JPH03175428A - Liquid crystal light valve - Google Patents
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Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は光情報処理などに使われる、光信号を別の光信
号に変換する光書き込み型の液晶ライトバルブに関する
。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Field of Industrial Application] The present invention relates to an optical writing type liquid crystal light valve that is used in optical information processing and converts an optical signal into another optical signal.
液晶ライトバルブはデイスプレィや光情報処理に使われ
る空間光変調素子である。従来の光書き込み型液晶ライ
トバルブのうち本発明の液晶ライトバルブと同様にフォ
トダイオードとコンデンサによる構成のアナログ出力部
を有するものについては、例えば特願平１−１０５３０
７ ｒ液晶ライトバルブ」に詳しく述べられている。第
５図にこの等価回路を示す。A liquid crystal light valve is a spatial light modulation element used in displays and optical information processing. Among the conventional optical writing type liquid crystal light valves, those having an analog output section composed of a photodiode and a capacitor like the liquid crystal light valve of the present invention are disclosed in, for example, Japanese Patent Application No. 1-10530.
7 r Liquid Crystal Light Valve”. FIG. 5 shows this equivalent circuit.
図に於て１０１はフォトダイオード、１０２はコンデン
サ、１１１，１１２は薄膜トランジスタで、１１１が負
荷トランジスタ、１１２が駆動トランジスタである。こ
れらは両者でインバータを形成する。１０６は高圧側電
極、１０７は低圧側電極、１０４は液晶、１１０は対向
する基板上の対向電極である。また、１０８．１０９は
それぞれ書き込み光と読み出し光を示す。In the figure, 101 is a photodiode, 102 is a capacitor, 111 and 112 are thin film transistors, 111 is a load transistor, and 112 is a drive transistor. These both form an inverter. 106 is a high voltage side electrode, 107 is a low voltage side electrode, 104 is a liquid crystal, and 110 is a counter electrode on an opposing substrate. Further, 108 and 109 indicate a writing light and a reading light, respectively.
第５図に示すようにフォトダイオード１０１とコンデン
サ１０２からなるアナログ出力部において、高圧側型１
１０６と低圧側電極１０７で決まる電圧がフォトダイオ
ードに対して逆バイアスで印加されている。フォトダイ
オードに書き込み光１０８を照射すると、光の強度に応
じた電流をフォトダイオード１０１が発生し、その電流
はコンデンサ１０２に蓄えられる。フォトダイオードは
線形性が優れており、入射光量に比例した出力が得られ
る。この出力電圧が、１１１．１１２で形成されるイン
バータ部の入力となる。この入力がインバータの駆動ト
ランジスタ１１２のしきい値電圧を越えたか否かで駆動
トランジスタをＯＮ、ＯＦＦすることができる。ＯＮの
場合はほぼ低圧側電極の電圧が、ＯＦＦの場合は高圧側
電極の電位より負荷トランジスタ１１１のしきい値分だ
け低い電圧が出力される。このようにフォトダイオード
への書き込み光１０８のＯＮ１０ Ｆ Ｆによって液晶
にかかる電圧が変化し、液晶の配向状態は変化する。し
たがって、液晶ライトバルブに対して２枚の偏向板をク
ロスニコルに設置することによって読み出し光１０９を
強度変調することができる。As shown in FIG. 5, in the analog output section consisting of a photodiode 101 and a capacitor 102,
106 and a voltage determined by the low voltage side electrode 107 is applied to the photodiode with a reverse bias. When the photodiode is irradiated with write light 108, the photodiode 101 generates a current corresponding to the intensity of the light, and the current is stored in the capacitor 102. Photodiodes have excellent linearity and can provide output proportional to the amount of incident light. This output voltage becomes the input to the inverter section formed by 111 and 112. The drive transistor can be turned on or off depending on whether this input exceeds the threshold voltage of the drive transistor 112 of the inverter. In the case of ON, the voltage of the low voltage side electrode is approximately output, and in the case of OFF, a voltage lower than the potential of the high voltage side electrode by the threshold value of the load transistor 111 is output. In this way, the voltage applied to the liquid crystal changes depending on the ON10FF of the writing light 108 to the photodiode, and the alignment state of the liquid crystal changes. Therefore, the readout light 109 can be intensity-modulated by installing two deflection plates in a crossed nicol configuration with respect to the liquid crystal light valve.
