JPH0317946A - イオン注入装置 - Google Patents
イオン注入装置Info
- Publication number
- JPH0317946A JPH0317946A JP14954289A JP14954289A JPH0317946A JP H0317946 A JPH0317946 A JP H0317946A JP 14954289 A JP14954289 A JP 14954289A JP 14954289 A JP14954289 A JP 14954289A JP H0317946 A JPH0317946 A JP H0317946A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electrode
- electrodes
- multipole
- deflection
- supporting
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 230000005405 multipole Effects 0.000 claims abstract description 22
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 claims description 20
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 10
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 claims description 9
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 abstract description 10
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 3
- 239000000383 hazardous chemical Substances 0.000 description 3
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 230000000712 assembly Effects 0.000 description 1
- 238000000429 assembly Methods 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000010292 electrical insulation Methods 0.000 description 1
- 238000004070 electrodeposition Methods 0.000 description 1
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 1
- 238000003780 insertion Methods 0.000 description 1
- 230000037431 insertion Effects 0.000 description 1
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 239000010813 municipal solid waste Substances 0.000 description 1
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野]
この発明は、複数の電極を籠状に配置した多重極偏向器
でイオンビームを偏向させるイオン注入装置に関するも
のである。
でイオンビームを偏向させるイオン注入装置に関するも
のである。
[従来の技術]
従来のイオン注入装置としては、例えば第7図に示すよ
うに、ビームラインに対して上下に平板電極AI、A2
を配置した第1の平行平板型電極偏向部Aの後方に、左
右に平板電極B1、B2を配置した第2の平行平板型電
極偏向部Bを直列に配設し、そして、第2の平行平板型
電極偏向部Bの後方に基板Cを配置したものが知られて
おり、イオンビームDは第1の平行平板型電極面向部A
でY方向(垂直方向)に偏向された後、第2の平行平板
型電極偏向部Bで更にX方向(水平方向)に偏向されて
から、基板C上を走査しながら、基板Cに注入されてい
た. このような公知のイオン注入装置では、上記のように第
