JPH03157978A - 光半導体装置 - Google Patents
光半導体装置Info
- Publication number
- JPH03157978A JPH03157978A JP1298044A JP29804489A JPH03157978A JP H03157978 A JPH03157978 A JP H03157978A JP 1298044 A JP1298044 A JP 1298044A JP 29804489 A JP29804489 A JP 29804489A JP H03157978 A JPH03157978 A JP H03157978A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light
- photodiode
- tracking
- section
- receiving pattern
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 title claims abstract description 20
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 11
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 11
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Light Receiving Elements (AREA)
- Optical Recording Or Reproduction (AREA)
- Optical Head (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はコンパクトディスク等に用られる光ピツクアッ
プの受光素子に関し、特に3ビーム方式に用られている
6分割フォトダイオードの受光パターンに関する。
プの受光素子に関し、特に3ビーム方式に用られている
6分割フォトダイオードの受光パターンに関する。
従来の6分割フォトダイオードは、第3図、第4図に示
すようになっている。すなわちコンパクトディスク等の
光ピツクアップ部の光学系がメーカーによりまちまちで
あり、3ビームがフォーカス部フォトダイオード1,2
,3.4の中心に対し水平方向、あるいは45度方向に
設計されていたりする。その為、6分割フォトダイオー
ドの受光パターンを光学系に合わせて第3図、第4図に
示す様なパターンにそれぞれ設計していかなければなら
かった。
すようになっている。すなわちコンパクトディスク等の
光ピツクアップ部の光学系がメーカーによりまちまちで
あり、3ビームがフォーカス部フォトダイオード1,2
,3.4の中心に対し水平方向、あるいは45度方向に
設計されていたりする。その為、6分割フォトダイオー
ドの受光パターンを光学系に合わせて第3図、第4図に
示す様なパターンにそれぞれ設計していかなければなら
かった。
上述した、従来の3ビーム方式6分割フォトダイオード
は、第3図、第4図に示すように、光ピツクアップの光
学系によって3ビームがフォーカス部フォトダイオード
1,2,3.4の中心に対して水平方向及び45度方向
になったりするので、光ピツクアップ部の光学系に対応
させて、受光パターンをそれぞれ新規設計し対応してい
たので、新たにマスクをおこす為の費用がかかるという
欠点がある。
は、第3図、第4図に示すように、光ピツクアップの光
学系によって3ビームがフォーカス部フォトダイオード
1,2,3.4の中心に対して水平方向及び45度方向
になったりするので、光ピツクアップ部の光学系に対応
させて、受光パターンをそれぞれ新規設計し対応してい
たので、新たにマスクをおこす為の費用がかかるという
欠点がある。
本発明のコンパクトディスク等に用いる3ビーム方式6
分割フォトダイオードの受光パターンは、トラッキング
用の受光部(トラッキング部フォトダイオード)が4分
割フォトダイオード、すなわちフォーカス部を囲む様に
配置し、さらにレーザ光が到達しない不要な部分は外観
不良の原因となるので、2層目のアルミで覆ってしまい
所望のパターンを得るというものである。
分割フォトダイオードの受光パターンは、トラッキング
用の受光部(トラッキング部フォトダイオード)が4分
割フォトダイオード、すなわちフォーカス部を囲む様に
配置し、さらにレーザ光が到達しない不要な部分は外観
不良の原因となるので、2層目のアルミで覆ってしまい
所望のパターンを得るというものである。
従って、従来のように光ピツクアップ部の光学系の設計
に対応させて、新規に製品を起こさなくてもよいという
コストメリットが生まれる。
に対応させて、新規に製品を起こさなくてもよいという
コストメリットが生まれる。
本発明の6分割フォトダイオードは受光パターンのトラ
ッキング部において必要でない部分を2層アルミで覆う
ことにより、2層アルミの変形のみで、光ピツクアップ
の光学系に対応した6分割フォトダイオードの受光パタ
ーンが得られるので光ピツクアップ部の光学系に対応さ
せて受光パターンを新たに設計しなおす必要がなく、製
造コスト低減が乱れる。
ッキング部において必要でない部分を2層アルミで覆う
ことにより、2層アルミの変形のみで、光ピツクアップ
の光学系に対応した6分割フォトダイオードの受光パタ
ーンが得られるので光ピツクアップ部の光学系に対応さ
せて受光パターンを新たに設計しなおす必要がなく、製
造コスト低減が乱れる。
〔実施例〕
本発明による6分割フォトダイオードの受光パターンを
第1図に示す。第1図(a)、(b)においてフォーカ
ス部フォトダイオード1.2゜3.4を囲むようにトラ
ッキング部フォトダイオード5,6が配置されており従
来品の受光パターン第3図を得る為には、第1図(a)
