JP2660758B2 - Manufacturing method of PLZT display device - Google Patents
Manufacturing method of PLZT display deviceInfo
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Description
【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野] この発明はPLZT(透明なセラミック)の複屈折を利用
したPLZT表示ディバイスの電極構造に係り、更に詳しく
は駆動電圧を低下し、かつ、微細な配線パターンを可能
とし、2次元光シャッタアレーやパネルディスプレイと
して利用できるPLZT表示ディバイスの製造方法に関する
ものである。The present invention relates to an electrode structure of a PLZT display device using birefringence of PLZT (transparent ceramic), and more particularly, to a drive voltage lowering and a finer structure. The present invention relates to a method for manufacturing a PLZT display device which enables a simple wiring pattern and can be used as a two-dimensional optical shutter array or a panel display.
[従来例] 近年、PZTにLaを添加した透明なセラミックのPLZT(P
bO,LaO,ZrO2,TiO)が光シャッタやディスプレイに用い
られようとしている。このPLZTを光シャッタやディスプ
レイとして用いる場合、例えば第6図に示す表面電極あ
るいは第7図に示す溝型電極が採られることになる。こ
の第6図において、PLZT基板1の上には蒸着等の方法に
より駆動電極2および共通電極(GND電極)3が形成さ
れている。また、第7図においては、PLZT基板1には、
例えはダイシングカッタ等の機械加工やエッチングによ
る溝に電極を埋め込んだ駆動電極4および共通電極(GN
D)5が形成されている。この溝型の電極構造は、上記
表面電極構造よりも、PLZT基板1内の電界分布が良好に
なることから、駆動電圧を低くすることができるという
利点がある。[Prior art example] In recent years, a transparent ceramic PLZT (P
(bO, LaO, ZrO 2 , TiO) are being used for optical shutters and displays. When this PLZT is used as an optical shutter or a display, for example, a surface electrode shown in FIG. 6 or a grooved electrode shown in FIG. 7 is employed. In FIG. 6, a drive electrode 2 and a common electrode (GND electrode) 3 are formed on a PLZT substrate 1 by a method such as vapor deposition. In FIG. 7, the PLZT substrate 1 has
For example, the drive electrode 4 and the common electrode (GN) in which an electrode is embedded in a groove formed by machining or etching of a dicing cutter or the like.
D) 5 is formed. This groove-type electrode structure has an advantage that the driving voltage can be reduced because the electric field distribution in the PLZT substrate 1 becomes better than the surface electrode structure.
[発明が解決しようとする課題] ところで、第8図に示されているように、上記光シャ
ッタアレーやパネルディスプレイを構成する場合、さら
に駆動電圧を下げる必要があるため、一般的に櫛型の上
記駆動電極6および共通電極7を用いることが多い。[Problems to be Solved by the Invention] As shown in FIG. 8, when the above-mentioned optical shutter array or panel display is constructed, it is necessary to further reduce the driving voltage. The drive electrode 6 and the common electrode 7 are often used.
しかしながら、上記表面電極構造である場合には、そ
の櫛型とすることが容易であるが、低駆動電圧の低下に
限度がある。However, in the case of the above-mentioned surface electrode structure, although it is easy to make it into a comb shape, there is a limit to the reduction in low drive voltage.
また、上記溝型電極構造の場合には、ダイシングカッ
タ等の機械加工やエッチングでは複雑なパターン加工が
難しく、微細な光シャッタアレーやパネルディスプレイ
を作製することが難しい。In the case of the above-mentioned grooved electrode structure, complicated pattern processing is difficult by machining or etching of a dicing cutter or the like, and it is difficult to manufacture a fine optical shutter array or panel display.
この発明は上記課題に鑑みなされたものであり、その
目的は低駆動電圧化を可能とし、微細な光シャッタアレ
ーやパネルディスプレイを得ることができるようにした
PLZT表示ディバイスの製造方法を提供することにある。The present invention has been made in view of the above problems, and an object of the present invention is to enable a low drive voltage and obtain a fine optical shutter array and a panel display.
An object of the present invention is to provide a method for manufacturing a PLZT display device.