1及び第2の平行平板型電極而向部A、Bでイオンビー
ムDを偏向してから、基板Cに注入しているが、第1及
び第2の平行平板型電極面向部A,Bにそれぞれ印加す
る電圧を変化させ、第1及び第2の平行平板型電極偏向
部A,Bで偏向されるイオンビームDの而向角をそれぞ
れ変化させた場合には、イオンビームDの基板Cへの入
射角も変化していた.しかしこのようなイオンビームD
の基板Cへの入射角の変化は、超LSI等の非常に高い
集積度を要求される対象物の場合には適していない. そこで、イオンビームDの基板Cへの入射角を変化させ
ずに一定にするため、第8図に示されるように、8本の
電極を円筒籠状に配置した第1の8重極偏向tf!部E
の後方に、同じく8本の電極を円筒籠状に配置した第2
の8重極間向電極部Fを直列に配設し、そして、その第
2の8重極偏向電極部Fの後方に基板Cを配置したイオ
ン注入装置が提案され、第1の8重極偏向電極部EでX
方向(水平方向)及びY方向(垂直方向)に偏向された
イオンビームDを、第2の8重[7面向電極部Fで更に
X方向(水平方向)及びY方向(垂直方向)に漏向して
、第1の8重N!偏向電極部Eに入るイオンビームDの
流れ方向と、第2の8重極漏向電極部Fより出るイオン
ビームDの流れ方向とが平行になるようにしていた. [発明が解決しようとする課題] しかしながら、第8図に示されるような従来提案されて
きたイオン注入装置において、円筒籠状に配置される各
電極の位置決め精度が悪い場合には、第1の8重極偏同
電極部Eに入るイオンビームDの流れ方向と、第2の8
重極偏向電極部Fより出るイオンビームDの流れ方向と
を平行にすることができず、装置の性能を低下させる等
の問題が発生する. 一方、円筒籠状に配置される各電極を偏向電極部の真空
容器内に正確に位置決めして組立てたとしても、偏向電
極部は、スパッタなどによる蒸発物が電気絶縁部に付着
して絶縁不良を起こしたり、経年変化により電極位置が
狂うなどのため、定期的にメンテナンスすることが不可
欠であり、その都度1 1f+] t極部における各電
極を分解し再度高位置精度で組立てる必要があり、相当
な手間と時間がかかることになる.このメンテナンス作
業は偏向電極部を構成している電極の数が多ければ多い
ほど面倒となる.このため、良い位置精度を確保できる
と共に作業性の容易なメンテナンス梢造が要望されてい
る. この発明は、この問題を解決するもので、偏向電極部の
メンテナンスが容易でしかも偏向電極部を良好な位置精
度で容易に組立てることのできるイオン注入装置を提供
することを目的としている.[課題を解決するための手
段] 上記目的を達或するために、この発明においては、複数
の電極を籠状に配置した第1の多重極信向電極部の後方
に、同じく複数の電極を籠状に配置した第2の多重極偏
向!@部を直列に配設し、第1の多重極儲向電極部で偏
向させたイオンビームを第2の多重極偏向t極部で更に
偏向させ、偏向されたイオンビームを基板上に走査させ
るイオン注入装置において、上記第1の多重極儲向電極
部の複数の電極を1個の電極支持物又は複数の電極支持
片を結合して成る電極支持物で支持すると共に、上記第
2の多重極偏向電極部の複数の電極も1個の電極支持物
又は複数の電極支持片を結合して成る電極支持物で支持
し、各電極支持物を、それぞれの多重f!偏向電極部の
真空容器の一端から、電極を組んだ状態で真空容器に入
れ、真空容器の他端に設けた嵌込み受け部で電極支持物
の一端を決められた位置で受けて支持するように梢成し
たことを特徴としている. [作 用] この発明によれば、第1の多重極偏向電極部の複数の電
極を1個の電極支持物又は複数の電極支持片を結合して
成る電極支持物で支持しすると共に、第2の多重f!偏
向tf!部の複数の電極も1個の電極支持物又は複数の
′r4極支持片を結合して成る電極支持物で支持してい
るので、それぞれの電極を組込んだ電極支持物は、一体
構造で真空容器から出し入れができる.メンテナンスの
際にはあらかしめ同寸法の電極組込済みのt極支持物を
用意しておけば、′rfh極の交換を非常に短時間でし
かも良い位置精度で行うことができ、第1及び第2の多
重@偏向電極部の複数の電極の固定精度が良くなり、そ
れにより第1の多重極偏向電極部に入るイオンビームの
流れ方向と第2の多重極偏向電極部より出るイオンビー
ムの流れ方向との平行性を確保することができる. [実施例] 以下、この発明の実施例を図面に基づいて説明する. 第1図及び第2図には、この発明を第8図に示すような
