JPH03161163A - レーザはんだ付け装置 - Google Patents
レーザはんだ付け装置Info
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- JPH03161163A JPH03161163A JP1297016A JP29701689A JPH03161163A JP H03161163 A JPH03161163 A JP H03161163A JP 1297016 A JP1297016 A JP 1297016A JP 29701689 A JP29701689 A JP 29701689A JP H03161163 A JPH03161163 A JP H03161163A
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- JP
- Japan
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- laser
- temperature
- soldered
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- temperature data
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- Pending
Links
- 238000005476 soldering Methods 0.000 title claims description 20
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims abstract description 6
- 238000002844 melting Methods 0.000 claims description 3
- 230000008018 melting Effects 0.000 claims description 3
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 238000009529 body temperature measurement Methods 0.000 claims description 2
- 239000013307 optical fiber Substances 0.000 abstract description 3
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 abstract 1
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- 238000005070 sampling Methods 0.000 description 2
Landscapes
- Laser Beam Processing (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はレーザはんだ付け装置、特に被はんだ付け部表
面の個体差によって左右されないはんだ付け品質を得る
レーザはんだ付け装置に関する。
面の個体差によって左右されないはんだ付け品質を得る
レーザはんだ付け装置に関する。
従来のレーザはんだ付け装置について図面を参照して詳
細に説明する。
細に説明する。
第３図は従来のレーザはんだ付け装置の例を示す説明図
である。同図において、非接触温度センサ４は被はんだ
付け部８の温度を測定し、温度データ処理部５はそれを
温度データ６に変換し制御部１に送る。その温度データ
６をもとに制御部２１はシャッター開閉データ１１をシ
ャッタ一部９に送り、シャッターを開閉する。そして、
レーザ装置２２で発生したレーザ光はシャッタ一部９が
開のときに光ファイバ１０とレーザ光学ヘッド３を介し
て被はんだ付け部８に照射される．逆にシャッタ一部９
が閉のときはレーザ光は遮断され、被はんだ付け部８に
照射されない．次に、第４図は従来のレーザはんだ付け
装置のシャッター開閉制御方法を示す説明図である．第
４図（ａ）は被はんだ付け部目標温度の設定方法を示し
、はんだ付け時間をあらかじめ設定したサンプリング時
間でｎ等分（ｎ＝１．２，・・・・・・ｎ）し、それぞ
れの時刻について被はんだ付け部目標温度を割り付ける
。第２図（ｂ）は目標温度と非接触形温度センナで測定
した被はんだ付け部８の温度とを比較し、シャッター開
閉データ１１を生成するための温度誤差対シャッター開
閉データテーブルを示す。
である。同図において、非接触温度センサ４は被はんだ
付け部８の温度を測定し、温度データ処理部５はそれを
温度データ６に変換し制御部１に送る。その温度データ
６をもとに制御部２１はシャッター開閉データ１１をシ
ャッタ一部９に送り、シャッターを開閉する。そして、
レーザ装置２２で発生したレーザ光はシャッタ一部９が
開のときに光ファイバ１０とレーザ光学ヘッド３を介し
て被はんだ付け部８に照射される．逆にシャッタ一部９
が閉のときはレーザ光は遮断され、被はんだ付け部８に
照射されない．次に、第４図は従来のレーザはんだ付け
装置のシャッター開閉制御方法を示す説明図である．第
４図（ａ）は被はんだ付け部目標温度の設定方法を示し
、はんだ付け時間をあらかじめ設定したサンプリング時
間でｎ等分（ｎ＝１．２，・・・・・・ｎ）し、それぞ
れの時刻について被はんだ付け部目標温度を割り付ける
。第２図（ｂ）は目標温度と非接触形温度センナで測定
した被はんだ付け部８の温度とを比較し、シャッター開
閉データ１１を生成するための温度誤差対シャッター開
閉データテーブルを示す。
今、ある瞬間ｔ１において非接触形温度センサによって
測定された被はんだ付け部８の温度をＴ ｏｎとし、あ
らかじめ設定された被はんだ付け部温度目標値をＴ．と
する。このとき温度誤差ΔＴ．を ΔＴａ＝Ｔｆｌ−ＴＯｆｉ （ｎ＝１．２．３−・・
）で算出する。このときのシャッタ一部９の開閉は第４
図（ｂ）のテーブルにより決定され、制御部２１により
