JPH03163735A - Ion implanter - Google Patents
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Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、イオン注入装置、特に熱陰極を用いた熱電子
衝撃型イオン源を有するイオン注入装置に係わる。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Industrial Application Field] The present invention relates to an ion implantation device, and particularly to an ion implantation device having a thermionic impact type ion source using a hot cathode.
本発明は、イオン注入装置において、熱陰極を有するイ
オン発生室内にＣＯ２又はＯ２、 、或いはこれらの混
合ガスに対して２０〜８０体積％（Ｖｏｌ％）の＾ｒガ
スを混入したイオンソースガスを供給してＯゝ，ｃ”．
ｃｏ”の１種以上のイオンを取り出すようにすることに
より、熱電子衝撃型イオン源を有するイオン注入装置に
おいて Ｏ”， （′″，ＣＤ′″イオン等を安定に引
き出すことができ、しかもこれらのイオンと同時に形戊
されるＡｒ” イオンによるスパッタリング効果により
イオン発生゛室すなわちアークチェンバー及び引出し電
極のクリーニング効果を得て、ｏ”． ｃ” イオンに
よる汚染を比較的長時間にわたって回避するようにして
、イオン注入を長時間継続して、或いは繰返し行うこと
を可能にし、半導体等へのイオン注入工程における作業
性及び信頼性の向上をはかることができる。The present invention uses an ion source gas in which 20 to 80% by volume (Vol%) of CO2, O2, or a mixture thereof is mixed into an ion generation chamber having a hot cathode in an ion implantation apparatus. Supply Oゝ,c”.
By extracting one or more types of ions, O", The cleaning effect of the ion generation chamber, that is, the arc chamber, and the extraction electrode is achieved by the sputtering effect of the Ar'' ions, which are formed simultaneously with the ions of the Ar''. Therefore, it is possible to continue ion implantation for a long time or to perform it repeatedly, and it is possible to improve workability and reliability in the process of ion implantation into semiconductors and the like.
イオン注入技術は、例えば？ＪＯＳ−ＬＳＩ の製造に
おいて、しきい値電圧Ｖ？ｌＩ低下のための基板不純物
注入や、ソース／ドレイン領域の形戊、或いはバイポー
ラＬＳＩの製造におけるベース、エミッタの形戒等の不
純物注入に広く使用されている。また、この他にも例え
ばＳＩＭＯＸ（Ｓｅｐａｒａｔｉｏｎ ｂｙＩｍｐｌａ
ｎｔｅｄ Ｏｘｙｇｅｎ ：注入酸素による誘電体分離
〉基板のように、高濃度に○ゝイオンを注入することに
より、ＳｉＯ２、膜を形或するＳ Ｏ Ｉ （Ｓｅｍｉ
ｃｏｎｄｕｃｔｏｒｏｎ Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ ：絶縁
性基板上半導体）基板の製造にも使用されている。For example, what about ion implantation technology? In manufacturing JOS-LSI, threshold voltage V? It is widely used for implanting impurities into a substrate to lower II, shaping source/drain regions, and shaping bases and emitters in the manufacture of bipolar LSIs. In addition, for example, SIMOX (Separation by Impla)
nted Oxygen: Dielectric separation using implanted oxygen〉By implanting ○ゝ ions at a high concentration like a substrate, SiO2, SOI (Semi
conductoron insulator (semiconductor on insulating substrate) It is also used for manufacturing substrates.
このイオン注入を行うイオン注入装置のイオン源として
は、熱陰極を用いた熱電子衝撃型イオン源、いわゆるフ
リーマン型イオン源が、広く使われている。このフリー
マン型イオン源の構造をその路線的断面図を示す第１図
を参照して説明する。As an ion source for an ion implantation apparatus that performs this ion implantation, a thermionic impact ion source using a hot cathode, a so-called Freeman ion source, is widely used. The structure of this Freeman type ion source will be explained with reference to FIG. 1 showing a sectional view thereof.
