JPH0320460A - マイクロ波プラズマ装置 - Google Patents
マイクロ波プラズマ装置Info
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- JPH0320460A JPH0320460A JP1156521A JP15652189A JPH0320460A JP H0320460 A JPH0320460 A JP H0320460A JP 1156521 A JP1156521 A JP 1156521A JP 15652189 A JP15652189 A JP 15652189A JP H0320460 A JPH0320460 A JP H0320460A
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 16
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- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
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Landscapes
- Plasma Technology (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は或膜装置 エッチング装置 イオン源やその他
の表面処理装置等の薄膜加工装置において利用されるマ
イクロ波プラズマ装置に関し 特に大面積の基板を処理
するためのインライン型に適したマイクロ波プラズマ装
置に関するものであも 従来の技術 従来のマイクロ波プラズマを用いた薄膜加工装置として
｛上 例えば特開昭５６−１５５５３５号公報に開示さ
れたものがある。これはマイクロ波電力と磁界による電
子サイクロトロン共鳴現象を利用する方法であり、 １
０−’トール台といった高真空で高密度なプラズマを発
生できる優れた技術であも近年薄膜加工分野では 例え
ば液晶ディスプレーの大画面化の要求にみられるように
大面積の基板を処理できる装置の開発が望まれていも
工業的に大面積の基板を処理するためにはインライン
化を達戊しなければならず、そのためには断面が長尺な
形のプラズマを発生する必要があも発明が解決しようと
する課題 しかし 上記従来技術では放電室に円筒型の共振器を用
いているため発生できるプラズマの形状は円形であも
しかも共振条件により放電室の内径が制限されるためプ
ラズマの大きさも制限されてしまう。
の表面処理装置等の薄膜加工装置において利用されるマ
イクロ波プラズマ装置に関し 特に大面積の基板を処理
するためのインライン型に適したマイクロ波プラズマ装
置に関するものであも 従来の技術 従来のマイクロ波プラズマを用いた薄膜加工装置として
｛上 例えば特開昭５６−１５５５３５号公報に開示さ
れたものがある。これはマイクロ波電力と磁界による電
子サイクロトロン共鳴現象を利用する方法であり、 １
０−’トール台といった高真空で高密度なプラズマを発
生できる優れた技術であも近年薄膜加工分野では 例え
ば液晶ディスプレーの大画面化の要求にみられるように
大面積の基板を処理できる装置の開発が望まれていも
工業的に大面積の基板を処理するためにはインライン
化を達戊しなければならず、そのためには断面が長尺な
形のプラズマを発生する必要があも発明が解決しようと
する課題 しかし 上記従来技術では放電室に円筒型の共振器を用
いているため発生できるプラズマの形状は円形であも
しかも共振条件により放電室の内径が制限されるためプ
ラズマの大きさも制限されてしまう。
従って、上記従来技術のマイクロ波プラズマ装置では大
面積の基板をインラインで処理することができないとい
う問題があった 課題を解決するための手段 上記課題を解決するため本発明でＧＡ 被処理基板を
配置した真空容器と、放電用のマイクロ波電力の伝達回
路を有し 前記マイクロ波電力の伝達回路の側面に前記
真空容器内に向けて開口するスロットまたは孔を設けて
いる。
面積の基板をインラインで処理することができないとい
