JPH03157920A - レジストパターンの形成方法 - Google Patents
レジストパターンの形成方法Info
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- JPH03157920A JPH03157920A JP29840889A JP29840889A JPH03157920A JP H03157920 A JPH03157920 A JP H03157920A JP 29840889 A JP29840889 A JP 29840889A JP 29840889 A JP29840889 A JP 29840889A JP H03157920 A JPH03157920 A JP H03157920A
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- resist pattern
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Landscapes
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概 要〕
形成後のレジストパターン検査に好適な形成方法に関し
、 レジストパターンの検査を精度良くおこなうことを目的
とし、 被処理基板上にレジストを塗布し、露光・現像して所定
のレジストパターンを形成し、次いで、該レジストパタ
ーンをイオン系界面活性剤を含む〔産業上の利用分野〕 本発明はレジストパターンの形成方法に関し、特に形成
後のレジストパターン検査に好適な形成方法に関する。
、 レジストパターンの検査を精度良くおこなうことを目的
とし、 被処理基板上にレジストを塗布し、露光・現像して所定
のレジストパターンを形成し、次いで、該レジストパタ
ーンをイオン系界面活性剤を含む〔産業上の利用分野〕 本発明はレジストパターンの形成方法に関し、特に形成
後のレジストパターン検査に好適な形成方法に関する。
半導体デバイスの製造工程ではフォトリソグラフィ技術
が汎用されており、そのフォトリソグラフィ技術におけ
る微細なレジストパターンの形成方法は極めて重要であ
る。
が汎用されており、そのフォトリソグラフィ技術におけ
る微細なレジストパターンの形成方法は極めて重要であ
る。
第２図は従来のレジストパターンの形成方法の工程図を
示している。図のように、まず、被処理基板（半導体基
板）上にレジストを塗布（１）シた後、約１００°Ｃで
プリベーキング（ｐｒｅｂａｋｉｎｇ） （２） して
固化させる。レジストの塗布はスピンナーを用いて被処
理基板を回転させながらレジスト液を塗布する方法であ
る。それを光露光法または電子ビーム露光法などによっ
て露光（３）シ、次に現像（５）シて所定のレジストパ
ターンを作成する。
示している。図のように、まず、被処理基板（半導体基
板）上にレジストを塗布（１）シた後、約１００°Ｃで
プリベーキング（ｐｒｅｂａｋｉｎｇ） （２） して
固化させる。レジストの塗布はスピンナーを用いて被処
理基板を回転させながらレジスト液を塗布する方法であ
る。それを光露光法または電子ビーム露光法などによっ
て露光（３）シ、次に現像（５）シて所定のレジストパ
ターンを作成する。
その現像（５）のためには、予めプリウェット（ｐｒｅ
ｗｅ ｔ） （４） Ｌ、ており、これはレジスト面の
濡れを良くして、現像時に現像液が均一に被処理基板面
に素早くゆきわたるようにするためで、通常、純水を用
いてプリウェットをおこなっている。次いで、現像（５
）をおこなうが、現像（５）には被処理基板面に現像液
を盛り上げて静止する方法や被処理基板を回転させなが
ら現像液をスプレーする方法などがある。
ｗｅ ｔ） （４） Ｌ、ており、これはレジスト面の
濡れを良くして、現像時に現像液が均一に被処理基板面
に素早くゆきわたるようにするためで、通常、純水を用
いてプリウェットをおこなっている。次いで、現像（５
）をおこなうが、現像（５）には被処理基板面に現像液
を盛り上げて静止する方法や被処理基板を回転させなが
ら現像液をスプレーする方法などがある。
次に、現像（５）を停止させるためにリンス液にリンス
（ｒｉｎｓｅ） （６）する。通常、リンス液には純水
を使用しており、リンス後は乾燥（７）させる。乾燥（
７）は被処理基板を回転させるスピン乾燥をおこなって
いる。
（ｒｉｎｓｅ） （６）する。通常、リンス液には純水
を使用しており、リンス後は乾燥（７）させる。乾燥（
