JPH03177302A - フッ化水素の精製方法 - Google Patents
フッ化水素の精製方法Info
- Publication number
- JPH03177302A JPH03177302A JP2215644A JP21564490A JPH03177302A JP H03177302 A JPH03177302 A JP H03177302A JP 2215644 A JP2215644 A JP 2215644A JP 21564490 A JP21564490 A JP 21564490A JP H03177302 A JPH03177302 A JP H03177302A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- hydrogen fluoride
- arsenic
- anhydrous hydrogen
- impurities
- oxygen
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 83
- 229910000040 hydrogen fluoride Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 82
- 238000000746 purification Methods 0.000 title description 4
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 claims abstract description 67
- RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N arsenic atom Chemical compound [As] RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 66
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims abstract description 35
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 16
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims abstract description 16
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 16
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 33
- 229910000423 chromium oxide Inorganic materials 0.000 claims description 12
- JOPOVCBBYLSVDA-UHFFFAOYSA-N chromium(6+) Chemical compound [Cr+6] JOPOVCBBYLSVDA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 5
- 238000004821 distillation Methods 0.000 abstract description 12
- WGLPBDUCMAPZCE-UHFFFAOYSA-N Trioxochromium Chemical compound O=[Cr](=O)=O WGLPBDUCMAPZCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 10
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 6
- 238000000926 separation method Methods 0.000 abstract description 2
- 238000011084 recovery Methods 0.000 abstract 1
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 description 10
- -1 < 3000 ppra ppb Chemical compound 0.000 description 6
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- WUKWITHWXAAZEY-UHFFFAOYSA-L calcium difluoride Chemical compound [F-].[F-].[Ca+2] WUKWITHWXAAZEY-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 6
- 239000010436 fluorite Substances 0.000 description 6
- 239000007800 oxidant agent Substances 0.000 description 6
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 5
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 4
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 4
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 4
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N Dioxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000004809 Teflon Substances 0.000 description 3
- 229920006362 Teflon® Polymers 0.000 description 3
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 3
- 239000003153 chemical reaction reagent Substances 0.000 description 3
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 3
- 239000000356 contaminant Substances 0.000 description 3
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 3
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 3
- 230000009849 deactivation Effects 0.000 description 3
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 3
- 229910017050 AsF3 Inorganic materials 0.000 description 2
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001209 Low-carbon steel Inorganic materials 0.000 description 2
