JPH03201418A - インピーダンス素子 - Google Patents

インピーダンス素子

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JPH03201418A
JPH03201418A JP33858089A JP33858089A JPH03201418A JP H03201418 A JPH03201418 A JP H03201418A JP 33858089 A JP33858089 A JP 33858089A JP 33858089 A JP33858089 A JP 33858089A JP H03201418 A JPH03201418 A JP H03201418A
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ferrite
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渡部 誠二
Shigeya Takahashi
高橋 茂也
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野] 本発明はチップ型インピーダンス素子に関する。
[従来技術とその問題点] 従来、フェライトに複数の貫通孔を形成し、これらの貫
通孔に導電路を形成し、そして電流が隣接した貫通孔を
逆方向に電流が流れるように結線したビーズ状インピー
ダンス素子が知られている。その1例を第1図に示す。
図に於て、直方体形状の磁性フェライト素体5には4こ
の貫通孔1.2.3.4が形成され、各貫通孔内の壁に
は銅線ペースト等の焼付或はめっきにより導電路が形成
される。又これらの導電路は膜状導体8.9.10によ
り導電′路の電流方向が順次反転するように結線され、
両末端は直方体の対向側面に引き出されて外部端子電極
6.7に接続される。
フェライト素体5は成形及び焼結により製造されるため
、貫通孔1〜4は焼成時の収縮による歪及び破壊を避け
るように出来るだけ均一に分布されるように設計される
。このため貫通孔は周側面から内方に充分離間されてい
る。
近時、この種のチップ部品の小型化の要求が高まるにつ
れてこのような構成では充分に小型でしかも充分に大き
いインピーダンスを有する素子を得ることが出来ないこ
とが分かった。
すなわち、本発明者はこれら両方の要件を満足し得るイ
ンピーダンスを鋭意研究した所、上記した従来方式のイ
ンピーダンスは磁性フェライト素体の貫通孔の相互位置
関係及びそれらとフェライト素体の外形寸法の関係を選
択することにより従来と同一寸法でも従来のちのよりも
はるかに大きいインピーダンスを示すインピーダンス素
子を提供出来ることを見出した。
[発明の目的] 本発明の目的はインピーダンスの値が向上した小型大き
い小型インピーダンス素子を提供することを目的とする
[発明の構成と効果の概要] 本発明は、直方体形の磁性体、特に磁性フェライト焼結
体に複数の貫通孔を縦方向に離間して2列、横方向に離
間して2列以上形成し、その貫通孔を通して導電路を形
威さしたインピーダンス素子の改良に関する。ここに縦
、横の用語は便宜的なもので1方向の各列の平均中心線
が他方向の各列の平均中心線に対して直交することを表
わす。又本発明によると、縦方向に離間した2列の貫通
孔列のそれぞれの列内では他方の列内とは反対方向の同
一方向に電流が流れるように結線されており、上記縦方
向に離間した2列の各列の平均中心線からそれに近い方
の隣接外端縁までの距離Y、と上記2列の貫通孔列中心
線間の距離Ynの比Y、、/Yoが0.2〜0.9であ
ることを特徴とするインピーダンス素子である。
好ましい実施の態様に於ては、上記の条件の他に、横方
向に離間した貫通孔列の肉量も外側の列の平均中心線か
らそれに近い方の隣接外端縁までの距離X。と上記2列
の貫通孔列中心線間の距離x0の比X。/ X Oが0
.15以上であることを満足するインピーダンス素子が
提供される。
[発明の詳細な説明] X思上 本発明を図面に関連して詳しく説明する。
第2図、第3図及び第4図は本発明の実施例によるイン
ピーダンス素子を示す、第2図は導電路を形成する前の
磁性フェライト焼結体の平面図、第3図は必要な導電路
を形成したインピーダンス素子の斜視図、第3図は同平
面図である。
第2図に示したように、Mn−Ni−Znフェライト等
のフェライト素体20は直方体形状に形成されている。
直方体は本例では平面図で長方形をなすが、各方向に2
列の場合には正方形で良い。フェライト素体20には8
個の貫通孔11.12.13.14.15.16.17
.18が形成されている。縦方向(Y方向)には間隔Y
nを有し且つ側面からYl、Y2だけ離れて横方向に並
んだ各4個の2列の貫通孔が含まれ、横方向(X方向)
には間隔Xo+、Xoz、XO3を有し且つ最外部のも
のが側面からX、、X、だけ離れて縦方向に並んだ各2
個の4列の貫通孔が形成されている。
第3〜4図に示したように、貫通孔11〜18の壁面に
は公知の方法に従って導電路が形成されている。又フェ
ライト素体の対向した側面には外部端子電極21.22
が形成され、更に貫通孔11〜18の導電路をこの順に
素体の表面、底面、及び表面の順に交互に接続する導電
路23.24.25.26.27.28.29.30.
31を焼き付は又はめっきで形成する。これらの導電路
は例えば、塗布法で銀又は銀合金層を付け、その上に順
にバレル電気めっき法で銅層を厚さ5〜20LLm、ニ
ッケル層1〜lOμm、銅層1〜5μm、及び錫層2〜
10μmの様に積層する。
以上のように構成された構造体は、必要ならエポキシ樹
脂のような樹脂コートないしパッケージ28により保護
される。このとき、端子電極21.22の面は樹脂によ
り被覆されないように露出されたままにされる。
上記の構造に於て、貫通孔は縦方向の2列の各列は互い
に電流方向が逆になり、各列内では同一となることが分
かる。この接続方法は従来知られており、インピーダン
スを大きくするための手段である。
本発明に従って、縦方向の2列の各列の貫通孔の中心線
からそれに近い方の隣接外端縁までの距離Y、、Y2と
これら2列の貫通孔の中心線間の距離Yo比Y1/Yo
、Y2/Yoは0.2〜0.9に定められる。この理由
は実施例によって詳しく示すように、インピーダンス値
がピークになるからである。すなわち周部側面に近い貫
通孔の貫通孔の分布はその密度分布を考えた場合よりも
かなり外側に位置することになる。この結果は従来予測
されていない。
、又、横方向に離間した貫通孔列の肉量も外側の列の平
均中心線からそれに近い方の隣接外端縁までの距離X、
、X、とそれら最外貫通孔のX方向中心線間の距離X、
(Xo、Xo*、XOSの和)の比xn/Xoが0.1
5以上であるとなお良い。
この理由も実施例に関連して詳述するが、Y方向の貫通
孔位置を前記条件の満足される位置で固定した場合にこ
の比は大きいほどインピーダンス値が大きくなる。
以上の結果から、同方向の導電路は接近させる程よく、
反対方向の導電路は離れている程よい。
しかし貫通孔がフェライト素体のY方向の側面に近すぎ
ると機械的な強度もインピーダンス値も低下するので出
来るだけピーク値に近い所で使用するとよい。又貫通孔
をX方向に余り接近させると貫通孔の加工が困難になり
、又機械的歪が大きくなって焼結時の歪みや割れを生じ
る。
次に実際例を説明する。
第2〜4図の例に於て、実際にインピーダンス素子を製
造した。素材としてMn−Znフェライト焼結体を使用
し、Y方向寸法4.8mm、X方向寸法6.3mm、高
さ5.0mmの直方体とし、8個の孔を形成し、XI=
X2=O1915、X o ” 4 、47 m mに
固定し、Y 、= Y aとしてYn/Yoを変えたサ
ンプルを複数作製し、インピーダンス値+21を測定し
、その曲線のピーク値IZ□81を100として基準化
してグラフ化したところ第5図の結果を得た。図から明
らかなようにy + / y oの値が0.15〜1.
0で大きなインピーダンス値が得られることが分がる。
なお、従来の均一分布が他の素子ではYI/Y、の値は
約1.5である。更に、X、 、X、、Xoを変えて同
様な実験をした所、基準化したグラフには大差がでなか
った。
次に同一の寸法の直方体形フェライト素体を使用し、上
記のピーク値に近いYn/Yo=0゜4 (Y、=Y、
)に固定し、X 1= X zとし、X、/Xoを変え
て複数のサンプルを作製し、インピーダンス値IZIを
測定し、その曲線のピーク値IZ、、、、Iを100と
して基準化してグラフ化したところ第6図の結果を得た
。図がら明らがなようにX、/Xoの値は大きい程よい
。しかし余り大きいと前述の問題が生じる。余り小さい
と強度の問題が生じるので0.2以上にする。
なお、実施例は縦方向に離間した列を2列設けたが列同
士は出来るだけ離した方が良いため3列以上では小型化
の面で問題があり実用的でない。
一方横方向に離間した列は多いほど良いが余り多いと貫
通孔の形成が困難となるので4〜10個が好ましい。
又本発明に於ては貫通孔の列は直方体の側面に対して厳
密に平行に配列する必要はなく千鳥状でも良い。しかし
、その平均中心は本発明の規定に従う必要がある。
4、ツ の  な!■ 第1図は従来のインピーダンス素子の斜視図、第2図は
本発明の実施例によるインピーダンス素子の導電路を形
成する前の磁性フェライト焼結体の平面図、第3図は必
要な導電路を形成した本発明のインピーダンス素子の斜
視図、第4図は同平面図、第5図は実施例によるインピ
ーダンス素子の特性のYn/Y0依存性を示すグラフ、
及び第6図は実施例によるインピーダンス素子の特性の
Xn/Xo依存性を示すグラフである。
第3図 第4図 u N+v  J4hし L3〜5(午セ々 上/、lλ  クト奄!直(テ 第1図 第2@ 第5図 第6図 x′/xo−

