JPH03170490A - ヒドロキシベンジルホスホネートの製造方法 - Google Patents

ヒドロキシベンジルホスホネートの製造方法

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JPH03170490A
JPH03170490A JP2333441A JP33344190A JPH03170490A JP H03170490 A JPH03170490 A JP H03170490A JP 2333441 A JP2333441 A JP 2333441A JP 33344190 A JP33344190 A JP 33344190A JP H03170490 A JPH03170490 A JP H03170490A
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ヴェルナー ステクマン
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    • C07F9/28Phosphorus compounds with one or more P—C bonds
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    • C07F9/40Esters thereof
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明はアルキル置換ヒドロキシペンジルホスホネート
の一段階(フンステップ)製造方法及び幾つかの新規ヒ
ドロキシペンジルホスホネートに関する. 〔従来の技術〕 多段階方法によるアルキル置換ヒドロキシベンジルホス
ホネートの製造は知られている。かように二段階方法は
英国特許第9 3 9, 7 7 6号明細書及び米国
特許第4ooべ945及び、へ281,505号明細書
に記載されてかり、そこでは第一段階でo,o−ジ置換
フェノールをホルムアルデヒド及び塩酸と反応させて対
応するペンジルクロライドを生じさせ、その単離後、第
二段階でそれをトリアルキルホスフィットと反応させて
ム5−ジアルキル−4−ヒドロキシペンジルホスホネー
}?生じさせている。方法は更に米国特許第42 6 
B,6 3 0号から知られて′i?り、そこでは第一
段階でフェノール化合物から対応するベンジルアルコー
ルヲ製造し、次いでトリフェニルホスフィクトとの反応
そして続くアルコールでのエステル交換によ?3V5−
ジアルキル−4−ヒドロキシベンジルホスホネートを生
じさせる。
更にa5−ジアルキル−4−ヒドロキシベンジルホスホ
ネートの二つの製造方法が米国特許第五79α648及
び3, 7 8 7, 5 4 0号明細書に記載され
てpり、その一つでは、フェノール化合物とホルムアル
デヒド及び第ニアミンからマンニツヒ塩基ヲ製造し、次
いでジアルキルホスフィットと反応させて最終化合物を
生じさせてあ・9、一方、二つ目O方法ではホルムアル
デヒド、二硫化炭素及び第ニアミンを用いてフェノール
化合物からジテオウレタンを製造し、次いで第二段階に
釦いてジアルキルホスフィットで最終化合物金生じさせ
る反応が行なわれる. 〔発明が解決しようとする課題〕 これらの方法は不満足である。一方で、第一段階での反
応生戒物は単離されなければならず、それは時間及び物
質の点で浪琶ヲ意味し、それにかいて分離された副生或
物も1た処理されなければならない。他方で、プロセス
第二段階用の出発物質としても使用されるこ7″I.ら
中間体1ま、ある場合不安定であるか又は工業的に容易
に製造することができない。
〔課題金解決するための手段〕
驚ろくべきことに、結果として中間体の安定性及び製造
性の問題が無くなり経愛も少なくなるヒドロキシペンジ
ルホスホネートの一段階製造方法が今になって見出され
た。
本発明は、次式■ (式中s (10)R1ないしRsは下記の意味倉表す
。)で表わされるフェノールを、0〜200℃の帛度で
ホルアルアルデヒドもしくはパラホルムアルデヒド、次
式■ N R4 R, R4               
       III(式中、R4は炭素原子数1ない
し4のアルキル基を表しs R!及びR6は互に独立し