この時出力電圧はコンデンサ１０２が自然に放電するま
である一定時間保持される。完全にリセットするために
は高圧側電極１０６と低圧側型１１０７をショートさせ
る。At this time, the output voltage is maintained for a certain period of time until the capacitor 102 naturally discharges. In order to completely reset, the high voltage side electrode 106 and the low voltage side mold 1107 are shorted.
この従来型の液晶ライトバルブの課題はコンデンサ１０
２のリセット方法である。完全にリセットするためには
高圧側電極１０６と低圧側電極１０７をショートさせる
と良く、この時の放電時間はほぼフォトダイオードのＯ
ＦＦ抵抗Ｒとコンデンサの容量Ｃの積で決まる。しかし
ながらフォトダイオードのＯＦＦ抵抗が非常に大きいた
め、時定数も大きくなり、リセットにかなりの時間を要
する。The problem with this conventional LCD light valve is that the capacitor 10
This is the second reset method. In order to completely reset, it is best to short-circuit the high-voltage side electrode 106 and the low-voltage side electrode 107, and the discharge time at this time is approximately equal to the O of the photodiode.
It is determined by the product of FF resistance R and capacitor capacitance C. However, since the OFF resistance of the photodiode is very large, the time constant is also large, and it takes a considerable amount of time to reset.
本発明は上記従来型液晶ライトバルブの欠点を除去せし
め、リセット方法の簡単かつ高速な液晶ライトバルブを
提供することを目的とする。SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to eliminate the drawbacks of the conventional liquid crystal light valve and to provide a liquid crystal light valve with a simple and fast reset method.
本発明は、透明絶縁性基板上に、画素ごとに分離形成さ
れ、この各画素がフォトダイオードとコンデンサの直列
接続で成るアナログ出力部と、この出力を入力とするイ
ンバータ回路とから構成された列状、あるいは２次元マ
トリックス状に配置された液晶駆動回路基板と、この液
晶駆動回路基板に対向配置した透明電極付きガラス基板
と、前記２つの基板間に挟まれた液晶とからなる液晶ラ
イトバルブにおいて、該コンデンサに並列に薄膜トラン
ジスタを設けたことを特徴としている。In the present invention, each pixel is formed separately on a transparent insulating substrate, and each pixel is a column composed of an analog output section consisting of a photodiode and a capacitor connected in series, and an inverter circuit that receives this output as input. In a liquid crystal light valve, the liquid crystal light valve includes a liquid crystal drive circuit board arranged in a shape or a two-dimensional matrix, a glass substrate with a transparent electrode arranged opposite to the liquid crystal drive circuit board, and a liquid crystal sandwiched between the two substrates. , is characterized in that a thin film transistor is provided in parallel with the capacitor.
本発明の液晶ライトバルブでは、書き込み光に応じた電
荷を蓄えるコンデンサに対し並列にリセット用の薄膜ト
ランジスタが設けられている。In the liquid crystal light valve of the present invention, a thin film transistor for resetting is provided in parallel to a capacitor that stores charge according to write light.
このリセット用の薄膜トランジスタのゲート電極にしき
い値以上の電圧を印加すれば薄膜トランジスタはオン状
態になり、電荷は瞬時に放電される。したがって、従来
型の液晶ライトバルブよりも簡単かつ高速なリセットが
可能な液晶ライトバルブが実現できる。When a voltage equal to or higher than the threshold voltage is applied to the gate electrode of this reset thin film transistor, the thin film transistor is turned on and the charge is instantly discharged. Therefore, it is possible to realize a liquid crystal light valve that can be reset more easily and faster than conventional liquid crystal light valves.