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RAHZWNYVWXNFOC-UHFFFAOYSA-N Sulphur dioxide Chemical compound O=S=O RAHZWNYVWXNFOC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- JCMGUODNZMETBM-UHFFFAOYSA-N arsenic trifluoride Chemical compound F[As](F)F JCMGUODNZMETBM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000012993 chemical processing Methods 0.000 description 2
- 150000008280 chlorinated hydrocarbons Chemical class 0.000 description 2
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 2
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 2
- SOCTUWSJJQCPFX-UHFFFAOYSA-N dichromate(2-) Chemical compound [O-][Cr](=O)(=O)O[Cr]([O-])(=O)=O SOCTUWSJJQCPFX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920002313 fluoropolymer Polymers 0.000 description 2
- 238000004508 fractional distillation Methods 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005504 petroleum refining Methods 0.000 description 2
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000007670 refining Methods 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N Fluorine Chemical compound FF PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000990 Ni alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 1
- CQXADFVORZEARL-UHFFFAOYSA-N Rilmenidine Chemical compound C1CC1C(C1CC1)NC1=NCCO1 CQXADFVORZEARL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N Sulfur Chemical compound [S] NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LSNNMFCWUKXFEE-UHFFFAOYSA-N Sulfurous acid Chemical compound OS(O)=O LSNNMFCWUKXFEE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 238000005275 alloying Methods 0.000 description 1
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 description 1
- JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N bismuth atom Chemical compound [Bi] JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009835 boiling Methods 0.000 description 1
- 229940117975 chromium trioxide Drugs 0.000 description 1
- GAMDZJFZMJECOS-UHFFFAOYSA-N chromium(6+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Cr+6] GAMDZJFZMJECOS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012459 cleaning agent Substances 0.000 description 1
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 1
- 239000004035 construction material Substances 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 229910001882 dioxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000003682 fluorination reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- UQSQSQZYBQSBJZ-UHFFFAOYSA-N fluorosulfonic acid Chemical compound OS(F)(=O)=O UQSQSQZYBQSBJZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 1
- 229910000856 hastalloy Inorganic materials 0.000 description 1
- BHEPBYXIRTUNPN-UHFFFAOYSA-N hydridophosphorus(.) (triplet) Chemical compound [PH] BHEPBYXIRTUNPN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229930195733 hydrocarbon Natural products 0.000 description 1
- 150000002430 hydrocarbons Chemical class 0.000 description 1
- 229910001026 inconel Inorganic materials 0.000 description 1
- PNDPGZBMCMUPRI-UHFFFAOYSA-N iodine Chemical compound II PNDPGZBMCMUPRI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 159000000014 iron salts Chemical class 0.000 description 1
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 description 1
- 150000002697 manganese compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 1
- 150000004968 peroxymonosulfuric acids Chemical class 0.000 description 1