て水素原子又は炭累原子数1ないし4のアルキル基を表
す。)で表されるアミン及び次式■ (式中、R7及びR5ほ下記の意味t表し、R9ぽR7
及び九に与えらtLfr−意味を表す.)で表わされる
ホスフィットと反応させることからなる一般式■ (式中、 R1は水素原子又はメチル基を表し、 &及びR3は互に独立して炭素原子数1ないし18のア
ルキル基、炭素原子数5ないし8のシクロアルキル基、
フェニル基、炭素原子数7ないし9の7ェニルアルキル
基又はハロゲン原子倉表し、&は加えて水素原子も表し
、そしてR7及びR8は互に独立して炭素原子数1ない
し18のアルキル基、フェニル基又ぼ炭素原子数7ない
し18のアルキルフェニル基會表丁。)で表される化合
物の製造方法に関する。
R4 − Rs及び山が炭素原子数1ないし4のアルキ
ル基を表し、そしてR2 e Rs l R7 * R
s及びR,が炭素原子数1ないし1日のアルキル基を表
す場合、これらはこの場合、直鎖状の又は枝分れ状のア
ルキル基、例えばメチル基、エチル基、n一プロピル基
、イソプロピル基、n−ブチル基、イソプテル基、第二
ブチル基及び第三ブチル基を表す。Rx. Rs= R
y− Ra及びR9は更に1頁鎖状の又は枝分れ状のペ
ンテル基、ヘキシル基、ヘブチル基、オクチル基、ノニ
ル基、デシル基、ウンデシル基、ドデシル基、トリデシ
ル基、テトラデシル基、ペンタデシル基、ヘプタデシル
基及びオクタデシル基を表す。
&及びRSが炭素原子数5ないし8のシクロアルキル基
を表す場合、それらは例えばシクロベンチル基、シクロ
ヘキシル基、シクロヘブチル基又はシクロオクチル基で
あり、シクロヘキシル基が好1しい. R!及びR3が炭素原子数7ないし9の7エニルアルキ
ル基倉表す場合、それらは例えはベンジル基、1一又i
j:2−7ェネテル基、3−フエ二ルプロピル基、α,
α−ジメチルベンジル基又は2−7エニルイソプロピル
基でアルカ、ベンジル基が好1しい. R2及びR3がハロゲン原子を表す場合、それらは例え
ばフッ素原子、塩素原子、臭素原子又はヨウ素原子で、
好’! L<tI塩素原子である。
Rt.R一及び亀が炭素原子数7ないし18のアルキル
フェニル基を表す場合、それらは例えば1個又はそれ以
上の、好1しくは1ないし3個の、特には1又は2個の
炭素原子数1ないし12のアルキル基で置侯されたフェ
ニル基であるが、単純なアルキルー置換フェニル基が好
lしい;炭素原子数1ないし12のアルキル基は例えば
メチル基、エチル基、n−プロピル基、ィソグロビル基
、n−ブチル基、イソブチル基、第二ブチル基、第三プ
テル基、直鎖状の又は枝分れ状のノニル基又はドデシル
基である。
R1が水素原子又はメテル基、好’EL(は水素原子t
−Xし、R2がシクロヘキシル基、メチル基又は第三ブ
チル基を表し、セしてR3がシクロヘキシル基を表す一
般式Iで表される化合物(式1aで表される化合物)は
新規である。従って本発明はこれらの一般式1aで表さ
れる化合物にも関する。弐1aで表とれる化合物の沙り
はジエチル^5−ジーシクロへキシル−4−ヒドロキシ
ペンジルホスホネートである。
R1が水素原子會表す式nで表わされるフェノールは本
発明方法において好ましく使用される.R!及びR3が
互に独立して炭素原子数1ないし18のアルキル基、シ
クロヘキシル基、フェニル基又はべ冫ジル基を表すが、
特に好1しくは炭素原子数1ないし4のアルキル基又は
シクロヘキシル基を、そしてと9わけ好1しくはメチル
基、第三ブチル基又はシクロヘキシル基を表レ、そして
R2が更に水素原子を表す弐IIで表されるフェノール
を用いるのもIた好lしい.興味深さは、基R!及びR
3がフェノール性水酸基に対してオルトー位に存在する
武川で表されるノエノールである。R2及びRsri水
素原子と異なるのが好1しい. R!及び}ζ3が第三ブチル基を表す弐IIで表される
フェノールは特に興味深い. uOH基に対してp一位に存在するのが好1しい, 本発明方法にかいて適当な形態で用いられるホルムアル
デヒドは例えは水溶液中のホルムアルデヒド又はパラホ
ルムアルデヒドであり、パラホルムアルデヒドが好IL
い. 本発明方法にかいて用いられる弐mで表されるアミンは
、好”I L < u R4がメチル基、エチル基、プ
ロピル基又はブテル基を表し、R6が水素原子、メチル
