JPH03170490A - ヒドロキシベンジルホスホネートの製造方法 - Google Patents
ヒドロキシベンジルホスホネートの製造方法Info
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07F—ACYCLIC, CARBOCYCLIC OR HETEROCYCLIC COMPOUNDS CONTAINING ELEMENTS OTHER THAN CARBON, HYDROGEN, HALOGEN, OXYGEN, NITROGEN, SULFUR, SELENIUM OR TELLURIUM
- C07F9/00—Compounds containing elements of Groups 5 or 15 of the Periodic Table
- C07F9/02—Phosphorus compounds
- C07F9/28—Phosphorus compounds with one or more P—C bonds
- C07F9/38—Phosphonic acids [RP(=O)(OH)2]; Thiophosphonic acids ; [RP(=X1)(X2H)2(X1, X2 are each independently O, S or Se)]
- C07F9/40—Esters thereof
- C07F9/4003—Esters thereof the acid moiety containing a substituent or a structure which is considered as characteristic
- C07F9/4056—Esters of arylalkanephosphonic acids
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Biochemistry (AREA)
- General Health & Medical Sciences (AREA)
- Molecular Biology (AREA)
- Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はアルキル置換ヒドロキシペンジルホスホネート
の一段階(フンステップ)製造方法及び幾つかの新規ヒ
ドロキシペンジルホスホネートに関する. 〔従来の技術〕 多段階方法によるアルキル置換ヒドロキシベンジルホス
ホネートの製造は知られている。かように二段階方法は
英国特許第9 3 9, 7 7 6号明細書及び米国
特許第4ooべ945及び、へ281,505号明細書
に記載されてかり、そこでは第一段階でo,o−ジ置換
フェノールをホルムアルデヒド及び塩酸と反応させて対
応するペンジルクロライドを生じさせ、その単離後、第
二段階でそれをトリアルキルホスフィットと反応させて
ム5−ジアルキル−4−ヒドロキシペンジルホスホネー
}?生じさせている。方法は更に米国特許第42 6
B,6 3 0号から知られて′i?り、そこでは第一
段階でフェノール化合物から対応するベンジルアルコー
ルヲ製造し、次いでトリフェニルホスフィクトとの反応
そして続くアルコールでのエステル交換によ?3V5−
ジアルキル−4−ヒドロキシベンジルホスホネートを生
じさせる。
の一段階(フンステップ)製造方法及び幾つかの新規ヒ
ドロキシペンジルホスホネートに関する. 〔従来の技術〕 多段階方法によるアルキル置換ヒドロキシベンジルホス
ホネートの製造は知られている。かように二段階方法は
英国特許第9 3 9, 7 7 6号明細書及び米国
特許第4ooべ945及び、へ281,505号明細書
に記載されてかり、そこでは第一段階でo,o−ジ置換
フェノールをホルムアルデヒド及び塩酸と反応させて対
応するペンジルクロライドを生じさせ、その単離後、第
二段階でそれをトリアルキルホスフィットと反応させて
ム5−ジアルキル−4−ヒドロキシペンジルホスホネー
}?生じさせている。方法は更に米国特許第42 6
B,6 3 0号から知られて′i?り、そこでは第一
段階でフェノール化合物から対応するベンジルアルコー
ルヲ製造し、次いでトリフェニルホスフィクトとの反応
そして続くアルコールでのエステル交換によ?3V5−
ジアルキル−4−ヒドロキシベンジルホスホネートを生
じさせる。
更にa5−ジアルキル−4−ヒドロキシベンジルホスホ
ネートの二つの製造方法が米国特許第五79α648及
び3, 7 8 7, 5 4 0号明細書に記載され
てpり、その一つでは、フェノール化合物とホルムアル
デヒド及び第ニアミンからマンニツヒ塩基ヲ製造し、次
いでジアルキルホスフィットと反応させて最終化合物を
生じさせてあ・9、一方、二つ目O方法ではホルムアル
デヒド、二硫化炭素及び第ニアミンを用いてフェノール
化合物からジテオウレタンを製造し、次いで第二段階に
釦いてジアルキルホスフィットで最終化合物金生じさせ
る反応が行なわれる. 〔発明が解決しようとする課題〕 これらの方法は不満足である。一方で、第一段階での反
応生戒物は単離されなければならず、それは時間及び物
質の点で浪琶ヲ意味し、それにかいて分離された副生或
物も1た処理されなければならない。他方で、プロセス
第二段階用の出発物質としても使用されるこ7″I.ら
中間体1ま、ある場合不安定であるか又は工業的に容易
に製造することができない。
ネートの二つの製造方法が米国特許第五79α648及