- FHHJDRFHHWUPDG-UHFFFAOYSA-N peroxysulfuric acid Chemical compound OOS(O)(=O)=O FHHJDRFHHWUPDG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012071 phase Substances 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- ABTOQLMXBSRXSM-UHFFFAOYSA-N silicon tetrafluoride Chemical compound F[Si](F)(F)F ABTOQLMXBSRXSM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011593 sulfur Substances 0.000 description 1
- 229920011532 unplasticized polyvinyl chloride Polymers 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
- C01B7/00—Halogens; Halogen acids
- C01B7/19—Fluorine; Hydrogen fluoride
- C01B7/191—Hydrogen fluoride
- C01B7/195—Separation; Purification
- C01B7/196—Separation; Purification by distillation
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S210/00—Liquid purification or separation
- Y10S210/902—Materials removed
- Y10S210/911—Cumulative poison
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)
- Saccharide Compounds (AREA)
- Glass Compositions (AREA)
- Solid-Sorbent Or Filter-Aiding Compositions (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
発明の背景
発明の分野
この発明は、フッ化水素(HF)の精製方法に関する。
これに制限されないが、特に、この発明は、6価の酸化
クロム(Cr O3)および酸素を用いて3価の砒素(
As+3)の5価の砒素(As゛5)への酸化、その後
のHFの蒸留により無水フフ化水素からA s ”不純
物を除去することに関する。
クロム(Cr O3)および酸素を用いて3価の砒素(
As+3)の5価の砒素(As゛5)への酸化、その後
のHFの蒸留により無水フフ化水素からA s ”不純
物を除去することに関する。
従来技術の記述
無水フッ化水素は、蛍石と硫酸の混合物を加熱すること
により形成される。製造されたフッ化水素中の主な不純
物は、フルオロスルホン酸、四フッ化シリコン、二酸化
硫黄、硫酸、および水である。これらの不純物は、通常
分別蒸留により除去され、得られる無水フッ化水素は約
99,8%またはそれ以上の純度を有する。しかしなが
ら、このようにして得られた無水フッ化水素は、受は入
れられない量の砒素のような望ましくない不純物をまだ
含む。無水フッ化水素中に存在する砒素不純物の量は、
無水フッ化水素を製造するために使用される蛍石中の砒
素を含む不純物の量に依存する。
により形成される。製造されたフッ化水素中の主な不純
物は、フルオロスルホン酸、四フッ化シリコン、二酸化
硫黄、硫酸、および水である。これらの不純物は、通常
分別蒸留により除去され、得られる無水フッ化水素は約
99,8%またはそれ以上の純度を有する。しかしなが
ら、このようにして得られた無水フッ化水素は、受は入
れられない量の砒素のような望ましくない不純物をまだ
含む。無水フッ化水素中に存在する砒素不純物の量は、
無水フッ化水素を製造するために使用される蛍石中の砒
素を含む不純物の量に依存する。
無水フッ化水素は、通常、約20〜600 pl)Im
の砒素不純物を含むが、1500 ppm程度に高くな
り得て、その上特定の蛍石源に依存する。これらのレベ
ルでのこの不純物の存在は、多くの用途に対して望まし
くない。
の砒素不純物を含むが、1500 ppm程度に高くな
り得て、その上特定の蛍石源に依存する。これらのレベ
ルでのこの不純物の存在は、多くの用途に対して望まし
くない。
必要とされる無水フッ化水素の純度は、特定の最終使用
用途に大きく依存する。したがって、半導体、ダイオー
ド、およびトランジスタの製造における洗浄剤およびエ
ッチャントのようなエレクトロニクス産業に見られるよ
うな用途に対して、高度または高純度および極めて低い
不純物レベルであることが必要である。通常、2〜3バ
ートパーピリオン(ppb)の砒素濃度が望ましい。こ
のように、従来技術は、砒素濃度をI)I)bにより測
定されるレベルまで減少させることを意図したいくつか
の無水フッ化水素の精製方法を開示している。
用途に大きく依存する。したがって、半導体、ダイオー
ド、およびトランジスタの製造における洗浄剤およびエ
ッチャントのようなエレクトロニクス産業に見られるよ
うな用途に対して、高度または高純度および極めて低い
不純物レベルであることが必要である。通常、2〜3バ
ートパーピリオン(ppb)の砒素濃度が望ましい。こ
のように、従来技術は、砒素濃度をI)I)bにより測
定されるレベルまで減少させることを意図したいくつか
の無水フッ化水素の精製方法を開示している。
しかしながら、これらの既知の方法は、しばしば長時間
が必要であるとともに、高価な試薬、設備、および/ま
たは操作の組み合わせを伴うことに特徴つけられている
。
が必要であるとともに、高価な試薬、設備、および/ま
たは操作の組み合わせを伴うことに特徴つけられている
。
例えば、米国特許第3.166.379号は、高純度の
水性のフッ化水素がハロゲン、好ましくはヨウ素と共に
過マンガン酸塩のような酸化剤を用いた処理により製造
され、砒素不純物を不揮発性化合物に転化させる方法を
開示している。この方法は、水性のフッ化水素の精製に
好適であるが、無水フッ化水素が水溶液から蒸留される
場合に揮発性のマンガン化合物による汚染の不利益を受
ける。
水性のフッ化水素がハロゲン、好ましくはヨウ素と共に
過マンガン酸塩のような酸化剤を用いた処理により製造
され、砒素不純物を不揮発性化合物に転化させる方法を
開示している。この方法は、水性のフッ化水素の精製に
好適であるが、無水フッ化水素が水溶液から蒸留される
場合に揮発性のマンガン化合物による汚染の不利益を受
ける。
この問題の解決性は、米国特許第3,689゜370号
でクレームされている。それは、過マンガン酸塩もしく
はニクロム酸塩処理の後に無水フッ化水素への無機第1
鉄塩の付加を含む、過剰の酸化剤を減少させる方法を記
述している。しかしながら、この方法は、高レベルの鉄
汚染物を生じる。
でクレームされている。それは、過マンガン酸塩もしく
はニクロム酸塩処理の後に無水フッ化水素への無機第1
鉄塩の付加を含む、過剰の酸化剤を減少させる方法を記
述している。しかしながら、この方法は、高レベルの鉄
汚染物を生じる。
鉄汚染物の問題は、米国特許第4.032,621号で
解決されている。それは、過マンガン酸塩もしくはニク
ロム酸塩処理の後に無水フッ化水素への過酸化水素のよ
うな重金属のない試薬の付加を含み、過剰の酸化剤を減
少させる方法を記述している。この方法は、とても敏感
であり、連続操業に対して便利ではない。
解決されている。それは、過マンガン酸塩もしくはニク
ロム酸塩処理の後に無水フッ化水素への過酸化水素のよ
うな重金属のない試薬の付加を含み、過剰の酸化剤を減
少させる方法を記述している。この方法は、とても敏感
であり、連続操業に対して便利ではない。
米国特許第3,687,622号には、高圧(例えば、
> 115 psia、好ましくは>165psia)
で1200 ppraのAsを含む不純な無水フッ化水
素の蒸留が開示されており、そこではAsか塔頂から除
去され精製されたフッ化水素(例えば、< 3000
ppb 、好ましくは<100ppbAs)が塔底生成