この場合、第１図に示すように、気密に保持されたイオ
ン発生室（２）すなわちアークチェンバーを有し、この
イオン発生室（２）内には絶縁物（１ａ）を介して熱陰
極（１）が設けられ、この熱陰極（１）のほぼ中央部に
、これをはさんでイオンソースガス供給源（図示せず）
に連結され、これによりイオンソースガスが供給される
イオンソースガス注入口（４）と、イオンビーム取出し
スリット（５）が設けられて戒る。In this case, as shown in FIG. 1, there is an ion generation chamber (2) that is kept airtight, that is, an arc chamber, and a hot cathode ( 1) is provided, and an ion source gas supply source (not shown) is provided approximately in the center of this hot cathode (1).
An ion source gas injection port (4) connected to and thereby supplying ion source gas, and an ion beam extraction slit (5) are provided.
イオン発生室（２）の外側には、このイオン取出しスリ
ット（５）に対向してイオン引出し電極（６〕及び電極
（７）が設けられ、このイオン引出し電極（６）と電極
（７）にはイオン取出しスリット（５）に平行するスリ
ット（８）及び（９）が設けられて戒る。（１０）は磁
界発生コイルである。On the outside of the ion generation chamber (2), an ion extraction electrode (6) and an electrode (7) are provided facing the ion extraction slit (5), and the ion extraction electrode (6) and the electrode (7) are connected to each other. Slits (8) and (9) are provided parallel to the ion extraction slit (5). (10) is a magnetic field generating coil.
このフリーマン型イオン源においては、まず注入イオン
のソースとなるガスを、イオンソースガス注入口（４）
よりイオン発生室（２）に導入する。イオン発生室（２
）では、熱陰極（１）を通電加熱して熱電子を放出させ
、さらにこの電子の飛程距離を増大させるために、磁界
発生コイル（１０）により所要の磁界をかける。イオン
発生室（２）すなわちアークチェンバーは、全体的に熱
陰極（１）に対し正の電位を印加して熱電子に所要のエ
ネルギーを与えてこの熱電子をガスに衝突させてイオン
化させる。このようにして発生したイオンを、所要の負
の電圧を印加したイオン引出し電極（６）によって、イ
オン取出しスリット（５）から引出し、イオン引出し電
極（６）のスリット（８）を通過させて、さらにイオン
引出し電極（６）に比して正の電位が与えられた電極（
７）によって、イオンの広がりを抑制してこの電極（７
）のスリ？ト（９）より所要の幅をもったイオンビーム
（１１）を引き出す。このイオンビーム（１１〉から所
要のイオンを質量分析器（図示せず）により分離して、
それぞれ比較的大電流のイオンとして安定に供給する。In this Freeman type ion source, first, the gas that becomes the source of implanted ions is introduced into the ion source gas injection port (4).
and introduced into the ion generation chamber (2). Ion generation chamber (2
), the hot cathode (1) is electrically heated to emit thermoelectrons, and a magnetic field generating coil (10) applies a required magnetic field in order to further increase the range of the electrons. The ion generation chamber (2), ie, the arc chamber, applies a positive potential to the hot cathode (1) as a whole to give the required energy to the thermoelectrons, causing the thermoelectrons to collide with the gas and ionize it. The ions thus generated are extracted from the ion extraction slit (5) by the ion extraction electrode (6) to which a required negative voltage is applied, and are passed through the slit (8) of the ion extraction electrode (6). Furthermore, an electrode (
7), this electrode (7) suppresses the spread of ions.
) pickpocket? An ion beam (11) with a required width is extracted from the gate (9). The desired ions are separated from this ion beam (11) by a mass spectrometer (not shown),
Each is stably supplied as ions with a relatively large current.