う問題があった 課題を解決するための手段 上記課題を解決するため本発明でＧＡ 被処理基板を
配置した真空容器と、放電用のマイクロ波電力の伝達回
路を有し 前記マイクロ波電力の伝達回路の側面に前記
真空容器内に向けて開口するスロットまたは孔を設けて
いる。
作 用
マイクロ波伝達回路の側面に設けたスロットまたは孔は
マイクロ波電力を放射するアンテナとして作用し 真空
容器内ではこのスロットに沿って断面が長尺なプラズマ
を発生できる。
マイクロ波電力を放射するアンテナとして作用し 真空
容器内ではこのスロットに沿って断面が長尺なプラズマ
を発生できる。
実施例
本発明の第ｌの実施例におけるマイクロ波プラズマ装置
を第１図を参照しながら説明すも第１図はマイクロ波伝
達回路としてマイクロ波電力ｌをＴＥ●１モードで伝達
する矩形導波管２を用いた例℃ 同図（ａ）は縦断面は
同図（ｂ）は同図（ａ）のＡ−Ａ’ 断面図であも 第ｌ図（ａ）、 （ｂ）において、 ３は真空に保たれ
た放電室 ４は基板５を配置した真空チャンバである。
を第１図を参照しながら説明すも第１図はマイクロ波伝
達回路としてマイクロ波電力ｌをＴＥ●１モードで伝達
する矩形導波管２を用いた例℃ 同図（ａ）は縦断面は
同図（ｂ）は同図（ａ）のＡ−Ａ’ 断面図であも 第ｌ図（ａ）、 （ｂ）において、 ３は真空に保たれ
た放電室 ４は基板５を配置した真空チャンバである。
基板５は同図（ａ）において矩形導波管２の長手方向に
直角な方砥 すなわち紙面の手前側へ向かって搬送して
いる。矩形導波管２の側面には放電室３内に向けて開口
する３つのスロット６（６−１、６−２、６−３）を設
けていも ７は真空をシールすると共にマイクロ波電力
１を透過するための石英ガラス製のマイクロ波透過激８
は放電室３に形或したマイクロ波電力の通過は９は電子
サイクロトロン共鳴現象を発生するための磁界を印加す
る磁石 １０は放電ガス供給口１１はプラズマであも ここで矩形導波管２に設けたスロット６のマイクロ波放
射アンテナとしての作用原理について、第２図（ａ）、
（ｂ）、 （ｃ）を用いて簡単に説明しておく。第２
図（ａ）に｛上 矩形導波管２内をＴＥ．，モードのマ
イクロ波が伝達する場合に 矩形導波管２内面に流れる
高周波電流の様子を破線で示している。ＴＥｓ＋モード
では図示した破線の方向に および半周期後には図示し
た破線の逆方向に高周波電流が流れる。
直角な方砥 すなわち紙面の手前側へ向かって搬送して
いる。矩形導波管２の側面には放電室３内に向けて開口
する３つのスロット６（６−１、６−２、６−３）を設
けていも ７は真空をシールすると共にマイクロ波電力
１を透過するための石英ガラス製のマイクロ波透過激８
は放電室３に形或したマイクロ波電力の通過は９は電子
サイクロトロン共鳴現象を発生するための磁界を印加す
る磁石 １０は放電ガス供給口１１はプラズマであも ここで矩形導波管２に設けたスロット６のマイクロ波放
射アンテナとしての作用原理について、第２図（ａ）、
（ｂ）、 （ｃ）を用いて簡単に説明しておく。第２
図（ａ）に｛上 矩形導波管２内をＴＥ．，モードのマ
イクロ波が伝達する場合に 矩形導波管２内面に流れる
高周波電流の様子を破線で示している。ＴＥｓ＋モード
では図示した破線の方向に および半周期後には図示し
た破線の逆方向に高周波電流が流れる。
６１、６２、６３、６４は矩形導波管２の側面に設けた
各種のスロットであん 例としてスロッ｝６１に注目し
てその断面を見ると、第２図（ａ）で示した周期の時に
は同図（ｂ）に示した矢印の方向に高周波電流が流れも
この時にはスロット６ｌの上下の辺に図示したように
正と負の電荷があらわれも 次に半周期後に｛よ 同図
（Ｃ）に示した矢印の方向に高周波電流が流れ スロッ
ト６ｌの上下の辺には図示したように半周期前と逆の電
荷があらわれも すなわ板 高周波電流を横切るスロッ
ト６ｌの上下の辺にはダイボールアンテナのように半周
期毎に異なった電荷があらわ札 マイクロ波ｌ２を放射
すも この作用は スロット６２、 ６３、６４につい
ても同様であも 第１図の実施例で用いたスロット６は
第２図のスロット６ｌであも このようにして第ｌ図のスロット６から放射されたマイ
クロ波１２は放電室３内に放射されてプラズマを発生し