[課題を解決するための手段] 上記目的を達成するため、この発明は、PLZTウェハ上
に所定の間隔をおいてそれぞれが櫛型をなし、かつ、電
極引出し部を有する駆動電極および共通電極(GND)を
含む電極層を形成するとともに、同電極層上に所定厚さ
のPLZT膜を形成し、同PLZT膜上に上記電極層と同一の電
極層をそれらの櫛型駆動電極同士、櫛型共通電極同士お
よび電極引出し部同士が互いに重なり合うとともに、そ
の電極引出し部同士がそれぞれ電気的に接続するように
して、上記PLZT膜と上記電極層とを所定回数交互に繰り
返し積層することを特徴としている。Means for Solving the Problems In order to achieve the above object, the present invention provides a drive electrode and a common electrode each having a comb shape at a predetermined interval on a PLZT wafer and having an electrode lead-out portion. GND), and a PLZT film of a predetermined thickness is formed on the same electrode layer, and the same electrode layer as the above-mentioned electrode layer is formed on the PLZT film between the comb-shaped driving electrodes, The common electrodes and the electrode lead portions overlap each other, and the electrode lead portions are electrically connected to each other, and the PLZT film and the electrode layer are alternately and repeatedly laminated a predetermined number of times. .
この構成によれば、電極層とPLZT成膜の層とが繰り返
し積層されているため、第1図の二点鎖線に示されてい
るように、その電極層の駆動電極および共通電極が縦方
向に埋め込まれ、溝型電極に対応した形とされる。すな
わち、その積層電極による電界分布は溝型電極に匹敵す
るものがあるため、溝型電極と同様に駆動電圧の低下を
望めることになる。しかも、積層数を多くすることによ
り、さらにその駆動電圧を低下することができる。According to this configuration, since the electrode layer and the layer of the PLZT film are repeatedly laminated, the drive electrode and the common electrode of the electrode layer are in the vertical direction as shown by the two-dot chain line in FIG. And is shaped to correspond to the grooved electrode. That is, since the electric field distribution of the laminated electrode is comparable to that of the grooved electrode, a reduction in driving voltage can be expected as in the case of the grooved electrode. In addition, the drive voltage can be further reduced by increasing the number of layers.
また、駆動電極および共通電極を薄膜技術などにより
櫛型にすることができるとともに、複雑な配線パターン
が可能であり、溝型電極では困難な光シャッターアレー
やパネルディスプレイのPLZT表示ディバイスを得ること
ができる。In addition, the drive electrode and the common electrode can be made into a comb shape by thin film technology, etc., and a complicated wiring pattern is possible, making it possible to obtain a PLZT display device for an optical shutter array or panel display, which is difficult with a groove type electrode. it can.
さらには、積層に伴なって上部電極層の電極引出し部
と下部電極層の電極引出し部とが電気的に接続されるた
め、積層後に電極引出し部同士を接続する手間が省け
る。Further, the electrode lead-out portion of the upper electrode layer and the electrode lead-out portion of the lower electrode layer are electrically connected with the lamination, so that it is not necessary to connect the electrode lead portions after the lamination.
[実施例] 以下、この発明の実施例を第1図乃至第5図に基づい
て説明する。Embodiment An embodiment of the present invention will be described below with reference to FIGS.
第1図において、PLZT表示ディバイスは、所定サイズ
のPLZTウェハ8の上に櫛型の駆動電極9および共通電極
10からなる電極層を形成するとともに、この電極層の上
にPLZT成膜11を形成し、さらに同様にして電極層とPLZT
成膜11を交互に形成したものである。In FIG. 1, a PLZT display device has a comb-shaped drive electrode 9 and a common electrode on a PLZT wafer 8 of a predetermined size.
An electrode layer made of 10 is formed, and a PLZT film 11 is formed on this electrode layer.
The film 11 is formed alternately.