７）は被処理基板を回転させるスピン乾燥をおこなって
いる。
上記のような形成工程によって、レジストパターンが作
成されている。
成されている。
ところで、半導体デバイスは高集積化、高密度化されて
、パターンが微細化されており、それに伴って高解像度
のレジストが開発され、レジストパタ−ンもサブミクロ
ン程度に微細化されている。
、パターンが微細化されており、それに伴って高解像度
のレジストが開発され、レジストパタ−ンもサブミクロ
ン程度に微細化されている。
そのため、レジストパターンの高精度な形成は容易でな
く、被処理基板上に形成したレジストパターンの可否を
判別するために、抜取りまたは部分検査によってレジス
トパターンの形成後にパターン精度検査をおこなってい
る。
く、被処理基板上に形成したレジストパターンの可否を
判別するために、抜取りまたは部分検査によってレジス
トパターンの形成後にパターン精度検査をおこなってい
る。
且つ、そのパターン精度検査には走査型電子顕微鏡（Ｓ
Ｅ Ｍ ； Ｓｃａｎｎｉｎｇ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ
Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ）が用いられており、それは検査
の対象がサブミクロン級の微細パターンのために、パタ
ーン寸法の測定を二次元的に測定するとともに、パター
ン側面の傾斜状態などを三次元的な像を観察する必要が
あるからである。
Ｅ Ｍ ； Ｓｃａｎｎｉｎｇ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ
Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ）が用いられており、それは検査
の対象がサブミクロン級の微細パターンのために、パタ
ーン寸法の測定を二次元的に測定するとともに、パター
ン側面の傾斜状態などを三次元的な像を観察する必要が
あるからである。
しかし、走査型電子顕微鏡による検査法は、レジストか
ら放出される二次電子によって観察する方法であるから
、レジストに電荷が蓄積されてレジストがチャージアッ
プする現象が生じて、そのため、レジストの見掛は上の
寸法が膨張（パター＝３− ４ ン周縁が白く膨張して見える）して、真のパターン寸法
が計測し難いという問題がある。
ら放出される二次電子によって観察する方法であるから
、レジストに電荷が蓄積されてレジストがチャージアッ
プする現象が生じて、そのため、レジストの見掛は上の
寸法が膨張（パター＝３− ４ ン周縁が白く膨張して見える）して、真のパターン寸法
が計測し難いという問題がある。
本発明はそのような問題点を解消させて、レジストパタ
ーンの検査を精度良くおこなうことを目的としたレジス
トパターンの形成方法を提案するものである。
ーンの検査を精度良くおこなうことを目的としたレジス
トパターンの形成方法を提案するものである。
その課題は、被処理基板上にレジストを塗布し、露光・
現像して所定のレジストパターンを形成し、次いで、該
レジストパターンをイオン系界面活性剤を含むリンス液
に浸漬するようにしたレジストパターンの形成方法によ
って解決される。
現像して所定のレジストパターンを形成し、次いで、該
レジストパターンをイオン系界面活性剤を含むリンス液
に浸漬するようにしたレジストパターンの形成方法によ
って解決される。
即ち、本発明は、現像後のリンスの際に、イオン系界面
活性剤を含むリンス液を用いて、それにレジストパター
ンを浸漬する。そうすると、余分の電荷を逃がす帯電防
止層がレジスト表面に形成されて、レジストのチャージ
アップが減少し、真のパターン寸法値に近い値を計測す
ることができる。
活性剤を含むリンス液を用いて、それにレジストパター
ンを浸漬する。そうすると、余分の電荷を逃がす帯電防
止層がレジスト表面に形成されて、レジストのチャージ
アップが減少し、真のパターン寸法値に近い値を計測す
ることができる。
以下、図面を参照して実施例によって詳細に説明する。
第１図は本発明にかかるレジストパターンの形成方法の
工程図を示している。従来と同様に、被処理基板上にレ
ジストを塗布（１）シ、約１００″Ｃでプリベーキング
（２）シて固化させた後、電子ビーム露光法などによっ
て露光（３）する。
工程図を示している。従来と同様に、被処理基板上にレ
ジストを塗布（１）シ、約１００″Ｃでプリベーキング
（２）シて固化させた後、電子ビーム露光法などによっ