基,エチル基、プロピル基又はブチル基′fr表し、そ
してR4が水素原子金表すものである。
用いられる特に好lしい弐mで表されるアミンは、ジメ
チルアミン、ジエチルアミン、ジプロピルアミン及びジ
ブチルアミンである。
R?.R●及びR9が互に独立して炭素原子数1ないし
4のアルキル基、フェニル基又は炭素原子数7ないし9
のアルキルフェニル基、特にはメチル基、エチル基又は
フェニル基を表す式IVで表されるホスフィットも1た
本発明方法に好1バ用いられる。
Rvが3一位にあって水素原子ヲ表し、R2及びRsが
2−及び6一位にあって第三ブチル基を表す式nで表さ
れるフェノールは、本発明方法にかいて、溶媒の存在又
は不存在下、特には不存在下で、バラホルムアルデヒド
:R4及びRsがメチル基を表し、R9が水素原子會表
す式IIIで表宮れるアミン;及びRt.Rm及びR4
がエチル基を表わす式IVで表されるホスフィット;と
非常に好1しく反応する。
本発明方法が溶媒中で行なわれる場合、適当な溶媒は特
に非極性の非プロトン性溶媒、例えは芳香族又は脂肪族
炭化水素例えばトルエン及びリグロイン、極性プロトン
性溶媒、例えば一洒又ぼ多価アルコール又はエーテル例
えばメタノール及びメチルセロソルブ、極性非プロトン
性溶媒例えばジメチルホルムアルデヒド又はDMSO 
,或は非他性非プロトン性溶媒と極性非プロトン性溶媒
である。極性非プロトン性溶媒、特にジメチルホルムア
ミドが溶媒として好1しく用いられる。
本発明方法は溶媒無しで特に好1しく行なわれる. 式n,m及びIVで表名れる化合物及びホルムアルデヒ
ドが適当な形態で互に反応する反応温度は、待にこれら
の化合物に、そして反応が溶媒で行なわれるか無溶媒で
行なわれるかに依存する。本兄曲方法は0〜200℃、
好! L< 8 0〜150℃、特には80〜120℃
の温度で行なわれる。
?定のフェノール又はホスフィットに依存して、反応時
間は例えば1ないし12時間の範囲で変化する。
弐■及びIVで表される出発物質及びホルムアルデヒド
或分は約等モル量で都合良く反応する.しかしながら式
IVで表される化合物及びホルムアルデヒド成分は、フ
ェノール:ホルムアルデヒド:ホスフィットが1:5:
4の比となるlで過剰に用いることもできる. 用いられる弐出で表されるア■ンの量は、弐nで表され
るフェノールに対して一般的に1〜250モル嘩、好1
しくは25〜125モル聳、特には40〜125モル聳
である。
反応生成物はそれ自体公知の方法で後処理される.使用
する系に依存して、例えば次の後処理方法會用いること
ができる: 一減圧蒸留による反応中に生成した水を含む揮発成分の
除去. 一例えはへキサン、ヘプタン、トルエン、酢酸エチル又
はメチレンクロライドのような水一非混和性有機溶媒で
の抽出、水での1又はそれ以上の回数の洗浄及び続く乾
燥分離有機相の蒸発. 生成物にもよるが、他の可能な連続精製方法、例えば再
結晶又はクロマトグラフ的方法を使用することもできる
. 本発明方法により製造される化合物は、例えば米国特許
第ム280,070号、同ム281,505号及び同へ
3 6 7, 8 7 0号明細書に記載されている多
様な有機モノマー及びボリマーのための熱−[化及び/
又は光誘導劣化に対する安定剤として著しく適している
. 〔実施例・発明の効果〕 以下、実施例で本発明をより詳細に説明する.その中の
及び残りの記述中の「部」及び「嘩」は特記しない限り
重量による. CHs t 2.6−ジー第三ブチル7エノール20.65?(11
10ミリモル)、ハラホルムアルデヒド5.229(1
74ミリモル)、53%エタノール性ジメチルアミン6
1F(45ミリモル)及びN.N−ジメチルホルムアミ
ドを、還流凝宿器及び攪拌機χ備えたスルホン化フラス
コ中で1時間、窒素ガス下で50℃に加熱する。この場
合物にトリエチルホスフィッ} 5五25f (200
ミリモル)會加える.それを還流下105℃の反応温度
で加熱する:最終生成物への転化は82%( HPLC
 )である.後処理:抽出(水/メチルシクロヘキサン
)及び再結晶(メチルシクロヘキサン).収量:2五〇
タ(65嘩)、融点120℃、純度(HPLC) : 
9 8蝿, 微量分析:C     H     P計算値:  6
4.82  9.55  &69%実測値:  64.
