JPH03177049A - Scribing method and device for semiconductor wafer - Google Patents

Scribing method and device for semiconductor wafer

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JPH03177049A
JPH03177049A JP1315688A JP31568889A JPH03177049A JP H03177049 A JPH03177049 A JP H03177049A JP 1315688 A JP1315688 A JP 1315688A JP 31568889 A JP31568889 A JP 31568889A JP H03177049 A JPH03177049 A JP H03177049A
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Abstract

PURPOSE:To properly maintain the height amount from the lower surface of an adhesive tape to the lower surface of a scribing blade by arranging a light source and a light receiver under the rear surface of a semiconductor wafer to monitor the lower surface of the semiconductor wafer and the lower surface of a cutting blade. CONSTITUTION:A semiconductor wafer 3 is applied to a base film 1 by an adhesive material layer 2, and the base film 1 is held on a wafer chuck 5 by the negative pressure of a vacuum chuck provided on the wafer chuck 5. Light 11 is emitted from a light source 6 such as a laser and is converged by a lens, etc., to irradiate the lower surface of the wafer 3. The reflected light 12 thereof is received by a light receiver 7. The wafer 3 prepared in this manner is scribed by a blade 9. The lower surface of the blade 9 coming out of the wafer 3 by passing therethrough is irradiated with the light beam 11 from the light source 6, and the reflected light 12 therefrom is received by the light receiver 7 to monitor the height of the lower surface of the blade 9. Thus, the height amount H can be calculated from the height of the lower surface of the wafer 3 measured beforehand and the thicknesses of the base film 1 and the adhesive material layer 2.

Description

【発明の詳細な説明】 [概要コ 半導体ウェハを半導体チップにスクライブする方法と装
置とに関し、 半導体ウェハを支持する粘着テープの下面からスクライ
ビング用のブレードの下面までのハイト量を適正に維持
することのできる半導体ウェハのスクライブ方法を提供
することを目的とし、半導体ウェハを半導体チップにス
クライブする方法であって、透明部分を有するウェハチ
ャック上に、粘着層を備えたベースフィルム上に支持さ
れた半導体ウェハを配置する工程と、該ベースフィルム
上に支持された半導体ウェハの底面の高さをモニタする
工程と、スクライブ用ブレードにより該半導体ウェハを
スクライブした時に、該ブレードの端部の高さをモニタ
する工程と、該モニタしたブレード端部の高さを利用し
てベースフィルム下面からブレード端部までのハイト量
を制御する工程を含むように構成する。
[Detailed Description of the Invention] [Summary] Regarding a method and apparatus for scribing a semiconductor wafer into semiconductor chips, the present invention relates to a method and an apparatus for scribing a semiconductor wafer into a semiconductor chip, and an object of the present invention is to maintain an appropriate height from the bottom surface of an adhesive tape supporting the semiconductor wafer to the bottom surface of a scribing blade. The present invention aims to provide a method for scribing a semiconductor wafer into a semiconductor chip, in which the semiconductor wafer is placed on a wafer chuck having a transparent part and supported on a base film having an adhesive layer. A process of arranging a wafer, a process of monitoring the height of the bottom surface of the semiconductor wafer supported on the base film, and a process of monitoring the height of the edge of the semiconductor wafer when the semiconductor wafer is scribed with the scribing blade. and a step of controlling the height from the lower surface of the base film to the blade end using the monitored height of the blade end.

[産業上の利用分野] 本発明は半導体装置の製造工程におけるウヱハスクライ
ブに間し、特に半導体ウェハを半導体チップにスクライ
ブする方法と装置とに間する。
[Industrial Application Field] The present invention relates to wafer scribing in the manufacturing process of semiconductor devices, and particularly to a method and apparatus for scribing a semiconductor wafer into a semiconductor chip.

半導体ウェハ上に多数の半導体装N回路を作製した後、
半導体ウェハは多数の半導体チップにスクライブされる
。スクライビングの工程においては、半導体ウェハは粘
着テープ上に貼り付けられ、上方よりカッティングされ
る。この時、粘着テープの下面からスクライブ用のブレ
ードの下面までの高さ、すなわちハイト量を制御するこ
とが望まれる。
After fabricating a large number of semiconductor circuits on a semiconductor wafer,
A semiconductor wafer is scribed into a large number of semiconductor chips. In the scribing process, a semiconductor wafer is pasted onto an adhesive tape and cut from above. At this time, it is desirable to control the height from the bottom surface of the adhesive tape to the bottom surface of the scribing blade, that is, the height amount.