制御される。
測定された被はんだ付け部８の温度をＴ ｏｎとし、あ
らかじめ設定された被はんだ付け部温度目標値をＴ．と
する。このとき温度誤差ΔＴ．を ΔＴａ＝Ｔｆｌ−ＴＯｆｉ （ｎ＝１．２．３−・・
）で算出する。このときのシャッタ一部９の開閉は第４
図（ｂ）のテーブルにより決定され、制御部２１により
制御される。
上述した従来のはんだ付け装置はシャッタ一部９の開閉
のみによって制御されるので、被はんだ付け部表面状態
の個体差による温度条件の変化に対してきめ細かなレー
ザバワー制御を行うことが困難であり、はんだ付け状態
にばらつきが生じるという欠点がある。
のみによって制御されるので、被はんだ付け部表面状態
の個体差による温度条件の変化に対してきめ細かなレー
ザバワー制御を行うことが困難であり、はんだ付け状態
にばらつきが生じるという欠点がある。
本発明のレーザはんだ付け装置は、レーザ光学ヘッドか
ら照射されたレーザ光と非接触形温度計による温度測定
部とが被はんだ付け部で一致するように構成されたはん
だ溶融ヘッドと、前記非接触形温度計から温度データを
取り込み前記温度データからレーザ電源へのパワー制御
データを算出する制御部と、前記パワー制御データに基
づきレーザ照射出力を制御するレーザ装置とを含むこと
を特徴とする． 〔実施例〕 次に、本発明について図面を参照して詳細に説明する。
ら照射されたレーザ光と非接触形温度計による温度測定
部とが被はんだ付け部で一致するように構成されたはん
だ溶融ヘッドと、前記非接触形温度計から温度データを
取り込み前記温度データからレーザ電源へのパワー制御
データを算出する制御部と、前記パワー制御データに基
づきレーザ照射出力を制御するレーザ装置とを含むこと
を特徴とする． 〔実施例〕 次に、本発明について図面を参照して詳細に説明する。
第１図は本発明の一実施例を示す詳細図である。同図に
おいて被接触温度センサ４は被はんだ付け部８の温度を
測定し、温度データ処理部５はそれを温度データ６に変
換して制御部１に送る。
おいて被接触温度センサ４は被はんだ付け部８の温度を
測定し、温度データ処理部５はそれを温度データ６に変
換して制御部１に送る。
その温度データ６をもとに制御部１はあらかじめ作成さ
れた温度誤差対レーザ照射出力のテーブルによってパワ
ーデータ７を決定し、そのバワーデータ７をレーザ装置
２に送りレーザパワーを制御する。レーザ装置２で発生
したレーザ光は光ファイバ１０とレーザ光学ヘッド３を
介して被はんだ付け部８に照射される。
れた温度誤差対レーザ照射出力のテーブルによってパワ
ーデータ７を決定し、そのバワーデータ７をレーザ装置
２に送りレーザパワーを制御する。レーザ装置２で発生
したレーザ光は光ファイバ１０とレーザ光学ヘッド３を
介して被はんだ付け部８に照射される。
第２図は本発明のパワーデータ７の生成方法を示す説明
図である。第２図（ａ）は被はんだ付け部目標温度の設
定方法を示し、はんだ付け時間をあらかじめ設定したサ
ンプリング時間でｎ等分（ｎ＝１．２・・・・・・ｎ）
Ｌ、それぞれの時刻について被はんだ付け部目標温度を
割り付ける。第２図（ｂ）は目標温度と非接触形温度セ
ンサで測定した被はんだ付け部８の温度とを比較し、パ
ワーデータ７を生成するための温度誤差対レーザ照射出
力のテーブルを示す。
図である。第２図（ａ）は被はんだ付け部目標温度の設
定方法を示し、はんだ付け時間をあらかじめ設定したサ
ンプリング時間でｎ等分（ｎ＝１．２・・・・・・ｎ）
Ｌ、それぞれの時刻について被はんだ付け部目標温度を
割り付ける。第２図（ｂ）は目標温度と非接触形温度セ
ンサで測定した被はんだ付け部８の温度とを比較し、パ
ワーデータ７を生成するための温度誤差対レーザ照射出
力のテーブルを示す。
ここで、ある瞬間ｔ，の非接触形温度センサによって測
定された被はんだ付け部８の温度をＴ。ｆｉとすると、
設定した目標温度に対する誤差温度ΔＴ０は ΔＴｎ ＝Ｔ， −Ｔ，． （ｎ＝１． ２．
３＝１で算出する．この算出結果に従ってレーザ装
置２に指示するパワーデータ７を第２図（ｂ）のテーブ
ルによって決定する．このパワーデータ７によってレー
ザ装置２は制御される。
定された被はんだ付け部８の温度をＴ。ｆｉとすると、
設定した目標温度に対する誤差温度ΔＴ０は ΔＴｎ ＝Ｔ， −Ｔ，． （ｎ＝１． ２．
３＝１で算出する．この算出結果に従ってレーザ装
置２に指示するパワーデータ７を第２図（ｂ）のテーブ
ルによって決定する．このパワーデータ７によってレー
ザ装置２は制御される。
本発明によるレーザはんだ付け装置によれば、被はんだ
付け部温度データをレーザ照射パワーにフィードバック
できるので、被はんだ付け部表面状態の個体差にもかか
わらず安定した被はんだ付け部温．度の制御ができる。
付け部温度データをレーザ照射パワーにフィードバック
できるので、被はんだ付け部表面状態の個体差にもかか
わらず安定した被はんだ付け部温．度の制御ができる。
したがってはんだ付け状態のばらつきを極めて小さくで
きるという効果がある．
きるという効果がある．
第１図は本発明の一実施例を示す説明図、第２図はバワ
ーデータの生或方法を示す説明図、第３図は従来のレー
ザはんだ付け装置の例を示す説明図、第４図は従来のレ
ーザはんだ付け装置のシャッター開閉制御方法を示す説
明図である。 １・・・制御部、２・・・レーザ装置、３・・・レーザ
光学ヘッド、６・・・温度データ、７・・・バヮーデー
タ、８・・・被はんだ付け部。
ーデータの生或方法を示す説明図、第３図は従来のレー
ザはんだ付け装置の例を示す説明図、第４図は従来のレ
ーザはんだ付け装置のシャッター開閉制御方法を示す説
明図である。 １・・・制御部、２・・・レーザ装置、３・・・レーザ
光学ヘッド、６・・・温度データ、７・・・バヮーデー
タ、８・・・被はんだ付け部。
Claims (1)
- レーザ光学ヘッドから照射されたレーザ光と非接触形
温度計による温度測定部とが被はんだ付け部で一致する
ように構成されたはんだ溶融ヘッドと、前記非接触形温
度計から温度データを取り込み前記温度データからレー