そのプラズマ中の電子は磁石９により印加された磁界
により電子サイクロトロン共鳴現象を起こして高密度な
プラズマ１１を発生する。スロット６は矩形導波管２の
長手方向に配列しているた△ プラズマ１１もスロット
６に沿って断面が長尺なインライン処理に適した形で発
生させることができる。そこで放電ガス供給口ＩＯか転
戒膜すべき戒分を含んだガスを供給すれば基板５上に
は薄膜が堆積され またエッチングガスを供給すれば基
板５上の薄膜をエッチングすることができも 第１図の実施例で用いたスロット６の配列状態を第３図
（ａ）に示す。スロット６の間隔法 使用する矩形導波
管２内のマイクロ波の管内波長λ。の１／２としており
、また導波管の端面と、この端面の最も近くに設けたス
ロット６−３との間隔は管内波長λ。の１／４としてい
も この例では３つのスロットを用いている力丈 より
長尺なプラズマを発生する場合に｛よ 矩形導波管２の
長手方向に沿ってスロットの数を増やせばよ鴎 また
この例では放電室の両側に位置するスロット’６ −
１、 ６−３を大きくし これらのスロットからのマイ
クロ波の放射量を多くして放電室内で均一なプラズマが
発生するようにしている。な抵 スロットはこの例のよ
うに１列にしかも直線的に配列する必要はな鶏 また
第２図（ａ）に示すようなスロット６２、 ６３、 ６
４でもよく、それ以外の形状であってもよ鴨 第３図（
ｂ）にはスロットの代わりに孔６’（６’−１、 ６゜
−２、 ６’−３）を用いた例を示してある。放電室３
内で均一なプラズマが発生するように放電゛室３の両側
に位置する孔６″１、 ６゜−３の数を多くしている。
各種のスロットであん 例としてスロッ｝６１に注目し
てその断面を見ると、第２図（ａ）で示した周期の時に
は同図（ｂ）に示した矢印の方向に高周波電流が流れも
この時にはスロット６ｌの上下の辺に図示したように
正と負の電荷があらわれも 次に半周期後に｛よ 同図
（Ｃ）に示した矢印の方向に高周波電流が流れ スロッ
ト６ｌの上下の辺には図示したように半周期前と逆の電
荷があらわれも すなわ板 高周波電流を横切るスロッ
ト６ｌの上下の辺にはダイボールアンテナのように半周
期毎に異なった電荷があらわ札 マイクロ波ｌ２を放射
すも この作用は スロット６２、 ６３、６４につい
ても同様であも 第１図の実施例で用いたスロット６は
第２図のスロット６ｌであも このようにして第ｌ図のスロット６から放射されたマイ
クロ波１２は放電室３内に放射されてプラズマを発生し
そのプラズマ中の電子は磁石９により印加された磁界
により電子サイクロトロン共鳴現象を起こして高密度な
プラズマ１１を発生する。スロット６は矩形導波管２の
長手方向に配列しているた△ プラズマ１１もスロット
６に沿って断面が長尺なインライン処理に適した形で発
生させることができる。そこで放電ガス供給口ＩＯか転
戒膜すべき戒分を含んだガスを供給すれば基板５上に
は薄膜が堆積され またエッチングガスを供給すれば基
板５上の薄膜をエッチングすることができも 第１図の実施例で用いたスロット６の配列状態を第３図
（ａ）に示す。スロット６の間隔法 使用する矩形導波
管２内のマイクロ波の管内波長λ。の１／２としており
、また導波管の端面と、この端面の最も近くに設けたス
ロット６−３との間隔は管内波長λ。の１／４としてい
も この例では３つのスロットを用いている力丈 より
長尺なプラズマを発生する場合に｛よ 矩形導波管２の
長手方向に沿ってスロットの数を増やせばよ鴎 また
この例では放電室の両側に位置するスロット’６ −
１、 ６−３を大きくし これらのスロットからのマイ
クロ波の放射量を多くして放電室内で均一なプラズマが
発生するようにしている。な抵 スロットはこの例のよ
うに１列にしかも直線的に配列する必要はな鶏 また
第２図（ａ）に示すようなスロット６２、 ６３、 ６
４でもよく、それ以外の形状であってもよ鴨 第３図（
ｂ）にはスロットの代わりに孔６’（６’−１、 ６゜
−２、 ６’−３）を用いた例を示してある。放電室３
内で均一なプラズマが発生するように放電゛室３の両側
に位置する孔６″１、 ６゜−３の数を多くしている。
以上はスロットもしくは孔を設けるマイクロ波電力の伝
