JP2865336B2 - Semiconductor wafer scribing method and scribing apparatus - Google Patents
Semiconductor wafer scribing method and scribing apparatusInfo
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Description
【発明の詳細な説明】 [概要] 半導体ウエハを半導体チップにスクライブする方法と
装置とに関し、 半導体ウエハを支持する粘着テープの下面からスクラ
イビング用のブレードの下面までのハイト量を適正に維
持することのできる半導体ウエハのスクライブ方法を提
供することを目的とし、 半導体ウエハを半導体チップにスクライブする方法で
あって、透明部分を有するウエハチャック上に、粘着層
を備えたベースフィルム上に支持された半導体ウエハを
配置する工程と、該ベースフィルム上に支持された半導
体ウエハの底面の高さをモニタする工程と、スクライブ
用ブレードにより該半導体ウエハをスクライブした時
に、該ブレードの端部の高さをモニタする工程と、該モ
ニタしたブレード端部の高さを利用してベースフィルム
下面からブレード端部までのハイト量を制御する工程を
含むように構成する。The present invention relates to a method and an apparatus for scribing a semiconductor wafer into semiconductor chips, and to appropriately maintain a height from a lower surface of an adhesive tape supporting a semiconductor wafer to a lower surface of a scribing blade. A method for scribing a semiconductor wafer into semiconductor chips, comprising: a semiconductor chuck supported on a base film provided with an adhesive layer on a wafer chuck having a transparent portion; Placing the wafer, monitoring the height of the bottom surface of the semiconductor wafer supported on the base film, and monitoring the height of the end of the blade when the semiconductor wafer is scribed by a scribing blade. And from the bottom surface of the base film using the height of the monitored blade end. It is configured to include a step of controlling the height amount up to the blade end.
[産業上の利用分野] 本発明は半導体装置の製造工程におけるウエハスクラ
イブに関し、特に半導体ウエハを半導体チップにスクラ
イブする方法と装置とに関する。半導体ウエハ上に多数
の半導体集積回路を作製した後、半導体ウエハは多数の
半導体チップにスクライブされる。スクライビングの工
程においては、半導体ウエハは粘着テープ上に貼り付け
られ、上方よりカッティングされる。この時、粘着テー
プの下面からスクライブ用のブレードの下面までの高
さ、すなわちハイト量を制御することが望まれる。The present invention relates to a wafer scribe in a manufacturing process of a semiconductor device, and more particularly to a method and an apparatus for scribing a semiconductor wafer on a semiconductor chip. After manufacturing a large number of semiconductor integrated circuits on a semiconductor wafer, the semiconductor wafer is scribed into a large number of semiconductor chips. In the scribing process, the semiconductor wafer is stuck on an adhesive tape and cut from above. At this time, it is desired to control the height from the lower surface of the adhesive tape to the lower surface of the scribing blade, that is, the height amount.
[従来の技術] 従来のウエハスクライビング工程においては、パイロ
ットウエハを粘着テープに貼り付け、スクライビング工
程を行った後、ハイト量を計測し、計測データをもとに
して所望のハイト量を得るようにスクライビング用の高
さを制御していた。ところが、スクライブ装置のブレー
ドの摩耗及びウエハ粘着テープの厚さのばらつき等によ
り、多数のウエハを処理する際には、ハイト量のばらつ
きが生じていた。[Prior art] In a conventional wafer scribing process, a pilot wafer is attached to an adhesive tape, and after performing a scribing process, a height amount is measured, and a desired height amount is obtained based on measurement data. The height for scribing was controlled. However, when a large number of wafers are processed, variations in the height amount occur due to wear of the blades of the scribing device and variations in the thickness of the wafer adhesive tape.
