JPH03174802A - Method and apparatus for automatic tuning for microwave circuit for generating plasma - Google Patents

Method and apparatus for automatic tuning for microwave circuit for generating plasma

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JPH03174802A
JPH03174802A JP1312874A JP31287489A JPH03174802A JP H03174802 A JPH03174802 A JP H03174802A JP 1312874 A JP1312874 A JP 1312874A JP 31287489 A JP31287489 A JP 31287489A JP H03174802 A JPH03174802 A JP H03174802A
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Abstract

PURPOSE:To allow the device to cope with a plasma load by applying tuning to a tuning object value to which a constant giving a travelling wave, reflecting wave or standing wave state avoiding the discontinuous point of a load impedance and closest at least to the matching point is set. CONSTITUTION:An automatic tuning device consists of a waveguide 1, standing wave detectors 6a-6c, a tuning controller 7, a stub drive motors M1-M3 and stubs S1-S3. Then the tuning is applied to a tuning object value to which a constant giving a travelling wave, reflecting wave or standing wave state avoiding the discontinuous point of a load impedance and closest at least to the matching point is set. Thus, the tuning is a nonlinear load like a plasma load.

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、プラズマ発生用マイクロ波回路の自動チュー
ニング装置に関するものである。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Field of Industrial Application] The present invention relates to an automatic tuning device for a microwave circuit for plasma generation.

〔従来の技術と発明が解決しようとする問題点〕第16
図は、マイクロ波回路に用いられる従来のスタブによる
自動整合装置を示す概略構成図である。図において、1
はマイクロ波を通過させるための導波管、2a〜2eは
5本のアンテナからなる定在波検出器であって、適宜の
間隔で導波管1の長手方向に配置されている。3a〜3
dはスタブであって、3a、3bを組とする第1の複合
スタブと3c、3dを組とする第2の複合スタブとが適
宜の間隔で配置され、かっ導波管壁から管内に挿入引出
し自在になるように取付けられている。
[Problems to be solved by conventional technology and invention] No. 16
The figure is a schematic configuration diagram showing a conventional automatic matching device using a stub used in a microwave circuit. In the figure, 1
2 is a waveguide for passing microwaves, and 2a to 2e are standing wave detectors consisting of five antennas, which are arranged at appropriate intervals in the longitudinal direction of the waveguide 1. 3a-3
d is a stub, in which a first composite stub consisting of a pair of 3a and 3b and a second composite stub consisting of a pair of 3c and 3d are arranged at appropriate intervals, and are inserted into the pipe from the waveguide wall. The drawer is installed so that it can be pulled out freely.

Ml、M2はスタブ3a、3b及び3c、3dをシーソ
ー運動させるためのスタブ駆動用モータ、20は整合用
制御装置である。
Ml and M2 are stub drive motors for causing the stubs 3a, 3b, 3c, and 3d to see-saw, and 20 is an alignment control device.

以上のような構成において、定在波検出器2a〜2eで
検出される出力電圧 V a −V eから求められる
vA−vb−vd及び V B −1/2(V e+V
a)−VcのVA、VBとが直交しているので、これら
の出力でそれぞれスタブ駆動用モータMl。
In the above configuration, vA-vb-vd and VB-1/2 (Ve+V
a) Since VA and VB of -Vc are orthogonal to each other, these outputs drive the stub drive motor Ml.

M2を回転させ、VA、VBが共に零になるように、ス
タブ3a、3b及び3c、3dを調整して、負荷のイン
ピーダンス整合を行っている(特開昭63−15502
号)。
The impedance matching of the load is performed by rotating M2 and adjusting the stubs 3a, 3b, 3c, and 3d so that both VA and VB become zero (Japanese Patent Application Laid-Open No. 15502-1982).
issue).

しかしながら、上記の自動整合装置をプラズマを利用し
た半導体製造装置等に採用した場合、次の問題点が発生
する。
However, when the above-mentioned automatic alignment device is employed in semiconductor manufacturing equipment using plasma, the following problems occur.

すなわち、−膜内にプラズマ負荷は、非線形すなわち第
17図に示すように、マイクロ波パワーを増減させると
、プラズマ負荷のインピーダンス1z1が変化し、また
I21に不連続点f、、f2が生じるヒステリシスが発
生する。この不連続点は、プラズマを生成させるガスの
種類、圧力等により、種々に変化することが確認されて
いる。
In other words, the plasma load within the membrane is non-linear, i.e., as shown in FIG. 17, when the microwave power is increased or decreased, the impedance 1z1 of the plasma load changes, and discontinuities f, , f2 occur at I21 due to hysteresis. occurs. It has been confirmed that this discontinuity point changes variously depending on the type of gas used to generate plasma, the pressure, etc.

今、負荷のインピーダンスIZIが第17図に示すe点
での値とすると、スタブが動き始めると同時に、整合を
とる方向に動くために、それにつれて遂次、負荷に供給
されるパワーが徐々に増加し、不連続点f、が生じるパ
ワーに達すると、この点で121が跳躍する現象が起こ
る。この時、121が急変するために、マイクロ波パワ
ーの反射電力が大きくなり、第17図の点線で示すよう
に、負荷に供給されるパワーが減少する方向、例えば再
びe点に戻って、この点でのパワーが供給される。
Now, assuming that the impedance IZI of the load is the value at point e shown in Fig. 17, the stub starts moving and moves in the direction of matching, so the power supplied to the load gradually decreases. When the power increases and reaches a power at which a discontinuous point f occurs, a phenomenon occurs in which 121 jumps at this point. At this time, since 121 suddenly changes, the reflected power of the microwave power increases, and as shown by the dotted line in FIG. 17, the power supplied to the load decreases, for example, returns to point e, and this Power is supplied at the point.

つづいて、再び上記の動作が行われるが、以後はこの動
作を繰り返すだけで、結局、整合がとれない状態が続く
Subsequently, the above-mentioned operation is performed again, but from then on, this operation is simply repeated, and the state in which matching cannot be achieved continues.