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1)直方体形の磁性体に複数の貫通孔を縦方向に離間し
    て2列、横方向に離間して2列以上形成し、その貫通孔
    を通して導電路を形成さしたインピーダンス素子に於て
    、上記縦方向に離間した2列の貫通孔列のそれぞれの列
    内では他方の列内とは互いに反対方向の同一方向に電流
    が流れるように結線されており、上記縦方向に離間した
    2列の各列の平均中心線からそれに近い方の隣接外端縁
    までの距離Y_nと上記2列の貫通孔列中心線間の距離
    Y_o比Y_n/Y_oが0.2〜0.9であることを
    特徴とするインピーダンス素子。 2)横方向に離間した貫通孔列の内最も外側の列の平均
    中心線からそれに近い方の隣接外端縁までの距離X_n
    と上記2列の貫通孔列中心の両端の貫通孔中心点間の距
    離X_oの比X_n/X_oが0.15以上であること
    を特徴とする前記第1項記載のインピーダンス素子。 3)磁性体はフェライトである前記第1項又は第2項記
    載のインピーダンス素子。
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2011082346A (ja) * 2009-10-07 2011-04-21 Shinko Electric Ind Co Ltd インダクタ及びインダクタの製造方法
WO2016059918A1 (ja) * 2014-10-14 2016-04-21 株式会社村田製作所 電子部品
JPWO2016143584A1 (ja) * 2015-03-09 2018-01-25 株式会社村田製作所 コイルデバイスおよび電子デバイス

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WO2016059918A1 (ja) * 2014-10-14 2016-04-21 株式会社村田製作所 電子部品
JPWO2016143584A1 (ja) * 2015-03-09 2018-01-25 株式会社村田製作所 コイルデバイスおよび電子デバイス

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