとき,低融点ガラス12の厚さに
むらができたり、気孔ができたりするため、均一に接着
できなかったり、PLZT基板2中に応力むらができる
等の問題が生ずる.また、このように接着時にPLZT
基板2中に応力むらができると、複屈折を起こし、クロ
スに配置した偏光坂中で電界を与えないときでも光を透
過してしまい、光シャッタとしての機能が損なわれてし
まう。
By the way, in the optical shutter array with the above structure,
As explained with reference to FIG. 3, the individual electrodes 3 are laminated on one substrate surface of the PLZT substrate 2, and then the insulation M9 is coated. Then, since the height (thickness) of the portion where the individual electrode 3 is present and the portion where it is not varies, the stress distribution applied to the PLZT substrate 2 becomes worse. In addition, as shown in FIG. 4, the surface of the insulating layer 9 is likely to be uneven, and the height of the part of the insulating layer 9 where the electrode 3 is located and the part where the electrode 3 is not is different. When bonding, the low melting point glass 12 may have uneven thickness or pores, resulting in problems such as uneven bonding or uneven stress in the PLZT substrate 2. Also, when adhering like this, PLZT
When stress unevenness occurs in the substrate 2, birefringence occurs, and light is transmitted through the cross-arranged polarization slopes even when no electric field is applied, impairing its function as an optical shutter.

本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであって電極
形或後の基板面を平坦化でき、絶縁層上の凸凹を無くす
ことができ、接着後の応力むらの発生等を防止しうる構
造の光シャッタアレイを提供することを目的とする。
The present invention has been made in view of the above circumstances, and can flatten the surface of the substrate after electrode formation, eliminate unevenness on the insulating layer, and prevent the occurrence of stress unevenness after bonding. An object of the present invention is to provide a light shutter array with a structure.

〔課題を解決するための手段〕[Means to solve the problem]

上記目的を達戒するため、本発明では、電気光学効果を
有する基板と、該基板の一方の面に設けられた複数の個
別電極と、上記基板の他方の面に設けられた共通電極と
、上記個別電極を上記基板との間で挾む支持部材と、上
記支持部材上に設けられて上記各個別電極に個々に接続
されている端子電極とからなる光シャッタアレイにおい
て、上記個別電極が上記基板面に形或された複数の溝部
に導電性金属を埋込んで形或した埋込電極からなること
を特徴とする。
In order to achieve the above object, the present invention provides a substrate having an electro-optic effect, a plurality of individual electrodes provided on one surface of the substrate, a common electrode provided on the other surface of the substrate, In an optical shutter array comprising a support member sandwiching the individual electrodes between the substrate and terminal electrodes provided on the support member and individually connected to each of the individual electrodes, the individual electrodes are connected to the substrate. It is characterized by comprising a buried electrode formed by burying a conductive metal into a plurality of grooves formed on the substrate surface.

〔作  用〕[For production]

本発明による光シャッタアレイでは、個別電極を、上記
基板面に形成された複数の溝部に導電性金属を埋込んで
形成した埋込電極によって構成したことにより、電極形
戊後の基板表面が平坦化され、この上に被覆形成される
絶縁層の表面が凸凹になることが防止され、支持部材側
との接着時における接着むらの発生、接着後の基板中の
応力分布の発生等が防止される。
In the optical shutter array according to the present invention, the individual electrodes are formed by embedded electrodes formed by embedding conductive metal into the plurality of grooves formed on the substrate surface, so that the substrate surface after electrode formation is flat. This prevents the surface of the insulating layer coated thereon from becoming uneven, and prevents the occurrence of uneven adhesion when adhering to the supporting member side, and the occurrence of stress distribution in the substrate after adhesion. Ru.

〔実 施 例〕〔Example〕

以下、本発明の一実施例について、図面を参照して詳細
に説明する。
Hereinafter, one embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.

本発明による光シャッタアレイの概略構造は、前述の第
2図(A),(B)に示すものと同様であり、電気光学
効果を有する基板2と、該基板2の一方の面に設けられ
た複数の個別電極3と、上記基板の他方の面に設けられ
た共通電極4と、上記個別電極3を上記基板2との間.
で挾む支持部材5と、上記支持部材5上に設けられて上
記各個別電極3に個々に接続されている端子電極6とを
備えた構威となっている。ここで、前述の光シャッタア
レイとの相違点は,上記個別電極3が上記基板面に形或
された複数の溝部に導電性金属を埋込んで形成した埋込
電極からなることにある。
The schematic structure of the optical shutter array according to the present invention is the same as that shown in FIGS. a plurality of individual electrodes 3, a common electrode 4 provided on the other surface of the substrate, and a plurality of individual electrodes 3 between the individual electrodes 3 and the substrate 2.
The terminal electrode 6 is provided with a support member 5 sandwiched between the support members 5 and the terminal electrodes 6 provided on the support member 5 and individually connected to each of the individual electrodes 3. Here, the difference from the above-mentioned optical shutter array is that the individual electrodes 3 are formed by filling conductive metal into a plurality of grooves formed on the substrate surface.