び3, 7 8 7, 5 4 0号明細書に記載され
てpり、その一つでは、フェノール化合物とホルムアル
デヒド及び第ニアミンからマンニツヒ塩基ヲ製造し、次
いでジアルキルホスフィットと反応させて最終化合物を
生じさせてあ・9、一方、二つ目O方法ではホルムアル
デヒド、二硫化炭素及び第ニアミンを用いてフェノール
化合物からジテオウレタンを製造し、次いで第二段階に
釦いてジアルキルホスフィットで最終化合物金生じさせ
る反応が行なわれる. 〔発明が解決しようとする課題〕 これらの方法は不満足である。一方で、第一段階での反
応生戒物は単離されなければならず、それは時間及び物
質の点で浪琶ヲ意味し、それにかいて分離された副生或
物も1た処理されなければならない。他方で、プロセス
第二段階用の出発物質としても使用されるこ7″I.ら
中間体1ま、ある場合不安定であるか又は工業的に容易
に製造することができない。
驚ろくべきことに、結果として中間体の安定性及び製造
性の問題が無くなり経愛も少なくなるヒドロキシペンジ
ルホスホネートの一段階製造方法が今になって見出され
た。
性の問題が無くなり経愛も少なくなるヒドロキシペンジ
ルホスホネートの一段階製造方法が今になって見出され
た。
本発明は、次式■
(式中s (10)R1ないしRsは下記の意味倉表す
。)で表わされるフェノールを、0〜200℃の帛度で
ホルアルアルデヒドもしくはパラホルムアルデヒド、次
式■ N R4 R, R4
III(式中、R4は炭素原子数1ない
し4のアルキル基を表しs R!及びR6は互に独立し
て水素原子又は炭累原子数1ないし4のアルキル基を表
す。)で表されるアミン及び次式■ (式中、R7及びR5ほ下記の意味t表し、R9ぽR7
及び九に与えらtLfr−意味を表す.)で表わされる
ホスフィットと反応させることからなる一般式■ (式中、 R1は水素原子又はメチル基を表し、 &及びR3は互に独立して炭素原子数1ないし18のア
ルキル基、炭素原子数5ないし8のシクロアルキル基、
フェニル基、炭素原子数7ないし9の7ェニルアルキル
基又はハロゲン原子倉表し、&は加えて水素原子も表し
、そしてR7及びR8は互に独立して炭素原子数1ない
し18のアルキル基、フェニル基又ぼ炭素原子数7ない
し18のアルキルフェニル基會表丁。)で表される化合
物の製造方法に関する。
。)で表わされるフェノールを、0〜200℃の帛度で
ホルアルアルデヒドもしくはパラホルムアルデヒド、次
式■ N R4 R, R4
III(式中、R4は炭素原子数1ない
し4のアルキル基を表しs R!及びR6は互に独立し
て水素原子又は炭累原子数1ないし4のアルキル基を表
す。)で表されるアミン及び次式■ (式中、R7及びR5ほ下記の意味t表し、R9ぽR7
及び九に与えらtLfr−意味を表す.)で表わされる
ホスフィットと反応させることからなる一般式■ (式中、 R1は水素原子又はメチル基を表し、 &及びR3は互に独立して炭素原子数1ないし18のア
ルキル基、炭素原子数5ないし8のシクロアルキル基、
フェニル基、炭素原子数7ないし9の7ェニルアルキル
基又はハロゲン原子倉表し、&は加えて水素原子も表し
、そしてR7及びR8は互に独立して炭素原子数1ない
し18のアルキル基、フェニル基又ぼ炭素原子数7ない
し18のアルキルフェニル基會表丁。)で表される化合
物の製造方法に関する。
R4 − Rs及び山が炭素原子数1ないし4のアルキ
ル基を表し、そしてR2 e Rs l R7 * R
s及びR,が炭素原子数1ないし1日のアルキル基を表
す場合、これらはこの場合、直鎖状の又は枝分れ状のア
ルキル基、例えばメチル基、エチル基、n一プロピル基
、イソプロピル基、n−ブチル基、イソプテル基、第二
ブチル基及び第三ブチル基を表す。Rx. Rs= R
y− Ra及びR9は更に1頁鎖状の又は枝分れ状のペ
ンテル基、ヘキシル基、ヘブチル基、オクチル基、ノニ
ル基、デシル基、ウンデシル基、ドデシル基、トリデシ
ル基、テトラデシル基、ペンタデシル基、ヘプタデシル
基及びオクタデシル基を表す。
ル基を表し、そしてR2 e Rs l R7 * R
s及びR,が炭素原子数1ないし1日のアルキル基を表
す場合、これらはこの場合、直鎖状の又は枝分れ状のア
ルキル基、例えばメチル基、エチル基、n一プロピル基
、イソプロピル基、n−ブチル基、イソプテル基、第二
ブチル基及び第三ブチル基を表す。Rx. Rs= R
y− Ra及びR9は更に1頁鎖状の又は枝分れ状のペ
ンテル基、ヘキシル基、ヘブチル基、オクチル基、ノニ
ル基、デシル基、ウンデシル基、ドデシル基、トリデシ
ル基、テトラデシル基、ペンタデシル基、ヘプタデシル
基及びオクタデシル基を表す。
&及びRSが炭素原子数5ないし8のシクロアルキル基
を表す場合、それらは例えばシクロベンチル基、シクロ
ヘキシル基、シクロヘブチル基又はシクロオクチル基で
あり、シクロヘキシル基が好1しい. R!及びR3が炭素原子数7ないし9の7エニルアルキ
ル基倉表す場合、それらは例えはベンジル基、1一又i
j:2−7ェネテル基、3−フエ二ルプロピル基、α,
α−ジメチルベンジル基又は2−7エニルイソプロピル
基でアルカ、ベンジル基が好1しい. R2及びR3がハロゲン原子を表す場合、それらは例え
ばフッ素原子、塩素原子、臭素原子又はヨウ素原子で、
好’! L<tI塩素原子である。
を表す場合、それらは例えばシクロベンチル基、シクロ
ヘキシル基、シクロヘブチル基又はシクロオクチル基で