達回路として矩形導波管を利用した場合について説明し
た力丈 もちろん矩形導波管に限らず円形導波管や同軸
管形導波管等であってもよし１以下、本発明の他の数例
の実施例について説明すも な耘 いずれの実施例にお
いても第１図の構或要素と同一構或要素には同一番号を
付していも 第４図は本発明の第２の実施例におけるマイクロ波プラ
ズマ装置の概略構戒図であも 第４図（ａ）はプラズマ
装置を第１図（ｂ）と同じ方向から見た断面図であり、
第４図（ｂ）は矩形導波管２、 ２”とそのスロット６
（６−１〜６−３、 ６−４〜６６）を見やすくす
るために書出した図であんこの実施例Ｃヨ プラズマ
の幅を増すために矩形導波管２と矩形導波管２゜を並べ
て配置した例であも 各々の矩形導波管２、 ２′には
それぞれマイクロ波電力１、 １′が伝達されていも
この場合、マイクロ波電力１および１′は異なるマイク
ロ波電力発振器から供給されたものであってもよいし
同一のマイクロ波電力発振器から分岐して供給されたも
のであってもよ賎 この実施例では２本の矩形導波管２と２″を左右逆方向
から配置している力交 当然同一方向からでもよく、ま
た 必要に応じて矩形導波管２をさらに増やしてもよ〜
１ 次に 本発明の第３の実施例におけるマイクロ波プラズ
マ装置を第５図を参照しながら説明すも第５図（ａ＞と
同図（ｂ）は各々第４図（ａ）と同図（ｂ）に対応した
図である。
達回路として矩形導波管を利用した場合について説明し
た力丈 もちろん矩形導波管に限らず円形導波管や同軸
管形導波管等であってもよし１以下、本発明の他の数例
の実施例について説明すも な耘 いずれの実施例にお
いても第１図の構或要素と同一構或要素には同一番号を
付していも 第４図は本発明の第２の実施例におけるマイクロ波プラ
ズマ装置の概略構戒図であも 第４図（ａ）はプラズマ
装置を第１図（ｂ）と同じ方向から見た断面図であり、
第４図（ｂ）は矩形導波管２、 ２”とそのスロット６
（６−１〜６−３、 ６−４〜６６）を見やすくす
るために書出した図であんこの実施例Ｃヨ プラズマ
の幅を増すために矩形導波管２と矩形導波管２゜を並べ
て配置した例であも 各々の矩形導波管２、 ２′には
それぞれマイクロ波電力１、 １′が伝達されていも
この場合、マイクロ波電力１および１′は異なるマイク
ロ波電力発振器から供給されたものであってもよいし
同一のマイクロ波電力発振器から分岐して供給されたも
のであってもよ賎 この実施例では２本の矩形導波管２と２″を左右逆方向
から配置している力交 当然同一方向からでもよく、ま
た 必要に応じて矩形導波管２をさらに増やしてもよ〜
１ 次に 本発明の第３の実施例におけるマイクロ波プラズ
マ装置を第５図を参照しながら説明すも第５図（ａ＞と
同図（ｂ）は各々第４図（ａ）と同図（ｂ）に対応した
図である。
この実施例も第４図の実施例と同様に プラズマの幅を
増すために工夫したものであり、第４図の実施例の構或
をより簡単にするためにスロット６を有する矩形導波管
２を蛇行したものである。
増すために工夫したものであり、第４図の実施例の構或
をより簡単にするためにスロット６を有する矩形導波管
２を蛇行したものである。
な叙 この実施例では蛇行の回数は１回である力丈プラ
ズマの幅をさらに増すためには 必要に応じて多数回蛇
行すればよ（℃ 次に 本発明の第４の実施例におけるマイクロ波プラズ
マ装置を第６図を参照しながら説明すも第６図（ａ）は
プラズマ装置の縦断面は 同図（ｂ）と同図（ｃ）は同
図（ａ）をＢの方向から見た上面図とＣの方向から見た
底面図である。
ズマの幅をさらに増すためには 必要に応じて多数回蛇
行すればよ（℃ 次に 本発明の第４の実施例におけるマイクロ波プラズ
マ装置を第６図を参照しながら説明すも第６図（ａ）は
プラズマ装置の縦断面は 同図（ｂ）と同図（ｃ）は同
図（ａ）をＢの方向から見た上面図とＣの方向から見た
底面図である。
本実施例は装置の構或を簡単にするために放電室を用い
ず、側面にスロット６を有する矩形導波管２を真空チャ
ンバ４に直接取付けたものである。
ず、側面にスロット６を有する矩形導波管２を真空チャ
ンバ４に直接取付けたものである。