26  9.53  &7%実a例2 アミンとしてジメチルアミンの代わりにジブチルアミン
を用い、1だ溶媒としてDMF/}ルエンの1:1混合
物20xlを用いて実施例1の如く操作する:実施例1
にpけるのと同じ生成物か88嘩の転化率で得られる。
後処理(水/トルエンでの抽出及びリグロインからの再
結晶冫後、27.2f(79φ)の生成物が得られる.
融点120℃、M[ (HPLC) : 9 8 ts
,HTMP (ヒドロキシメチルビベリジン)ミ22、
バラホルムアルデヒド52.5f及び2.6−ジ第三ブ
チルフェノール2045ft不活性にし、そして初め減
圧下60℃で、底にある出口、隔壁、インベラ攪拌機及
びガス導入用のサブレベルエアロックを備えた二重被g
 (double−jacketed)フラスーコ中に
入れる.この温度でジメチルアミン5 2 ti入れ、
その混合物を85℃で1時間攪拌する。トリエチルホス
フィッ} 5529の添加を行ない、その後反応混合物
乞115℃に4時間保つ.後処理:減圧下でのトリエテ
ルホスフィットとジメチルアミンの蒸留及び快渣のりグ
ロインからの結晶化で融点114℃O生或物520f(
90%)が得られる, 一トの製造 ?ぶ0H″)■2 11 フェノールとして2.6−ジー第三ブチル7エノールの
代ワりに2.6−ジシクロヘキシルフェノールを用い、
実施例1のように操作する.76%゛の転化が違戚され
る.後処理(水/メチルシクロヘキサンでの抽出及びメ
チルシクロヘキサンからの再結晶)後、生底物16.6
t(42%)が得られる.融点120℃、純度(HPL
C) :96%. a量分析   C      H      P計算値
:  67.62    9.13    7.58%
実測値:  6a45    9.17    7.8
  %の製造 CHs l 溶媒(エタノール)を省き、ジメテルアミンの代わりに
ジグaビルアミンljtを、そしてトリエチルホスフィ
ットの代わりにトリノヱニルホスフィッ}55rk用い
て実施例1の操作を繰り返す:後処理(水/ヘキテンで
の抽出及びヘキサンからの再結晶)後、生成物24.S
f!(54嘩)が得られる.融点130℃、純度( }
LPLC ) :9B%. 微量分析:   C      H      P計算
値:  71.66    7.35    484嘩
実測値:   71.75    7.46    6
.9  %製造 トリフェニルホスフ・イットをトリメチルホスフィッ}
22.3Pに換えて実施例5の如く操作する.後処理(
水/メチルシクロヘキサンでの抽出及びインプロパノー
ルからの再結晶)後,生成物19.2F(59%)が得
られる。融点155℃、純度(HPLC) : s s
%。
微憬分析:C     H     P計算値:  6
2.18   a90    9.43嘩実副(+K:
  61.57   a81    9.4  %2.
6−ジ第三ブチルフェノールヲ2.6−ジメチルフェノ
ール12.2yに換えて実施例1の如く操作する。82
%( HPLC )の転化が達戒される.後処理(水/
メチルシクロヘキサンでの抽出及びシリカゲルクロマト
グラフィー)後、生成物IA8F(51%)が得られる
。融点65℃、純度(HPLC) : q s%. 微量分析   C      H       P計算
値:  57.55    7.77     11.