あり、シクロヘキシル基が好1しい. R!及びR3が炭素原子数7ないし9の7エニルアルキ
ル基倉表す場合、それらは例えはベンジル基、1一又i
j:2−7ェネテル基、3−フエ二ルプロピル基、α,
α−ジメチルベンジル基又は2−7エニルイソプロピル
基でアルカ、ベンジル基が好1しい. R2及びR3がハロゲン原子を表す場合、それらは例え
ばフッ素原子、塩素原子、臭素原子又はヨウ素原子で、
好’! L<tI塩素原子である。
Rt.R一及び亀が炭素原子数7ないし18のアルキル
フェニル基を表す場合、それらは例えば1個又はそれ以
上の、好1しくは1ないし3個の、特には1又は2個の
炭素原子数1ないし12のアルキル基で置侯されたフェ
ニル基であるが、単純なアルキルー置換フェニル基が好
lしい;炭素原子数1ないし12のアルキル基は例えば
メチル基、エチル基、n−プロピル基、ィソグロビル基
、n−ブチル基、イソブチル基、第二ブチル基、第三プ
テル基、直鎖状の又は枝分れ状のノニル基又はドデシル
基である。
フェニル基を表す場合、それらは例えば1個又はそれ以
上の、好1しくは1ないし3個の、特には1又は2個の
炭素原子数1ないし12のアルキル基で置侯されたフェ
ニル基であるが、単純なアルキルー置換フェニル基が好
lしい;炭素原子数1ないし12のアルキル基は例えば
メチル基、エチル基、n−プロピル基、ィソグロビル基
、n−ブチル基、イソブチル基、第二ブチル基、第三プ
テル基、直鎖状の又は枝分れ状のノニル基又はドデシル
基である。
R1が水素原子又はメテル基、好’EL(は水素原子t
−Xし、R2がシクロヘキシル基、メチル基又は第三ブ
チル基を表し、セしてR3がシクロヘキシル基を表す一
般式Iで表される化合物(式1aで表される化合物)は
新規である。従って本発明はこれらの一般式1aで表さ
れる化合物にも関する。弐1aで表とれる化合物の沙り
はジエチル^5−ジーシクロへキシル−4−ヒドロキシ
ペンジルホスホネートである。
−Xし、R2がシクロヘキシル基、メチル基又は第三ブ
チル基を表し、セしてR3がシクロヘキシル基を表す一
般式Iで表される化合物(式1aで表される化合物)は
新規である。従って本発明はこれらの一般式1aで表さ
れる化合物にも関する。弐1aで表とれる化合物の沙り
はジエチル^5−ジーシクロへキシル−4−ヒドロキシ
ペンジルホスホネートである。
R1が水素原子會表す式nで表わされるフェノールは本
発明方法において好ましく使用される.R!及びR3が
互に独立して炭素原子数1ないし18のアルキル基、シ
クロヘキシル基、フェニル基又はべ冫ジル基を表すが、
特に好1しくは炭素原子数1ないし4のアルキル基又は
シクロヘキシル基を、そしてと9わけ好1しくはメチル
基、第三ブチル基又はシクロヘキシル基を表レ、そして
R2が更に水素原子を表す弐IIで表されるフェノール
を用いるのもIた好lしい.興味深さは、基R!及びR
3がフェノール性水酸基に対してオルトー位に存在する
武川で表されるノエノールである。R2及びRsri水
素原子と異なるのが好1しい. R!及び}ζ3が第三ブチル基を表す弐IIで表される
フェノールは特に興味深い. uOH基に対してp一位に存在するのが好1しい, 本発明方法にかいて適当な形態で用いられるホルムアル
デヒドは例えは水溶液中のホルムアルデヒド又はパラホ
ルムアルデヒドであり、パラホルムアルデヒドが好IL
い. 本発明方法にかいて用いられる弐mで表されるアミンは
、好”I L < u R4がメチル基、エチル基、プ
ロピル基又はブテル基を表し、R6が水素原子、メチル
基,エチル基、プロピル基又はブチル基′fr表し、そ
してR4が水素原子金表すものである。
発明方法において好ましく使用される.R!及びR3が
互に独立して炭素原子数1ないし18のアルキル基、シ
クロヘキシル基、フェニル基又はべ冫ジル基を表すが、
特に好1しくは炭素原子数1ないし4のアルキル基又は
シクロヘキシル基を、そしてと9わけ好1しくはメチル
基、第三ブチル基又はシクロヘキシル基を表レ、そして
R2が更に水素原子を表す弐IIで表されるフェノール
を用いるのもIた好lしい.興味深さは、基R!及びR
3がフェノール性水酸基に対してオルトー位に存在する
武川で表されるノエノールである。R2及びRsri水
素原子と異なるのが好1しい. R!及び}ζ3が第三ブチル基を表す弐IIで表される
フェノールは特に興味深い. uOH基に対してp一位に存在するのが好1しい, 本発明方法にかいて適当な形態で用いられるホルムアル
デヒドは例えは水溶液中のホルムアルデヒド又はパラホ
ルムアルデヒドであり、パラホルムアルデヒドが好IL
い. 本発明方法にかいて用いられる弐mで表されるアミンは
、好”I L < u R4がメチル基、エチル基、プ
ロピル基又はブテル基を表し、R6が水素原子、メチル
基,エチル基、プロピル基又はブチル基′fr表し、そ
してR4が水素原子金表すものである。
用いられる特に好lしい弐mで表されるアミンは、ジメ
チルアミン、ジエチルアミン、ジプロピルアミン及びジ
ブチルアミンである。
チルアミン、ジエチルアミン、ジプロピルアミン及びジ
ブチルアミンである。
R?.R●及びR9が互に独立して炭素原子数1ないし
4のアルキル基、フェニル基又は炭素原子数7ないし9
のアルキルフェニル基、特にはメチル基、エチル基又は
フェニル基を表す式IVで表されるホスフィットも1た
本発明方法に好1バ用いられる。
4のアルキル基、フェニル基又は炭素原子数7ないし9