ここで、第1図は本発明による光シャッタアレイにおけ
る個別電極の形或方法を示す図であって、以下、電極形
成方法について説明する。
Here, FIG. 1 is a diagram showing the shape and method of individual electrodes in the optical shutter array according to the present invention, and the method of forming the electrodes will be explained below.

まず、電気光学効果を有するPLZT (9/65/3
5)等からなる基板2を用意する[第l図(1)]。
First, PLZT with electro-optic effect (9/65/3
5) Prepare a substrate 2 consisting of the following [Fig. 1 (1)].

次に、上記基板2の一方の面にフォトリソグラフィー工
程によってストライプ状に埋込電極用のパターンを形成
する。より具体的に説明すると、基板2の一方の面に例
えばポジ型のフォトレジスト(感光剤)20を均一に塗
布し、電極を必要としない個所だけに光が照射されるよ
うにフォトマスクを通して紫外線を照射し、現像液によ
り露光部の感光剤を取り除いて、残った感光剤20によ
ってストライプ状に埋込電極用のパターンを形成する[
第1図(2)コ。
Next, a striped pattern for embedded electrodes is formed on one surface of the substrate 2 by a photolithography process. To explain more specifically, for example, a positive photoresist (photosensitive agent) 20 is uniformly applied to one surface of the substrate 2, and ultraviolet rays are applied through a photomask so that the light is applied only to areas that do not require electrodes. The photosensitive agent in the exposed area is removed using a developer, and the remaining photosensitive agent 20 forms a striped pattern for the embedded electrode.
Figure 1 (2).

次に、残った感光剤20を保護膜としてエッチング技術
(ドライエッチング,ウェットエッチング)により、基
板2に溝部2Aを形或する[第1図 (3)コ。
Next, using the remaining photosensitive agent 20 as a protective film, a groove 2A is formed in the substrate 2 by etching techniques (dry etching, wet etching) [see FIG. 1 (3)].

次に、エッチング加工により溝部2Aが形成された基板
2上に埋込電極3となる導電性金属(A1,Au, A
g, Cu, Ni, Mo, W, etc)を、真
空蒸着、スパッタリング、メッキ等の技術を用いて被覆
する[第l図(4)]。この後、保護膜として用いた感
光剤20を除去して溝部の埋込電極3以外の部分の導電
性金属を除去し、電極3が埋め込まれた基板2を形成す
る[第l図(5)コ。すなわち、第1図(4)に示す導
電性金属被膜形成後の基板2を、感光剤を溶解する液中
に入れると、感光剤上の導電性金属は、感光剤と共に剥
離され、溝部内の導電性金属のみが基板2に残り、埋込
電極3が形成される。
Next, a conductive metal (A1, Au, A
(g, Cu, Ni, Mo, W, etc.) using techniques such as vacuum evaporation, sputtering, and plating [Figure 1 (4)]. Thereafter, the photosensitive agent 20 used as a protective film is removed, and the conductive metal in the groove other than the embedded electrode 3 is removed to form the substrate 2 in which the electrode 3 is embedded [Fig. Ko. That is, when the substrate 2 on which the conductive metal film has been formed as shown in FIG. Only the conductive metal remains on the substrate 2, forming the buried electrode 3.

尚、この工法によると、溝加工時の深さと、導電性金属
の膜厚が等しくないと、PLZT等の基板2上の表面が
平坦にならない。したがって、このような時は、ラップ
加工等によって基板表面を平坦化すると良い。
According to this method, if the depth at the time of groove processing and the film thickness of the conductive metal are not equal, the surface of the substrate 2 made of PLZT or the like will not be flat. Therefore, in such a case, it is better to flatten the substrate surface by lapping or the like.

さて、第l図(5)に示すように埋込電極からなる個別
電極3が形成された基板2の表面には、絶縁層9が形成
され、また、基板2の裏面側には、共通電極4と絶縁N
8が形或され、先の第3図(D)と等価なブロックが形
成される[第l図(6)コ。尚、個別電極に対応する部
分のみ共通電極4を形成する場合には、共通電極4側も
個別電極3側と同様に埋込電極で形成する。
Now, as shown in FIG. 1(5), an insulating layer 9 is formed on the surface of the substrate 2 on which the individual electrodes 3 consisting of buried electrodes are formed, and a common electrode 9 is formed on the back side of the substrate 2. 4 and insulation N
8 is shaped, and a block equivalent to that shown in FIG. 3(D) is formed [FIG. 1(6). Note that when the common electrode 4 is formed only in the portion corresponding to the individual electrodes, the common electrode 4 side is also formed of a buried electrode in the same manner as the individual electrode 3 side.

さて、以上の工程を経て第1図(6)に示すブロックを
形成した後は、第3図(E)〜(G)と同様の工程を経
て、光シャッタアレイが製造される。
Now, after forming the block shown in FIG. 1(6) through the above steps, an optical shutter array is manufactured through the same steps as shown in FIGS. 3(E) to 3(G).