次に図面を参照して実施例について説明する。 Next, embodiments will be described with reference to the drawings.
第１図は本液晶ライトバルブの等価回路図、第２図は液
晶ライトバルブの構造の一例を示す平面図、第３図、第
４図はそれぞれ第２図のＩＩＩＡ−ＩＩＩＡ、ＩＶＢ−
ＩＶＢにおける断面を示す図である。Fig. 1 is an equivalent circuit diagram of this liquid crystal light valve, Fig. 2 is a plan view showing an example of the structure of the liquid crystal light valve, and Figs. 3 and 4 are IIIA-IIIA and IVB- of Fig. 2, respectively.
It is a figure which shows the cross section in IVB.
ただし、第４図では液晶、対向基板などは省略しである
。また、ＩＶＢ−ＩＶＢは第２図のリセット用トランジ
スタの断面を示しているが負荷トランジスタ、駆動トラ
ンジスタについても全く同一の断面形状である。However, in FIG. 4, the liquid crystal, counter substrate, etc. are omitted. Further, although IVB-IVB shows the cross section of the reset transistor in FIG. 2, the load transistor and the drive transistor have exactly the same cross-sectional shape.
図に於て、１０１はフォトダイオード、１０２はコンデ
ンサ、１０３，１１１，１１２は薄膜トランジスタで１
０３がリセット用トランジスタ、１１１は負荷トランジ
スタ、１１２は駆動トランジスタである。１０４は液晶
である。１０５はリセット用トランジスタ１０３のゲー
ト電極であってリセット用電極、１０６は高圧測電極、
１０７は低圧側電極、１１０は対向する基板上の対向電
極である。１０８は書き込み光、１０９は読み出し光で
ある。２０１は出力電極と画素電極を接続するコンタク
トホール、２０３はリセット用トランジスタ１０３のゲ
ート電極とリセット電極１０５を接続するコンタクトホ
ール、２０２は画素電極である。３０２はフォトダイオ
ード透明導電性電極、３０３はフォトダイオード光吸収
層、３０４はコンデンサ、３０１，３０５゜３０６は電
極間絶縁性膜、３０７は透明導電性膜、３０８，３０９
はガラス基板、３１０はコンタクトホール、３１１はフ
ォトダイオード電極、４０１は薄膜トランジスタ活性層
、４０２゜４０４はソース、ドレイン電極、４０３はゲ
ート絶縁膜である。In the figure, 101 is a photodiode, 102 is a capacitor, and 103, 111, and 112 are thin film transistors.
03 is a reset transistor, 111 is a load transistor, and 112 is a drive transistor. 104 is a liquid crystal. 105 is a gate electrode of the reset transistor 103, which is a reset electrode; 106 is a high voltage measuring electrode;
107 is a low voltage side electrode, and 110 is a counter electrode on the opposing substrate. 108 is a writing light, and 109 is a reading light. 201 is a contact hole connecting the output electrode and the pixel electrode, 203 is a contact hole connecting the gate electrode of the reset transistor 103 and the reset electrode 105, and 202 is the pixel electrode. 302 is a photodiode transparent conductive electrode, 303 is a photodiode light absorption layer, 304 is a capacitor, 301, 305, 306 is an interelectrode insulating film, 307 is a transparent conductive film, 308, 309
3 is a glass substrate, 310 is a contact hole, 311 is a photodiode electrode, 401 is a thin film transistor active layer, 402 and 404 are source and drain electrodes, and 403 is a gate insulating film.
実施例ではフォトダイオードをショットキーバリア型と
し、薄膜トンジスタをポリシリコンで形成しているが、
フォトダイオードはｐｎ型やｐｉｎ型でもかまわない。In the example, the photodiode is a Schottky barrier type, and the thin film transistor is made of polysilicon.