このようなイオン源を用いたイオン注入装置においては
、特に０３，Ｃ゛及びＣＯ゜のイオン注入を行う場合、
イオンソースガスとしては、Ｏ２、＋ ＣＯ２ガスを用
いる。ところが、このようにイオンソースガスとして○
，，−ＣＯ２ガスを用いる場合、イオン発生室（２）す
なわちアークチェンバーの内壁や、引出し電極（６）が
酸化されたり、炭素が付着することなどによってこれら
が汚染されるため、イオンビーム（１１〉が、不安定と
なってイオン注入量の制御が困難となり、信頼性の劣化
を来す。また汚染が進行してイオン発生室（２）の内壁
及びイオン引出し電極（６）の表面が絶縁化されると、
イオンビーム（１ｌ）の引出しが困難となる。したがっ
て、Ｏ２、やＣＤ■のようなイオンソースガスを用いる
場合、長時間に渡るイオン注入や、イオン注入を繰返し
行うためには、イオン源のクリーニングを必要とした。In an ion implantation apparatus using such an ion source, especially when performing ion implantation of 03, C゛ and CO゜,
O2, +CO2 gas is used as the ion source gas. However, as shown above, as an ion source gas,
,, - When using CO2 gas, the inner wall of the ion generation chamber (2), that is, the arc chamber, and the extraction electrode (6) become contaminated due to oxidation or adhesion of carbon, so the ion beam (11 > becomes unstable, making it difficult to control the amount of ion implantation, resulting in deterioration of reliability.Furthermore, as contamination progresses, the inner wall of the ion generation chamber (2) and the surface of the ion extraction electrode (6) become insulated. When it becomes
It becomes difficult to extract the ion beam (1l). Therefore, when using an ion source gas such as O2 or CD2, the ion source needs to be cleaned in order to perform ion implantation over a long period of time or to perform ion implantation repeatedly.
このイオン源のクリーニングは、イオン源の各部を分解
して洗浄するという繁雑な作業を伴うので、そのクリー
ニングには２〜３時間を必要とし、作業性の低下を来す
。Cleaning the ion source involves the complicated work of disassembling and cleaning each part of the ion source, which requires two to three hours, resulting in a decrease in work efficiency.
またＣＯガスを用いれば安定であるが、ＣＯガスは極め
て有毒であり、安全性に欠けるという問題がある。Furthermore, although it is stable if CO gas is used, there is a problem that CO gas is extremely toxic and lacks safety.
本発明は、イオン注入装置、特に熱陰極を用いた熱電子
衝撃型イオン源を有するイオン注入装置において、○”
，ｃ”．ｃｏ・イオン等を安定に引出すことができ、か
つ、○ゝ，ｃ”，ｃｏ＋イオンによる熱陰極の汚染を比
較的長時間抑制して、イオン注入装置を継続して使用す
る時間の長時間化及び繰返しの使用を可能とし、半導体
等へのイオン注入・工程における作業性及び信頼性の向
上をはかるものである。The present invention provides an ion implantation device, particularly an ion implantation device having a thermionic impact type ion source using a hot cathode.
,c".co ions, etc. can be extracted stably, and contamination of the hot cathode by ○ゝ,c",co+ ions can be suppressed for a relatively long period of time, and the ion implantation device can be used continuously for a relatively long time. This enables long-term and repeated use, and improves workability and reliability in the process of ion implantation into semiconductors and the like.
本発明によるイオン注入装置は、第１図にその略線的断
面図を示すように、熱陰極（１）を有するイオン発生室
（２）内にＣＯ２、 又は０，、或いはこれらの混合ガ
スに対して２０〜８（ｌ Ｖａｔ％のＡｒガスを混入し
たイオンソースガスを供給して○“，Ｃ”．ＣＯ” の
１種類以上のイオンを取り出すようにして構或する。The ion implantation apparatus according to the present invention, as shown in a schematic cross-sectional view in FIG. On the other hand, an ion source gas mixed with Ar gas of 20 to 8 (l Vat%) may be supplied to extract one or more types of ions of ○", C".CO".
？作用〕
上述したように本発明においては、第ｌ図に示すイオン
注入装置のイオン源に供給するイオンソースガス（３）
として、ＣＯ■又はＯ２、ガス、或いはこれらの混合ガ
スに対してＡｒガスを混合させた、混合ガスを用いる。? Effect] As described above, in the present invention, the ion source gas (3) supplied to the ion source of the ion implantation apparatus shown in FIG.