のアルキルフェニル基、特にはメチル基、エチル基又は
フェニル基を表す式IVで表されるホスフィットも1た
本発明方法に好1バ用いられる。
Rvが3一位にあって水素原子ヲ表し、R2及びRsが
2−及び6一位にあって第三ブチル基を表す式nで表さ
れるフェノールは、本発明方法にかいて、溶媒の存在又
は不存在下、特には不存在下で、バラホルムアルデヒド
:R4及びRsがメチル基を表し、R9が水素原子會表
す式IIIで表宮れるアミン;及びRt.Rm及びR4
がエチル基を表わす式IVで表されるホスフィット;と
非常に好1しく反応する。
2−及び6一位にあって第三ブチル基を表す式nで表さ
れるフェノールは、本発明方法にかいて、溶媒の存在又
は不存在下、特には不存在下で、バラホルムアルデヒド
:R4及びRsがメチル基を表し、R9が水素原子會表
す式IIIで表宮れるアミン;及びRt.Rm及びR4
がエチル基を表わす式IVで表されるホスフィット;と
非常に好1しく反応する。
本発明方法が溶媒中で行なわれる場合、適当な溶媒は特
に非極性の非プロトン性溶媒、例えは芳香族又は脂肪族
炭化水素例えばトルエン及びリグロイン、極性プロトン
性溶媒、例えば一洒又ぼ多価アルコール又はエーテル例
えばメタノール及びメチルセロソルブ、極性非プロトン
性溶媒例えばジメチルホルムアルデヒド又はDMSO
,或は非他性非プロトン性溶媒と極性非プロトン性溶媒
である。極性非プロトン性溶媒、特にジメチルホルムア
ミドが溶媒として好1しく用いられる。
に非極性の非プロトン性溶媒、例えは芳香族又は脂肪族
炭化水素例えばトルエン及びリグロイン、極性プロトン
性溶媒、例えば一洒又ぼ多価アルコール又はエーテル例
えばメタノール及びメチルセロソルブ、極性非プロトン
性溶媒例えばジメチルホルムアルデヒド又はDMSO
,或は非他性非プロトン性溶媒と極性非プロトン性溶媒
である。極性非プロトン性溶媒、特にジメチルホルムア
ミドが溶媒として好1しく用いられる。
本発明方法は溶媒無しで特に好1しく行なわれる.
式n,m及びIVで表名れる化合物及びホルムアルデヒ
ドが適当な形態で互に反応する反応温度は、待にこれら
の化合物に、そして反応が溶媒で行なわれるか無溶媒で
行なわれるかに依存する。本兄曲方法は0〜200℃、
好! L< 8 0〜150℃、特には80〜120℃
の温度で行なわれる。
ドが適当な形態で互に反応する反応温度は、待にこれら
の化合物に、そして反応が溶媒で行なわれるか無溶媒で
行なわれるかに依存する。本兄曲方法は0〜200℃、
好! L< 8 0〜150℃、特には80〜120℃
の温度で行なわれる。
?定のフェノール又はホスフィットに依存して、反応時
間は例えば1ないし12時間の範囲で変化する。
間は例えば1ないし12時間の範囲で変化する。
弐■及びIVで表される出発物質及びホルムアルデヒド
或分は約等モル量で都合良く反応する.しかしながら式
IVで表される化合物及びホルムアルデヒド成分は、フ
ェノール:ホルムアルデヒド:ホスフィットが1:5:
4の比となるlで過剰に用いることもできる. 用いられる弐出で表されるア■ンの量は、弐nで表され
るフェノールに対して一般的に1〜250モル嘩、好1
しくは25〜125モル聳、特には40〜125モル聳
である。
或分は約等モル量で都合良く反応する.しかしながら式
IVで表される化合物及びホルムアルデヒド成分は、フ
ェノール:ホルムアルデヒド:ホスフィットが1:5:
4の比となるlで過剰に用いることもできる. 用いられる弐出で表されるア■ンの量は、弐nで表され
るフェノールに対して一般的に1〜250モル嘩、好1
しくは25〜125モル聳、特には40〜125モル聳
である。
反応生成物はそれ自体公知の方法で後処理される.使用
する系に依存して、例えば次の後処理方法會用いること
ができる: 一減圧蒸留による反応中に生成した水を含む揮発成分の
除去. 一例えはへキサン、ヘプタン、トルエン、酢酸エチル又
はメチレンクロライドのような水一非混和性有機溶媒で
の抽出、水での1又はそれ以上の回数の洗浄及び続く乾
燥分離有機相の蒸発. 生成物にもよるが、他の可能な連続精製方法、例えば再
結晶又はクロマトグラフ的方法を使用することもできる
. 本発明方法により製造される化合物は、例えば米国特許
第ム280,070号、同ム281,505号及び同へ
3 6 7, 8 7 0号明細書に記載されている多
様な有機モノマー及びボリマーのための熱−[化及び/
又は光誘導劣化に対する安定剤として著しく適している
. 〔実施例・発明の効果〕 以下、実施例で本発明をより詳細に説明する.その中の
及び残りの記述中の「部」及び「嘩」は特記しない限り
重量による. CHs t 2.6−ジー第三ブチル7エノール20.65?(11
10ミリモル)、ハラホルムアルデヒド5.229(1
74ミリモル)、53%エタノール性ジメチルアミン6
1F(45ミリモル)及びN.N−ジメチルホルムアミ
ドを、還流凝宿器及び攪拌機χ備えたスルホン化フラス
コ中で1時間、窒素ガス下で50℃に加熱する。この場
合物にトリエチルホスフィッ} 5五25f (200
ミリモル)會加える.それを還流下105℃の反応温度
で加熱する:最終生成物への転化は82%( HPLC
)である.後処理:抽出(水/メチルシクロヘキサン
)及び再結晶(メチルシクロヘキサン).収量:2五〇
タ(65嘩)、融点120℃、純度(HPLC) :
9 8蝿, 微量分析:C H P計算値: 6
4.82 9.55 &69%実測値: 64.