物として回収される。米国特許第3゜663.382号
には、As不純物は25 psia以下の圧力での蒸留
により無水フッ化水素から除去され、精製されたフッ化
水素が塔頂留出物として回収される。
> 115 psia、好ましくは>165psia)
で1200 ppraのAsを含む不純な無水フッ化水
素の蒸留が開示されており、そこではAsか塔頂から除
去され精製されたフッ化水素(例えば、< 3000
ppb 、好ましくは<100ppbAs)が塔底生成
物として回収される。米国特許第3゜663.382号
には、As不純物は25 psia以下の圧力での蒸留
により無水フッ化水素から除去され、精製されたフッ化
水素が塔頂留出物として回収される。
東独特許節62,309 (1968年6月20日)に
は、40〜60℃で30%過酸化水素(H20□)を含
む80〜90%水性フッ化水素からの砒素の除去が開示
されている。この参照文献も、無水フッ化水素からの砒
素除去が好適な濃度の無水フッ化水素および過酸化水素
を80〜90%フッ化水素および40〜60℃に維持さ
れた反応器に連続的に加えることにより達成されること
を教える。反応器の内容物は、蒸留され水に吸収させて
精製されたHFの水溶液か製造される。この方注は、H
F生成物の水溶液の製造に限定され、精製された無水フ
ッ化水素の製造に好適ではない。
は、40〜60℃で30%過酸化水素(H20□)を含
む80〜90%水性フッ化水素からの砒素の除去が開示
されている。この参照文献も、無水フッ化水素からの砒
素除去が好適な濃度の無水フッ化水素および過酸化水素
を80〜90%フッ化水素および40〜60℃に維持さ
れた反応器に連続的に加えることにより達成されること
を教える。反応器の内容物は、蒸留され水に吸収させて
精製されたHFの水溶液か製造される。この方注は、H
F生成物の水溶液の製造に限定され、精製された無水フ
ッ化水素の製造に好適ではない。
米国特許節4,083,941号は、0〜75℃て0−
79o H202および0.6%メタノールの付加に
より、または無水フッ化水素に基づいて少なくとも2.
3重量%の過硫酸(H2SO5)の付加による無水フッ
化水素からの砒素および亜硫酸塩不純物の除去をクレー
ムしている。
79o H202および0.6%メタノールの付加に
より、または無水フッ化水素に基づいて少なくとも2.
3重量%の過硫酸(H2SO5)の付加による無水フッ
化水素からの砒素および亜硫酸塩不純物の除去をクレー
ムしている。
米国特許節4,491,570号は、元素塩素と、無水
塩化水素もしくはフッ化物塩またはその両方を用いて処
理し、その後、不褌発性砒素化合物から蒸留により精製
された無水フッ化水素を分離することによる無水フッ化
水素からの砒素除去をクレームしている。米国特許節4
,667.497号には、フッ化水素中に存在する不純
物を酸化するために元素フッ素を添加し、次いで蒸留す
ることを含む方法が開示されている。
塩化水素もしくはフッ化物塩またはその両方を用いて処
理し、その後、不褌発性砒素化合物から蒸留により精製
された無水フッ化水素を分離することによる無水フッ化
水素からの砒素除去をクレームしている。米国特許節4
,667.497号には、フッ化水素中に存在する不純
物を酸化するために元素フッ素を添加し、次いで蒸留す
ることを含む方法が開示されている。
米国特許節4,756,899号は、モリブデンもしく
は無機モリブデン化合物とリン酸塩化合物からなる触媒
の存在下で過酸化水素を用いて処理し、次いて蒸留によ
る無水フッ化水素からの砒素除去をクレームしている。
は無機モリブデン化合物とリン酸塩化合物からなる触媒
の存在下で過酸化水素を用いて処理し、次いて蒸留によ
る無水フッ化水素からの砒素除去をクレームしている。
従来技術の既知の超高純度方法に対して、通常約50〜
100パートバーミリオン(ppm)の砒素を含む技術
的もしくは工業的グレードの無水フッ化水素は、多くの
困難性なしに通常化学的処理または右曲精製工業で使用
され得る。しかしながら、砒素不純物レベルが高くなる
と、触媒失活が通常促進され、とても高い砒素レベル(
例えば、約200ppf11〜約1500ppm)で処
理装置の腐食もとても激しくなる。例えば、アンチモン
ハライド触媒の存在下でフッ化水素を用いてクロロカー
ボンをフッ比処理してフッ化された炭化水素を製造する
方法において、フッ化水素中の砒素がアンチモンハライ
ド触媒中に蓄積し、したかって促進された触媒の失活に
寄与するであろう。失活された触媒が再活性されるか捨
てられる場合、使用されたアンチモンハライド中の多量
の砒素の存在が取扱いの問題を与える。もし塩素のよう
な酸化剤も存在するならば、処理システムにおける多量
の砒素の存在は大いに促進された処理装置の腐食を導き
得る。
100パートバーミリオン(ppm)の砒素を含む技術
的もしくは工業的グレードの無水フッ化水素は、多くの
困難性なしに通常化学的処理または右曲精製工業で使用
され得る。しかしながら、砒素不純物レベルが高くなる
と、触媒失活が通常促進され、とても高い砒素レベル(
例えば、約200ppf11〜約1500ppm)で処
理装置の腐食もとても激しくなる。例えば、アンチモン
ハライド触媒の存在下でフッ化水素を用いてクロロカー
ボンをフッ比処理してフッ化された炭化水素を製造する
方法において、フッ化水素中の砒素がアンチモンハライ
ド触媒中に蓄積し、したかって促進された触媒の失活に
寄与するであろう。失活された触媒が再活性されるか捨
てられる場合、使用されたアンチモンハライド中の多量
の砒素の存在が取扱いの問題を与える。もし塩素のよう
な酸化剤も存在するならば、処理システムにおける多量
の砒素の存在は大いに促進された処理装置の腐食を導き
得る。
無水フッ化水素の商業的製造において、技術的グレード
のフッ化水素は一つまたはそれ以上の最終蒸留工程によ
り精製される。この従来の分別蒸留は、砒素不純物を除
いたほとんどの主な不純物を除去するのに効果的である
。砒素がフッ化水素と共に蒸留するであろう3フツ化砒
素のような3価(As3°)の形で存在するので、通常
の蒸留操作は無水フッ化水素中の砒素レベルを実質的に
減少させるのに効果がない。したがって、無水フッ化水
素中の砒素不純物を少なくとも約1001)I)11未
満のレベルに安価で効果的に減少させる方法に対する要
求が存在する。
のフッ化水素は一つまたはそれ以上の最終蒸留工程によ
り精製される。この従来の分別蒸留は、砒素不純物を除
いたほとんどの主な不純物を除去するのに効果的である
。砒素がフッ化水素と共に蒸留するであろう3フツ化砒
素のような3価(As3°)の形で存在するので、通常
の蒸留操作は無水フッ化水素中の砒素レベルを実質的に
減少させるのに効果がない。したがって、無水フッ化水
素中の砒素不純物を少なくとも約1001)I)11未
満のレベルに安価で効果的に減少させる方法に対する要
求が存在する。
発明の概要
この発明は、無水フッ化水素中の砒素不純物を除去して
容認できる工業的もしくは技術的グレードの無水フッ化
水素を製造する安価でさらに確かな方法を提供する。こ
の方法は、少量の酸化クロム(Vl) 、 Cr 03
、および気体酸素を用いて高レベルの砒素不純物を含
む技術的もしくは工業的グレードの無水フッ化水素を処
理することを含む。
容認できる工業的もしくは技術的グレードの無水フッ化
水素を製造する安価でさらに確かな方法を提供する。こ
の方法は、少量の酸化クロム(Vl) 、 Cr 03
、および気体酸素を用いて高レベルの砒素不純物を含
む技術的もしくは工業的グレードの無水フッ化水素を処
理することを含む。
化学的および右曲精製処理において使用するために好適
であるような充分に減少されたレベルの砒素を含む無水
フッ化水素は、その後蒸留により回収される。
であるような充分に減少されたレベルの砒素を含む無水
フッ化水素は、その後蒸留により回収される。
このようにこの発明は、(a)3価の砒素不純物を含む