The photodiode may be of pn type or pin type.
また薄膜トランジスタは、非晶質シリコンでもよい、製
造プロセスは以下に示す通りである。Further, the thin film transistor may be made of amorphous silicon, and the manufacturing process is as shown below.
まず基板温度６００℃で減圧気相成長法（ＬＰＧＶＤ）
により１５００オングストロームの多結晶シリコン膜を
ガラス基板９の上に形戒し、その後イオン注入を行いｎ
＋型多結晶シリコン膜とする。これをパターンニングし
て、薄膜トランジスタのソース、ドレイン電極４０２と
する。First, low pressure vapor phase growth (LPGVD) was performed at a substrate temperature of 600°C.
A polycrystalline silicon film of 1500 angstroms was formed on the glass substrate 9 using the method described above, and then ions were implanted.
A + type polycrystalline silicon film is used. This is patterned to form the source and drain electrodes 402 of the thin film transistor.
次に同じ＜ＬＰＧＶＤで２０００オングストロームの多
結晶シリコン膜を形成し、連続してこの上に２０００オ
ングストロームの酸化シリコン電極間絶縁性膜３０１を
形成した後、パターンニングを行いトランジスタ活性層
４０１とゲート絶縁膜４０３とする。また、３０１はコ
ンデンサ１０２の誘電体ともなる。Next, a 2000 angstrom polycrystalline silicon film is formed using the same <LPGVD method, and a 2000 angstrom silicon oxide inter-electrode insulating film 301 is continuously formed on this film, followed by patterning to insulate the transistor active layer 401 and the gate. A film 403 is used. Further, 301 also serves as a dielectric of the capacitor 102.
次に、１０００オングストロームのＩＴ○をスパッタに
より成膜し、フォトダイオードの一方の電極３０２を形
成する。コンタクトホール３１０などを形成後、３００
０オングストロームのクロムをスパッタにより形戒し、
これをパターンニングしてコンデンサ電極３０４及び薄
膜トランジスタのソース、ドレイン電極４０４とする。Next, a film of 1000 angstroms of IT◯ is formed by sputtering to form one electrode 302 of the photodiode. After forming contact holes 310, etc., 300
0 angstrom chromium is formed by sputtering,
This is patterned to form the capacitor electrode 304 and the source and drain electrodes 404 of the thin film transistor.
次にシランを分解して１００００オングストローム（１
μｍ）の非晶質シリコンを形成する。Next, the silane is decomposed into 10,000 angstroms (1
µm) of amorphous silicon.
さらに前記したのと同じスパッタによりクロムを成膜し
パターンニングしてフォトダイオード電極３１１とフォ
トダイオード光吸収層３０３とする。Further, a chromium film is formed and patterned by the same sputtering method as described above to form the photodiode electrode 311 and the photodiode light absorption layer 303.
次に窒化シリコンを６０００オングストローム成膜し電
極間絶縁性Ｍ３０５とする。再びコンタクトホールを形
成後アルミニウムをスパッタで６０００オングストロー
ム成膜し、パターンニングして高圧側型１１０６、低圧
側電極１０７などを形成する。Next, a 6000 angstrom film of silicon nitride is formed to provide interelectrode insulation M305. After forming a contact hole again, a 6000 angstrom film of aluminum is formed by sputtering and patterned to form a high voltage side mold 1106, a low voltage side electrode 107, etc.
次にこの上に窒化シリコン膜からなる層間絶縁膜３０６
を形成し、コンタクトホール２０１゜２０３を形成する
。さらにこの上に５０００オングストロームのアルミニ
ウムを蒸着しパターンニングして画素電極２０２とリセ
ット電極１０５を形成する。さらに透明導電性膜３０７
付きのガラス基板３０８で液晶を挟み、本発明の液晶ラ
イトバルブが完成する。Next, an interlayer insulating film 306 made of a silicon nitride film is placed on top of this.