26 9.53 &7%実a例2 アミンとしてジメチルアミンの代わりにジブチルアミン
を用い、1だ溶媒としてDMF/}ルエンの1:1混合
物20xlを用いて実施例1の如く操作する:実施例1
にpけるのと同じ生成物か88嘩の転化率で得られる。
する系に依存して、例えば次の後処理方法會用いること
ができる: 一減圧蒸留による反応中に生成した水を含む揮発成分の
除去. 一例えはへキサン、ヘプタン、トルエン、酢酸エチル又
はメチレンクロライドのような水一非混和性有機溶媒で
の抽出、水での1又はそれ以上の回数の洗浄及び続く乾
燥分離有機相の蒸発. 生成物にもよるが、他の可能な連続精製方法、例えば再
結晶又はクロマトグラフ的方法を使用することもできる
. 本発明方法により製造される化合物は、例えば米国特許
第ム280,070号、同ム281,505号及び同へ
3 6 7, 8 7 0号明細書に記載されている多
様な有機モノマー及びボリマーのための熱−[化及び/
又は光誘導劣化に対する安定剤として著しく適している
. 〔実施例・発明の効果〕 以下、実施例で本発明をより詳細に説明する.その中の
及び残りの記述中の「部」及び「嘩」は特記しない限り
重量による. CHs t 2.6−ジー第三ブチル7エノール20.65?(11
10ミリモル)、ハラホルムアルデヒド5.229(1
74ミリモル)、53%エタノール性ジメチルアミン6
1F(45ミリモル)及びN.N−ジメチルホルムアミ
ドを、還流凝宿器及び攪拌機χ備えたスルホン化フラス
コ中で1時間、窒素ガス下で50℃に加熱する。この場
合物にトリエチルホスフィッ} 5五25f (200
ミリモル)會加える.それを還流下105℃の反応温度
で加熱する:最終生成物への転化は82%( HPLC
)である.後処理:抽出(水/メチルシクロヘキサン
)及び再結晶(メチルシクロヘキサン).収量:2五〇
タ(65嘩)、融点120℃、純度(HPLC) :
9 8蝿, 微量分析:C H P計算値: 6
4.82 9.55 &69%実測値: 64.
26 9.53 &7%実a例2 アミンとしてジメチルアミンの代わりにジブチルアミン
を用い、1だ溶媒としてDMF/}ルエンの1:1混合
物20xlを用いて実施例1の如く操作する:実施例1
にpけるのと同じ生成物か88嘩の転化率で得られる。
後処理(水/トルエンでの抽出及びリグロインからの再
結晶冫後、27.2f(79φ)の生成物が得られる.
融点120℃、M[ (HPLC) : 9 8 ts
,HTMP (ヒドロキシメチルビベリジン)ミ22、
バラホルムアルデヒド52.5f及び2.6−ジ第三ブ
チルフェノール2045ft不活性にし、そして初め減
圧下60℃で、底にある出口、隔壁、インベラ攪拌機及
びガス導入用のサブレベルエアロックを備えた二重被g
(double−jacketed)フラスーコ中に
入れる.この温度でジメチルアミン5 2 ti入れ、
その混合物を85℃で1時間攪拌する。トリエチルホス
フィッ} 5529の添加を行ない、その後反応混合物
乞115℃に4時間保つ.後処理:減圧下でのトリエテ
ルホスフィットとジメチルアミンの蒸留及び快渣のりグ
ロインからの結晶化で融点114℃O生或物520f(
90%)が得られる, 一トの製造 ?ぶ0H″)■2 11 フェノールとして2.6−ジー第三ブチル7エノールの
代ワりに2.6−ジシクロヘキシルフェノールを用い、
実施例1のように操作する.76%゛の転化が違戚され
る.後処理(水/メチルシクロヘキサンでの抽出及びメ
チルシクロヘキサンからの再結晶)後、生底物16.6
t(42%)が得られる.融点120℃、純度(HPL
C) :96%. a量分析 C H P計算値
: 67.62 9.13 7.58%
実測値: 6a45 9.17 7.8
%の製造 CHs l 溶媒(エタノール)を省き、ジメテルアミンの代わりに
ジグaビルアミンljtを、そしてトリエチルホスフィ
ットの代わりにトリノヱニルホスフィッ}55rk用い
て実施例1の操作を繰り返す:後処理(水/ヘキテンで
の抽出及びヘキサンからの再結晶)後、生成物24.S
f!(54嘩)が得られる.融点130℃、純度( }
LPLC ) :9B%. 微量分析: C H P計算
値: 71.66 7.35 484嘩
実測値: 71.75 7.46 6
.9 %製造 トリフェニルホスフ・イットをトリメチルホスフィッ}
22.3Pに換えて実施例5の如く操作する.後処理(
水/メチルシクロヘキサンでの抽出及びインプロパノー
ルからの再結晶)後,生成物19.2F(59%)が得
られる。融点155℃、純度(HPLC) : s s
%。
結晶冫後、27.2f(79φ)の生成物が得られる.