8重極偏向電極部に適用した実施例を示し、第1、第2
の8f!極偏向電極部は寸法は異なるが相似形に構戒さ
れているので、以下の記載では一つの8重極偏向電極部
についてのみ説明することにする.各t極1はその両端
を環状絶縁支持体2、3で支持されている.これらの環
状絶縁支持体2、3は電極支持物を成す円筒体4の各端
部にそれぞれ内接して一体的に取り付けられ、これによ
り各電極1は予定の相対位置関係に保持されている.ま
た一方の環状絶縁支持体2は、円筒体4の一端に一体に
構成された電極支持物フランジ5で受け、他方の環状絶
縁支持体3は偏向t極部の真空容器6の一端部のフラン
ジ6aに緊締ボルト7により固定された嵌込み受け部8
に当接して受けられる.各titの真空容器6に対する
相対的な位置決めは、電極支持物フランジ5を真空容器
6に対して回動することによって行われ、電極の円周方
向の位置合わせの後、電極支持物フランジ5は緊締ボル
ト9によって真空容器6の他端部のフランジ6bに固定
される.なお、第1図において符号10は真空容器6の
外周に沿って設けられた電流導入ポート(図面にはその
うちの二つだけが示されている〉であり、各電流導入ボ
ート10内には電流導入端子11が径方向にのび、その
一端が各電極1における接点12に差込みピンの形態で
圧接するようにされている. このように梢戒した図示装置をイオン注入装置に組み込
む際には、tiを組み込んだ状態で円筒体4を真空容器
6の7ランジ6bの設けられた開の開口から挿入し、円
筒体4の先端部及び環状絶縁支持体3を真空容器6の一
端部のフランジ6aに固定された嵌込み受け部8に当接
させる.そして円筒体4の反対測の電極支持物フランジ
5を真空容器6に合わせて回動させて各電[i1を円周
方向の位置合わせを行った後、電極支持物フランジ5を
緊締ボルト9によって真空容器6の他端部のフランジ6
bに固定することによって組立てられる.一方、メンテ
ナンスのため分解する際には、緊締ボルト9をはずし、
電極支持物フランジ5を掴んで引き出すことにより、電
1i1、環状絶縁支持体2、円筒体4及び電極支持物7
ランジ5から或るiS極組立体は真空容器6から取り出
し、必要なメンテナンス作業を行うことができる.この
場合、同様の別の!極組立体を用意しておくことにより
、ただちにこの用意しておいた電極組立体を真空容器6
に差し込むだけで電極組立体を容易に交換することがで
きる.なおこれらの組み込み、分解操作においては、各
電極1に電圧を印加する電流導入端子11と接点12と
の接続は差し込みピンS造であるので、上述の作業の前
後に抜きとり、また差し込めばよい. ところで、上記実施例では、各環状絶縁支持体2、3は
各電:[+1のそれぞれの端部に対して共通に一体構造
に梢或されているが、電極支持物フランジ5及び嵌込み
受け部8にそれぞれ各t.Ili用の独立した絶縁支持
体を嵌め込み位置決めする凹部や凸部を設けることもで
きる. また、材質についても電fl!1、電流導入端子11及
び接点12以外の構成要素は絶縁材料であってもさしつ
かえない. さらに、図示実總例では電極1についてはその両端を支
持する構造としたが、電fl!1の中間部位で支持する
ようにすることもできる. さらにまた、環状絶縁支持体2、円筒体4及び電極支持
物フランジ5は第3図〜第6図に示すように2分割、4
分割、8分割、不等分割などにしてもよい. なお、図示実施例では、電filが8&の場合に就いて
説明してきたが、この発明は当然8極に限らず他の極数
の多重極電極の場合にも応用できる.[発明の効果] 以上説明してきたようにこの発明によれば、各多重極偏
向!極部の複数の電極を1個の電極支持物又は複数の電
極支持片を結合して成る電極支持物で支持していて、し
かも電極支持物に電極を組込んだ状態で真空容器に出し
入れできるので、メンテナンスが容易であると共に各多
重&i向電極部の複数のt1iiの良好な固定精度を維
持でき、またメンテナンスの際にはあらかじめ同寸法の
電極組込済みの電極支持物を用意しておけば、電極の交
換を非常に短時間でしかも良い位置精度で行うことがで
き、さらに第1の多重lN!fli向電極部に入るイオ
ンビームの流れ方向と第2の多重am向電極部より出る
イオンビームの流れ方向との平行性を保証でき、装置の
性能を向上させることができる. また、有害物質で汚染されスパッタを受けるなどして再
使用できない組込済みの電極支持物は、危険物扱いとな
るが、捨てざるを得ない部分のみ危険物として処理され
廃棄されるので、余計なゴミを出すことがない.