A mixed gas in which Ar gas is mixed with CO2, O2 gas, or a mixed gas thereof is used as the gas.
このＡｒガスの割合は、ＣＯ２ 又はＯ２、ガスに対し
て２０〜ｇＱ Ｖｏｌ％の間とする。Ａｒガスを混入し
た事により、プラズマ状態となっているイオン発生室（
２）内には、○“Ｃ ｉ″，ＣＯ゛ イオンの他にＡｒ
＝ イオンも存在し、このＡｒ” イオンによるスパッ
タリング効果によってイオン発生室（２）の内壁及びイ
オン引出し電極（６）の表面の汚染物質が取り除かれ、
すなわちクリーニングされ、より安定なＯ”， Ｃ”．
ＣＤ”″の１種以上のイオンを取出すことができ、信頼
性の向上をはかることができる。さらにこの汚染の進行
をＡｒ” スパッタリングによるクリーニング効果のた
め抑制することができることから、イオン源の分解クリ
ーニング工程を従来ほど頻繁に必要とせず、長時間に渡
るイオン注入、又はイオン注入の多数回の繰返し使用が
可能となる。またイオンソースガスの交換を行う場合に
も必ずしも毎回このような分解クリーニングを行う要が
なく、作業性の向上をはかることができる。The proportion of this Ar gas is between 20 and gQ Vol% relative to CO2 or O2 gas. The ion generation chamber (which is in a plasma state by mixing Ar gas)
2) In addition to ○“C i”, CO゛ ions, Ar
= ions are also present, and the sputtering effect of these Ar'' ions removes contaminants from the inner wall of the ion generation chamber (2) and the surface of the ion extraction electrode (6).
That is, cleaned and more stable O", C".
One or more types of ions of CD"" can be extracted, and reliability can be improved. Furthermore, since the progress of this contamination can be suppressed by the cleaning effect of Ar'' sputtering, it is not necessary to disassemble and clean the ion source as frequently as in the past, and it is possible to perform long-term ion implantation or multiple ion implantations. It is possible to use it repeatedly.Furthermore, even when replacing the ion source gas, it is not necessary to carry out such disassembly and cleaning every time, and workability can be improved.
本発明によるイオン注入装置の一例を説明する。 An example of an ion implantation apparatus according to the present invention will be described.
この場合のイオン源を、その路線的断面図を示す第１図
を参照して説明する。The ion source in this case will be explained with reference to FIG. 1 showing a sectional view thereof.
このイオン注入装置のイオン源は、前述したように、熱
陰極を用いた熱電子衝撃型イオン源、いわゆるフリーマ
ン型イオン源で、第１図に示すように、気密に保持され
たイオン発生室（２）すなわちアークチェンバーを有し
、このイオン発生室（２）内には、絶縁物（１ａ）を介
して熱陰極（１）が設けられ、この熱陰極（１）のほぼ
中央部に、これをはさんでイオンソースガス供給源（図
示せず）に連結され、これによりイオンソースガスが供
給されるイオンソースガス注入口（４）とイオンビーム
取出しスリット（５）が設けられて或る。イオン発生室
（２）の外側には、このイオン取出しスリット（５）に
対向してイオン引出し電極（６）及び電極（７）が設け
られ、このイオン引出し電極（６）と電極（７）に−は
、イオン取出しスリット（５）に平行するスリット（８
）及び（９）が設けられて或る。（１０）は磁界発生コ
イルである。As mentioned above, the ion source of this ion implanter is a thermionic impact type ion source using a hot cathode, a so-called Freeman type ion source, and as shown in Figure 1, the ion generation chamber ( 2) That is, it has an arc chamber, and a hot cathode (1) is provided in this ion generation chamber (2) with an insulator (1a) interposed therebetween. An ion source gas injection port (4) connected to an ion source gas supply source (not shown) through which ion source gas is supplied, and an ion beam extraction slit (5) are provided. On the outside of the ion generation chamber (2), an ion extraction electrode (6) and an electrode (7) are provided facing the ion extraction slit (5). - indicates a slit (8) parallel to the ion extraction slit (5).