[従来の技術] 従来のウェハスクライビング工程においては、パイロッ
トウェハを粘着テープに貼り付け、スクライビング工程
を行った後、ハイトlを計測し、計測データをもとにし
て所望のバイト量を得るようにスクライビング用の高さ
を制御していた。ところが、スクライブ装置のブレード
の摩耗及びウェハ粘着テープの厚さのばらつき等により
、多数のウェハを処理する際には、バイト量のばらつき
か生じていた。
[Prior art] In a conventional wafer scribing process, a pilot wafer is attached to an adhesive tape, the scribing process is performed, the height l is measured, and the desired amount of bite is obtained based on the measurement data. It controlled the height for scribing. However, due to wear of the blade of the scribing device and variations in the thickness of the wafer adhesive tape, variations in the amount of bites occur when processing a large number of wafers.

[発明か解決しようとする課題] 以上を説明した従来の技術によれば、半導体ウェハのス
クライブ工程において、ハイト量のばらつきか生じてい
た。ハイト量が大きすぎると、ブレードが半導体ウェハ
の下面に到達せず、スクライビング工程が完了していな
いため、半導体チップか分離できなかったり、半導体チ
ップの欠けが生じる。ハイト量か小さすぎると、ブレー
ドがテープに深く入りすぎ、粘着材等が半導体チップの
側面に付着する。スクライブ工程の後に下から各半導体
チップを突き上げ、チャックやコレット等で半導体チッ
プを吸い上げ、リードフレーム上にダイスボンディング
するDDB工程があるが、半溝体チ・ツブの側面に粘着
材等が付着し、接着力が強くなっていると吸い上げ不良
を起こす、紫外線照灯等で接着力を落とすことはできる
が、ばらつきがあると対応できない、また、場合によっ
てはブレードが直接ウェハチャックを損傷することも起
り得る。
[Problems to be Solved by the Invention] According to the conventional techniques described above, variations in height occur in the scribing process of semiconductor wafers. If the height is too large, the blade will not reach the bottom surface of the semiconductor wafer and the scribing process will not be completed, resulting in failure to separate the semiconductor chips or chipping of the semiconductor chips. If the height is too small, the blade will penetrate too deeply into the tape and the adhesive material will adhere to the sides of the semiconductor chip. After the scribing process, there is a DDB process in which each semiconductor chip is pushed up from below, sucked up by a chuck or collet, and die-bonded onto the lead frame, but adhesive materials may adhere to the sides of the semi-grooved chip/tub. If the adhesive strength is too strong, it will cause suction failure.Although it is possible to reduce the adhesive strength with UV light, etc., it cannot be fixed if there is variation.Also, in some cases, the blade may directly damage the wafer chuck. It can happen.

本発明の目的は、半導体ウェハを支持する粘着テープの
下面からスクライビング用のブレードの下面までのバイ
ト量を適正に維持することのできる半導体ウェハのスク
ライブ方法を提供することである。
SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide a method for scribing a semiconductor wafer, which can maintain an appropriate amount of bite from the lower surface of an adhesive tape supporting the semiconductor wafer to the lower surface of a scribing blade.

本発明の他の目的は、上述の半導体ウェハのスクライブ
方法を実施することのできるスクライブ装置を提供する
ことである。
Another object of the present invention is to provide a scribing apparatus that can carry out the above-described semiconductor wafer scribing method.

[課題を解決するための手段] 上記の問題を解決するため、半導体ウェハ下面より光を
照射し、半導体ウェハスクライブ用のブレードの下面で
反射をさせ、反射光を検出することによって、スクライ
ブ用ブレードの高さを検出する。
[Means for Solving the Problems] In order to solve the above problems, the scribing blade Detect the height of.

予め粘着テープと半導体ウェハとの界面を測定しておく
ことにより、ブレードの下面がどこまで到達したかをモ
ニタすることができる。
By measuring the interface between the adhesive tape and the semiconductor wafer in advance, it is possible to monitor how far the lower surface of the blade has reached.

スクライビング工程中にバイト量をモニタし、制御する
ことができるため、ハイト量を所望の値に安定に制御す
ることができる。
Since the bite amount can be monitored and controlled during the scribing process, the height amount can be stably controlled to a desired value.