[発明が解決しようとする課題] 以上を説明した従来の技術によれば、半導体ウエハの
スクライブ工程において、ハイト量のばらつきが生じて
いた、ハイト量が大きすぎると、ブレードが半導体ウエ
ハの下面に到達せず、スクライビング工程が完了してい
ないため、半導体チップが分離できなかったり、半導体
チップの欠けが生じる、ハイト量が小さすぎると、ブレ
ードがテープに深く入りすぎ、粘着材等が半導体チップ
の側面に付着する、スクライブ工程の後に下から各半導
体チップを突き上げ、チャックやコレット等で半導体チ
ップを吸い上げ、リードフレーム上にダイスボンディン
グするDDB工程があるが、半導体チップの側面に粘着材
等が付着し、接着力が強くなっていると吸い上げ不良を
起こす。紫外線照射等で接着力を落とすことはできる
が、ばらつきがあると対応できない、また、場合によっ
てはブレードが直接ウエハチャックを損傷することも起
り得る。[Problems to be Solved by the Invention] According to the conventional technique described above, in the scribing process of the semiconductor wafer, the height amount has been varied. Since the scribing process has not been completed, the semiconductor chip cannot be separated or the chip of the semiconductor chip is generated because the scribing step has not been completed. There is a DDB process in which each semiconductor chip is pushed up from below after the scribing process, sucked up with a chuck or collet, and diced on the lead frame. If the adhesive strength is high, poor suction will occur. Although the adhesive strength can be reduced by irradiation with ultraviolet rays or the like, it cannot cope with variations, and in some cases, the blade may directly damage the wafer chuck.
本発明の目的は、半導体ウエハを支持する粘着テープ
の下面からスクライビング用のブレードの下面までのハ
イト量を適正に維持することのできる半導体ウエハのス
クライブ方法を提供することである。SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide a method for scribing a semiconductor wafer capable of appropriately maintaining a height from a lower surface of an adhesive tape supporting a semiconductor wafer to a lower surface of a scribing blade.
本発明の他の目的は、上述の半導体ウエハのスクライ
ブ方法を実施することのできるスクライブ装置を提供す
ることである。Another object of the present invention is to provide a scribe device capable of performing the above-described method for scribing a semiconductor wafer.
[課題を解決するための手段] 上記の問題を解決するため、半導体ウエハ下面より光
を照射し、半導体ウエハスクライブ用のブレードの下面
で反射をさせ、反射光を検出することによって、スクラ
イブ用ブレードの高さを検出する。[Means for Solving the Problems] In order to solve the above problem, a scribe blade is formed by irradiating light from the lower surface of a semiconductor wafer, reflecting the light on the lower surface of a semiconductor wafer scribing blade, and detecting the reflected light. Detect the height of
予め粘着テープと半導体ウエハとの界面を測定してお
くことにより、ブレードの下面がどこまで到達したかを
モニタすることができる。By measuring the interface between the adhesive tape and the semiconductor wafer in advance, it is possible to monitor how far the lower surface of the blade has reached.
スクライビング工程中にハイト量をモニタし、制御す
ることができるため、ハイト量を所望の値に安定に制御
することができる。Since the height can be monitored and controlled during the scribing process, the height can be stably controlled to a desired value.
従って、ハイト量のばらつきによるブレードの切込み
深さ不均一に基づく不都合を防止することができる。Therefore, it is possible to prevent inconvenience due to uneven cutting depth of the blade due to variation in the height amount.
[実施例] 第1図(A)、(B)は本発明の1実施例を示す。ウ
エハチャック5の一部には透明部材で形成された窓部4
が配置され、窓部4の下方にレーザ光源6と受光器7を
含む光測定計が配置されている。窓部4の上には、ポリ
オレフィン等で構成されたベースフィルム1と、ベース
フィルム1上に形成された粘着材の層2と、粘着材の層
2に粘着支持された半導体ウエハ3が配置される。すな
わち、半導体ウエハ3は粘着材の層2によってベースフ
ィルム1に貼り付けられ、ベースフィルム1はウエハチ
ャック5に適当に設けられた真空チャックの負圧によっ
てウエハチャック5上に保持される、レーザ等の光源6
から光11を発射し、必要に応じてレンズ等で集光し、半
導体ウエハ3の下面を照射する。半導体ウエハ3下面の
反射光12はレンズ等で集光され、受光器7で受光する。
たとえば、コリメートしたレーザ光を半導体ウエハ3の
下面に照射しつつ、固定焦点のレンズを備えた受光器7
を高さ方向に走査すると、所定の結像関係を満たす高さ
で最大の光強度を得る。この高さを測定することによ
り、半導体ウエハ3の下面の高さを測定することができ
る。また、ベースフィルム1の下面と半導体ウエハ3の
下面の平行度が保障される場合は、両面からの反射光の
干渉を利用することもできる。なお、光による高さ測定
はこれらの方法に限らない。Embodiment FIGS. 1A and 1B show an embodiment of the present invention. A window 4 made of a transparent material is provided on a part of the wafer chuck 5.