このように 本実施例ではスロット６から放射されるマ
イクロ波電力１２を真空チャンバ４内に直接送り込むこ
とができるたべ 装置の構或を簡単にすることができる
。
イクロ波電力１２を真空チャンバ４内に直接送り込むこ
とができるたべ 装置の構或を簡単にすることができる
。
な抵 本実施例では磁石９を同図（ｂ）と同図（Ｃ）に
図示したように真空チャンバ４の外側（大気｛１（ＩＤ
に配置しているバ 磁石９の位置は真空チャンバ４の内
側（真空側）であってもよしも さらに 第７図に示した本発明の第５の実施例における
マイクロ波プラズマ装置のように 側面にスロット６を
有する矩形導波管２そのものを真空チャンバ４内に挿入
して配置することもでき瓜な耘 第７図（ａ）は縦断面
は 同図（ｂ）は同図（ａ）図のＤ−Ｄ’ 断面図であ
も 以上の実施例ではいずれもマイクロ波透過窓７をスロッ
ト６に接して配置していた力丈 第８図に示す本発明の
第６の実施例のように マイクロ波透過窓７′を矩形導
波管２の途中に設けてもよ鶏この場合、マイクロ波透過
窓７′から左側の矩形導波管２の内部は゜真空であん
しかし 高真空な状態ではマイクロ波電力が存在して転
電子サイクロトロン共鳴現象を生じるに必要な強度の
磁界が存在しないと放電は発生しな賎 矩形導波管２は
磁石９から離れているた△ 磁界の強度は弱く、従って
矩形導波管２内では放電は発生しな鶏 この実施例の構
或ζ戴 基板５に金属の薄膜を形或する場合に有利であ
る。すな・わ板 第１図の構或において（よ 金属戊分
を含んだ放電ガスを供給するとプラズマ１１に接してい
るマイクロ波透過窓７の表面に金属膜が付着しマイクロ
波電力を反射し放電が途絶えてしまう場合があん とこ
ろが第８図の構或ではマイクロ波透過窓７′の近傍では
プラズマが存在しないたぬ 上記の問題が生じなＬ１第
９図には本発明の第７の実施例におけるマイクロ波プラ
ズマ装置をイオン源に適用した場合を示す。基本的な構
或は第ｌ図と同様である力文 新たに２枚の多孔板から
なる電極１３、 １４と各々の電極に接続された電源１
５、 １６を設けていも本実施例においてイオン化すべ
き放電ガスを供給して電源ｌ５、 ｌ６に約数百ボルト
以上の電圧を印加するとイオンビームｌ７が得られ イ
ンライン型のイオン注入 エッチング、 ミーリング、
およびその他の薄膜加工装置として利用することができ
る な抵 上記実施例では２枚構戒の電極を用いた力丈 電
極の枚数や形状等は必要に応じて適当なものを用いれば
よ（〜 発明の効果 本発明により、断面が長尺な形状で任意の大きさのマイ
クロ波プラズマを発生することができ、大面積の基板を
インライン型で処理できる薄膜加工装置を得ることがで
きる
図示したように真空チャンバ４の外側（大気｛１（ＩＤ
に配置しているバ 磁石９の位置は真空チャンバ４の内
側（真空側）であってもよしも さらに 第７図に示した本発明の第５の実施例における
マイクロ波プラズマ装置のように 側面にスロット６を
有する矩形導波管２そのものを真空チャンバ４内に挿入
して配置することもでき瓜な耘 第７図（ａ）は縦断面
は 同図（ｂ）は同図（ａ）図のＤ−Ｄ’ 断面図であ
も 以上の実施例ではいずれもマイクロ波透過窓７をスロッ
ト６に接して配置していた力丈 第８図に示す本発明の
第６の実施例のように マイクロ波透過窓７′を矩形導
波管２の途中に設けてもよ鶏この場合、マイクロ波透過
窓７′から左側の矩形導波管２の内部は゜真空であん
しかし 高真空な状態ではマイクロ波電力が存在して転
電子サイクロトロン共鳴現象を生じるに必要な強度の
磁界が存在しないと放電は発生しな賎 矩形導波管２は
磁石９から離れているた△ 磁界の強度は弱く、従って
矩形導波管２内では放電は発生しな鶏 この実施例の構
或ζ戴 基板５に金属の薄膜を形或する場合に有利であ
る。すな・わ板 第１図の構或において（よ 金属戊分
を含んだ放電ガスを供給するとプラズマ１１に接してい
るマイクロ波透過窓７の表面に金属膜が付着しマイクロ
波電力を反射し放電が途絶えてしまう場合があん とこ
ろが第８図の構或ではマイクロ波透過窓７′の近傍では
プラズマが存在しないたぬ 上記の問題が生じなＬ１第
９図には本発明の第７の実施例におけるマイクロ波プラ