無水フッ化水素と6価の酸化クロムおよび酸素の有効量
とを接触させて、該3価の砒素のほぼすべてを5価の砒
素に酸化する工程、および(b)得られた混合物を蒸留
し、減少した不純物レベルを有する精製された無水フッ
化水素を回収する工程を具備するフッ化水素の精製方法
を提供する。
無水フッ化水素と6価の酸化クロムおよび酸素の有効量
とを接触させて、該3価の砒素のほぼすべてを5価の砒
素に酸化する工程、および(b)得られた混合物を蒸留
し、減少した不純物レベルを有する精製された無水フッ
化水素を回収する工程を具備するフッ化水素の精製方法
を提供する。
この発明の一つの態様において、砒素不純物は液相無水
フッ化水素100グラム当たり1グラムのCrO3の存
在下および砒素不純物1モル当たり約1.3〜10モル
の酸素の存在下で約−20℃〜約100℃の温度で酸化
される。
フッ化水素100グラム当たり1グラムのCrO3の存
在下および砒素不純物1モル当たり約1.3〜10モル
の酸素の存在下で約−20℃〜約100℃の温度で酸化
される。
この発明の目的は、低レベルの砒素不純物を有する無水
フッ化水素を精製する方法を提供することである。さら
に、この発明の目的は、経済的、迅速、および効果的で
ある無水フッ化水素の精製方性を提供することである。
フッ化水素を精製する方法を提供することである。さら
に、この発明の目的は、経済的、迅速、および効果的で
ある無水フッ化水素の精製方性を提供することである。
この発明のさらなる目的は、技術的もしくは工業的グレ
ードの無水フッ化水素を酸素の存在下でCry、を用い
て処理しその後蒸留して約100 ppm未満の砒素を
含む無水フッ化水素を提供する方法を提供することであ
る。これらの目的および存在の達成並びに他の目的の達
成は、明m書および添付した請求の範囲の完全な解釈に
より明らかになるであろう。
ードの無水フッ化水素を酸素の存在下でCry、を用い
て処理しその後蒸留して約100 ppm未満の砒素を
含む無水フッ化水素を提供する方法を提供することであ
る。これらの目的および存在の達成並びに他の目的の達
成は、明m書および添付した請求の範囲の完全な解釈に
より明らかになるであろう。
好ましい態様の記述
この発明によるフッ化水素中の砒素レベルを減少させる
方法は、いずれの無水フッ化水素にも広く適用できるが
、主として技術的もしくは工業的グレードの無水フッ化
水素の精製に関する。この発明のために、技術的もしく
は工業的グレードの無水フッ化水素とは、少なくとも9
5重量%のフッ化水素(すなわち、5重量%未満の水)
、好ましくは99 重量 96のフッ化水素からなるい
ずれかの商品を意味する。通常、これは、蛍石と硫酸の
d合物を一緒に加熱することにより通常製造され、その
後分別蒸留された生成物を含むであろう。上述の方法か
ら誘導された工業的グレードの無水フッ化水素の純度は
、蛍石源に依存する。技術的もしくは工業的グレードの
無水フッ化水素は、シリコン、硫黄、ビスマス、リン、
および砒素の化合物と同様に水のような種々のレベルの
不純物を含むであろう。砒素を除くこれらの不、鈍物の
ほとんどは、蒸留により容易に除去される。したがって
、砒素は、これも特定の蛍石源に依存して約50ppm
〜約1500 ppa+のレベルで蒸留物中に存在し得
る。
方法は、いずれの無水フッ化水素にも広く適用できるが
、主として技術的もしくは工業的グレードの無水フッ化
水素の精製に関する。この発明のために、技術的もしく
は工業的グレードの無水フッ化水素とは、少なくとも9
5重量%のフッ化水素(すなわち、5重量%未満の水)
、好ましくは99 重量 96のフッ化水素からなるい
ずれかの商品を意味する。通常、これは、蛍石と硫酸の
d合物を一緒に加熱することにより通常製造され、その
後分別蒸留された生成物を含むであろう。上述の方法か
ら誘導された工業的グレードの無水フッ化水素の純度は
、蛍石源に依存する。技術的もしくは工業的グレードの
無水フッ化水素は、シリコン、硫黄、ビスマス、リン、
および砒素の化合物と同様に水のような種々のレベルの
不純物を含むであろう。砒素を除くこれらの不、鈍物の
ほとんどは、蒸留により容易に除去される。したがって
、砒素は、これも特定の蛍石源に依存して約50ppm
〜約1500 ppa+のレベルで蒸留物中に存在し得
る。
エレクトロニクス用途で必要とされる前述した超純度(
すなわち、数1)I)bのレベルの不純物)に対して、
例えば約50〜100 ppmの砒素不純物を含む技術
的もしくは工業的グレードの無水フッ化水素は、多くの
困難性なく化学的処理または石油精製工業において通常
使用され得る。しかしながら、砒素不純物レベルか高く
なる場合、触媒失活(例えば、クロロカーボンのフッ素
化において使用されるアンチモンハライド触媒)か促進
され、もし塩素のような酸化剤も存在するならば、とて
も高い砒素レベル(例えば、200〜1500ppm)
で処理設備の腐食が激しくなり得る。
すなわち、数1)I)bのレベルの不純物)に対して、
例えば約50〜100 ppmの砒素不純物を含む技術
的もしくは工業的グレードの無水フッ化水素は、多くの
困難性なく化学的処理または石油精製工業において通常
使用され得る。しかしながら、砒素不純物レベルか高く
なる場合、触媒失活(例えば、クロロカーボンのフッ素
化において使用されるアンチモンハライド触媒)か促進
され、もし塩素のような酸化剤も存在するならば、とて
も高い砒素レベル(例えば、200〜1500ppm)
で処理設備の腐食が激しくなり得る。
この発明による技術的または工業的グレードの無水フッ
化水素中の砒素レベルを減少させる方法は、化学的およ
び石油精製プロセスにおける使用に好適な無水フッ化水
素を提供するための高レベルのA s ”を含む無水フ
ッ化水素のとても簡易で、経済的で、迅速で、効果的な
処理を表わす。この方法は、高レベルのA s−’不純
物を含む無水フッ化物を6価の酸化クロム(すなわち、
酸化クロム(Vl) 、Cr O* )および3価の砒
素(As″3)を5価の砒素(A s +5)に酸化す
るような気体酸化剤を用いて処理することを包含する。
化水素中の砒素レベルを減少させる方法は、化学的およ
び石油精製プロセスにおける使用に好適な無水フッ化水
素を提供するための高レベルのA s ”を含む無水フ
ッ化水素のとても簡易で、経済的で、迅速で、効果的な
処理を表わす。この方法は、高レベルのA s−’不純
物を含む無水フッ化物を6価の酸化クロム(すなわち、
酸化クロム(Vl) 、Cr O* )および3価の砒
素(As″3)を5価の砒素(A s +5)に酸化す
るような気体酸化剤を用いて処理することを包含する。
無水フッ化水素に存在する3価の砒素不純物は、5価へ
の酸化前にHFを用いて共蒸留するか、それだけでは容
易に除去されない。これに対して、酸化の後で、無水フ
ッ化水素中の5filliの砒素不純物は、蒸留により
容易に分離されるASF5の形になるであろう。したが
って、この発明によれば、無水フッ化水素中の可溶性で
あり蒸留できるA s ” (AsF3)は、6価の酸
化クロム(■)、すなわち、Cry、および実質的にす
べてのAs+3をA s −5に酸化するために充分な
分子酸素との接触により不溶性であり蒸留されないAs
F5に転化される。
の酸化前にHFを用いて共蒸留するか、それだけでは容
易に除去されない。これに対して、酸化の後で、無水フ
ッ化水素中の5filliの砒素不純物は、蒸留により
容易に分離されるASF5の形になるであろう。したが
って、この発明によれば、無水フッ化水素中の可溶性で
あり蒸留できるA s ” (AsF3)は、6価の酸
化クロム(■)、すなわち、Cry、および実質的にす
べてのAs+3をA s −5に酸化するために充分な
分子酸素との接触により不溶性であり蒸留されないAs
F5に転化される。
この発明において使用されるべき酸化クロム(Vl)の
量は、好ましくは精製される無水フッ化水素の0.1f
fi量%を超える量である。好ましくは、使用される酸