に示すように、7a、8aの2層アルミを用い、第4図
を得る為には第1図(b)に示すように、7b、8bの
2層アルミを用いれば容易に実現出来る。
第1図に示す。第1図(a)、(b)においてフォーカ
ス部フォトダイオード1.2゜3.4を囲むようにトラ
ッキング部フォトダイオード5,6が配置されており従
来品の受光パターン第3図を得る為には、第1図(a)
に示すように、7a、8aの2層アルミを用い、第4図
を得る為には第1図(b)に示すように、7b、8bの
2層アルミを用いれば容易に実現出来る。
従って本発明により、設計労力の低減及びコストメリッ
トが生ずる。
トが生ずる。
実施例2の受光パターンを第2図(a)、(b)に示す
。第2図(a)、(b)では、フォーカス部フォトダイ
オード1.2,3.4の中心に対して3ビームが水平方
向の場合でも45度方向の場合でもトラッキング部フォ
トダイオード5,6に入射するレーザ光がトラッキング
部フォトダイオードのちょうど中心にくるような考慮が
なされている。
。第2図(a)、(b)では、フォーカス部フォトダイ
オード1.2,3.4の中心に対して3ビームが水平方
向の場合でも45度方向の場合でもトラッキング部フォ
トダイオード5,6に入射するレーザ光がトラッキング
部フォトダイオードのちょうど中心にくるような考慮が
なされている。
以上説明したように本発明は、6分割フォトダイオード
のトラッキング部フォトダイオードをフォーカス部フォ
トダイオードの3倍程度に必要でない部分すなわち光が
当たらない部分を2層アルミで遮光することにより、光
ピツクアップの光学系に対応させるのに2層アルミを変
更するだけで良いという設計労力の低減と設計費用が低
減出来るという効果がある。
のトラッキング部フォトダイオードをフォーカス部フォ
トダイオードの3倍程度に必要でない部分すなわち光が
当たらない部分を2層アルミで遮光することにより、光
ピツクアップの光学系に対応させるのに2層アルミを変
更するだけで良いという設計労力の低減と設計費用が低
減出来るという効果がある。
第1図(a)、(b)及び第2図(a)、(b)は本発
明による6分割フォトダイオードの受光パターンを示す
図、第3図、第4図は、3ビーム方式光ピックアップの
光学系に対応させて設計された従来の受光パターンを示
す図である。 1.2,3.4・・・フォーカス部フォトダイオード、
5,6・・トラッキング部フォトダイオード、7a、7
b、8a、8b・・・2層アルミ。 473 474−
明による6分割フォトダイオードの受光パターンを示す
図、第3図、第4図は、3ビーム方式光ピックアップの
光学系に対応させて設計された従来の受光パターンを示
す図である。 1.2,3.4・・・フォーカス部フォトダイオード、
5,6・・トラッキング部フォトダイオード、7a、7
b、8a、8b・・・2層アルミ。 473 474−
Claims (1)
- 3ビーム方式対応の6分割フォトダイオードにおいて
トラッキング部のフォトダイオードをフォーカス部の4
分割フォトダイオードの3倍程度の大きさにしトラッキ
ング部において、光が当たらないところを2層アルミで
遮光し、3ビーム光がフォーカス部の中心に対し上下4
5°の光に対応出来ることを特徴とする光半導体装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1298044A JPH03157978A (ja) | 1989-11-15 | 1989-11-15 | 光半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1298044A JPH03157978A (ja) | 1989-11-15 | 1989-11-15 | 光半導体装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH03157978A true JPH03157978A (ja) | 1991-07-05 |
Family
ID=17854401
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1298044A Pending JPH03157978A (ja) | 1989-11-15 | 1989-11-15 | 光半導体装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH03157978A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20000010263A (ko) * | 1998-07-31 | 2000-02-15 | 이형도 | 광픽업의 포토다이오드 |
US9562797B2 (en) | 2011-03-15 | 2017-02-07 | Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha | Flow rate measuring apparatus |
-
1989
- 1989-11-15 JP JP1298044A patent/JPH03157978A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20000010263A (ko) * | 1998-07-31 | 2000-02-15 | 이형도 | 광픽업의 포토다이오드 |
US9562797B2 (en) | 2011-03-15 | 2017-02-07 | Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha | Flow rate measuring apparatus |
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