〔問題点を解決するための手段〕[Means for solving problems]

本発明は、上記の問題点を解決するために、本発明にお
いては、整合を行うものではなく、マイクロ波回路のマ
イクロ波電源と負荷との間で検出される進行波及び反射
波または定在波から得た信号により、スタブを駆動して
インピーダンス整合を行う自動チューニング方法におい
て、プラズマ負荷に発生する負荷インピーダンスの不連
続点を避け、かつ少なくとも整合点に最も近い進行波及
び反射波または定在波状態を与える定数を設定したチュ
ーニング目標値にチューニングさせることを特徴として
いる。
In order to solve the above-mentioned problems, the present invention does not perform matching, but focuses on traveling waves and reflected waves detected between a microwave power source and a load of a microwave circuit, or standing waves. In an automatic tuning method in which impedance matching is performed by driving a stub using a signal obtained from a wave, discontinuities in the load impedance that occur in the plasma load are avoided, and at least the traveling wave, reflected wave, or standing wave closest to the matching point is used. It is characterized by tuning to a tuning target value set with a constant that gives the wave state.

〔作用〕[Effect]

本発明は、負荷インピーダンスの不連続点を避け、かつ
少なくとも整合点に最も近い進行波及び反射波または定
在波状態を与える定数を設定したチューニング目標値に
チューニングさせることによって、特にプラズマ負荷に
対応することができる。
The present invention is particularly applicable to plasma loads by avoiding discontinuities in load impedance and tuning to a tuning target value with constants that provide traveling and reflected waves or standing wave conditions that are at least closest to the matching point. can do.

〔実施例〕〔Example〕

第1の実施例は、本発明の請求項1及び2に対応する。 The first embodiment corresponds to claims 1 and 2 of the present invention.

第1図は、本発明の方法を実施する自動チューニング装
置の第1の実施例を示す概略構成図である。図において
、1は導波管、6a、6b、5cは電圧定在波振幅が検
出できる定在波検出器であって、3本のアンテナが例え
ば平均管内波長λgの1/6の間隔で、導波管1の長手
方向に順次に配置されている。S 1.S 2.S 3
はスタブであって、定在波検出器6a〜6cよりも負荷
側に位置し、3本のスタブは平均管内波長λgの1/4
,1/8.1/8のいずれかの間隔で配置され、特に実
用面から1/4の間隔で配置され、かつ導波管壁から管
内に挿入引出し自在になるように取付けられている。M
l、M2.M3は各々のスタブ5l−33を駆動するス
タブ駆動用モータ、7はコンピュータによるチューニン
グ用制御装置である。
FIG. 1 is a schematic configuration diagram showing a first embodiment of an automatic tuning device that implements the method of the present invention. In the figure, 1 is a waveguide, 6a, 6b, and 5c are standing wave detectors capable of detecting voltage standing wave amplitude, and three antennas are arranged at intervals of, for example, 1/6 of the average pipe wavelength λg. They are arranged sequentially in the longitudinal direction of the waveguide 1. S1. S2. S3
are stubs located on the load side of the standing wave detectors 6a to 6c, and the three stubs are 1/4 of the average tube wavelength λg.
. M
l, M2. M3 is a stub drive motor that drives each stub 5l-33, and 7 is a computer-based tuning control device.

つぎに、上記のスタブを用いて行うプラズマ発生用マイ
クロ波回路の自動チューニングの一動作例を、第2図に
示すフローチャートで説明し、また各々のステップにつ
いては第3図乃至第13図を用いて説明する。まず、動
作させるに当っては、基準となる定在波検出器を第1図
に示すように、例えば6aとしたときに、この位置にお
ける入射電圧振幅及び見掛けの反射係数を各々d、r’
(r’−dX反射係係数)とし、また任意の位置Poで
電圧定在波振幅pとなる位相と、基準となる定在波検出
器6aで検出される電圧定在波振幅aとなる位相との偏
角をθとする。
Next, an example of automatic tuning of a plasma generation microwave circuit performed using the above-mentioned stub will be explained using the flowchart shown in FIG. 2, and each step will be explained using FIGS. 3 to 13. I will explain. First, when operating the standard standing wave detector as shown in FIG.
(r'-dX reflection coefficient), and the phase at which the voltage standing wave amplitude is p at an arbitrary position Po, and the phase at which the voltage standing wave amplitude is detected by the standard standing wave detector 6a is a. Let θ be the declination angle.

(1)予め定めた任意の反射係数Γa及び偏角θaを与
え、そのときに求められるコンダクタンスGa及びサセ
プタンスBaをチューニング目標値、例えば第6図及び
第11図に示す(Ga、jBa)としくステップA)、
コンダクタンスGa及びサセプタンスBaを第7図に示
すように、180″位相変換したコンダクタンスGb及
びサセプタンスBb (Gb、jBb)を求める(ステ
ップB)。
(1) Give a predetermined arbitrary reflection coefficient Γa and deflection angle θa, and set the conductance Ga and susceptance Ba obtained at that time to the tuning target values, for example (Ga, jBa) shown in FIGS. 6 and 11. Step A),
As shown in FIG. 7, the conductance Gb and susceptance Bb (Gb, jBb) are determined by phase-shifting the conductance Ga and susceptance Ba by 180'' (step B).

(2)定在波検出器6a〜6cにより、定在波振幅a、
b、Cを検出する(ステップC)。
(2) The standing wave detectors 6a to 6c detect the standing wave amplitude a,
b, detect C (step C).

(3)定在波検出器6a〜6cの設置点P a −PC
における電圧定在波振幅a、b、cは、第3図の電圧定
在波分布を示す波形上のa、b、Cに相当しており、こ
れらは見掛けの反射係数r′及び偏角θを考慮すると、
第4図のベクトル図に示すようになる。
(3) Installation point P a -PC of standing wave detectors 6a to 6c
The voltage standing wave amplitudes a, b, and c correspond to a, b, and C on the waveform showing the voltage standing wave distribution in FIG. Considering that,
The result is as shown in the vector diagram of FIG.