うに、ビームラインに対して上下に平板電極AI、A2
を配置した第1の平行平板型電極偏向部Aの後方に、左
右に平板電極B1、B2を配置した第2の平行平板型電
極偏向部Bを直列に配設し、そして、第2の平行平板型
電極偏向部Bの後方に基板Cを配置したものが知られて
おり、イオンビームDは第1の平行平板型電極面向部A
でY方向(垂直方向)に偏向された後、第2の平行平板
型電極偏向部Bで更にX方向(水平方向)に偏向されて
から、基板C上を走査しながら、基板Cに注入されてい
た. このような公知のイオン注入装置では、上記のように第
1及び第2の平行平板型電極而向部A、Bでイオンビー
ムDを偏向してから、基板Cに注入しているが、第1及
び第2の平行平板型電極面向部A,Bにそれぞれ印加す
る電圧を変化させ、第1及び第2の平行平板型電極偏向
部A,Bで偏向されるイオンビームDの而向角をそれぞ
れ変化させた場合には、イオンビームDの基板Cへの入
射角も変化していた.しかしこのようなイオンビームD
の基板Cへの入射角の変化は、超LSI等の非常に高い
集積度を要求される対象物の場合には適していない. そこで、イオンビームDの基板Cへの入射角を変化させ
ずに一定にするため、第8図に示されるように、8本の
電極を円筒籠状に配置した第1の8重極偏向tf!部E
の後方に、同じく8本の電極を円筒籠状に配置した第2
の8重極間向電極部Fを直列に配設し、そして、その第
2の8重極偏向電極部Fの後方に基板Cを配置したイオ
ン注入装置が提案され、第1の8重極偏向電極部EでX
方向(水平方向)及びY方向(垂直方向)に偏向された
イオンビームDを、第2の8重[7面向電極部Fで更に
X方向(水平方向)及びY方向(垂直方向)に漏向して
、第1の8重N!偏向電極部Eに入るイオンビームDの
流れ方向と、第2の8重極漏向電極部Fより出るイオン
ビームDの流れ方向とが平行になるようにしていた. [発明が解決しようとする課題] しかしながら、第8図に示されるような従来提案されて
きたイオン注入装置において、円筒籠状に配置される各
電極の位置決め精度が悪い場合には、第1の8重極偏同
電極部Eに入るイオンビームDの流れ方向と、第2の8
重極偏向電極部Fより出るイオンビームDの流れ方向と
を平行にすることができず、装置の性能を低下させる等
の問題が発生する. 一方、円筒籠状に配置される各電極を偏向電極部の真空
容器内に正確に位置決めして組立てたとしても、偏向電
極部は、スパッタなどによる蒸発物が電気絶縁部に付着
して絶縁不良を起こしたり、経年変化により電極位置が
狂うなどのため、定期的にメンテナンスすることが不可
欠であり、その都度1 1f+] t極部における各電
極を分解し再度高位置精度で組立てる必要があり、相当
な手間と時間がかかることになる.このメンテナンス作
業は偏向電極部を構成している電極の数が多ければ多い
ほど面倒となる.このため、良い位置精度を確保できる
と共に作業性の容易なメンテナンス梢造が要望されてい
る. この発明は、この問題を解決するもので、偏向電極部の
メンテナンスが容易でしかも偏向電極部を良好な位置精
度で容易に組立てることのできるイオン注入装置を提供
することを目的としている.[課題を解決するための手
段] 上記目的を達或するために、この発明においては、複数
の電極を籠状に配置した第1の多重極信向電極部の後方
に、同じく複数の電極を籠状に配置した第2の多重極偏
向!@部を直列に配設し、第1の多重極儲向電極部で偏
向させたイオンビームを第2の多重極偏向t極部で更に
偏向させ、偏向されたイオンビームを基板上に走査させ
るイオン注入装置において、上記第1の多重極儲向電極
部の複数の電極を1個の電極支持物又は複数の電極支持
片を結合して成る電極支持物で支持すると共に、上記第
2の多重極偏向電極部の複数の電極も1個の電極支持物
又は複数の電極支持片を結合して成る電極支持物で支持
し、各電極支持物を、それぞれの多重f!偏向電極部の
真空容器の一端から、電極を組んだ状態で真空容器に入
れ、真空容器の他端に設けた嵌込み受け部で電極支持物
の一端を決められた位置で受けて支持するように梢成し
たことを特徴としている. [作 用] この発明によれば、第1の多重極偏向電極部の複数の電
極を1個の電極支持物又は複数の電極支持片を結合して
成る電極支持物で支持しすると共に、第2の多重f!偏