融点120℃、M[ (HPLC) : 9 8 ts
,HTMP (ヒドロキシメチルビベリジン)ミ22、
バラホルムアルデヒド52.5f及び2.6−ジ第三ブ
チルフェノール2045ft不活性にし、そして初め減
圧下60℃で、底にある出口、隔壁、インベラ攪拌機及
びガス導入用のサブレベルエアロックを備えた二重被g
(double−jacketed)フラスーコ中に
入れる.この温度でジメチルアミン5 2 ti入れ、
その混合物を85℃で1時間攪拌する。トリエチルホス
フィッ} 5529の添加を行ない、その後反応混合物
乞115℃に4時間保つ.後処理:減圧下でのトリエテ
ルホスフィットとジメチルアミンの蒸留及び快渣のりグ
ロインからの結晶化で融点114℃O生或物520f(
90%)が得られる, 一トの製造 ?ぶ0H″)■2 11 フェノールとして2.6−ジー第三ブチル7エノールの
代ワりに2.6−ジシクロヘキシルフェノールを用い、
実施例1のように操作する.76%゛の転化が違戚され
る.後処理(水/メチルシクロヘキサンでの抽出及びメ
チルシクロヘキサンからの再結晶)後、生底物16.6
t(42%)が得られる.融点120℃、純度(HPL
C) :96%. a量分析 C H P計算値
: 67.62 9.13 7.58%
実測値: 6a45 9.17 7.8
%の製造 CHs l 溶媒(エタノール)を省き、ジメテルアミンの代わりに
ジグaビルアミンljtを、そしてトリエチルホスフィ
ットの代わりにトリノヱニルホスフィッ}55rk用い
て実施例1の操作を繰り返す:後処理(水/ヘキテンで
の抽出及びヘキサンからの再結晶)後、生成物24.S
f!(54嘩)が得られる.融点130℃、純度( }
LPLC ) :9B%. 微量分析: C H P計算
値: 71.66 7.35 484嘩
実測値: 71.75 7.46 6
.9 %製造 トリフェニルホスフ・イットをトリメチルホスフィッ}
22.3Pに換えて実施例5の如く操作する.後処理(
水/メチルシクロヘキサンでの抽出及びインプロパノー
ルからの再結晶)後,生成物19.2F(59%)が得
られる。融点155℃、純度(HPLC) : s s
%。
微憬分析:C H P計算値: 6
2.18 a90 9.43嘩実副(+K:
61.57 a81 9.4 %2.
6−ジ第三ブチルフェノールヲ2.6−ジメチルフェノ
ール12.2yに換えて実施例1の如く操作する。82
%( HPLC )の転化が達戒される.後処理(水/
メチルシクロヘキサンでの抽出及びシリカゲルクロマト
グラフィー)後、生成物IA8F(51%)が得られる
。融点65℃、純度(HPLC) : q s%. 微量分析 C H P計算
値: 57.55 7.77 11.
38%実測値: 57.56 7.79
11.3 %一トの製造 CHs 1 トリ7エニルホスフィット會トリイソグロビルホスフィ
ッ}2a2Fに換えて実施例5の如く操作する, q
s @ (HPLC)の転化が達成される●後処理(水
/ヘキサンでの抽出及びヘキサンからの再結晶冫後、生
威物21.IP(55%)が得られる。融点100℃、
純度(JIPLC) : 9 7%.微量分析 C
H P計算値: 65.60
970 &06%実測値: 6S67
9.74 ao %I CHs 2.6−ジシクロヘキシルフェノール25.84t(1
00ミリモル)、ハラホルムアルデヒド五22f(17
4ミリモル)、ジプロピルアミンa1?及びトリインプ
ロピルホスフィット502(240ミリモル)を実施%
J 1と同様に処置する:72%(HPLC)o転化が
達成とれる.後処理(水/ヘキサンでの抽出及びヘキサ
ンからの再結晶)後、生成物11?(31φ)が得られ
る。
2.18 a90 9.43嘩実副(+K:
61.57 a81 9.4 %2.
6−ジ第三ブチルフェノールヲ2.6−ジメチルフェノ
ール12.2yに換えて実施例1の如く操作する。82
%( HPLC )の転化が達戒される.後処理(水/
メチルシクロヘキサンでの抽出及びシリカゲルクロマト
グラフィー)後、生成物IA8F(51%)が得られる
。融点65℃、純度(HPLC) : q s%. 微量分析 C H P計算
値: 57.55 7.77 11.
38%実測値: 57.56 7.79
11.3 %一トの製造 CHs 1 トリ7エニルホスフィット會トリイソグロビルホスフィ
ッ}2a2Fに換えて実施例5の如く操作する, q
s @ (HPLC)の転化が達成される●後処理(水
/ヘキサンでの抽出及びヘキサンからの再結晶冫後、生
威物21.IP(55%)が得られる。融点100℃、
純度(JIPLC) : 9 7%.微量分析 C
H P計算値: 65.60
970 &06%実測値: 6S67
9.74 ao %I CHs 2.6−ジシクロヘキシルフェノール25.84t(1
00ミリモル)、ハラホルムアルデヒド五22f(17
4ミリモル)、ジプロピルアミンa1?及びトリインプ
ロピルホスフィット502(240ミリモル)を実施%
J 1と同様に処置する:72%(HPLC)o転化が
達成とれる.後処理(水/ヘキサンでの抽出及びヘキサ
ンからの再結晶)後、生成物11?(31φ)が得られ
る。
融点145℃、純度(HPLC) : q .s%。
微量分析 C H P計算値
: 6a78 9.47 7.09%実
測値: 69.09 9.54 7.1
%トの製造 トリイングロビルホスフィット金トリブチルホスフィッ
ト4459に換えて実施例9の如く操作する.後処理(
水、zN−HCt/ヘキサンでの抽出)後、液体生成物
449(99%)が得られる.純度(IIPLC) : 7 4 嘩。
: 6a78 9.47 7.09%実
測値: 69.09 9.54 7.1
%トの製造 トリイングロビルホスフィット金トリブチルホスフィッ
ト4459に換えて実施例9の如く操作する.後処理(
水、zN−HCt/ヘキサンでの抽出)後、液体生成物
449(99%)が得られる.純度(IIPLC) : 7 4 嘩。
2.6−ジ第三ブチルフェノールを2−シクロヘキシル
−6−メチルフェノール1 9. 0 t K 換,t
て実aflIJ 1 O如( 操作fル. 6 9 %
(HPLC)ノ転化が達成される.後処理(水/メテ
ルシクロヘキサンでの抽出及びメチルシクロヘキサンか
らの再結晶)後、生或物y.otc20%)が得られる
.融点73℃、純度(HPLC) : 9 6%.微量
分析 C }l P計算値:
6Δ51 a59 9.10%実測値:
6186 a71 9.Q %実施
N 12:ジイソオクチル2.4−ジ第三ブチル4 と ドロキシペンジルホスホネ CHs 1 トリ7エニルホスフィットをトリイソオクチルホスフィ
ット(異性体混合物)に換えて実施例5の如《操作する
.後処理(水/酢酸エチルでの抽出及びシリカゲルクロ
マトグラフィー)後、生成物12.89(64%)が得
らレル.純度(HPLC):96聳異性体混合物. 微量分析 C H P計算値
= 7α95 1(L95 5.90条実
測値: 7cL45 11.41 5.