38%実測値:  57.56    7.79   
  11.3  %一トの製造 CHs 1 トリ7エニルホスフィット會トリイソグロビルホスフィ
ッ}2a2Fに換えて実施例5の如く操作する, q 
s @ (HPLC)の転化が達成される●後処理(水
/ヘキサンでの抽出及びヘキサンからの再結晶冫後、生
威物21.IP(55%)が得られる。融点100℃、
純度(JIPLC) : 9 7%.微量分析   C
      H      P計算値:  65.60
    970    &06%実測値:  6S67
    9.74    ao  %I CHs 2.6−ジシクロヘキシルフェノール25.84t(1
00ミリモル)、ハラホルムアルデヒド五22f(17
4ミリモル)、ジプロピルアミンa1?及びトリインプ
ロピルホスフィット502(240ミリモル)を実施%
J 1と同様に処置する:72%(HPLC)o転化が
達成とれる.後処理(水/ヘキサンでの抽出及びヘキサ
ンからの再結晶)後、生成物11?(31φ)が得られ
る。
融点145℃、純度(HPLC) : q .s%。
微量分析   C      H      P計算値
:  6a78    9.47    7.09%実
測値:  69.09    9.54    7.1
  %トの製造 トリイングロビルホスフィット金トリブチルホスフィッ
ト4459に換えて実施例9の如く操作する.後処理(
水、zN−HCt/ヘキサンでの抽出)後、液体生成物
449(99%)が得られる.純度(IIPLC) : 7 4 嘩。
2.6−ジ第三ブチルフェノールを2−シクロヘキシル
−6−メチルフェノール1 9. 0 t K 換,t
て実aflIJ 1 O如( 操作fル. 6 9 %
 (HPLC)ノ転化が達成される.後処理(水/メテ
ルシクロヘキサンでの抽出及びメチルシクロヘキサンか
らの再結晶)後、生或物y.otc20%)が得られる
.融点73℃、純度(HPLC) : 9 6%.微量
分析   C      }l      P計算値:
 6Δ51    a59    9.10%実測値:
  6186    a71    9.Q  %実施
N 12:ジイソオクチル2.4−ジ第三ブチル4 と ドロキシペンジルホスホネ CHs 1 トリ7エニルホスフィットをトリイソオクチルホスフィ
ット(異性体混合物)に換えて実施例5の如《操作する
.後処理(水/酢酸エチルでの抽出及びシリカゲルクロ
マトグラフィー)後、生成物12.89(64%)が得
らレル.純度(HPLC):96聳異性体混合物. 微量分析   C      H      P計算値
= 7α95    1(L95    5.90条実
測値:  7cL45    11.41    5.
8  %CHj 1 トリ7エニルホスフィットをトリイソデシルホス7イッ
ト(異性体混合物) 5 9. 3 9に換えて実施例
5と同様に操作する。後処理(水/酢酸エチルでの抽出
及びシリカゲルクロマトグラフィー)後、生成物3五B
?(58%)が得られる.縄度(HPLC) : q 
b嘩異性体混合物。
微量分析   C      H 計算値:  72.57    1f.2J1%実測値
:  72.10   11.7  %の製造 C■]s 曇 トリフェニルホスフィットをトリドデシルホス7イッ}
117.4Fに換えて実施列5の如く操作する.後処理
(水/酢酸エチルでの抽出及びシリカゲルクロマトグラ
7イー)後、生成物4 6 ’l (72嘩)が得られ
る。純度(IIPI,C):〜75I1. 微量分析   C       H 計算値:  714    f1.55%実fat値:
  74.27   12.6 %一トの製造 CHs i トリフェニルホスフィットをトリオクタテシルホスフィ
ッ} 9a6Fに換えて実施例5の如く操作する.後処
理(水/酢酸エチルでの抽出及びシリカゲルクロマトグ
ラフイー)後、生或物5 9 f (73聳)が得られ
る。純度(HPLC) :〜98%. 似量分析   C       H

Claims (18)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)次式II ▲数式、化学式、表等があります▼II (式中、R_1ないしR_3は下記の意味を表す。)で
    表わされるフェノールを、0〜200℃の温度でホルア