向tf!部の複数の電極も1個の電極支持物又は複数の
′r4極支持片を結合して成る電極支持物で支持してい
るので、それぞれの電極を組込んだ電極支持物は、一体
構造で真空容器から出し入れができる.メンテナンスの
際にはあらかしめ同寸法の電極組込済みのt極支持物を
用意しておけば、′rfh極の交換を非常に短時間でし
かも良い位置精度で行うことができ、第1及び第2の多
重@偏向電極部の複数の電極の固定精度が良くなり、そ
れにより第1の多重極偏向電極部に入るイオンビームの
流れ方向と第2の多重極偏向電極部より出るイオンビー
ムの流れ方向との平行性を確保することができる. [実施例] 以下、この発明の実施例を図面に基づいて説明する. 第1図及び第2図には、この発明を第8図に示すような
8重極偏向電極部に適用した実施例を示し、第1、第2
の8f!極偏向電極部は寸法は異なるが相似形に構戒さ
れているので、以下の記載では一つの8重極偏向電極部
についてのみ説明することにする.各t極1はその両端
を環状絶縁支持体2、3で支持されている.これらの環
状絶縁支持体2、3は電極支持物を成す円筒体4の各端
部にそれぞれ内接して一体的に取り付けられ、これによ
り各電極1は予定の相対位置関係に保持されている.ま
た一方の環状絶縁支持体2は、円筒体4の一端に一体に
構成された電極支持物フランジ5で受け、他方の環状絶
縁支持体3は偏向t極部の真空容器6の一端部のフラン
ジ6aに緊締ボルト7により固定された嵌込み受け部8
に当接して受けられる.各titの真空容器6に対する
相対的な位置決めは、電極支持物フランジ5を真空容器
6に対して回動することによって行われ、電極の円周方
向の位置合わせの後、電極支持物フランジ5は緊締ボル
ト9によって真空容器6の他端部のフランジ6bに固定
される.なお、第1図において符号10は真空容器6の
外周に沿って設けられた電流導入ポート(図面にはその
うちの二つだけが示されている〉であり、各電流導入ボ
ート10内には電流導入端子11が径方向にのび、その
一端が各電極1における接点12に差込みピンの形態で
圧接するようにされている. このように梢戒した図示装置をイオン注入装置に組み込
む際には、tiを組み込んだ状態で円筒体4を真空容器
6の7ランジ6bの設けられた開の開口から挿入し、円
筒体4の先端部及び環状絶縁支持体3を真空容器6の一
端部のフランジ6aに固定された嵌込み受け部8に当接
させる.そして円筒体4の反対測の電極支持物フランジ
5を真空容器6に合わせて回動させて各電[i1を円周
方向の位置合わせを行った後、電極支持物フランジ5を
緊締ボルト9によって真空容器6の他端部のフランジ6
bに固定することによって組立てられる.一方、メンテ
ナンスのため分解する際には、緊締ボルト9をはずし、
電極支持物フランジ5を掴んで引き出すことにより、電
1i1、環状絶縁支持体2、円筒体4及び電極支持物7
ランジ5から或るiS極組立体は真空容器6から取り出
し、必要なメンテナンス作業を行うことができる.この
場合、同様の別の!極組立体を用意しておくことにより
、ただちにこの用意しておいた電極組立体を真空容器6
に差し込むだけで電極組立体を容易に交換することがで
きる.なおこれらの組み込み、分解操作においては、各
電極1に電圧を印加する電流導入端子11と接点12と
の接続は差し込みピンS造であるので、上述の作業の前
後に抜きとり、また差し込めばよい. ところで、上記実施例では、各環状絶縁支持体2、3は
各電:[+1のそれぞれの端部に対して共通に一体構造
に梢或されているが、電極支持物フランジ5及び嵌込み
受け部8にそれぞれ各t.Ili用の独立した絶縁支持
体を嵌め込み位置決めする凹部や凸部を設けることもで
きる. また、材質についても電fl!1、電流導入端子11及
び接点12以外の構成要素は絶縁材料であってもさしつ
かえない. さらに、図示実總例では電極1についてはその両端を支
持する構造としたが、電fl!1の中間部位で支持する
ようにすることもできる. さらにまた、環状絶縁支持体2、円筒体4及び電極支持
物フランジ5は第3図〜第6図に示すように2分割、4
分割、8分割、不等分割などにしてもよい. なお、図示実施例では、電filが8&の場合に就いて
説明してきたが、この発明は当然8極に限らず他の極数