8 %CHj 1 トリ7エニルホスフィットをトリイソデシルホス7イッ
ト(異性体混合物) 5 9. 3 9に換えて実施例
5と同様に操作する。後処理(水/酢酸エチルでの抽出
及びシリカゲルクロマトグラフィー)後、生成物3五B
?(58%)が得られる.縄度(HPLC) : q
b嘩異性体混合物。
−6−メチルフェノール1 9. 0 t K 換,t
て実aflIJ 1 O如( 操作fル. 6 9 %
(HPLC)ノ転化が達成される.後処理(水/メテ
ルシクロヘキサンでの抽出及びメチルシクロヘキサンか
らの再結晶)後、生或物y.otc20%)が得られる
.融点73℃、純度(HPLC) : 9 6%.微量
分析 C }l P計算値:
6Δ51 a59 9.10%実測値:
6186 a71 9.Q %実施
N 12:ジイソオクチル2.4−ジ第三ブチル4 と ドロキシペンジルホスホネ CHs 1 トリ7エニルホスフィットをトリイソオクチルホスフィ
ット(異性体混合物)に換えて実施例5の如《操作する
.後処理(水/酢酸エチルでの抽出及びシリカゲルクロ
マトグラフィー)後、生成物12.89(64%)が得
らレル.純度(HPLC):96聳異性体混合物. 微量分析 C H P計算値
= 7α95 1(L95 5.90条実
測値: 7cL45 11.41 5.
8 %CHj 1 トリ7エニルホスフィットをトリイソデシルホス7イッ
ト(異性体混合物) 5 9. 3 9に換えて実施例
5と同様に操作する。後処理(水/酢酸エチルでの抽出
及びシリカゲルクロマトグラフィー)後、生成物3五B
?(58%)が得られる.縄度(HPLC) : q
b嘩異性体混合物。
微量分析 C H
計算値: 72.57 1f.2J1%実測値
: 72.10 11.7 %の製造 C■]s 曇 トリフェニルホスフィットをトリドデシルホス7イッ}
117.4Fに換えて実施列5の如く操作する.後処理
(水/酢酸エチルでの抽出及びシリカゲルクロマトグラ
7イー)後、生成物4 6 ’l (72嘩)が得られ
る。純度(IIPI,C):〜75I1. 微量分析 C H 計算値: 714 f1.55%実fat値:
74.27 12.6 %一トの製造 CHs i トリフェニルホスフィットをトリオクタテシルホスフィ
ッ} 9a6Fに換えて実施例5の如く操作する.後処
理(水/酢酸エチルでの抽出及びシリカゲルクロマトグ
ラフイー)後、生或物5 9 f (73聳)が得られ
る。純度(HPLC) :〜98%. 似量分析 C H
: 72.10 11.7 %の製造 C■]s 曇 トリフェニルホスフィットをトリドデシルホス7イッ}
117.4Fに換えて実施列5の如く操作する.後処理
(水/酢酸エチルでの抽出及びシリカゲルクロマトグラ
7イー)後、生成物4 6 ’l (72嘩)が得られ
る。純度(IIPI,C):〜75I1. 微量分析 C H 計算値: 714 f1.55%実fat値:
74.27 12.6 %一トの製造 CHs i トリフェニルホスフィットをトリオクタテシルホスフィ
ッ} 9a6Fに換えて実施例5の如く操作する.後処
理(水/酢酸エチルでの抽出及びシリカゲルクロマトグ
ラフイー)後、生或物5 9 f (73聳)が得られ
る。純度(HPLC) :〜98%. 似量分析 C H
Claims (18)
- (1)次式II ▲数式、化学式、表等があります▼II (式中、R_1ないしR_3は下記の意味を表す。)で
表わされるフェノールを、0〜200℃の温度でホルア
ルアルデヒドもしくはパラホルムアルデヒド、次式III NR_4R_5R_6III (式中、R_4は炭素原子数1ないし4のアルキル基を
表し、R_5及びR_6は互に独立して水素原子又は炭
素原子数1ないし4のアルキル基を表す。) で表されるアミン及び次式IV ▲数式、化学式、表等があります▼IV (式中、R_7及びR_8は下記の意味を表し、R_9
はR_7及びR_8に与えられた意味を表す。)で表わ
されるホスフィットと反応させることからなる一般式
I ▲数式、化学式、表等があります▼ I (式中、 R_1は水素原子又はメチル基を表し、 R_2及びR_3は互に独立して炭素原子数1ないし1
8のアルキル基、炭素原子数5ないし8のシクロアルキ
ル基、フェニル基、炭素原子数7ないし9のフェニルア
ルキル基又はハロゲン原子を表し、R_2は加えて水素
原子も表し、そして R_7及びR_8は互に独立して炭素原子数1ないし1
8のアルキル基、フェニル基又は炭素原子数7ないし1
8のアルキルフェニル基を表す。) で表される化合物の製造方法。 - (2)R_1が水素原子を表す請求項1記載の方法。
- (3)R_2及びR_3が互に独立して炭素原子数1な
いし18のアルキル基、シクロヘキシル基、フェニル基
又はベンジル基を表し、そしてR_2が加えて水素原子
も表す請求項1記載の方法。 - (4)R_2及びR_3がフェノール性水酸基のオルト
−位に存在する請求項1記載の方法。 - (5)R_2及びR_3が第三ブチル基を表す請求項3
記載の方法。 - (6)反応がパラホルムアルデヒドを用いて行なわれる
請求項1記載の方法。 - (7)式IIIで表されるアミンにおいてR_4がメチル
基、エチル基、プロピル基又はブチル基を表し、R_5
が水素原子、メチル基、エチル基、プロピル基又はブチ
ル基を表わし、そしてR_6が水素原子を表す請求項1
記載の方法。 - (8)R_7、R_8及びR_9が互に独立して炭素原
子数1ないし4のアルキル基、フェニル基又は炭素原子
数7ないし9のアルキルフェニル基を表す請求項1記載
の方法。 - (9)R_7、R_8及びR_9が互に独立して炭素原
子数18のアルキル基又は炭素原子数15のアルキルフ
ェニル基を表す請求項1記載の方法。 - (10)R_1が3−位で水素原子を表し、R_2及び
R_3が2−及び6−位で第三ブチル基を表わす式IIで
表わされるフェノールを、パラホルムアルデヒド、R_
4及びR_5がメチル基を表し、R_6が水素原子を表
す式IIIで表わされるアミン、及びR_7、R_8及び
R_9がエチル基を表わす式IVで表わされるホスフィッ
トと反応させる請求項1記載の方法。 - (11)溶媒中で行なわれる請求項1記載の方法。
- (12)溶媒が極性非プロトン性溶媒である請求項11
記載の方法。 - (13)溶媒無しで行なわれる請求項1記載の方法。
- (14)反応温度が80〜150℃である請求項1記載
の方法。 - (15)式IIで表されるフェノール:ホルムアルデヒド
:式IVで表されるホスフィットの比が 1:1:1ないし1:3:4である請求項1記載の方法