, and contact holes 201 and 203 are formed. Further, 5000 angstroms of aluminum is deposited on this and patterned to form the pixel electrode 202 and the reset electrode 105. Furthermore, a transparent conductive film 307
The liquid crystal light valve of the present invention is completed by sandwiching the liquid crystal between the attached glass substrates 308.
液晶としては高速性のため強誘電性液晶を用いた。なお
書き込み光１０８はガラス基板３０９側から、読み出し
光１０９はガラス基板３０８側から入射する。A ferroelectric liquid crystal was used as the liquid crystal because of its high speed. Note that the write light 108 enters from the glass substrate 309 side, and the read light 109 enters from the glass substrate 308 side.
電極間絶縁性膜にはこの実施例の他にポリイミドなどの
有機性絶縁材料も用いることができる。In addition to this embodiment, an organic insulating material such as polyimide can also be used for the interelectrode insulating film.
また、多結晶シリコンの生成にも低温でのＬＰＧＶＤや
高真空蒸着法（ＭＢＤ）により非晶質シリコンを形成し
その後固相成長やレーザアニールなどで多結晶化する方
法もある。Furthermore, there is also a method for producing polycrystalline silicon by forming amorphous silicon by low-temperature LPGVD or high vacuum deposition (MBD), and then polycrystalizing it by solid phase growth, laser annealing, or the like.
ま−た第１図ではリセット電極はすべて共通であるが列
ごとに分割することも可能である。Also, in FIG. 1, all the reset electrodes are common, but it is also possible to divide them into columns.
次に、本実施例の動作について第１図を用いて説明する
。基本的な動作は従来例とほぼ同様である。まずコンデ
ンサ１０２に電荷が蓄えられていない状態で書き込み光
１０８をフォトダイオード１０１に照射すると、光の強
度に応じた電流をフォトダイオードが発生し、その電流
はコンデンサ１０２に蓄えられる。この出力電圧が、１
１１．１１２で形成されるインバータ部の入力となる。Next, the operation of this embodiment will be explained using FIG. 1. The basic operation is almost the same as the conventional example. First, when the photodiode 101 is irradiated with write light 108 in a state where no charge is stored in the capacitor 102, the photodiode generates a current corresponding to the intensity of the light, and the current is stored in the capacitor 102. This output voltage is 1
It becomes the input of the inverter section formed by 11 and 112.
この入力がインバータの駆動トランジスタ１１２のしき
い値電圧を越えたか否かで駆動トランジスタを○Ｎ１０
ＦＦすることができる。The drive transistor is set to ○N10 depending on whether this input exceeds the threshold voltage of the drive transistor 112 of the inverter.
Can be FF.
ＯＮの場合はほぼ低圧側電極の電圧が、ＯＦＦの場合は
高圧側電極の電位より負荷トランジスタ１１１のしきい
値分だけ低い電圧が出力される。このようにフォトダイ
オードへの書き込み光１０８の０Ｎ１０ＦＦによって液
晶にかかる電圧が変化し、液晶の配向状態は変化する。In the case of ON, the voltage of the low voltage side electrode is approximately output, and in the case of OFF, a voltage lower than the potential of the high voltage side electrode by the threshold value of the load transistor 111 is output. In this way, the voltage applied to the liquid crystal changes depending on the 0N10FF of the writing light 108 to the photodiode, and the alignment state of the liquid crystal changes.
この出力電圧の変化に従い、液晶の配向状態も変化する
。According to this change in output voltage, the alignment state of the liquid crystal also changes.
よって、読み出し光を書き込み光に応じて変調すること
ができる。なお、このときリセット電極１０５にはリセ
ット用トランジスタ１０３の閾値以下の電圧しか掛かっ
ていない。Therefore, the read light can be modulated according to the write light. Note that at this time, only a voltage lower than the threshold of the reset transistor 103 is applied to the reset electrode 105.