) and (9) are provided. (10) is a magnetic field generating coil.
このフリーマン型イオン源においては、まず注入イオン
のソースとして、ＣＯ，又はＯ２、、或いはこれらの混
合ガスに対して、＾ｒガスを２０〜ｇＱ Ｖｏｌ％混合
した混合ガスを用いる。このイオンソースガスを、イオ
ンソースガス注入口（４）よりイオン発生室（２）に導
入する。イオン発生室（２）では熱陰極（１）を通電加
熱して熱電子を放出させ、さらにこの電子の飛程距離を
増大させるために、磁界発生コイル（１０）により所要
の磁界をかける。イオン発生室（２）すなわちアークチ
ェンバーは、全体的に熱陰極（１）に対し正の電圧を印
加して、熱電子に所要のエネルギーを与えてこの熱電子
をガスに衝突させてイオン化させ、すなわちｏ”， ｃ
”及びＡｒ” イオンを発生させる。このようにして発
生したイオンは、所要の負の電圧を印加したイオン引出
し電極（６）によってイオン取出しスリット（５）から
引出し、イオン引出し電極（６）のスリット（８）を通
過させて、さらにイオン引出し電極（６）に比して正の
電位が与えられた電極（７）によってイオンの広がりを
抑制して、この電極（７）のスリット（９）より所要の
幅をもったイオンヒーム（１１）ヲ引出す。このイオン
ビーム（１ｌ〉から所要のイオンを質量分析器（図示せ
ず〉により分離して、それぞれ比較的大電流のイオンと
して安定に供給する。In this Freeman type ion source, first, as a source of implanted ions, a mixed gas in which 20 to gQ Vol% of ^r gas is mixed with CO, O2, or a mixed gas thereof is used. This ion source gas is introduced into the ion generation chamber (2) through the ion source gas injection port (4). In the ion generation chamber (2), the hot cathode (1) is electrically heated to emit thermoelectrons, and a magnetic field generation coil (10) applies a required magnetic field to increase the range of the electrons. The ion generation chamber (2), that is, the arc chamber, applies a positive voltage to the hot cathode (1) as a whole, gives the necessary energy to the thermoelectrons, causes the thermoelectrons to collide with the gas, and ionizes the gas. i.e. o”, c
"and Ar" ions are generated. The ions generated in this way are extracted from the ion extraction slit (5) by the ion extraction electrode (6) to which a required negative voltage is applied, and then passed through the slit (8) of the ion extraction electrode (6). The spread of ions is suppressed by the electrode (7) to which a positive potential is applied compared to the ion extraction electrode (6), and the ion beam (11) with the required width is formed through the slit (9) of this electrode (7). ). Required ions are separated from this ion beam (1l) by a mass spectrometer (not shown) and each is stably supplied as ions with a relatively large current.
実施例ｌ
Ｓｉにおけるイオン注入後のアニールによる２次欠陥発
生の検討等において、Ｓｉ表面の改質、例えば００イオ
ン注入或いはＣ゛イオン注入によって、？ｉｎ２或いは
ＳｉＣの改質において、イオンソースガスとしてＯ２、
或いはＣＯ■ガスを４０ Ｖａｔ％、Ａｒガスを６０
Ｖｏｌ％混合して、第１図に説明したイオン注入装置に
おけるイオン発生室（２）に供給した。この場合、２〜
３時間以上で繰返しイオン注入装置を動作させても、汚
染による不安定性を招来することがなかった。Example 1 In examining the occurrence of secondary defects due to annealing after ion implantation in Si, the Si surface was modified by, for example, 00 ion implantation or C゛ ion implantation. In the modification of in2 or SiC, O2 is used as an ion source gas.
Or CO gas at 40 Vat%, Ar gas at 60 Vat%
The mixture was mixed in vol % and supplied to the ion generation chamber (2) in the ion implantation apparatus illustrated in FIG. In this case, 2~
Even when the ion implanter was operated repeatedly for more than 3 hours, instability due to contamination did not occur.