化クロム(Vl)の量は、フッ化水素存在量の約1 k
fik 96にすればよい。使用される酸素の量は、
A s +3のA s ”への所望の酸化に関する少な
くとも化学量論量、好ましくは、化学量論を超える量、
通常砒素1モル当たり約1.3〜約10モルにすればよ
い。酸素は、空気、純酸素、またはそれらの混合物の形
で存在し得る。
量は、好ましくは精製される無水フッ化水素の0.1f
fi量%を超える量である。好ましくは、使用される酸
化クロム(Vl)の量は、フッ化水素存在量の約1 k
fik 96にすればよい。使用される酸素の量は、
A s +3のA s ”への所望の酸化に関する少な
くとも化学量論量、好ましくは、化学量論を超える量、
通常砒素1モル当たり約1.3〜約10モルにすればよ
い。酸素は、空気、純酸素、またはそれらの混合物の形
で存在し得る。
この発明による方法は、いずれかの便利な温度で行うこ
とができる。約−20’C〜約100℃の範囲の温度が
好適である。フッ化水素は約20 ’Cで沸騰するので
、フッ化水素の沸点より上での処理は酸相の存在を確保
するために閉された加圧系内にすればよい。その処理に
対して好ましい温度は、約り℃〜約80℃である。一般
に、約1分〜約3時間の接触時間で充分であり、より高
い温度に対してはより短い時間でよい。
とができる。約−20’C〜約100℃の範囲の温度が
好適である。フッ化水素は約20 ’Cで沸騰するので
、フッ化水素の沸点より上での処理は酸相の存在を確保
するために閉された加圧系内にすればよい。その処理に
対して好ましい温度は、約り℃〜約80℃である。一般
に、約1分〜約3時間の接触時間で充分であり、より高
い温度に対してはより短い時間でよい。
この発明による方法で使用される装置および設備は、無
水フッ化水素の使用に許容され得るものとして一般に既
知であるようなものでよい。したがって、フッ化水素と
接触する蒸留容器、カラム、カラムバッキング、凝縮器
、および受器のすべての表面は、それに対して不活性で
なければならない。好適な構造物材料は、低炭素鋼、ニ
ッケル、「インコネル(INcONEL ) J、「ハ
ステロイ(HASTALLOY ) J合金B、C,D
のようなニッケル合金、「カーペンタ−(CARPEN
TER) 20 J、「ジュリメソト(DURINET
) J 20、並びに白金のような金属である。これ
らの中で低炭素鋼は、経済面から好ましい。ステンレス
鋼は、合金成分からの微量汚染物の可能性のために一般
に適当でない。
水フッ化水素の使用に許容され得るものとして一般に既
知であるようなものでよい。したがって、フッ化水素と
接触する蒸留容器、カラム、カラムバッキング、凝縮器
、および受器のすべての表面は、それに対して不活性で
なければならない。好適な構造物材料は、低炭素鋼、ニ
ッケル、「インコネル(INcONEL ) J、「ハ
ステロイ(HASTALLOY ) J合金B、C,D
のようなニッケル合金、「カーペンタ−(CARPEN
TER) 20 J、「ジュリメソト(DURINET
) J 20、並びに白金のような金属である。これ
らの中で低炭素鋼は、経済面から好ましい。ステンレス
鋼は、合金成分からの微量汚染物の可能性のために一般
に適当でない。
ポリエチレン、無可塑ポリ塩化ビニル、「テフロン」の
ようなフルオロカーボンポリマーのような高分子材料も
使用され得る。これらの中で、「テフロン」または同様
のフルオロカーボンポリマーが好ましい。
ようなフルオロカーボンポリマーのような高分子材料も
使用され得る。これらの中で、「テフロン」または同様
のフルオロカーボンポリマーが好ましい。
以下の実施例は、酸化クロム(Vl)触媒を用いたこの
発明の特定の態様と触媒の存在なしで行う比較例をさら
に説明するために表されている。これらの実施例におい
て、部およびパーセントは、とくに示さない限り重量に
よる。
発明の特定の態様と触媒の存在なしで行う比較例をさら
に説明するために表されている。これらの実施例におい
て、部およびパーセントは、とくに示さない限り重量に
よる。
実施例1
1グラムの分析試薬グレードの三酸化クロム(Cr 0
3 )結晶を「テフロン」が裏打ちされた2 50 m
l高圧オートクレーブに加えた。その後、オートクレー
ブを真空引きし、すべての空気を除去し、2〜10°C
に冷却した。その後、436ppmの揮発性砒素を含む
市販の無水フッ化水素110グラムの全部をオートクレ
ーブに装填した。オートクレーブおよび内容物を内圧が
Opsigに達するまで冷却する。その後、圧力かOp
sig〜10ps1gに上がるまで酸素をオートクレー
ブに加えた。
3 )結晶を「テフロン」が裏打ちされた2 50 m
l高圧オートクレーブに加えた。その後、オートクレー
ブを真空引きし、すべての空気を除去し、2〜10°C
に冷却した。その後、436ppmの揮発性砒素を含む
市販の無水フッ化水素110グラムの全部をオートクレ
ーブに装填した。オートクレーブおよび内容物を内圧が
Opsigに達するまで冷却する。その後、圧力かOp
sig〜10ps1gに上がるまで酸素をオートクレー
ブに加えた。
その後、系をシールして70℃に4時間加熱した。
この期間の終りに系を冷却して蒸気試料を得た。
蒸気試料中の砒素は、3. 7ppm (総As)て
あり、999bの減少に達した。
あり、999bの減少に達した。
実施例■
実施例Iと同様に、同じ250 mlオートクレーブを
用いて、さらに441および382 ppmの揮発性砒
素をそれぞれ含む100および104グラムの市販無水
フッ化水素を包含する2つの実験を行った。Cry、触
媒なしで空気と酸素の50150混合物を用いて70℃
で4時間の一つの実験において、蒸留物中に存在する総
砒素の4496減少が達成された。10psigの純酸
素を用いて80℃で4時間の他の実験において、蒸留物
中の砒素のわずか18%の減少が観察された。
用いて、さらに441および382 ppmの揮発性砒
素をそれぞれ含む100および104グラムの市販無水
フッ化水素を包含する2つの実験を行った。Cry、触
媒なしで空気と酸素の50150混合物を用いて70℃
で4時間の一つの実験において、蒸留物中に存在する総
砒素の4496減少が達成された。10psigの純酸
素を用いて80℃で4時間の他の実験において、蒸留物
中の砒素のわずか18%の減少が観察された。
このように記述され例示されたこの発明は、ある程度の
特殊性を有しており、添付した請求の範囲はそれに限定
されず、請求の範囲およびそれらと同等なものの各々の
要件の表現に適合した範囲を与えられるべきである。
特殊性を有しており、添付した請求の範囲はそれに限定
されず、請求の範囲およびそれらと同等なものの各々の
要件の表現に適合した範囲を与えられるべきである。
Claims (8)
- (1) (a)3価の砒素不純物を含む無水フッ化水素と6価の
酸化クロムおよび酸素の有効量とを接触させて、該3価
の砒素のほぼすべてを5価の砒素に酸化する工程、およ
び (b)得られた混合物を蒸留し、減少した不純物レベル
の無水フッ化水素を回収する工程、とを具備する無水フ
ッ化水素の精製方法。 - (2)温度が約−20℃〜約100℃である請求項1記
載の方法。 - (3)無水フッ化水素100グラム毎に少なくとも1グ
ラムの6価の酸化クロムが存在する請求項1記載の方法
。 - (4)無水フッ化水素100グラム毎に少なくとも1グ
ラムの6価の酸化クロムが存在する請求項2記載の方法
。 - (5)3価の砒素の1モル毎を5価の砒素に転化させる
ために約1.3〜約10モルの酸素が存在する請求項1
記載の方法。 - (6)3価の砒素の1モル毎を5価の砒素に転化させる
ために約1.3〜約10モルの酸素が存在する請求項2
記載の方法。 - (7)3価の砒素の1モル毎を5価の砒素に転化させる
ために約1.3〜約10モルの酸素が存在する請求項3
記載の方法。 - (8)3価の砒素の1モル毎を5価の砒素に転化させる
ために約1.3〜約10モルの酸素が存在する請求項4