従って、ハイト量のばらつきによるブレードの切込み深
さ不均一に基づく不都合を防止することかできる2 [実施例コ 第1図(A>、(B)は本発明の1実施例を示す、ウェ
ハチャック5の一部には透明部材で形成された窓部4が
配置され、窓部4の下方にレーザ光源6と受光器7を含
む光測定評か配置されている。窓部4の上には、ポリオ
レフィン等で構成されたベースフィルム1と、ベースフ
ィルム1上に形成された粘着材の層2と、粘着材の層2
に粘着支持された半導体ウェハ3か配置される。すなわ
ち、半導体ウェハ3は粘着材の層2によってベースフィ
ルム1に貼り付けられ、ベースフィルム1はウェハチャ
ック5に適当に設けられた真空チャックの負圧によって
ウェハチャック5上に保持される。レーザ等の光a6か
ら光11を発射し、必要に応じてレンズ等で集光し、半
導体ウェハ3の下面を照射する。半導体ウェハ3下面の
反射光12はレンズ等で集光され、受光器7で受光する
Therefore, it is possible to prevent inconveniences caused by uneven cutting depth of the blade due to variations in height. A window 4 made of a transparent material is disposed in a part of the window 5, and a light measurement device including a laser light source 6 and a light receiver 7 is disposed below the window 4. , a base film 1 made of polyolefin or the like, an adhesive layer 2 formed on the base film 1, and an adhesive layer 2.
A semiconductor wafer 3 adhesively supported is placed. That is, the semiconductor wafer 3 is stuck to the base film 1 by the layer 2 of adhesive material, and the base film 1 is held on the wafer chuck 5 by the negative pressure of a vacuum chuck suitably provided on the wafer chuck 5. Light 11 is emitted from light a6 of a laser or the like, is focused by a lens or the like as necessary, and illuminates the lower surface of the semiconductor wafer 3. Reflected light 12 from the lower surface of the semiconductor wafer 3 is collected by a lens or the like and received by a light receiver 7.

たとえば、コリメートしたレーザ光を半導体ウェハ3の
下面に照射しつつ、固定焦点のレンズを備えた受光器7
を高さ方向に走査すると、所定の結像関係を満たす高さ
で最大の光強度を得る。この高さを測定することにより
、半導体ウェハ3の下面の高さを測定することができる
。また、ベースフィルム1の下面と半導体ウェハ3の下
面の平行度が保障される場合は、両面からの反射光の干
渉を利用することもできる。なお、光による高さ測定は
これらの方法に限らない。
For example, while irradiating the lower surface of the semiconductor wafer 3 with collimated laser light, the light receiver 7 equipped with a fixed focus lens
When scanning in the height direction, the maximum light intensity is obtained at a height that satisfies a predetermined imaging relationship. By measuring this height, the height of the lower surface of the semiconductor wafer 3 can be measured. Furthermore, if the parallelism between the lower surface of the base film 1 and the lower surface of the semiconductor wafer 3 is ensured, interference of reflected light from both surfaces can also be utilized. Note that height measurement using light is not limited to these methods.

第3図(B)に示すように、このようにして準備した半
導体ウェハ3をブレード9によってスクライブする。ス
クライブ工程においては、スクライブ用のブレード9が
半導体ウェハ3を研削し、下の粘着材層2およびベース
フィルム1上層に到達する。この半導体ウェハ3を突き
抜けて出てくるブレード9の下面を光a6からの光線1
1を照射してモニタする。すなわち、光線11がブレー
ド9の下面によって反射された光12を受光器7によっ
て受光し、ブレード9の下面の高さをモニタする。これ
により、予め測定していた半導体ウェハ3の下面の高さ
、ベースフィルム1と粘着材層2との厚さからハイトi
Hを算出することができる。
As shown in FIG. 3(B), the semiconductor wafer 3 thus prepared is scribed with a blade 9. In the scribing process, the scribing blade 9 grinds the semiconductor wafer 3 and reaches the lower adhesive layer 2 and the upper layer of the base film 1. The light ray 1 from the light a6 illuminates the lower surface of the blade 9 that penetrates through this semiconductor wafer 3 and comes out.
1 and monitor. That is, the light beam 11 is reflected by the lower surface of the blade 9, and the light 12 is received by the light receiver 7, and the height of the lower surface of the blade 9 is monitored. As a result, the height i is determined from the height of the lower surface of the semiconductor wafer 3 and the thickness of the base film 1 and the adhesive layer 2, which have been measured in advance.
H can be calculated.