さて、以上のようにして製造された本発明による光シャ
ッタアレイは、電気光学素子からなる基板2上にエッチ
ングにより溝を形成し、該溝部2A内に埋込電極を形成
して個別電極3としたことにより、第l図(6)に示す
ように絶縁層9を形成した時に、絶縁M9上の凹凸をほ
とんど無くすことができるため、その上に低融点ガラス
を塗布しても、厚さのむらが少なくなり、支持部材側と
の接着時における接着むらの発生が防止される。
Now, in the optical shutter array according to the present invention manufactured as described above, grooves are formed by etching on the substrate 2 made of electro-optic elements, embedded electrodes are formed in the grooves 2A, and individual electrodes 3 are formed. By doing this, when forming the insulating layer 9 as shown in Figure 1 (6), it is possible to almost eliminate the unevenness on the insulating layer M9, so even if low melting point glass is applied thereon, there will be no unevenness in the thickness. This reduces the occurrence of uneven adhesion when adhering to the supporting member side.

〔発明の効果〕〔Effect of the invention〕

以上説明した通り、本発明による光シャッタアレイでは
、電気光学効果素子からなる基板の基板面に形成された
複数の溝部に導電性金属を埋込んで形成した埋込電極に
よって個別電極を構成したことにより、電極形或後の基
板表面が平坦化され、この上に被覆形成される絶縁層の
表面が凸凹になることか防止され、支持部材側との接着
時における接着むらの発生が防止される。したがって、
上記基板と支持部材とを接着した後も、基板に応力が均
一に加わり、基板内の応力分布の発生が防止され、応力
分布の発生によるシャッタ機能不良等の問題が未然に防
止される。
As explained above, in the optical shutter array according to the present invention, individual electrodes are formed by embedded electrodes formed by embedding conductive metal in a plurality of grooves formed in the substrate surface of a substrate made of electro-optic effect elements. This flattens the surface of the substrate after forming the electrode, prevents the surface of the insulating layer coated thereon from becoming uneven, and prevents uneven adhesion when adhering to the support member side. . therefore,
Even after the substrate and the supporting member are bonded together, stress is uniformly applied to the substrate, preventing stress distribution within the substrate, and preventing problems such as shutter malfunction due to stress distribution.

また、本発明によれば、基板表面が平坦化されるため、
絶mN及び接着用の低融点ガラスの厚みを薄くすること
が可能となり、作業性の向上、製造コストの低減を図る
ことができる。
Further, according to the present invention, since the substrate surface is flattened,
It becomes possible to reduce the thickness of the low melting point glass for bonding and to improve workability and reduce manufacturing costs.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第l図は本発明による光シャッタアレイの電極形或プロ
セスの一例を示す工程図である。第2図は本発明が適用
される光シャッタアレイの′Ja戊例を示す図であって
、同図(A)は平面図、同図(B)は■−■線断面図で
ある。第3図は従来技術による光シャッタアレイの製造
プロセスの一例を示す加工工程図である。第4図は従来
技術の欠点の説明図である。 1−−−−シャッタアレイ、2・・・・電気光学効果を
有する基板、 3・・・・個別電極、 4・・・・共通1!檻、 5・・・・支持部材、 6, 7・・・・端子電極。 形 I 圀
FIG. 1 is a process diagram showing an example of the electrode shape and process of the optical shutter array according to the present invention. FIG. 2 is a diagram showing an example of an optical shutter array to which the present invention is applied, in which FIG. 2A is a plan view and FIG. 2B is a sectional view taken along the line ■--■. FIG. 3 is a process diagram showing an example of the manufacturing process of an optical shutter array according to the prior art. FIG. 4 is an explanatory diagram of the drawbacks of the prior art. 1---Shutter array, 2...Substrate having electro-optic effect, 3...Individual electrode, 4...Common 1! cage, 5... support member, 6, 7... terminal electrode. Shape I

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 電気光学効果を有する基板と、該基板の一方の面に設け
られた複数の個別電極と、上記基板の他方の面に設けら
れた共通電極と、上記個別電極を上記基板との間で挾む
支持部材と、上記支持部材上に設けられて上記各個別電
極に個々に接続されている端子電極とからなる光シャッ
タアレイにおいて、上記個別電極が上記基板面に形成さ
れた複数の溝部に導電性金属を埋込んで形成した埋込電
極からなることを特徴とする光シャッタアレイ。
A substrate having an electro-optic effect, a plurality of individual electrodes provided on one surface of the substrate, a common electrode provided on the other surface of the substrate, and the individual electrodes are sandwiched between the substrate. In an optical shutter array comprising a support member and terminal electrodes provided on the support member and individually connected to each of the individual electrodes, the individual electrodes are electrically conductive in a plurality of grooves formed on the substrate surface. An optical shutter array characterized by comprising embedded electrodes formed by embedding metal.
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