記載の方法。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US443,373 | 1989-11-30 | ||
US07/443,373 US4954330A (en) | 1989-11-30 | 1989-11-30 | Process for purifying hydrogen fluoride |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH03177302A true JPH03177302A (ja) | 1991-08-01 |
Family
ID=23760539
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2215644A Pending JPH03177302A (ja) | 1989-11-30 | 1990-08-15 | フッ化水素の精製方法 |
Country Status (9)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4954330A (ja) |
EP (1) | EP0430401B1 (ja) |
JP (1) | JPH03177302A (ja) |
AT (1) | ATE104925T1 (ja) |
CA (1) | CA2023589A1 (ja) |
DE (1) | DE69008492T2 (ja) |
DK (1) | DK0430401T3 (ja) |
ES (1) | ES2051473T3 (ja) |
MX (1) | MX171054B (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011033576A (ja) * | 2009-08-05 | 2011-02-17 | Kagoshima Univ | ヒ素の定量方法 |
KR101287547B1 (ko) * | 2011-08-03 | 2013-07-19 | 포항공과대학교 산학협력단 | 6가 크롬 및 3가 비소의 제거 방법 |
Families Citing this family (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5089241A (en) * | 1990-12-20 | 1992-02-18 | Allied-Signal Inc. | Process for converting hexafluoroarsenic acid or any salt thereof to arsenic acid or salt thereof which can then be rendered nonhazardous |
US5108559A (en) * | 1991-12-17 | 1992-04-28 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Process for purifying hydrogen fluoride |
FR2689885B1 (fr) * | 1992-04-14 | 1994-10-21 | Atochem North America Elf | Procédé pour inhiber la décomposition du 1,1-dichloro-1-fluoréthane. |
US6350425B2 (en) * | 1994-01-07 | 2002-02-26 | Air Liquide America Corporation | On-site generation of ultra-high-purity buffered-HF and ammonium fluoride |
DE19905798A1 (de) | 1999-02-12 | 2000-08-17 | Bayer Ag | Verfahren zum Herstellen reiner Flußsäure |
US6197204B1 (en) * | 2000-01-21 | 2001-03-06 | Kdf Fluid Treatment, Inc. | Zinc oxide fluid treatment |
US20080003172A1 (en) * | 2006-06-29 | 2008-01-03 | Honeywell International Inc. | Continuous hydrolysis of hexafluoroarsenic acid |
CN103086327B (zh) * | 2013-02-18 | 2013-11-13 | 苏州晶瑞化学有限公司 | 一种超净高纯氢氟酸的制备方法 |
MX357878B (es) | 2014-12-18 | 2018-07-27 | Mexichem Fluor Sa De Capital Variable | Proceso para la purificación del ácido fluorhídrico incluyendo la obtención del subproducto ácido arsenioso. |
CN104973573B (zh) * | 2015-06-18 | 2017-03-29 | 多氟多化工股份有限公司 | 一种高纯氟化氢的制备方法及高纯氢氟酸的制备方法 |
CN115535965A (zh) * | 2022-10-13 | 2022-12-30 | 云南氟磷电子科技有限公司 | 一种氢氟酸连续除砷的方法 |
CN115636429A (zh) * | 2022-12-07 | 2023-01-24 | 山东立中新能源材料有限公司 | 六氟磷酸锂的制备工艺 |
Family Cites Families (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DD62309A (ja) * | ||||
US2777754A (en) * | 1951-07-13 | 1957-01-15 | Du Pont | Purification of anhydrous hydrogen fluoride |
FR1335675A (fr) * | 1961-07-27 | 1963-08-23 | I C P M Ind Chimiche Porto Mar | Procédé pour l'élimination de composés d'arsenic et d'antimoine de l'acide fluorhdrique moyennant la formation de complexes, facilement séparables, entre l'arsenic et l'antimoine, le fluor et un métal alcalin |
BE632837A (ja) * | 1962-06-04 | 1963-10-21 | ||
US3663382A (en) * | 1969-08-19 | 1972-05-16 | Du Pont | Process of recovering hydrogen fluoride free of arsenic by distillation |
US3689370A (en) * | 1970-02-20 | 1972-09-05 | Daikin Ind Ltd | Process for purifying hydrofluoric acid by distillation with an oxidizing agent and a ferrous salt |
US3687622A (en) * | 1970-11-30 | 1972-08-29 | Du Pont | High pressure purification of hydrogen fluoride |