, And a photometer including a laser light source 6 and a light receiver 7 is disposed below the window 4. A base film 1 made of polyolefin or the like, an adhesive layer 2 formed on the base film 1, and a semiconductor wafer 3 adhesively supported by the adhesive layer 2 are arranged on the window 4. You. That is, the semiconductor wafer 3 is attached to the base film 1 by the adhesive layer 2, and the base film 1 is held on the wafer chuck 5 by the negative pressure of a vacuum chuck appropriately provided on the wafer chuck 5, such as a laser. Light source 6
The light 11 is emitted from the semiconductor wafer 3 and condensed by a lens or the like as necessary, and irradiates the lower surface of the semiconductor wafer 3. The reflected light 12 on the lower surface of the semiconductor wafer 3 is condensed by a lens or the like and received by the light receiver 7.
For example, while irradiating the collimated laser beam to the lower surface of the semiconductor wafer 3, the light receiver 7 having a fixed focus lens
Is scanned in the height direction, a maximum light intensity is obtained at a height that satisfies a predetermined imaging relationship. By measuring this height, the height of the lower surface of the semiconductor wafer 3 can be measured. If the parallelism between the lower surface of the base film 1 and the lower surface of the semiconductor wafer 3 is ensured, interference of light reflected from both surfaces can be used. The height measurement using light is not limited to these methods.
第1図(B)に示すように、このようにして準備した
半導体ウエハ3をブレード9によってスクライブする。
スクライブ工程においては、スクライブ用のブレード9
が半導体ウエハ3を研削し、下の粘着材層2およびベー
スフィルム1上層に到達する。この半導体ウエハ3を突
き抜けて出てくるブレード9の下面を光源6からの光線
11を照射してモニタする。すなわち、光線11がブレード
9の下面によって反射された先12を受光器7によって受
光し、ブレード9の下面の高さをモニタする。これによ
り、予め測定していた半導体ウエハ3の下面の高さ、ベ
ースフィルム1と粘着材層2との厚さからハイト量Hを
算出することができる。As shown in FIG. 1B, the semiconductor wafer 3 thus prepared is scribed by a blade 9.
In the scribing process, the scribing blade 9 is used.
Grinds the semiconductor wafer 3 and reaches the lower adhesive material layer 2 and the upper layer of the base film 1. The lower surface of the blade 9 which penetrates through the semiconductor wafer 3 and emerges from the light source 6
Irradiate 11 and monitor. That is, the tip 12 where the light beam 11 is reflected by the lower surface of the blade 9 is received by the light receiver 7 and the height of the lower surface of the blade 9 is monitored. Thereby, the height H can be calculated from the height of the lower surface of the semiconductor wafer 3 and the thickness of the base film 1 and the adhesive layer 2 which have been measured in advance.
たとえば、半導体ウエハスクライブ用のブレードは幅
約60μm、高さ約1.2mmの刃であり、半導体ウエハ3は
厚さ約490μm、粘着材層2の厚さはたとえば20μm、
ベースフィルム1の厚さは、たとえば約70μmである。
すなわち、粘着テープ1.2の厚さは合せて約90μmであ
る。この時にハイト量としてたとえば60μmを設定す
る。この場合、ブレード9の侵入深さを30μmに制御す
るとによってこのハイト量を実現する。For example, the blade for semiconductor wafer scribing is a blade having a width of about 60 μm and a height of about 1.2 mm, the semiconductor wafer 3 has a thickness of about 490 μm, and the adhesive layer 2 has a thickness of, for example, 20 μm.