したがって、a、b、c、 とd、  r” 、  θ
との間には、(1)〜(3〉式が成立する。
Therefore, a, b, c, and d, r”, θ
Expressions (1) to (3> hold true between .

a22=Γ′ 2+d2−2r”  dXeos(π−
θ)        ・・・(1)b2−r” 2+d
2−2r”  dxcos(π−θ+ 4/3 yr 
)        −(2)22 c  −r”  十d2−2r” d xcos(π−θ+2/3π)    ・・・(3)(
1)〜(3〉の連立方程式を演算して、偏角θ及び入射
電圧振幅d−1とする反射係数Fを求め、検出器6aと
スタブS3との間隔を単純に平均管内波長λgの1/2
の整数倍にすれば、波長が同位相になるので、このとき
のθ、rは基準となるスタブ、例えばS3の位置におけ
るものとなる(ステップD)。
a22=Γ′ 2+d2−2r” dXeos(π−
θ) ... (1) b2-r" 2+d
2-2r”dxcos(π-θ+4/3yr
) −(2)22 c −r” 1d2−2r” d xcos(π−θ+2/3π) ・・・(3)(
The simultaneous equations 1) to (3) are calculated to determine the reflection coefficient F with the declination angle θ and the incident voltage amplitude d-1, and the distance between the detector 6a and the stub S3 is simply set to 1 of the average tube wavelength λg. /2
If the wavelengths are made to be an integral multiple of , the wavelengths will be in the same phase, so θ and r at this time will be those at the position of the reference stub, for example S3 (step D).

(4)r、  θで定まる座標が第9図に示すように、
スタブS2.S3によるチューニング可能領域Xにある
か、または第13図に示すように、スタブS1、S2に
よるチューニング可能領域Yにあるかを判定しくステッ
プE)、スタブS2.S3によるチューニング可能領域
Xにあるときは、スタブS3の位置における初期のサセ
プタンスBoを以下のように求める。
(4) As shown in Figure 9, the coordinates determined by r and θ are
Stub S2. In step E), it is determined whether the stubs S2. When in the tunable region X by S3, the initial susceptance Bo at the position of the stub S3 is determined as follows.

線路の任意の点における反射係数Fは、複素数によって
(4)式で表わされる。
The reflection coefficient F at any point on the line is expressed by equation (4) using a complex number.

r” −l r’ l e jθ−u+jv     
 ・・・(4)そして、線路インピーダンスの逆数であ
るアドミタンスYは、 (5)式で表わされる。
r" −l r' l e jθ−u+jv
...(4) And the admittance Y, which is the reciprocal of the line impedance, is expressed by the following equation (5).

Y−(12=Γ′)/(1+r’)  −c+j13=
(1u−jV)/(1+u+jv)・・・(5)ここで
、G:コンダクタンス、B:サセプタンスであって、(
5〉式から各々(6〉及び(7〉式が求められる。
Y-(12=Γ')/(1+r')-c+j13=
(1u-jV)/(1+u+jv)...(5) Here, G: conductance, B: susceptance, (
Equations (6> and (7>) are obtained from Equation 5>, respectively.

G−(1−u2−v2)/[(1+u) 2+v2]・
・・(6) B=−2v/[(1+u)  十v2]   −(7)
(6〉式及び(7〉式は、各々 (8)及び(9〉式に
変形することができる。
G-(1-u2-v2)/[(1+u) 2+v2]・
...(6) B=-2v/[(1+u) 10v2] -(7)
Equations (6> and (7) can be transformed into equations (8) and (9>), respectively.

[u+G/ (G+1)] 2+v2 −  [1/  (G+1)  コ 2       
         ・・・ (8)(u+1)  +(
v+1/B) 2 − (1/B) 2           ・・・(9
)すなわち、 (8)及び (9)式は、第5図に示す
ように、Γ,θで定まる座標r’(u、jv)を通る円
の式を表わしており、座標r’(u、jv)は(G、j
B)と表現することもできるので、スタブの挿入量の変
化に伴って、サセプタンスBのみが変化することによる
座標(G、jB)がG−一定の円の一部を描くことによ
り、第1段階のチューニング動作が行われる。したがっ
て、スタブS3の位置における初期のサセプタンスBo
を求めておく必要がある(ステップF)。
[u+G/ (G+1)] 2+v2 - [1/ (G+1) Ko 2
... (8)(u+1) +(
v+1/B) 2 - (1/B) 2...(9
) In other words, equations (8) and (9), as shown in FIG. jv) is (G, j
It can also be expressed as A stepwise tuning operation is performed. Therefore, the initial susceptance Bo at the position of stub S3
It is necessary to find (Step F).

ここでは、このときのコンダクタンスGを便宜上Goと
し、また座標r’(u、jv)をr’(uo。
Here, the conductance G at this time is set as Go for convenience, and the coordinates r'(u, jv) are set as r'(uo).

j vo)−(Go、j Bo)とする。j vo)−(Go, j Bo).

(5)サセプタンスBoが求められると、スタブS2.
S3の挿入長に対応するサセプタンスB2.B3を以下
のように求める。
(5) When the susceptance Bo is determined, the stub S2.
The susceptance B2.corresponds to the insertion length of S3. Find B3 as follows.

まず、第6図に示すように、G−Gbの円の原点Oに対
して対称な円(G’−Gbの円)とG−Goの円との交
点の座標(u2.jv2)を求め(ステップG)、つぎ
にこの座標(u2.jv2)から 〈7)式によって、
サセプタンスB2’を求め(ステップH)、つづいてサ
セプタンスB2’から初期のサセプタンスBoを差し引
いて、スタブS3の挿入長に対応するサセプタンスB3
  (−82’ −Bo)を求める(ステップI)。
First, as shown in Fig. 6, find the coordinates (u2.jv2) of the intersection of the circle symmetrical with respect to the origin O of the circle G-Gb (the circle G'-Gb) and the circle G-Go. (Step G), then from this coordinate (u2.jv2), by formula <7),
The susceptance B2' is determined (step H), and the initial susceptance Bo is subtracted from the susceptance B2' to obtain the susceptance B3 corresponding to the insertion length of the stub S3.
(-82'-Bo) is determined (Step I).