ちなみにＡｒガスを供給しない従来のイオン注入装置で
は、２〜３時間のイオン注入後、分解クリーニングを必
要とした。Incidentally, a conventional ion implantation apparatus that does not supply Ar gas requires decomposition cleaning after 2 to 3 hours of ion implantation.
なお、上述したように本発明においては、イオンソース
ガスとしてＡｒガスを２０〜８０ Ｖａｔ％混合するも
のであるが、これは、２０ Ｖｏｌ％未満では十分なク
リーニング効果が得られず、８０ｖＯｌ％を越えると、
目的とするイオンが充分かつ安定に得られなくなること
に因る。As mentioned above, in the present invention, 20 to 80 Vat% of Ar gas is mixed as the ion source gas, but if it is less than 20 Vol%, a sufficient cleaning effect cannot be obtained. When you cross it,
This is due to the fact that the target ions cannot be obtained sufficiently and stably.
また、本発明は、上述したようにＳ１表面の改質の検討
等に限らず、各種目的のイオン注入例えば多結晶シリコ
ンに○゛をイオン注入していわゆるＳＩＰＯＳ（Ｓｅｍ
ｉ−１ｎｓｕｌａｔｅｄ Ｐｏｌｙ−Ｓｉｌｉｃｏｎ：
半絶縁性多結晶シリコン〉を形戊して例えば高負荷抵抗
型Ｓ−ＲＡＭ （スタティック・ランダム・アクセス・
メモリ〉を形戊する場合に用いることができる。In addition, the present invention is not limited to the study of modification of the S1 surface as described above, but also includes ion implantation for various purposes, such as ion implantation of ○゛ into polycrystalline silicon, so-called SIPOS
i-1nsulated Poly-Silicon:
For example, high load resistance type S-RAM (static random access
It can be used when shaping a memory.
上述したように本発明においては、第ｌ図に示すイオン
注入装置のイオン源に供給するイオンソースガス（３）
として、ＣＯ２、 又はＯ２、ガス、或いはこれらの混
合ガスに対してＡｒガスを混合させた、混合ガスを用い
る。このＡｒガスの割合は、ＣＯ２ 又はＯ２、ガスに
対して２０〜８０ Ｖｏｌ％の間とする。Ａｒガスを混
入した事によりプラズマ状態となっているイオン発生室
（２）内には、○“，ｃ”，ｃｏ°イオンの他に＾ｒ０
イオンも存在し、このＡｒ’″イオンによるスパッタ
リング効果によってイオン発生室（２）の内壁及びイオ
ン引出し電極（６）の表面の汚染物質が取り除かれ、す
なわちクリーニングされ、より安定な○“，Ｃ“．ＣＯ
′″の１種以上のイオンを取出すことができ、信頼性の
向上をはかることができる。さらに、この汚染の進行を
、Ａｒ” スパッタリングによるクリーニング効果のた
め抑制することができることから、イオン源の分解クリ
ーニング工程を従来ほど頻繁に必要とせず、長時間に渡
るイオン注入、又はイオン注入の多数回の繰返し使用が
可能となる。またイオンソースガスの交換を行う場合に
も必ずしも毎回このような分解クリーニングを行う要が
なく作業性の向上をはかることができる。As described above, in the present invention, the ion source gas (3) supplied to the ion source of the ion implantation apparatus shown in FIG.
As a gas, a mixed gas in which Ar gas is mixed with CO2, O2, gas, or a mixed gas thereof is used. The proportion of this Ar gas is between 20 and 80 Vol% relative to CO2 or O2 gas. In the ion generation chamber (2), which is in a plasma state due to the mixing of Ar gas, in addition to ○", c", co° ions, ^r0
Ions also exist, and the sputtering effect of these Ar''' ions removes, or cleans, the contaminants on the inner wall of the ion generation chamber (2) and the surface of the ion extraction electrode (6), resulting in more stable ○", C" .CO
It is possible to extract one or more types of ions from the ion source, improving reliability.Furthermore, since the progress of this contamination can be suppressed due to the cleaning effect of Ar'' sputtering, it is possible to improve the reliability of the ion source. A decomposition cleaning process is not required as frequently as in the past, and ion implantation can be performed over a long period of time, or ion implantation can be repeated many times. Furthermore, when exchanging the ion source gas, it is not necessary to carry out such disassembly and cleaning every time, and workability can be improved.