The thickness of the base film 1 is, for example, about 70 μm.
That is, the thickness of the adhesive tape 1.2 is about 90 μm in total. At this time, for example, 60 μm is set as the height amount. In this case, this height amount is realized by controlling the penetration depth of the blade 9 to 30 μm.
第2図(A)、(B)を参照して、本発明の実施例に
よるスクライブ装置を説明する。第2図(A)は正面
図、第2図(B)は側面図である。ダイアモンドの粉末
を塗布したブレード19が半導体ウエハ13の上方より侵入
し、半導体ウエハ13を切断して、半導体ウエハ下方の支
持フィルム11に侵入する。支持フィルム11の下方にはレ
ーザ光源16と集光系18と受光器17からなる測定計が配置
されている。すなわち、光源16から発したレーザ光がブ
レード19の下面に衝突し、反射すると、この反射した散
乱光をレンズ18で集光し、受光器17で受光する。受光強
度が最大の高さ位置からブレード19の下面の高さを測定
する。ブレードが侵入する前に、第2図(B)に示すよ
うに、半導体ウエハ13と支持フィルム11との界面の高さ
を予め測定しておくことにより、ブレード19が半導体ウ
エハ13を切断した時に、その下面の測定し、半導体ウエ
ハ13の切断状況をモニタすることができる。このように
して、粘着テープ上に配置した半導体ウエハの切断状態
をモニタすることによって、半導体ウエハのスクライピ
ング工程および、スクライブ用ブレードを最適の状態に
維持することができる。A scribe device according to an embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. FIG. 2 (A) is a front view, and FIG. 2 (B) is a side view. A blade 19 coated with diamond powder enters from above the semiconductor wafer 13, cuts the semiconductor wafer 13, and enters the support film 11 below the semiconductor wafer. Below the support film 11, a measuring instrument including a laser light source 16, a light collecting system 18, and a light receiver 17 is arranged. That is, when the laser light emitted from the light source 16 collides with the lower surface of the blade 19 and is reflected, the reflected scattered light is collected by the lens 18 and received by the light receiver 17. The height of the lower surface of the blade 19 is measured from the height position where the received light intensity is maximum. Before the blade enters, the height of the interface between the semiconductor wafer 13 and the support film 11 is measured in advance as shown in FIG. By measuring the lower surface of the semiconductor wafer 13, the cutting state of the semiconductor wafer 13 can be monitored. In this manner, by monitoring the cutting state of the semiconductor wafer placed on the adhesive tape, the semiconductor wafer scribing step and the scribing blade can be maintained in the optimum state.
以上実施例に沿って説明したが、本発明はこれらに制
限されるものではない。たとえば、種々の変更、改良、
組み合わせ等が可能なことは当業者に自明であろう。Although the embodiments have been described above, the present invention is not limited to these embodiments. For example, various changes, improvements,
It will be obvious to those skilled in the art that combinations and the like are possible.
[発明の効果] 以上説明したように、本発明によれば、半導体ウエハ
の裏面下方に、光源と受光器とを配置し、半導体ウエハ
の下面および半導体ウエハを切断したブレードの下面を
モニタすることによって、スクライビング工程を適正な
状態に保つことができる、このため後の工程の処理が容
易になり、スループットを上げることができる。[Effects of the Invention] As described above, according to the present invention, a light source and a light receiver are arranged below the back surface of a semiconductor wafer, and the lower surface of the semiconductor wafer and the lower surface of the blade that cut the semiconductor wafer are monitored. Thereby, the scribing step can be maintained in an appropriate state. Therefore, the processing in the subsequent steps is facilitated, and the throughput can be increased.