(6)さらに、サセプタンスB2’を第7図に示すよう
に、スタブの間隔λg/4−180°回転させた位置、
すなわちスタブS2の位置におけるサセプタンスB2’
に変換しくステップJ)チューニング目標値のサセプタ
ンスBbからサセプタンスB2’を差し引いて、スタブ
S2の挿入長に対応するサセプタンスB2  (−Bb
−82”)を求める(ステップK)。
(6) Furthermore, as shown in FIG.
That is, the susceptance B2' at the position of the stub S2
Step J) Subtract the susceptance B2' from the susceptance Bb of the tuning target value to obtain the susceptance B2 (-Bb) corresponding to the insertion length of the stub S2.
−82”) (step K).

(7)サセプタンスB2.B3が求められると、スタブ
S 2.S 3を以下のように駆動する。
(7) Susceptance B2. When B3 is determined, stub S2. Drive S3 as follows.

スタブの挿入長りに対するサセプタンスBを予め測定す
ることにより、LとBとは第8図に示す関係になるので
、あるサセプタンスBに対するスタブの挿入長りが求ま
る。したがって、サセプタンスB2.B3に対する各々
のスタブの挿入長L2゜L3を計算して求め(ステップ
L)、スタブS2゜S3を第9図に示すように、各々L
2.L3に駆動することにより、チューニング目標値に
対するチューニングが完了する(ステップM)。
By measuring in advance the susceptance B with respect to the insertion length of the stub, the relationship between L and B is as shown in FIG. 8, so that the insertion length of the stub with respect to a certain susceptance B can be determined. Therefore, the susceptance B2. The insertion length L2°L3 of each stub with respect to B3 is calculated and determined (step L), and the insertion length L2°L3 of each stub S2°S3 is determined as shown in FIG.
2. By driving to L3, tuning to the tuning target value is completed (step M).

ところが、実際は、スタブが動き始めると同時に、所望
の挿入長りになるまで、負荷に供給されるパワーが徐々
に増加して、負荷インピーダンスが変化するために、例
えば第15図に示すe点での負荷インピーダンス、すな
わち最初に求めた初期のコンダクタンスGo及びサセプ
タンスBoが、次のサンプリングで求められるコンダク
タンスG及びサセプタンスBとに差が出るために、第6
図に示すチューニング目標値Ga、Baに対してずれが
生じる。
However, in reality, as soon as the stub starts moving, the power supplied to the load gradually increases until the desired insertion length is reached, and the load impedance changes. Because there is a difference between the load impedance of
A deviation occurs from the tuning target values Ga and Ba shown in the figure.

したがって、サンプリング毎に定在波検出器の出力が絶
えず変化するために、上述したステップCからステップ
Mまでを繰り返す必要があり、この繰り返しを行うこと
によって最終的にチューニング目標値に達して、チュー
ニングが完了し、第9図の斜線で示す部分がチューニン
グ可能領域Xとなる。
Therefore, since the output of the standing wave detector constantly changes with each sampling, it is necessary to repeat the steps C to M described above, and by repeating this, the tuning target value is finally reached and the tuning is completed, and the shaded area in FIG. 9 becomes the tunable region X.

(8)前述したステップEにおいて、スタブSI。(8) In step E described above, stub SI.

B2によるチューニング可能領域Yにあるときは、Γ,
θから求められるスタブs3の位置における初期のサセ
プタンスBoを第1o図に示すように、スタブの間隔λ
g/4−180”回転させた位置、すなわち第2の基準
とするスタブs2の位置における初期のサセプタンスB
o’ (Go’ 、jBo’ )を求める(ステップN
)。
When in the tunable region Y by B2, Γ,
The initial susceptance Bo at the position of the stub s3 determined from θ is determined by the stub interval λ as shown in FIG.
Initial susceptance B at the position rotated by g/4-180", that is, the position of the second reference stub s2
o'(Go',jBo') (step N
).

(9)サセプタンスBo′が求められると、スタブSl
、S2の挿入長に対応るするセブタンスBl。
(9) When the susceptance Bo′ is determined, the stub Sl
, S2 corresponding to the insertion length Bl.

B2を以下のように求める。Find B2 as follows.

まず、第11図に示すように、 G=Go’の円とG=
Gaの円の原点0に対して対称な円との交点の座標(u
l、jvl)を求め(ステップo)、つぎにこの座標(
ul、jvl)から (7)式によって、サセプタンス
Bl’を求め(ステップP)、つづいてサセプタンスB
l’から初期のサセプタンスBo′を差し引いて、スタ
ブ2の挿入長に対応するサセプタンスB2  (−Bl
’ −Bo’ )を求める(ステップQ)。
First, as shown in Figure 11, the circle of G=Go' and the circle of G=
The coordinates (u
l, jvl) (step o), and then calculate this coordinate (
ul, jvl) by equation (7) to find the susceptance Bl' (step P), and then calculate the susceptance B
By subtracting the initial susceptance Bo' from l', we get the susceptance B2 (-Bl
'-Bo') is determined (step Q).

(10)さらに、サセプタンスBl’を第12図に示す
ように、スタブの間隔λに/4− 180”回転させた
位置、すなわちスタブSlにおけるサセプタンスBl’
に変換しくステップR)、チューニング目標値のサセプ
タンスBaからサセプタンスBl’を差し引いてスタブ
81の挿入長に対応するサセプタンスBl  (=Ba
−Bl ’ )を求める(ステップS)。
(10) Furthermore, as shown in FIG. 12, the susceptance Bl' is rotated by /4-180'' to the stub spacing λ, that is, the susceptance Bl' at the stub Sl.
Step R), the susceptance Bl' is subtracted from the susceptance Ba of the tuning target value to obtain the susceptance Bl (=Ba
-Bl') is determined (step S).