そこで、第2図および第3図に示されているように、
PLZTウェハ8の上に櫛型であり、かつ、それぞれが電極
引き出し部91,101を有する駆動電極9および共通電極10
からなる電極層を形成した後、その電極層にスパッタ法
などによって所定厚さのPLZT成膜11を形成する。Therefore, as shown in FIGS. 2 and 3,
A drive electrode 9 and a common electrode 10 each having a comb shape on a PLZT wafer 8 and having electrode lead portions 91 and 101, respectively.
After the electrode layer made of is formed, a PLZT film 11 having a predetermined thickness is formed on the electrode layer by a sputtering method or the like.
続いて、第4図および第5図に示されているように、
そのPLZT成膜11の上に同じく櫛型であり、かつ、それぞ
れが電極引き出し部92,102を有する駆動電極9および共
通電極10を含む電極層を形成する。その際、第4図およ
び第5図のAで示すように、電極引き出し部92を下部の
電極引き出し部91に、また、電極引き出し部102を下部
の電極引き出し部101に接続するように、各電極引き出
し部92,102を形成する。Subsequently, as shown in FIGS. 4 and 5,
On the PLZT film 11, an electrode layer including a drive electrode 9 and a common electrode 10, which are also comb-shaped and each have electrode lead portions 92 and 102, is formed. At this time, as shown in FIG. 4A and FIG. 5A, each electrode lead portion 92 is connected to the lower electrode lead portion 91, and the electrode lead portion 102 is connected to the lower electrode lead portion 101. The electrode lead portions 92 and 102 are formed.
この積層を繰り返すことにより、第1図の破線で示さ
れているような積層型のPLZT表示ディバイスが得られ
る。By repeating this stacking, a stacked PLZT display device as shown by the broken line in FIG. 1 is obtained.
なお、第1図乃至第5図においては、一対の電極につ
いて説明されているが、複数の電極対であっても同じで
ある。また、駆動電極9および共通電極10は櫛型に限ら
ず、他の形状であってもよい。Although FIGS. 1 to 5 illustrate a pair of electrodes, the same applies to a plurality of electrode pairs. Further, the drive electrode 9 and the common electrode 10 are not limited to the comb shape, but may have other shapes.
このように、第1図の二点鎖線に示されているよう
に、同じ櫛型の駆動電極9および共通電極10が積層され
ているため、それら駆動電極9,9,…および共通電極10,1
0,…によりその積層分の深さの溝型電極に匹敵する電界
分を得ることができる。したがって、その溝型電極に匹
敵する電極構造としたPLZT表示ディバイスは、従来例の
平板型電極に比べて遥かに低い電圧が駆動可能となる。In this way, as shown by the two-dot chain line in FIG. 1, the same comb-shaped drive electrode 9 and common electrode 10 are stacked, so that the drive electrodes 9, 9,. 1
With 0,..., It is possible to obtain an electric field equivalent to that of the groove type electrode having a depth corresponding to the lamination. Therefore, the PLZT display device having an electrode structure comparable to the groove type electrode can drive a much lower voltage than the conventional flat type electrode.
また、上記櫛型の駆動電極9,9,…および共通電極10,1
0,…が通常の薄膜プロセス等を用いることができるた
め、複雑な配線パターンを形成することができ、微細な
光シャッタアレーやパネルディスプレイ等を作製するこ
とができる。Also, the comb-shaped drive electrodes 9, 9,... And the common electrodes 10, 1
Because a normal thin film process or the like can be used for 0,..., A complicated wiring pattern can be formed, and a fine optical shutter array, a panel display, and the like can be manufactured.