また、０＋イオンの注入が安定に行えることにより例え
ば多結晶シリコンに○゛イオンを注入して高抵抗負荷と
して用いるいわゆるＳＩＰＯＳ膜の製造にも適用するこ
とができ、種々の半導体製造工程への応用が可能となる
。In addition, since the implantation of 0+ ions can be carried out stably, it can be applied, for example, to the production of so-called SIPOS films, which are used as high resistance loads by implanting 0+ ions into polycrystalline silicon, and can be applied to various semiconductor manufacturing processes. becomes possible.
第１図はイオン注入装置のイオン源の略線的断面図を示
す。
（１）は熱陰極、（１ａ〉は絶縁物、（２）はイオン発
生室、（３）はイオンソースガス、（４）はイオンソー
スガス注入口、（５）はイオン取出しスリット、（６）
はイオン引出し電極、（７）は電極、（８）及び（９）
はスリット、（１０〉は磁界発生コイル、（１１）はイ
オンビームである。
第
１
図
手続補正書
１．事件の表示
平底
１年
特
許
願
第３０１３６６号
３．補正をする者
事件との関係FIG. 1 shows a schematic cross-sectional view of an ion source of an ion implanter. (1) is a hot cathode, (1a) is an insulator, (2) is an ion generation chamber, (3) is an ion source gas, (4) is an ion source gas inlet, (5) is an ion extraction slit, (6 )
is an ion extraction electrode, (7) is an electrode, (8) and (9)
is a slit, (10> is a magnetic field generating coil, and (11) is an ion beam. Figure 1 Procedural amendment 1. Display of the case Flat bottom 1 year patent application No. 301366 3. Person making the amendment Relationship with the case
Claims (1)
或いはこれらの混合ガスに対して２０〜８０体積％のＡ
ｒガスを混入したイオンソースガスを供給して、Ｏ＾＋
、Ｃ＾＋、ＣＯ＾＋の１種以上のイオンを取り出すよう
にして成ること を特徴とするイオン注入装置。[Claims] CO_2 or O_2,
Or 20 to 80% by volume of A to these mixed gases
By supplying ion source gas mixed with r gas, O^+
, C^+, and CO^+.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30136689A JPH03163735A (en) | 1989-11-20 | 1989-11-20 | Ion implanter |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30136689A JPH03163735A (en) | 1989-11-20 | 1989-11-20 | Ion implanter |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03163735A true JPH03163735A (en) | 1991-07-15 |
Family
ID=17896002
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP30136689A Pending JPH03163735A (en) | 1989-11-20 | 1989-11-20 | Ion implanter |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03163735A (en) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH11329266A (en) * | 1998-03-27 | 1999-11-30 | Eaton Corp | Ion source, cleaning method in ion processing process |
| JP2007531214A (en) * | 2004-03-26 | 2007-11-01 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | Ion source |
| US7947129B2 (en) * | 2003-06-06 | 2011-05-24 | Sen Corporation, An Shi And Axcelis Company | Ion source apparatus and cleaning optimized method thereof |
-
1989
- 1989-11-20 JP JP30136689A patent/JPH03163735A/en active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH11329266A (en) * | 1998-03-27 | 1999-11-30 | Eaton Corp | Ion source, cleaning method in ion processing process |
| US7947129B2 (en) * | 2003-06-06 | 2011-05-24 | Sen Corporation, An Shi And Axcelis Company | Ion source apparatus and cleaning optimized method thereof |
| JP2007531214A (en) * | 2004-03-26 | 2007-11-01 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | Ion source |
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