次に新たな書き込み光を与えるときはコンデンサに蓄え
られた電荷を放電し、リセットを行なわなければならな
い。リセットするためには、リセット電極１０５にリセ
ット用トランジスタ１０３の閾値以上の電圧を印加する
。リセット用トランジスタがＯＮするとそのときの抵抗
値は極めて小さくなり、瞬時にコンデンサ１０２に蓄え
られていた電荷は放電される。このように、従来は高圧
側電極１０６と低圧側電極１０７をショートさせなけれ
ばリセッｌ〜が行えなかったのに対し、本発明ではコン
デンサと並列の薄膜トランジスタを形成し、その薄膜ト
ランジスタのゲート電極にある閾値以上の電圧を加える
ことでリセットを行うことができる。この時のリセット
は簡単かつ高速である。When applying new writing light next time, the charge stored in the capacitor must be discharged and reset must be performed. In order to reset, a voltage higher than the threshold of the reset transistor 103 is applied to the reset electrode 105. When the reset transistor is turned on, the resistance value at that time becomes extremely small, and the charge stored in the capacitor 102 is instantly discharged. In this way, in the past, resetting could not be performed without shorting the high-voltage side electrode 106 and the low-voltage side electrode 107, but in the present invention, a thin film transistor is formed in parallel with the capacitor, and the gate electrode of the thin film transistor is Resetting can be performed by applying a voltage equal to or higher than the threshold value. Resetting at this time is easy and fast.
〔発明の効果〕
従来の技術の課題であるリセット方法は、本発明の実施
例に示したように液晶駆動部にコンデンサと並列の薄膜
トランジスタを形成することで従来のものに比べ簡単化
され、速度に関しても半値から言値以上の高速化が確認
できた。[Effects of the Invention] The reset method, which is a problem in the conventional technology, can be simplified and speeded up by forming a thin film transistor in parallel with the capacitor in the liquid crystal drive section as shown in the embodiment of the present invention. We also confirmed that the speed was increased from half price to more than the asking price.
以上説明したように本発明によればリセット方法が簡単
かつ高速な液晶ライトバルブを得ることができ、工業的
に非常に有用である。As explained above, according to the present invention, it is possible to obtain a liquid crystal light valve with a simple and fast reset method, which is very useful industrially.
第１図は本発明の一実施例の液晶ライトバルブの等価回
路の一例を示す図、第２図はその液晶ライトバルブの構
造の一例を説明するための平面図、第３図、第４図は第
２図のＩＡ−１［Ａ、■Ｂ−ＩＶＢの断面図、第５図は
従来の液晶ライトバルブを示す図である。
１０１・・・フォトダイオード、１０２・・・コンデン
サ、１０Ｂ・・・リセット用トランジスタ、１０４・・
・液晶、１０５・・・リセット用電極、１０６・・・高
圧側電極、１０７・・・低圧側電極、１０８・・・書き
込み光、１０９・・・読み出し光、１１０・・・対向電
極、１１１・・・負荷トランジスタ、１１２・・・駆動
トランジスタ、２０１，２０３・・・コンタクトホール
、２０２・・・画素電極、３０２・・・フォトダイオー
ド透明導電性電極、３０３・・・フォトダイオード光吸
収層、３０４・・・コンデンサ電°極、３０１，３０５
゜３０６・・・電極間絶縁性膜、３０７・・・透明導電
性膜、３０８，３０９・・・ガラス基板、３１０・・・
コンタクトホール、３１１・・・フォトダイオード電極
、４０１・・・薄膜トランジスタ活性層、４０２゜４０
４・・・ソース、
ドレイン電極、
３・・・ゲート
絶縁膜。Fig. 1 is a diagram showing an example of an equivalent circuit of a liquid crystal light valve according to an embodiment of the present invention, Fig. 2 is a plan view for explaining an example of the structure of the liquid crystal light valve, Figs. is a sectional view taken along line IA-1[A, 2B-IVB in FIG. 2, and FIG. 5 is a diagram showing a conventional liquid crystal light valve. 101... Photodiode, 102... Capacitor, 10B... Reset transistor, 104...