ザ電源へのパワー制御データを算出する制御部と、前記
パワー制御データに基づきレーザ照射出力を制御するレ
ーザ装置とを含むことを特徴とするレーザはんだ付け装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1297016A JPH03161163A (ja) | 1989-11-14 | 1989-11-14 | レーザはんだ付け装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1297016A JPH03161163A (ja) | 1989-11-14 | 1989-11-14 | レーザはんだ付け装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03161163A true JPH03161163A (ja) | 1991-07-11 |
Family
ID=17841153
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1297016A Pending JPH03161163A (ja) | 1989-11-14 | 1989-11-14 | レーザはんだ付け装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03161163A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0852582A (ja) * | 1994-08-11 | 1996-02-27 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | レーザ加熱方法とその装置およびこれらに用いるレーザ加熱ツール |
| US20090039525A1 (en) * | 2006-01-10 | 2009-02-12 | Valeo Etudes Electroniques | Method of Welding Together at Least Two Stacked Members |
| US20100000979A1 (en) * | 2006-06-16 | 2010-01-07 | Valeo Etudes Electroniques | Method and device for controlling the power transmitted by a laser to a reference point, soldering device and method |
| JP2015093317A (ja) * | 2013-11-14 | 2015-05-18 | 株式会社アマダミヤチ | レーザ溶接方法及びレーザ溶接システム |
| JP2018126781A (ja) * | 2017-02-10 | 2018-08-16 | 日本アビオニクス株式会社 | レーザ接合装置 |
| CN111001932A (zh) * | 2019-11-11 | 2020-04-14 | 武汉一本光电有限公司 | 恒温焊接激光控制器 |
-
1989
- 1989-11-14 JP JP1297016A patent/JPH03161163A/ja active Pending
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0852582A (ja) * | 1994-08-11 | 1996-02-27 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | レーザ加熱方法とその装置およびこれらに用いるレーザ加熱ツール |
| US20090039525A1 (en) * | 2006-01-10 | 2009-02-12 | Valeo Etudes Electroniques | Method of Welding Together at Least Two Stacked Members |
| US8723079B2 (en) * | 2006-01-10 | 2014-05-13 | Valeo Etudes Electroniques | Laser soldering using thermal characteristics |
| US20100000979A1 (en) * | 2006-06-16 | 2010-01-07 | Valeo Etudes Electroniques | Method and device for controlling the power transmitted by a laser to a reference point, soldering device and method |
| US8822880B2 (en) * | 2006-06-16 | 2014-09-02 | Valeo Etudes Electroniques | Method and device for controlling the power transmitted by a laser to a reference point, soldering device and method |
| JP2015093317A (ja) * | 2013-11-14 | 2015-05-18 | 株式会社アマダミヤチ | レーザ溶接方法及びレーザ溶接システム |
| JP2018126781A (ja) * | 2017-02-10 | 2018-08-16 | 日本アビオニクス株式会社 | レーザ接合装置 |
| CN111001932A (zh) * | 2019-11-11 | 2020-04-14 | 武汉一本光电有限公司 | 恒温焊接激光控制器 |
| CN111001932B (zh) * | 2019-11-11 | 2021-07-09 | 武汉一本光电有限公司 | 恒温焊接激光控制器 |
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