SU389691A1 (ru) * | 1971-04-12 | 1977-08-05 | Уральский Научно-Исследовательский И Проектный Институт Медной Промышленности | Способ очистки кислых сточных вод |
US4032621A (en) * | 1975-11-24 | 1977-06-28 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Preparation of hydrogen fluoride with low levels of arsenic, iron and sulfite |
US4083941A (en) * | 1977-04-18 | 1978-04-11 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Purification of anhydrous hydrogen fluoride |
DE2942545A1 (de) * | 1979-10-20 | 1981-06-04 | Riedel-De Haen Ag, 3016 Seelze | Verfahren zur herstellung einer gereinigten oxidationsbestaendigen anorganischen saeure und danach erhaltene saeure |
US4491570A (en) * | 1984-05-03 | 1985-01-01 | Pennwalt Corporation | Removal of arsenic from hydrogen fluoride |
US4668497A (en) * | 1984-12-25 | 1987-05-26 | Hashimoto Chemical Industries Co., Ltd. | Process for purifying hydrogen fluoride |
US4756899A (en) * | 1987-02-12 | 1988-07-12 | Allied-Signal Inc. | Manufacture of high purity low arsenic anhydrous hydrogen fluoride |
JPH055736A (ja) * | 1991-06-27 | 1993-01-14 | Omron Corp | 尿試験紙および自動尿検査装置 |
-
1989
- 1989-11-30 US US07/443,373 patent/US4954330A/en not_active Expired - Lifetime
-
1990
- 1990-08-03 ES ES90308563T patent/ES2051473T3/es not_active Expired - Lifetime
- 1990-08-03 EP EP90308563A patent/EP0430401B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1990-08-03 DK DK90308563.7T patent/DK0430401T3/da active
- 1990-08-03 AT AT9090308563T patent/ATE104925T1/de not_active IP Right Cessation
- 1990-08-03 DE DE69008492T patent/DE69008492T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1990-08-10 CA CA002023589A patent/CA2023589A1/en not_active Abandoned
- 1990-08-14 MX MX021967A patent/MX171054B/es unknown
- 1990-08-15 JP JP2215644A patent/JPH03177302A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011033576A (ja) * | 2009-08-05 | 2011-02-17 | Kagoshima Univ | ヒ素の定量方法 |
KR101287547B1 (ko) * | 2011-08-03 | 2013-07-19 | 포항공과대학교 산학협력단 | 6가 크롬 및 3가 비소의 제거 방법 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE69008492T2 (de) | 1994-10-27 |
ATE104925T1 (de) | 1994-05-15 |
MX171054B (es) | 1993-09-27 |
US4954330A (en) | 1990-09-04 |
ES2051473T3 (es) | 1994-06-16 |
DE69008492D1 (de) | 1994-06-01 |
CA2023589A1 (en) | 1991-05-31 |
EP0430401B1 (en) | 1994-04-27 |
DK0430401T3 (da) | 1994-05-30 |
EP0430401A1 (en) | 1991-06-05 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US4756899A (en) | Manufacture of high purity low arsenic anhydrous hydrogen fluoride | |
US4929435A (en) | Manufacture of high purity low arsenic anhydrous hydrogen fluoride | |
JPH03177302A (ja) | フッ化水素の精製方法 | |
US4032621A (en) | Preparation of hydrogen fluoride with low levels of arsenic, iron and sulfite | |
EP0426286B1 (en) | Process for purifying hydrogen fluoride | |
US4491570A (en) | Removal of arsenic from hydrogen fluoride | |
US4990320A (en) | Process for purifying hydrogen fluoride | |
US5108559A (en) | Process for purifying hydrogen fluoride | |
CA2056241A1 (en) | Process for converting hexafluoroarsenic acid or any salt thereof to arsenic acid or salt thereof which can then be rendered nonhazardous | |
JPH0238521B2 (ja) | Futsukasuisosannoseiseiho | |
KR101308051B1 (ko) | 초고순도 불산(hf)의 제조방법 | |
WO1997018158A1 (en) | Manufacture of very low arsenic hydrogen fluoride | |
MXPA98003559A (en) | Manufacture of hydrogen fluoride with very undertaken of arsen | |
JPH0261404B2 (ja) | ||
US4066741A (en) | Process for the production of hydrogen by the thermal decomposition of water |