(11)サセプタンスBl、B2が求められると、スタ
ブS1.B2を以下のように駆動する。
(11) When the susceptances Bl and B2 are determined, the stub S1. B2 is driven as follows.

前述したステップLと同様に、サセプタンスB1、B2
に対する各々のスタブの挿入長L1.L2を計算して求
め(ステップT)、スタブSl、S2を第13図に示す
ように、各々L1.L2に駆動することによりチューニ
ング目標値に対するチューニングが完了しくステップU
)、斜線で示す部分がチューニング可能領域Yとなる。
Similar to step L described above, the susceptances B1 and B2
The insertion length of each stub for L1. L2 is calculated and obtained (step T), and the stubs Sl and S2 are set as L1.L2, respectively, as shown in FIG. By driving to L2, the tuning to the tuning target value is completed.Step U
), the shaded area is the tunable region Y.

なお、チューニング目標値の設定については、個々の条
件におけるプラズマ負荷の不連続点を測定し、この点を
避けて、かつ整合点に最も近いr。
In addition, regarding the setting of the tuning target value, measure the discontinuous point of the plasma load under each condition, avoid this point, and set r closest to the matching point.

θを入力すればよい。また、以上の説明では、定在波検
出器の間隔を平均管内波長λgの1/6としたが、λg
 / 6の整数倍(但し、λg / 2の整数倍を除く
。)を満足すればよい。例えばλg/3とすれば、前述
した(1)〜(3〉式は以下のようになる。
All you have to do is input θ. In addition, in the above explanation, the interval between the standing wave detectors was set to 1/6 of the average tube wavelength λg, but λg
/6 (excluding integral multiples of λg/2). For example, if λg/3 is used, the above-mentioned equations (1) to (3> become as follows.

2 a  2=Γ′   +d2−2r’  dXcos(
π−θ) 2 b  2=Γ′   +d2−2r’  dXcos(
π−θ+ 8/:1(r) 2 c  2=Γ′   +d2−2r’  dXcos(
r−θ+4/:(r) また、検出器6aとスタブS3との間隔は任意の値であ
ってもよく、そのときの偏角θ′はλg/2−2πから
簡単に求められるので、検出器の間隔、スタブの間隔及
び検出器とスタブとの間隔の仕様変更に対して、ソフト
の1部変更により容易に対応できる。
2 a 2=Γ′ +d2−2r′ dXcos(
π−θ) 2 b 2=Γ′ +d2−2r′ dXcos(
π−θ+ 8/:1(r) 2 c 2=Γ′ +d2−2r′ dXcos(
r-θ+4/: (r) Also, the distance between the detector 6a and the stub S3 may be any value, and the declination angle θ' at that time can be easily obtained from λg/2-2π, so the detection Changes in specifications for the spacing between detectors, spacing between stubs, and spacing between detectors and stubs can be easily accommodated by partially changing the software.

第2の実施例は、本発明の請求項1及び3に対応する。The second embodiment corresponds to claims 1 and 3 of the present invention.

第14図は、本発明の方法を実施する自動チューニング
装置の第2の実施例を示す概略構成図である。図におい
て、2個のスタブ3a、3bを導波管1の広辺中央に置
き使用周波数帯のほぼ中心で、管内波長の(1/4)と
なる距離を隔てて配置し、方のスタブの挿入長が最大の
ときに、他方の挿入長はゼロとなり、その中間では、一
方の増加が他方の減少となるように、差動的に連続して
変化させる複合スタブの一組を示しており、このような
複合スタブを2組3a、3b及び3d、3C%平均管内
波長の(1/8)隔てて配置している。2a〜2eは5
本のアンテナからなる定在波検出器であって、それぞれ
導波管広辺の中央に、平均管内波長の(1/8)の距離
に配置されている。このとき導波管入力電力に相当する
検出電圧振幅をViとし、中央のアンテナ2Cから負荷
を見た反射係数をrとする。今、周波数変化による誤差
を無視すると、各アンテナの出力電圧は次式のようにな
る。
FIG. 14 is a schematic configuration diagram showing a second embodiment of an automatic tuning device that implements the method of the present invention. In the figure, two stubs 3a and 3b are placed at the center of the wide side of the waveguide 1, approximately at the center of the frequency band used, and separated by a distance of (1/4) of the channel wavelength. It shows a set of composite stubs that are differentially and sequentially varied such that when the insertion length is maximum, the insertion length of the other is zero, and in between, an increase in one is a decrease in the other. , two sets of such composite stubs 3a, 3b and 3d are arranged with a distance of (1/8) of the 3C% average pipe wavelength. 2a to 2e are 5
This is a standing wave detector consisting of two antennas, each of which is placed at the center of the wide side of the waveguide at a distance of (1/8) the average guide wavelength. At this time, the detected voltage amplitude corresponding to the waveguide input power is set to Vi, and the reflection coefficient when looking at the load from the central antenna 2C is set to r. Now, if we ignore errors due to frequency changes, the output voltage of each antenna will be as shown in the following equation.

Ve−kl Vtl 2(1+I r’ l 2−2 
l r’ l cos(θ−π)〕Vd−kl Vtl
 2  c+++ r’ l 2−21  I’  l
 cos(θ−π/2))Vc=kl Vt l 2(
1+l  r’  l 2−21  r’  I co
s  θ〕Vb−kl Vt + 2  (1+l  
r  l 2−2 l  r’  I cos(θ+ 
π/2)〕Va−kl Vtl 2 [1+l  r’
  l 2−2 I  r’  l cos(θ+ π
)〕今、差動増幅器10aの入力端にアンテナ2b。
Ve-kl Vtl 2(1+I r' l 2-2
l r' l cos(θ-π)]Vd-kl Vtl
2 c+++ r' l 2-21 I' l
cos (θ-π/2)) Vc=kl Vt l 2(
1+l r' l 2-21 r' I co
s θ]Vb-kl Vt + 2 (1+l
r l 2-2 l r' I cos(θ+
π/2)] Va-kl Vtl 2 [1+l r'
l 2-2 I r' l cos(θ+ π
)] Now, the antenna 2b is connected to the input terminal of the differential amplifier 10a.