たとえば、半導体ウェハスクライブ用のブレードは幅約
60μm、高さ約1.2111の刃であり、半導体ウェ
ハ3は厚さ約490μm、粘着材層2の厚さはたとえば
20μm、ベースフィルム1の厚さは、たとえば約70
μmである。すなわち、粘着テープ12の厚さは合せて
約90−μmである。この時にハイト量としてたとえば
60μmを設定する。この場合、ブレード9の侵入深さ
を30μmに制御するとによってこのハイト量を実現す
る。
For example, a semiconductor wafer scribing blade has a width of about 60 μm and a height of about 1.2111 mm, the semiconductor wafer 3 has a thickness of about 490 μm, the adhesive layer 2 has a thickness of 20 μm, and the base film 1 has a thickness of about 20 μm. For example, about 70
It is μm. That is, the total thickness of the adhesive tape 12 is about 90-μm. At this time, the height amount is set to, for example, 60 μm. In this case, this height amount is achieved by controlling the penetration depth of the blade 9 to 30 μm.

第2図(A)、(B)を参照して、本発明の実施例によ
るスクライブ装置を説明する。第2図(A)は正面図、
第2図(B)は測面図である。
A scribing apparatus according to an embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 2(A) and 2(B). Figure 2 (A) is a front view;
FIG. 2(B) is a surface measurement diagram.

ダイアモンドの粉末を塗布したブレード1つが半導体ウ
ェハ13の上方より侵入し、半導体ウェハ13を切断し
て、半導体ウェハ下方の支持フィルム11に侵入する。
One blade coated with diamond powder enters the semiconductor wafer 13 from above, cuts the semiconductor wafer 13, and enters the support film 11 below the semiconductor wafer.

支持フィルム11の下方にはレーザ光源16と集光系1
8と受光器17からなる測定計が配置されている。すな
わち、光源16から発したレーザ光がブレード19の下
面に衝突し、反射すると、この反射した散乱光をレンズ
18で集光し、受光器17で受光する。受光強度が最大
の高さ位置からブレード19の下面の高さを測定する。
Below the support film 11 is a laser light source 16 and a condensing system 1.
A measuring meter consisting of a light receiver 8 and a light receiver 17 is arranged. That is, when the laser light emitted from the light source 16 collides with the lower surface of the blade 19 and is reflected, the reflected scattered light is collected by the lens 18 and received by the light receiver 17. The height of the lower surface of the blade 19 is measured from the height position where the received light intensity is maximum.

ブレードが侵入する前に、第2図(B)に示すように、
半導体ウェハ13と支持フィルム11との界面の高さを
予め測定しておくことにより、ブレード19が半導体ウ
ェハ13を切断した時に、その下面の測定し、半導体ウ
ェハ13の切断状況をモニタすることができる。このよ
うにして、粘着テープ上に配置した半導体ウェハの切断
状態をモニタすることによって、半導体ウェハのスクラ
イビング工程および、スクライブ用ブレードを最適の状
態に維持することができる。
Before the blade enters, as shown in Figure 2 (B),
By measuring the height of the interface between the semiconductor wafer 13 and the support film 11 in advance, when the blade 19 cuts the semiconductor wafer 13, the lower surface can be measured and the cutting status of the semiconductor wafer 13 can be monitored. can. By monitoring the cutting state of the semiconductor wafer placed on the adhesive tape in this manner, it is possible to maintain the semiconductor wafer scribing process and the scribing blade in an optimal state.

以上実施例に沿って説明したか、本発明はこれらに制限
されるものではない、たとえば、種々の変更、改良、組
み合わせ等が可能なことは当業者に自明て゛あろう。
Although the present invention has been described above with reference to the embodiments, it will be obvious to those skilled in the art that the present invention is not limited to these, and that, for example, various modifications, improvements, combinations, etc. can be made.