ズマ装置をイオン源に適用した場合を示す。基本的な構
或は第ｌ図と同様である力文 新たに２枚の多孔板から
なる電極１３、 １４と各々の電極に接続された電源１
５、 １６を設けていも本実施例においてイオン化すべ
き放電ガスを供給して電源ｌ５、 ｌ６に約数百ボルト
以上の電圧を印加するとイオンビームｌ７が得られ イ
ンライン型のイオン注入 エッチング、 ミーリング、
およびその他の薄膜加工装置として利用することができ
る な抵 上記実施例では２枚構戒の電極を用いた力丈 電
極の枚数や形状等は必要に応じて適当なものを用いれば
よ（〜 発明の効果 本発明により、断面が長尺な形状で任意の大きさのマイ
クロ波プラズマを発生することができ、大面積の基板を
インライン型で処理できる薄膜加工装置を得ることがで
きる
第１図は本発明の第ｌの実施例におけるマイクロ波プラ
ズマ装置の概略構或を示し 同図（ａ）は縦断面は 同
図（ｂ）は同図（ａ）のＡ−Ａ’断面＠ 第２図（ａ）
、 （ｂ）、 （ｃ）はスロットの作用説明は 第３図
（ａ）、 （ｂ）は矩形導波管の側面に設けたスロット
と孔の形状を示す底面＆ 第４図は本発明の第２の実施
例におけるマイクロ波プラズマ装置の概略構戒を示し
同図（ａ）は第１図（ｂ）と同様の断面猛 同図（ｂ）
は矩形導波管の底面は 第５図は本発明の第３の実施例
におけるマイクロ波プラズマ装置の概略構或を示し 同
図（ａ）、 （ｂ）は第４図（ａ）、（ｂ）と同様のは
第６図は本発明の第４の実施例におけるマイクロ波プ
ラズマ装置の概略構戊を示し 同図（ａ）は縦断面諷
同図（ｂ）は同図（ａ）のＢ矢視は 同図（Ｃ）は同図
（ａ）のＣ矢視＠ 第７図は本発明の第５の実施例にお
けるマイクロ波プラズマ装置の概略構或を示し 同図（
ａ）は縦断面は 同図（ｂ）は同図（ａ）のＤ−Ｄ’断
面阻 第８図は本発明の第６の実施例におけるマイクロ
波プラズマ装置の概略構或を示す縦断面は 第９図は本
発明の第７の実施例マイクロ波プラズマ装置をイオン源
に適用した概略構或を示す断面図である。 ■・・・マイクロ波電九 ２・・・矩形導波管、 ３・
・・放電室 ４・・・真空チャンベ ５・・・基ネ反
６・・・スロット、 ６゛ ・・・Ｌ １１・・・プ
ラズマ。
ズマ装置の概略構或を示し 同図（ａ）は縦断面は 同
図（ｂ）は同図（ａ）のＡ−Ａ’断面＠ 第２図（ａ）
、 （ｂ）、 （ｃ）はスロットの作用説明は 第３図
（ａ）、 （ｂ）は矩形導波管の側面に設けたスロット
と孔の形状を示す底面＆ 第４図は本発明の第２の実施
例におけるマイクロ波プラズマ装置の概略構戒を示し
同図（ａ）は第１図（ｂ）と同様の断面猛 同図（ｂ）
は矩形導波管の底面は 第５図は本発明の第３の実施例
におけるマイクロ波プラズマ装置の概略構或を示し 同
図（ａ）、 （ｂ）は第４図（ａ）、（ｂ）と同様のは
第６図は本発明の第４の実施例におけるマイクロ波プ
ラズマ装置の概略構戊を示し 同図（ａ）は縦断面諷
同図（ｂ）は同図（ａ）のＢ矢視は 同図（Ｃ）は同図
（ａ）のＣ矢視＠ 第７図は本発明の第５の実施例にお
けるマイクロ波プラズマ装置の概略構或を示し 同図（
ａ）は縦断面は 同図（ｂ）は同図（ａ）のＤ−Ｄ’断
面阻 第８図は本発明の第６の実施例におけるマイクロ
波プラズマ装置の概略構或を示す縦断面は 第９図は本
発明の第７の実施例マイクロ波プラズマ装置をイオン源
に適用した概略構或を示す断面図である。 ■・・・マイクロ波電九 ２・・・矩形導波管、 ３・
・・放電室 ４・・・真空チャンベ ５・・・基ネ反
６・・・スロット、 ６゛ ・・・Ｌ １１・・・プ
ラズマ。
Claims (8)
- （１） 被処理基板を配置した真空容器と、放電用のマ
イクロ波電力の伝達回路とを有し、前記マイクロ波電力
の伝達回路の側面に前記真空容器内に向けて開口するス
ロットまたは孔を設けたことを特徴とするマイクロ波プ
ラズマ装置。 - （２） マイクロ波電力の伝達回路の長手方向に直角な
方向へ基板を搬送するようにした請求項１記載のマイク
ロ波プラズマ装置。 - （３） マイクロ波電力の伝達回路の側面に設けたスロ
ットまたは孔の数が複数である請求項１又は２記載のマ
イクロ波プラズマ装置。 - （４） マイクロ波電力の伝達回路の側面に大きさの異