第1図(A)、(B)は本発明の実施例によるウエハス
クライブ工程を説明するための概略断面図、 第2図(A)、(B)は、本発明の実施例によるスクラ
イブ装置を説明するための概略正面図および側面図であ
る。 図において、 1……ベースフイルム 2……粘着材層 3……半導体ウエハ 5……ウエハチャック 6……光源 7……受光器 9……ブレード 11……入射光 12……反射光 13……半導体ウエハ 16……レーザ光源 17……受光器 18……集光系 19……ブレード1A and 1B are schematic cross-sectional views for explaining a wafer scribing process according to an embodiment of the present invention, and FIGS. 2A and 2B are diagrams illustrating a scribing apparatus according to an embodiment of the present invention. It is the schematic front view and side view for description. In the figure, 1 ... Base film 2 ... Adhesive layer 3 ... Semiconductor wafer 5 ... Wafer chuck 6 ... Light source 7 ... Light receiver 9 ... Blade 11 ... Incident light 12 ... Reflected light 13 ... Semiconductor wafer 16 Laser light source 17 Photodetector 18 Focusing system 19 Blade
Claims (3)
する方法であって、 透明部分(4)を有するウエハチャック(5)上に、粘
着層(2)を備えたベースフィルム(1)上に支持され
た半導体ウエハ(3)を配置する工程と、 該ベースフィルム(1)上に支持された半導体ウエハ
(3)の底面の高さをモニタする工程と、 スクライブ用ブレード(9)により該半導体ウエハ
(3)をスクライブした時に、該ブレード(9)の端部
の高さをモニタする工程と、 該モニタしたブレード(9)端部の高さを利用してベー
スフィルム(1)下面からブレード(9)端部までのハ
イト量を制御する工程 を含む半導体ウエハのスクライブ方法。1. A method for scribing a semiconductor wafer into semiconductor chips, comprising: a wafer chuck (5) having a transparent portion (4), supported on a base film (1) having an adhesive layer (2). Disposing the semiconductor wafer (3), monitoring the height of the bottom surface of the semiconductor wafer (3) supported on the base film (1), and scribing the semiconductor wafer (3) with a scribing blade (9). 3) monitoring the height of the end of the blade (9) when scribing 3); and using the monitored height of the end of the blade (9) to cut the blade (9) from the lower surface of the base film (1). A method for scribing a semiconductor wafer including a step of controlling a height amount to an end.
ニタする工程と、前記ブレード(9)の端部の高さをモ
ニタする工程とが前記ウエハチャック(5)の透明部分
(4)およびベースフィルム(1)を介して光を照射
し、反射光を検知して行われる請求項1記載の半導体ウ
エハのスクライブ方法。2. The step of monitoring the height of the bottom surface of the semiconductor wafer (3) and the step of monitoring the height of the end of the blade (9) comprise a transparent portion (4) of the wafer chuck (5). 2. The method for scribing a semiconductor wafer according to claim 1, wherein the method is performed by irradiating light through the base film and the base film and detecting reflected light.
(5)部と、 該ウエハチャック(5)部の下に配置された光源(6)
と受光器(7)を含む光測定部であって、該ウエハチャ
ック部上にウエハあるいはブレードが配置された時、そ
の下面の高さを光反射によって測定することのできる光
測定部と を含む半導体ウエハのスクライブ装置。3. A wafer chuck (5) having a transparent portion (4), and a light source (6) disposed below the wafer chuck (5).
And a light measuring unit including a light receiver (7), which can measure the height of the lower surface of the wafer or blade by light reflection when the wafer or the blade is disposed on the wafer chuck unit. Scribing device for semiconductor wafers.
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Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP31568889A JP2865336B2 (en) | 1989-12-05 | 1989-12-05 | Semiconductor wafer scribing method and scribing apparatus |
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JPH03177049A JPH03177049A (en) | 1991-08-01 |
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JP6708159B2 (en) * | 2017-04-17 | 2020-06-10 | 三菱電機株式会社 | Dicing machine |
-
1989
- 1989-12-05 JP JP31568889A patent/JP2865336B2/en not_active Expired - Fee Related
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