[発明の効果] 以上説明したように、本発明によれば、半導体ウェハの
裏面下方に、光源と受光器とを配置し、半導体ウェハの
下面および半導体ウェハを切断したブレードの下面をモ
ニタすることによって、スクライビング工程を適正な状
態に保つことかできる。このため後の工程の処理か容易
になり、スループットを上げることかできる。
[Effects of the Invention] As explained above, according to the present invention, a light source and a light receiver are disposed below the back surface of a semiconductor wafer, and the bottom surface of the semiconductor wafer and the bottom surface of the blade that cut the semiconductor wafer can be monitored. This allows the scribing process to be maintained in proper condition. Therefore, processing in subsequent steps becomes easier and throughput can be increased.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第1121(A)、(B)は本発明の実施例によるウェ
ハスクライブ工程を説明するための概略断面図、 第2図(A)、(B)は、本発明の突膝例によるスクラ
イブ装置を説明するための概略正面図および側面図であ
る。 図において、 1 2 3 6 7 8 ベースフィルム 粘着材層 半導体ウェハ ウェハチャック 光源 受光器 ブレード 入射光 反射光 半導体ウェハ レーザ光源 受光器 集光系 ([3)ブレ ト下面測定 実施例によi、ウニハスクライブ 第1図 (A)正面 (B)側面 スクライブ装置 第2図
1121(A) and 1121(B) are schematic cross-sectional views for explaining the wafer scribing process according to the embodiment of the present invention. FIGS. They are a schematic front view and a side view for explanation. In the figure, 1 2 3 6 7 8 Base film Adhesive material layer Semiconductor wafer Wafer Chuck Light source Receiver Blade Incident light Reflected light Semiconductor wafer Laser light source Light receiver Condensing system ([3] Bullet bottom surface measurement example i, Uni-hus scribe Figure 1 (A) Front view (B) Side scribing device Figure 2

Claims (3)

【特許請求の範囲】[Claims] (1)、半導体ウェハを半導体チップにスクライブする
方法であって、 透明部分(4)を有するウェハチャック(5)上に、粘
着層(2)を備えたベースフィルム(1)上に支持され
た半導体ウェハ(3)を配置する工程と、 該ベースフィルム(1)上に支持された半導体ウェハ(
3)の底面の高さをモニタする工程と、 スクライブ用ブレード(9)により該半導体ウェハ(3
)をスクライブした時に、該ブレード(9)の端部の高
さをモニタする工程と、該モニタしたブレード(9)端
部の高さを利用してベースフィルム(1)下面からブレ
ード(9)端部までのハイト量を制御する工程 を含む半導体ウェハのスクライブ方法。
(1) A method for scribing a semiconductor wafer into semiconductor chips, the wafer being supported on a base film (1) with an adhesive layer (2) on a wafer chuck (5) having a transparent portion (4). a step of placing a semiconductor wafer (3); and a step of placing a semiconductor wafer (3) supported on the base film (1).
The step of monitoring the height of the bottom surface of the semiconductor wafer (3) and the step of monitoring the height of the bottom surface of the semiconductor wafer (3) using the scribing blade (9).
), the height of the edge of the blade (9) is monitored when scribing the blade (9), and the blade (9) is scribed from the bottom surface of the base film (1) using the monitored height of the edge of the blade (9). A semiconductor wafer scribing method including a step of controlling the height to the edge.
(2)、前記半導体ウェハ(3)の底面の高さをモニタ
する工程と、前記ブレード(9)の端部の高さをモニタ
する工程とが前記ウェハチャック(5)の透明部分(4
)およびベースフィルム(1)を介して光を照射し、反
射光を検知して行われる請求項1記載の半導体ウェハの
スクライブ方法。
(2) The step of monitoring the height of the bottom surface of the semiconductor wafer (3) and the step of monitoring the height of the end of the blade (9) are performed on the transparent portion (4) of the wafer chuck (5).
2. The method for scribing a semiconductor wafer according to claim 1, wherein the method is performed by irradiating light through the base film (1) and detecting the reflected light.
(3)、透明部分(4)を有するウェハチャック(5)
部と、 該ウェハチャック(5)部の下に配置された光源(6)
と受光器(7)を含む光測定部であって、該ウェハチャ
ック部上に対象物が配置された時、その下面の高さを光
反射によって測定することのできる光測定部と を含む半導体ウェハのスクライブ装置。
(3), wafer chuck (5) with transparent portion (4)
a light source (6) disposed below the wafer chuck (5);
and an optical measuring section including a light receiver (7), which can measure the height of the lower surface of an object by light reflection when the object is placed on the wafer chuck section. Wafer scribing equipment.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20000043562A (en) * 1998-12-29 2000-07-15 김영환 Method for compensating position of scribe head
JP2018182127A (en) * 2017-04-17 2018-11-15 三菱電機株式会社 Dicing device

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20000043562A (en) * 1998-12-29 2000-07-15 김영환 Method for compensating position of scribe head
JP2018182127A (en) * 2017-04-17 2018-11-15 三菱電機株式会社 Dicing device

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