。 - (16)使用される式IIIで表されるアミンの量が式II
で表されるフェノールに対し1〜250モル%である請
求項1記載の方法。 - (17)一般式 I a ▲数式、化学式、表等があります▼ I a (式中、 R_1は水素原子又はメチル基を表し、 R_2はメチル基、第三ブチル基又はシクロヘキシル基
を表し、そして R_7及びR_8は互に独立して炭素原子数1ないし1
8のアルキル基、フェニル基又は炭素原子数7ないし1
8のアルキルフェニル基を表す。) で表される化合物。 - (18)R_1が水素原子を表す請求項17記載の化合
物。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CH427189 | 1989-11-29 | ||
CH4271/89-9 | 1989-11-29 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH03170490A true JPH03170490A (ja) | 1991-07-24 |
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---|---|---|---|
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EP (1) | EP0434606B1 (ja) |
JP (1) | JP2818972B2 (ja) |
DE (1) | DE59009533D1 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100418260B1 (ko) * | 2001-08-10 | 2004-02-11 | 미원상사주식회사 | 3,5-디-tert-부틸-4-히드록시 벤질알코올의 제조방법 |
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---|---|---|---|---|
TW283707B (ja) * | 1994-06-28 | 1996-08-21 | Ciba Geigy Ag |
Family Cites Families (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3257321A (en) * | 1960-09-01 | 1966-06-21 | Ethyl Corp | 3, 5-dialkyl-4-hydroxybenzyl chloride |
US3006945A (en) * | 1960-09-01 | 1961-10-31 | Ethyl Corp | Preparation of organic compounds |
US3268630A (en) * | 1963-02-25 | 1966-08-23 | Geigy Chem Corp | Preparation of hydroxyphenyl alkane phosphonates |
US3281505A (en) * | 1963-09-12 | 1966-10-25 | Geigy Chem Corp | Dialkylhydroxyethanephosphonates and dialkylhydroxybenzylphosphonates |
CH542248A (de) * | 1971-02-17 | 1973-09-30 | Ciba Geigy Ag | Verfahren zur Herstellung von Benzylphosphonaten |
CH560227A5 (ja) * | 1971-05-12 | 1975-03-27 | Ciba Geigy Ag | |
US3962377A (en) * | 1973-09-25 | 1976-06-08 | Ciba-Geigy Corporation | 2,3,5-Trialkyl-4-hydroxybenzylphosphonates and phosphinates |
EP0002042B1 (de) * | 1977-11-16 | 1980-10-29 | Hoechst Aktiengesellschaft | Diamino-1,3,5-triazinylstilbenverbindungen, Verfahren zu deren Herstellung und ihre Verwendung als optische Aufheller |
DE3030365A1 (de) * | 1980-08-11 | 1982-03-25 | Hoechst Ag, 6000 Frankfurt | Hydroxynaphthylmethanphosphon- und phosphinsaeuren, ihre ester sowie verfahren zu deren herstellung |
-
1990
- 1990-11-20 DE DE59009533T patent/DE59009533D1/de not_active Expired - Fee Related
- 1990-11-20 EP EP90810896A patent/EP0434606B1/de not_active Expired - Lifetime
- 1990-11-21 US US07/616,549 patent/US5157141A/en not_active Expired - Fee Related
- 1990-11-29 JP JP2333441A patent/JP2818972B2/ja not_active Expired - Lifetime
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KR100418260B1 (ko) * | 2001-08-10 | 2004-02-11 | 미원상사주식회사 | 3,5-디-tert-부틸-4-히드록시 벤질알코올의 제조방법 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US5157141A (en) | 1992-10-20 |
EP0434606A1 (de) | 1991-06-26 |
JP2818972B2 (ja) | 1998-10-30 |
DE59009533D1 (de) | 1995-09-21 |
EP0434606B1 (de) | 1995-08-16 |
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