2dの出力を加えて、その差電圧出力をとると、VA=
Vb−Vd−4k l Vt l 2I r l si
n Elとなり、この出力V^と第1のチューニング目
標値設定器Aの出力Saとを差動増幅器11aに入力す
る。また、アンテナ2e、2aの出力電圧の和の(1/
2)と、アンテナ2cの出力電圧の差を、差動増幅器1
0bで求めると、 VB−1々(Ve+Va)−Vc−4k l Vt l
 21 r’ I cosθとなり、この出力と第2の
チューニング目標値設定器Bの出力sbとを差動増幅器
11bに入力する。
Adding the output of 2d and taking the difference voltage output, VA=
Vb-Vd-4k l Vt l 2I r l si
n El, and this output V^ and the output Sa of the first tuning target value setter A are input to the differential amplifier 11a. Also, (1/
2) and the output voltage of the antenna 2c, the differential amplifier 1
When calculated using 0b, VB-1(Ve+Va)-Vc-4k l Vt l
21 r' I cos θ, and this output and the output sb of the second tuning target value setter B are input to the differential amplifier 11b.

なお、VAとVBとは直交しているので、差動増幅器1
1a、 llbの出力同士も直交しているので、これら
の出力を電力増幅器12a 、 12bに加え、それら
の出力でスタブ駆動用モータMl、M2を回転させ、そ
れぞれ複合スタブ3a、3b及び3c。
Note that since VA and VB are orthogonal, differential amplifier 1
Since the outputs of 1a and llb are also orthogonal to each other, these outputs are applied to power amplifiers 12a and 12b, and these outputs rotate stub drive motors M1 and M2, which drive composite stubs 3a, 3b and 3c, respectively.

3dを調整させると、差動増幅器11a、 llbが共
に零になった所で、負荷インピーダンスの不連続点を避
け、かつ最も整合点に近い点に自動チューニングされる
When 3d is adjusted, when both differential amplifiers 11a and llb become zero, automatic tuning is performed to avoid discontinuities in the load impedance and to a point closest to the matching point.

第3の実施例は、本発明の請求項1及び3に対応する。The third embodiment corresponds to claims 1 and 3 of the present invention.

第15図は、本発明の方法を実施する自動チューニング
装置の第3の実施例を示す概略構成図である。図におい
て、電源側から入射された進行波電力成分は、方向性結
合器13で抽出され、この出力は信号分割回路15で二
分され、それぞれ合成検波器17a、 17bに印加さ
れる。
FIG. 15 is a schematic configuration diagram showing a third embodiment of an automatic tuning device that implements the method of the present invention. In the figure, a traveling wave power component incident from the power supply side is extracted by a directional coupler 13, and its output is divided into two by a signal dividing circuit 15 and applied to composite detectors 17a and 17b, respectively.

一方、負荷から反射されて来た反射波成分は、方向性結
合器14で抽出され、この出力は90度成分発生器16
によって、同相と90度位相差を有する三信号に分割さ
れ、合成検波器17a、 17bの他の入力端子に加え
られている。この合成検波器は両端子入力の和と差の電
圧を二乗検波して合成するもので、一方の合成検波器の
出力電圧は VA= 4kla Rl r’ 1cosθとなり、こ
の出力VAと第1のチューニング目標値設定器Aの出力
Saとを差動増幅器18aに入力する。
On the other hand, the reflected wave component reflected from the load is extracted by the directional coupler 14, and this output is sent to the 90 degree component generator 16.
The signal is divided into three signals having the same phase and a phase difference of 90 degrees, and is applied to the other input terminals of the composite detectors 17a and 17b. This composite detector performs square-law detection and synthesizes the sum and difference voltages of the inputs at both terminals, and the output voltage of one composite detector is VA = 4kla Rl r' 1cosθ, and this output VA and the first tuning The output Sa of the target value setter A is input to the differential amplifier 18a.

また、他方の合成検波器の出力電圧は、入力信号の一方
が90度の位相差を持つためにVB−4kla 121
 r l5inθとなり、この出力VBと第2のチュー
ニング目標値設定器Bの出力sbとを差動増幅器18b
に入力する。この差動増幅器18a、 18bの出力同
士は、第2の実施例と同様に直交しているので、これら
の出力を電力増幅器19a、 19bに加え、それらの
出力でスタブ駆動用モータM 1.M 2を回転させ、
それぞれ複合スタブ3a、3b及び3c、3dを調整さ
せると、差動増幅器18a 、 18bが共に零になっ
た所で、負荷インピーダンスの不連続点を避け、かつ最
も整合点に近い点に自動チューニングされる。
In addition, the output voltage of the other composite detector is VB-4kla 121 because one of the input signals has a phase difference of 90 degrees.
r l5inθ, and this output VB and the output sb of the second tuning target value setter B are connected to the differential amplifier 18b.
Enter. Since the outputs of the differential amplifiers 18a and 18b are orthogonal to each other as in the second embodiment, these outputs are applied to the power amplifiers 19a and 19b, and these outputs are used to drive the stub driving motor M1. Rotate M2,
When the composite stubs 3a, 3b and 3c, 3d are respectively adjusted, when the differential amplifiers 18a, 18b both become zero, the load impedance discontinuity point is avoided and automatic tuning is performed to the point closest to the matching point. Ru.

なお、第2及び第3の実施例でのチューニング目標値の
設定については、個々の条件におけるプラズマ負荷の不
連続点を測定し、この点を避けて、かつ整合点に最も近
いr 、sInθまたはr’ 、cosθを入力すれば
よい。
Regarding the setting of the tuning target value in the second and third embodiments, the point of discontinuity of the plasma load under each condition is measured, and r, sInθ, or All you have to do is input r' and cos θ.