[発明の効果] 以上説明したように、この発明のPLZT表示ディバイス
の製造方法によれば、PLZTウェハに櫛型の駆動電極およ
び共通電極を形成し、この電極層上にPLZT成膜し、さら
に同様にしてその電極層およびPLZT成膜層を積層し、か
つ、その積層時に駆動電極の電極引き出し部同士および
共通電極の電極引き出し部同士をそれぞれ電気的に接続
するようにしたことにより、積層した電極(駆動電極お
よび共通電極)をその積層分の深さの溝型電極に匹敵す
る効果を得ることができるため、その分駆動電圧を低下
することができ、また平面電極の形成技術、薄膜プロセ
ス等を用いることができるため、複雑な配線パターンの
形成ができ、微細の光シャッタアレーやパネルディスプ
レイ等の作製を可能にするという効果がある。[Effect of the Invention] As described above, according to the method for manufacturing a PLZT display device of the present invention, a comb-shaped drive electrode and a common electrode are formed on a PLZT wafer, and a PLZT film is formed on this electrode layer. In the same manner, the electrode layer and the PLZT film-forming layer were laminated, and at the time of the lamination, the electrode lead portions of the drive electrode and the electrode lead portions of the common electrode were electrically connected to each other. Since the electrodes (driving electrode and common electrode) can obtain an effect comparable to that of a grooved electrode having a depth corresponding to the lamination, the driving voltage can be reduced by that amount, and the flat electrode forming technology and thin film process And the like can be used, so that a complicated wiring pattern can be formed, and there is an effect that a fine optical shutter array, a panel display, and the like can be manufactured.
第1図はこの発明の一実施例を示すPLZT表示ディバイス
の電極構造の概略的断面図、第2図乃至第5図は上記PL
ZT表示ディバイスの作製プロセスを説明するための概略
的斜視図、第6図乃至第8図は従来のPLZT表示ディバイ
スの電極構造を説明するための概略的断面図および斜視
図である。 図中、8はPLZTの基板、9は駆動電極(櫛型)、10は共
通電極(GND;櫛型)、11はPLZT成膜、Aは接続部(電極
間の)である。FIG. 1 is a schematic sectional view of an electrode structure of a PLZT display device showing an embodiment of the present invention, and FIGS.
6 to 8 are schematic cross-sectional views and perspective views for explaining an electrode structure of a conventional PLZT display device, for explaining a manufacturing process of the ZT display device. In the drawing, 8 is a PLZT substrate, 9 is a drive electrode (comb type), 10 is a common electrode (GND; comb type), 11 is a PLZT film, and A is a connection portion (between electrodes).
Claims (1)
れが櫛型をなし、かつ、電極引出し部を有する駆動電極
および共通電極(GND)を含む電極層を形成するととも
に、同電極層上に所定厚さのPLZT膜を形成し、同PLZT膜
上に上記電極層と同一の電極層をそれらの櫛型駆動電極
同士、櫛型共通電極同士および電極引出し部同士が互い
に重なり合うとともに、その電極引出し部同士がそれぞ
れ電気的に接続するようにして、上記PLZT膜と上記電極
層とを所定回数交互に繰り返し積層することを特徴とす
るPLZT表示ディバイスの製造方法。An electrode layer including a drive electrode and a common electrode (GND) each having a comb shape and having an electrode lead-out portion is formed on a PLZT wafer at a predetermined interval. A PLZT film having a predetermined thickness is formed on the PLZT film, and the same electrode layer as the above-mentioned electrode layer is formed on the PLZT film with the comb-shaped drive electrodes, the comb-shaped common electrodes, and the electrode lead portions overlapped with each other. A method for manufacturing a PLZT display device, wherein the PLZT film and the electrode layer are alternately and repeatedly laminated a predetermined number of times so that the lead portions are electrically connected to each other.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1271366A JP2660758B2 (en) | 1989-10-18 | 1989-10-18 | Manufacturing method of PLZT display device |
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JPH03132622A JPH03132622A (en) | 1991-06-06 |
JP2660758B2 true JP2660758B2 (en) | 1997-10-08 |
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JP1271366A Expired - Lifetime JP2660758B2 (en) | 1989-10-18 | 1989-10-18 | Manufacturing method of PLZT display device |
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Country | Link |
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JP (1) | JP2660758B2 (en) |
Family Cites Families (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS535594A (en) * | 1976-07-05 | 1978-01-19 | Seiko Instr & Electronics Ltd | Electro-optical display unit |
JPS62235921A (en) * | 1986-04-04 | 1987-10-16 | Sumitomo Special Metals Co Ltd | Optical shutter element |
-
1989
- 1989-10-18 JP JP1271366A patent/JP2660758B2/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
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JPH03132622A (en) | 1991-06-06 |
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