なる複数のスロットまたは孔を設けた請求項３記載のマ
イクロ波プラズマ装置。 - （５） マイクロ波電力の伝達回路の側面に異なる間隔
で複数のスロットまたは孔を設けた請求項３又は４記載
のマイクロ波プラズマ装置。 - （６） 側面にスロットまたは孔を設けたマイクロ波電
力の伝達回路を複数配置した請求項１、２、３、４又は
５記載のマイクロ波プラズマ装置。 - （７） 側面にスロットまたは孔を設けたマイクロ波電
力の伝達回路を蛇行して配置した請求項１、２、３、４
又は５記載のマイクロ波プラズマ装置。 - （８） マイクロ波電力の伝達回路の複数のスロットま
たは孔を有する部分を真空容器内に挿入した請求項１、
２、３、４、５、６又は７記載のマイクロ波プラズマ装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1156521A JPH0320460A (ja) | 1989-06-19 | 1989-06-19 | マイクロ波プラズマ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1156521A JPH0320460A (ja) | 1989-06-19 | 1989-06-19 | マイクロ波プラズマ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0320460A true JPH0320460A (ja) | 1991-01-29 |
Family
ID=15629606
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1156521A Pending JPH0320460A (ja) | 1989-06-19 | 1989-06-19 | マイクロ波プラズマ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0320460A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006253056A (ja) * | 2005-03-14 | 2006-09-21 | Univ Nagoya | プラズマ発生装置 |
| JP2010123467A (ja) * | 2008-11-21 | 2010-06-03 | Nissin Ion Equipment Co Ltd | プラズマ発生装置 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63210272A (ja) * | 1987-02-25 | 1988-08-31 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | スパツタ装置 |
-
1989
- 1989-06-19 JP JP1156521A patent/JPH0320460A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63210272A (ja) * | 1987-02-25 | 1988-08-31 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | スパツタ装置 |
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| JP4678718B2 (ja) * | 2005-03-14 | 2011-04-27 | 国立大学法人名古屋大学 | プラズマ発生装置 |
| JP2010123467A (ja) * | 2008-11-21 | 2010-06-03 | Nissin Ion Equipment Co Ltd | プラズマ発生装置 |
| US8840844B2 (en) | 2008-11-21 | 2014-09-23 | Nissin Ion Equipment Co., Ltd. | Plasma generating apparatus |
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