    ルアルデヒドもしくはパラホルムアルデヒド、次式III NR_4R_5R_6III (式中、R_4は炭素原子数1ないし4のアルキル基を
    表し、R_5及びR_6は互に独立して水素原子又は炭
    素原子数1ないし4のアルキル基を表す。) で表されるアミン及び次式IV ▲数式、化学式、表等があります▼IV (式中、R_7及びR_8は下記の意味を表し、R_9
    はR_7及びR_8に与えられた意味を表す。)で表わ
    されるホスフィットと反応させることからなる一般式
    I ▲数式、化学式、表等があります▼ I (式中、 R_1は水素原子又はメチル基を表し、 R_2及びR_3は互に独立して炭素原子数1ないし1
    8のアルキル基、炭素原子数5ないし8のシクロアルキ
    ル基、フェニル基、炭素原子数7ないし9のフェニルア
    ルキル基又はハロゲン原子を表し、R_2は加えて水素
    原子も表し、そして R_7及びR_8は互に独立して炭素原子数1ないし1
    8のアルキル基、フェニル基又は炭素原子数7ないし1
    8のアルキルフェニル基を表す。) で表される化合物の製造方法。
  2. (2)R_1が水素原子を表す請求項1記載の方法。
  3. (3)R_2及びR_3が互に独立して炭素原子数1な
    いし18のアルキル基、シクロヘキシル基、フェニル基
    又はベンジル基を表し、そしてR_2が加えて水素原子
    も表す請求項1記載の方法。
  4. (4)R_2及びR_3がフェノール性水酸基のオルト
    −位に存在する請求項1記載の方法。
  5. (5)R_2及びR_3が第三ブチル基を表す請求項3
    記載の方法。
  6. (6)反応がパラホルムアルデヒドを用いて行なわれる
    請求項1記載の方法。
  7. (7)式IIIで表されるアミンにおいてR_4がメチル
    基、エチル基、プロピル基又はブチル基を表し、R_5
    が水素原子、メチル基、エチル基、プロピル基又はブチ
    ル基を表わし、そしてR_6が水素原子を表す請求項1
    記載の方法。
  8. (8)R_7、R_8及びR_9が互に独立して炭素原
    子数1ないし4のアルキル基、フェニル基又は炭素原子
    数7ないし9のアルキルフェニル基を表す請求項1記載
    の方法。
  9. (9)R_7、R_8及びR_9が互に独立して炭素原
    子数18のアルキル基又は炭素原子数15のアルキルフ
    ェニル基を表す請求項1記載の方法。
  10. (10)R_1が3−位で水素原子を表し、R_2及び
    R_3が2−及び6−位で第三ブチル基を表わす式IIで
    表わされるフェノールを、パラホルムアルデヒド、R_
    4及びR_5がメチル基を表し、R_6が水素原子を表
    す式IIIで表わされるアミン、及びR_7、R_8及び
    R_9がエチル基を表わす式IVで表わされるホスフィッ
    トと反応させる請求項1記載の方法。
  11. (11)溶媒中で行なわれる請求項1記載の方法。
  12. (12)溶媒が極性非プロトン性溶媒である請求項11
    記載の方法。
  13. (13)溶媒無しで行なわれる請求項1記載の方法。
  14. (14)反応温度が80〜150℃である請求項1記載
    の方法。
  15. (15)式IIで表されるフェノール:ホルムアルデヒド
    :式IVで表されるホスフィットの比が 1:1:1ないし1:3:4である請求項1記載の方法
  16. (16)使用される式IIIで表されるアミンの量が式II
    で表されるフェノールに対し1〜250モル%である請
    求項1記載の方法。
  17. (17)一般式 I a ▲数式、化学式、表等があります▼ I a (式中、 R_1は水素原子又はメチル基を表し、 R_2はメチル基、第三ブチル基又はシクロヘキシル基
    を表し、そして R_7及びR_8は互に独立して炭素原子数1ないし1
    8のアルキル基、フェニル基又は炭素原子数7ないし1
    8のアルキルフェニル基を表す。) で表される化合物。
  18. (18)R_1が水素原子を表す請求項17記載の化合
    物。
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