の多重極電極の場合にも応用できる.[発明の効果] 以上説明してきたようにこの発明によれば、各多重極偏
向!極部の複数の電極を1個の電極支持物又は複数の電
極支持片を結合して成る電極支持物で支持していて、し
かも電極支持物に電極を組込んだ状態で真空容器に出し
入れできるので、メンテナンスが容易であると共に各多
重&i向電極部の複数のt1iiの良好な固定精度を維
持でき、またメンテナンスの際にはあらかじめ同寸法の
電極組込済みの電極支持物を用意しておけば、電極の交
換を非常に短時間でしかも良い位置精度で行うことがで
き、さらに第1の多重lN!fli向電極部に入るイオ
ンビームの流れ方向と第2の多重am向電極部より出る
イオンビームの流れ方向との平行性を保証でき、装置の
性能を向上させることができる. また、有害物質で汚染されスパッタを受けるなどして再
使用できない組込済みの電極支持物は、危険物扱いとな
るが、捨てざるを得ない部分のみ危険物として処理され
廃棄されるので、余計なゴミを出すことがない.
第1図はこの発明の一実施例を示す概略縦断面図、第2
図は第1図の一体構造電極部の端面図、第3図〜第6図
は第1図及び第2図の実施例の種々の変形例を示す第2
図と同様な端面図、第7図は従来のイオン注入装置の偏
向電極を示す斜視図、第8図は直列に配列した第1の多
重tf!n向電極部と第2の多重極偏向電極部とを備え
た従来のイオン注入装置の偏向電極部を示す概略斜視図
である.図 中 1:電極、2、3:絶縁支持体、4:円筒体、5:電極
支持物フランジ、6:真空容器、7:緊締ボルト、8:
嵌込み受け部、10:電流導入ボート、11:t流導入
端子、12:接点.第1図 第2図
図は第1図の一体構造電極部の端面図、第3図〜第6図
は第1図及び第2図の実施例の種々の変形例を示す第2
図と同様な端面図、第7図は従来のイオン注入装置の偏
向電極を示す斜視図、第8図は直列に配列した第1の多
重tf!n向電極部と第2の多重極偏向電極部とを備え
た従来のイオン注入装置の偏向電極部を示す概略斜視図
である.図 中 1:電極、2、3:絶縁支持体、4:円筒体、5:電極
支持物フランジ、6:真空容器、7:緊締ボルト、8:
嵌込み受け部、10:電流導入ボート、11:t流導入
端子、12:接点.第1図 第2図
Claims (1)
- 複数の電極を籠状に配置した第1の多重極偏向電極部の
後方に、同じく複数の電極を籠状に配置した第2の多重
極偏向電極部を直列に配設し、第1の多重極偏向電極部
で偏向させたイオンビームを第2の多重極偏向電極部で
更に偏向させて平行にし、平行にされたイオンビームを
基板上に走査させるイオン注入装置において、上記第1
の多重極偏向電極部の複数の電極を1個の電極支持物又
は複数の電極支持片を結合して成る電極支持物で支持す
ると共に、上記第2の多重極偏向電極部の複数の電極も
1個の電極支持物又は複数の電極支持片を結合して成る
電極支持物で支持し、各電極支持物を、それぞれの多重
極偏向電極部の真空容器の一端から、電極を組んだ状態
で真空容器に入れ、真空容器の他端に設けた嵌込み受け
部で電極支持物の一端を決められた位置で受けて支持す
るように構成したことを特徴とするイオン注入装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP14954289A JPH0317946A (ja) | 1989-06-14 | 1989-06-14 | イオン注入装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP14954289A JPH0317946A (ja) | 1989-06-14 | 1989-06-14 | イオン注入装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0317946A true JPH0317946A (ja) | 1991-01-25 |
Family
ID=15477424