〔発明の効果〕〔Effect of the invention〕

以上のように、本発明によれば、負荷インピーダンスの
不連続点を避け、かつ少なくとも整合点に最も近い定在
波状態を与える定数を設定したチューニング目標値にチ
ューニングさせることによって、特にプラズマ負荷のよ
うな非線形負荷に対応することができる。
As described above, according to the present invention, by tuning to a tuning target value set with a constant that avoids discontinuities in load impedance and at least provides a standing wave state closest to a matching point, it is possible to It can handle such nonlinear loads.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図は本発明の方法を実施する自動チューニング装置
の第1の実施例を示す概略構成図、第2図は本発明に基
づく一動作例を示すフローチャート、第3図は電圧定在
波分布を示す波形図、第4図は電圧定在波振幅a、b、
cを示すベクトル図、第5図はスタブS3の位置におけ
る初期のサセプタンスBoを通る円を示すスミス線図、
第6図はG’ −Gbの円とG−Goの円との交点から
サセプタンスB3の求め方を示すスミス線図、第7図は
スタブS2の位置におけるサセプタンスB2’に変換及
びチューニング目標値を180”位相変換することを示
すスミス線図、第8図はサセプタンスBとスタブの挿入
長りとの関係を示す線図、第9図はスタブS2.S3の
軌跡及びそのチューニング可能領域Xを示すスミス線図
、第1O図はスタブS2の位置における初期のサセプタ
ンスBo’に変換することを示すスミス線図、第11図
はG′−Gaの円とG−Go’の円との交点からサセプ
タンスB2の求め方を示すスミス線図、第12図はスタ
ブSlにおけるサセプタンスBl’に変換することを示
すスミス線図、第13図はスタブS1.S2の軌跡及び
そのチューニング可能領域Yを示すスミス線図、第14
図及び第15図はそれぞれ本発明の方法を実施する自動
チューニング装置の第2及び第3の実施例を示す概略構
成図、第16図は従来のスタブによる自動整合装置を示
す概略構成図、第17図はプラズマ負荷のインピーダン
ス変化を示す線図である。 1・・・導波管、2 a 〜2 e、 6 a 〜6 
c一定在波検出器、3a、3b、3c、3d−・・複合
スタブ、7、・・チューニング用制御装置、13.14
・・・方向性結合器、A・・・第1のチューニング目標
値設定器、B・・・第2のチューニング目標値設定器、
Ml −M3・・・スタブ駆動用モータ、S1〜S3・
・・スタブ。
Fig. 1 is a schematic configuration diagram showing a first embodiment of an automatic tuning device that implements the method of the present invention, Fig. 2 is a flowchart showing an example of operation based on the present invention, and Fig. 3 is a voltage standing wave distribution. A waveform diagram showing voltage standing wave amplitudes a, b,
A vector diagram showing c, FIG. 5 is a Smith diagram showing a circle passing through the initial susceptance Bo at the position of stub S3,
Fig. 6 is a Smith diagram showing how to obtain susceptance B3 from the intersection of the circle G'-Gb and the circle G-Go, and Fig. 7 shows the conversion and tuning target value to susceptance B2' at the position of stub S2. A Smith diagram showing a 180" phase conversion, FIG. 8 is a diagram showing the relationship between susceptance B and the insertion length of the stub, and FIG. 9 shows the locus of stubs S2 and S3 and their tunable region X. Smith diagram, Figure 1O is a Smith diagram showing the conversion to the initial susceptance Bo' at the position of stub S2, Figure 11 is the susceptance calculated from the intersection of the circle G'-Ga and the circle G-Go'. A Smith diagram showing how to obtain B2, Fig. 12 is a Smith diagram showing conversion to susceptance Bl' in stub Sl, and Fig. 13 is a Smith line showing the trajectory of stubs S1 and S2 and its tunable region Y. Figure, 14th
15 and 15 are schematic configuration diagrams showing second and third embodiments of an automatic tuning device implementing the method of the present invention, respectively. FIG. 16 is a schematic configuration diagram showing a conventional automatic tuning device using a stub, and FIG. FIG. 17 is a diagram showing impedance changes of plasma load. 1... Waveguide, 2 a to 2 e, 6 a to 6
c Constant wave detector, 3a, 3b, 3c, 3d--Composite stub, 7,...Tuning control device, 13.14
... directional coupler, A... first tuning target value setter, B... second tuning target value setter,
Ml-M3... Stub drive motor, S1 to S3.
··stub.

Claims (3)