- Liquid crystal, 105... Reset electrode, 106... High voltage side electrode, 107... Low voltage side electrode, 108... Writing light, 109... Reading light, 110... Counter electrode, 111... ...Load transistor, 112...Drive transistor, 201, 203...Contact hole, 202...Pixel electrode, 302...Photodiode transparent conductive electrode, 303...Photodiode light absorption layer, 304 ...Capacitor electrode, 301,305
306... Interelectrode insulating film, 307... Transparent conductive film, 308, 309... Glass substrate, 310...
Contact hole, 311... Photodiode electrode, 401... Thin film transistor active layer, 402°40
4... Source, drain electrode, 3... Gate insulating film.
Claims (1)
画素がフォトダイオードとコンデンサの直列接続で成る
アナログ出力部と、この出力を入力とするインバータ回
路とから構成された列状、あるいは２次元マトリックス
状に配置された液晶駆動回路基板と、この液晶駆動回路
基板に対向配置した透明電極付きガラス基板と、前記２
つの基板間に挟まれた液晶とからなる液晶ライトバルブ
において、該コンデンサに並列に薄膜トランジスタを設
けたことを特徴とする液晶ライトバルブ。Each pixel is formed separately on a transparent insulating substrate, and each pixel consists of an analog output section consisting of a photodiode and a capacitor connected in series, and an inverter circuit that receives this output as input. a liquid crystal drive circuit board arranged in a dimensional matrix; a glass substrate with transparent electrodes arranged opposite to the liquid crystal drive circuit board;
1. A liquid crystal light valve comprising a liquid crystal sandwiched between two substrates, characterized in that a thin film transistor is provided in parallel with the capacitor.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1315832A JPH03175428A (en) | 1989-12-04 | 1989-12-04 | Liquid crystal light valve |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1315832A JPH03175428A (en) | 1989-12-04 | 1989-12-04 | Liquid crystal light valve |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03175428A true JPH03175428A (en) | 1991-07-30 |
Family
ID=18070108
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1315832A Pending JPH03175428A (en) | 1989-12-04 | 1989-12-04 | Liquid crystal light valve |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03175428A (en) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH11160729A (en) * | 1997-11-27 | 1999-06-18 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Liquid crystal display element with image reading function and image reading method |
| JP2005101621A (en) * | 2000-01-31 | 2005-04-14 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | Process for manufacturing display |
| JP2007299012A (en) * | 2007-07-24 | 2007-11-15 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | Display device |
| US7859621B2 (en) | 1997-10-20 | 2010-12-28 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Integral-type liquid crystal panel with image sensor function |
| US8456459B2 (en) | 2000-01-31 | 2013-06-04 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Adhesion type area sensor and display device having adhesion type area sensor |
-
1989
- 1989-12-04 JP JP1315832A patent/JPH03175428A/en active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7859621B2 (en) | 1997-10-20 | 2010-12-28 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Integral-type liquid crystal panel with image sensor function |
| JPH11160729A (en) * | 1997-11-27 | 1999-06-18 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Liquid crystal display element with image reading function and image reading method |
| JP2005101621A (en) * | 2000-01-31 | 2005-04-14 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | Process for manufacturing display |
| US8456459B2 (en) | 2000-01-31 | 2013-06-04 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Adhesion type area sensor and display device having adhesion type area sensor |
| US8830217B2 (en) | 2000-01-31 | 2014-09-09 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Adhesion type area sensor and display device having adhesion type area sensor |
| JP2007299012A (en) * | 2007-07-24 | 2007-11-15 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | Display device |
| JP4700659B2 (en) * | 2007-07-24 | 2011-06-15 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | Liquid crystal display |
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