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP14954289A Pending JPH0317946A (ja) | 1989-06-14 | 1989-06-14 | イオン注入装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0317946A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006156184A (ja) * | 2004-11-30 | 2006-06-15 | Sumitomo Eaton Noba Kk | イオンビーム/荷電粒子ビーム照射装置 |
-
1989
- 1989-06-14 JP JP14954289A patent/JPH0317946A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006156184A (ja) * | 2004-11-30 | 2006-06-15 | Sumitomo Eaton Noba Kk | イオンビーム/荷電粒子ビーム照射装置 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN1937166B (zh) | 法拉第系统和包括该法拉第系统的离子注入设备 | |
JP5397624B2 (ja) | イオン注入機に電子を閉じ込める技術 | |
US5757018A (en) | Zero deflection magnetically-suppressed Faraday for ion implanters | |
US5751002A (en) | Ion implantation apparatus | |
JP2002516026A (ja) | 粒子−光学装置におけるレンズ欠陥補正用の補正デバイス | |
WO1986007189A1 (en) | Apparatus for scanning a high current ion beam with a constant angle of incidence | |
WO2009145556A2 (ko) | 전자 칼럼용 다중극 렌즈 | |
EP3336878B1 (en) | Quadrupole rod assembly | |
KR970005756B1 (ko) | 정전 렌즈 및 그 제조 방법 | |
KR20220146593A (ko) | 다수의 개별 입자 빔들을 독립적으로 포커싱하기 위한 다중극 렌즈 시퀀스를 갖는 입자 빔 시스템, 그 사용 및 관련 방법 | |
US4634931A (en) | Ion implanter | |
JPH0317946A (ja) | イオン注入装置 | |
US20030030007A1 (en) | Charged particle beam control apparatus | |
JPH0896742A (ja) | イオン注入装置 | |
CN108352285B (zh) | 低轮廓获取电极组件及离子植入机 | |
EP0287630A1 (en) | Method and apparatus for constant angle of incidence scanning in ion beam systems | |
KR100242924B1 (ko) | 음극선관의 편향수차보정방법 및 이것을 적용한 음극선관 및 화상표시장치 | |
US20150287566A1 (en) | Multipole Lens, Method of Fabricating Same, and Charged Particle Beam System | |
US6334258B1 (en) | Inspection device for examining a piece of aperture graphite of an extraction electrode | |
US7453069B2 (en) | Bushing unit with integrated conductor in ion accelerating device and related method | |
JP2882412B2 (ja) | 電子ビーム露光装置 | |
JPH08124515A (ja) | イオン注入装置 | |
JPH02260361A (ja) | イオン注入装置 | |
JPH02260360A (ja) | イオン注入装置 | |
JP2000133181A (ja) | 荷電粒子線装置 |