【特許請求の範囲】[Claims] 1.マイクロ波回路のマイクロ波電源と負荷との間で検
出される進行波と反射波との両者または定在波から得た
信号により、スタブを駆動してインピーダンス整合を行
う自動チューニング方法において、プラズマ負荷に発生
する負荷インピーダンスの不連続点を避け、かつ少なく
とも整合点に最も近い進行波と反射波との両者または定
在波状態を与える定数を設定したチューニング目標値に
チューニングさせるプラズマ発生用マイクロ波回路の自
動チューニング方法。
1. In an automatic tuning method in which impedance matching is achieved by driving a stub using signals obtained from both traveling waves and reflected waves or standing waves detected between the microwave power source and the load of a microwave circuit, plasma load A microwave circuit for plasma generation that avoids a discontinuous point in load impedance that occurs at least at a matching point, and tunes to a tuning target value set with a constant that provides both a traveling wave and a reflected wave or a standing wave state closest to a matching point. automatic tuning method.
2.マイクロ波回路に用いられるスタブチューナーによ
るプラズマ発生用マイクロ波回路の自動チューニング装
置において、マイクロ波を通過させる導波管1と、前記
導波管1の長手方向に平均管内波長λgの1/6の間隔
で順次に配置した3つの定在波検出器6a,6b,6c
と、前記定在波検出器と異なる位置に平均管内波長λg
の1/4,1/6,1/8のいずれかの間隔で順次に配
置した3つのスタブS1,S2,S3と、前記スタブS
1〜S3を駆動するスタブ駆動用モータM1,M2,M
3と、前記検出器6a〜6cで検出される各々の電圧定
在波振幅a,b,cを入力として、基準とする前記定在
波検出器6aの位置Paにおける入射電圧振幅をdとし
、見掛けの反射係数をΓ′(=d×反射係数Γ)とし、
前記導波管の任意の位置Poで電圧定在波振幅pとなる
位相と前記位置Paで電圧定在波振幅aとなる位相との
偏角をθとしたときに、 a^2=Γ′^2+d^2−2Γ′d ×cos(π−θ) b^2=Γ′^2+d^2−2Γ′d ×cos(π−θ+4/3π) c^2−Γ′^2+d^2−2Γ′d ×cos(π−θ+2/3π) の連立方程式を演算して、偏角θ及び入射電圧振幅d=
1とする反射係数Γを求め、さらにこのときのΓ,θか
らコンダクタンスG及びサセプタンスBを求め、予め定
めた任意の反射係数Γa及び偏角θaを与えたときに求
められるコンダクタンスGa及びサセプタンスBaをチ
ューニング目標値とし、前記コンダクタンスG及びサセ
プタンスBをコンダクタンスGa及びサセプタンスBa
に変化させるのに必要な各スタブS1〜S3の位置での
サセプタンスB1〜B3を求めて、その各々のサセプタ
ンスB1〜B3を得るのに必要なスタブS1〜S3の各
々の挿入長L1〜L3を求め、各々のスタブをL1〜L
3だけ挿入するための信号を前記スタブを駆動するスタ
ブ駆動用モータに入力し、そのときに変化する前記検出
器の6a〜6cの出力信号をフィードバックするチュー
ニング用制御装置とを備えたプラズマ発生用マイクロ波
回路の自動チューニング装置。
2. In an automatic tuning device for a microwave circuit for plasma generation using a stub tuner used in a microwave circuit, there is a waveguide 1 through which microwaves pass, and a waveguide 1 having a diameter of 1/6 of the average internal wavelength λg in the longitudinal direction of the waveguide 1. Three standing wave detectors 6a, 6b, 6c arranged sequentially at intervals
and an average tube wavelength λg at a position different from the standing wave detector.
three stubs S1, S2, and S3 sequentially arranged at intervals of 1/4, 1/6, and 1/8 of the stub S;
Stub drive motors M1, M2, M that drive 1 to S3
3, and each of the voltage standing wave amplitudes a, b, and c detected by the detectors 6a to 6c are input, and the incident voltage amplitude at the position Pa of the standing wave detector 6a as a reference is d, Let the apparent reflection coefficient be Γ′ (=d×reflection coefficient Γ),
When the polarization angle between the phase where the voltage standing wave amplitude is p at an arbitrary position Po of the waveguide and the phase where the voltage standing wave amplitude is a at the position Pa is θ, a^2=Γ'^2+d^2-2Γ'd ×cos(π-θ) b^2=Γ'^2+d^2-2Γ'd ×cos(π-θ+4/3π) c^2-Γ'^2+d^2-2Γ 'd × cos(π-θ+2/3π)
Find the reflection coefficient Γ that is set to 1, and then find the conductance G and susceptance B from Γ and θ at this time, and calculate the conductance Ga and susceptance Ba found when giving a predetermined arbitrary reflection coefficient Γa and deflection angle θa. Set the conductance G and susceptance B to conductance Ga and susceptance Ba as tuning target values.
Find the susceptances B1 to B3 at the positions of the stubs S1 to S3 necessary to change the stubs S1 to S3, and find the insertion lengths L1 to L3 of each of the stubs S1 to S3 necessary to obtain the susceptances B1 to B3. and each stub from L1 to L
for plasma generation, comprising: a tuning control device that inputs a signal for inserting only 3 into a stub drive motor that drives the stub, and feeds back output signals of the detectors 6a to 6c that change at that time; Automatic tuning device for microwave circuits.
3.マイクロ波電源と負荷との間に定在波検出器または
方向性結合器及びスタブを置き、検出した進行波成分及
び反射波成分の強度及びその位相差に基づき、負荷の反
射係数|Γ|とその正弦sinθ及び余弦cosθとの
積に比例した第1及び第2の演算出力を得て、これによ
りスタブを駆動して負荷の整合を行うプラズマ発生用マ
イクロ波回路の自動チューニング装置において、予め定
めた任意の反射係数|Γ|,正弦sinθを設定する第
1のチューニング目標値設定器と、任意の反射係数|Γ
|,余弦cosθを設定する第2のチューニング目標値
設定器とを設け、導波管1の長手方向に平均管内波長の
1/4の間隔で2個のスタブを立て、一方と他方とを作
動的に連動させ、かつこの複合スタブを2組、平均管内
波長の1/8の間隔で配置し、第1の演算出力と第1の
チューニング目標値設定器出力との差出力及び第2の演
算出力と第2のチューニング目標値設定器出力との差出
力により、第1及び第2の複合スタブを駆動してチュー
ニング目標値にチューニングさせるプラズマ発生用マイ
クロ波回路の自動チューニング装置。
3. A standing wave detector or directional coupler and stub are placed between the microwave power source and the load, and the reflection coefficient |Γ| In an automatic tuning device for a plasma generation microwave circuit, which obtains first and second calculation outputs proportional to the product of the sine sin θ and the cosine cos θ, and thereby drives a stub to match the load, a first tuning target value setter that sets an arbitrary reflection coefficient |Γ|, sine sinθ, and an arbitrary reflection coefficient |Γ
|, a second tuning target value setting device for setting the cosine cos θ, two stubs are set up in the longitudinal direction of the waveguide 1 at an interval of 1/4 of the average tube wavelength, and one and the other are activated. two sets of these composite stubs are arranged at an interval of 1/8 of the average tube wavelength, and the difference output between the first calculation output and the first tuning target value setting device output and the second calculation An automatic tuning device for a plasma generation microwave circuit that drives first and second composite stubs to tune to a tuning target value based on a difference output between the output and the output of a second tuning target value setter.
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JP2018032974A (en) * 2016-08-24 2018-03-01 古河電気工業株式会社 Automatic matching device and automatic matching method

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5585766A (en) * 1994-10-27 1996-12-17 Applied Materials, Inc. Electrically tuned matching networks using adjustable inductance elements
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