て露光（３）する。
次いで、現像処理をおこなうが、それには最初にプリウ
ェット（４）シてレジスト面の濡れを良くし、次いで、
液の盛り上げ法またはスプレー法で現像（５）をおこな
う。
ェット（４）シてレジスト面の濡れを良くし、次いで、
液の盛り上げ法またはスプレー法で現像（５）をおこな
う。
次に、現像（５）を停止させる目的でイオン系界面活性
剤を含むリンス液にリンス００する。イオン系界面活性
剤とは、例えば、アルコールの燐酸エステル系（化学組
成を下記している）のもので、自動現像装置内に送られ
た純水に、そのアルコール一 ６ の燐酸エステル系溶液を混合して化学的に安定な濃度を
もった５％水溶液を作り、これをイオン系界面活性剤を
含むリンス液にする。
剤を含むリンス液にリンス００する。イオン系界面活性
剤とは、例えば、アルコールの燐酸エステル系（化学組
成を下記している）のもので、自動現像装置内に送られ
た純水に、そのアルコール一 ６ の燐酸エステル系溶液を混合して化学的に安定な濃度を
もった５％水溶液を作り、これをイオン系界面活性剤を
含むリンス液にする。
化学組成：
ターンの平均のずれとばらつきを示している。
〔表■〕従来法による値 単位；μｍそのようなリン
ス液にリンス００）シた後、スピン乾燥法によって乾燥
（７）させる。そうすれば、レジストのチャージアップ
が減少して、走査型電子顕微鏡によって真の測定値に近
いパターン寸法を計測することができる。
ス液にリンス００）シた後、スピン乾燥法によって乾燥
（７）させる。そうすれば、レジストのチャージアップ
が減少して、走査型電子顕微鏡によって真の測定値に近
いパターン寸法を計測することができる。
その実施結果を以下に説明すると、レジスト表面に金（
Ａｕ）を蒸着したレジストパターンの測定値を真の測定
値と見なし、その真の測定値に対する従来法（純水のみ
のリンス液の場合）で現像したレジストパターンの平均
のずれとばらつきを表Ｉに示している。また、表■は真
の測定値に対する本発明による方法（イオン系の界面活
性剤を含むリンス液に浸たす方法）で現像したレジスト
バ〔表■〕本発明の方法による値 単位；μｍなお、こ
の表におけるライン状パターンの幅。
Ａｕ）を蒸着したレジストパターンの測定値を真の測定
値と見なし、その真の測定値に対する従来法（純水のみ
のリンス液の場合）で現像したレジストパターンの平均
のずれとばらつきを表Ｉに示している。また、表■は真
の測定値に対する本発明による方法（イオン系の界面活
性剤を含むリンス液に浸たす方法）で現像したレジスト
バ〔表■〕本発明の方法による値 単位；μｍなお、こ
の表におけるライン状パターンの幅。
ホール状パターンの一辺の何れも０．５μｍの寸法のも
のから得たデータである。この実施結果より、現像後に
レジストパターンを本発明にかかるリンス液にリンスし
た方が真の値に近い測定値が得られること明らかにであ
る。
のから得たデータである。この実施結果より、現像後に
レジストパターンを本発明にかかるリンス液にリンスし
た方が真の値に近い測定値が得られること明らかにであ
る。
上記の説明のように、本発明にかかるレジストパターン
の形成方法によれば、走査型電子顕微鏡によってパター
ン寸法を計測する際、真の値に近い測定値を得ることが
でき、従って、超微細なレジストパターンの寸法管理が
正確になって、１６ＭＤＲＡＭやＩＭＤＲＡＭなどの超
高集積化半導体装置の品質・信頼性向上に大きく寄与す
るものである。
の形成方法によれば、走査型電子顕微鏡によってパター
ン寸法を計測する際、真の値に近い測定値を得ることが
でき、従って、超微細なレジストパターンの寸法管理が
正確になって、１６ＭＤＲＡＭやＩＭＤＲＡＭなどの超
高集積化半導体装置の品質・信頼性向上に大きく寄与す
るものである。
第１図は本発明にかかるレジストパターンの形成方法の
工程図、 第２図は従来のレジストパターンの形成方法の工程図で
ある。 図において、 （１）はレジスト塗布、 （２）はブ、リベーキング
、（３）は露光、 （４）はブリウェット
、（５）は現像、 （６）はリンス、（７
）は乾燥、 ００）はイオン系界面活性剤含有液リンスを示している
。
工程図、 第２図は従来のレジストパターンの形成方法の工程図で
ある。 図において、 （１）はレジスト塗布、 （２）はブ、リベーキング
、（３）は露光、 （４）はブリウェット
、（５）は現像、 （６）はリンス、（７
）は乾燥、 ００）はイオン系界面活性剤含有液リンスを示している
。
Claims (1)
- 被処理基板上にレジストを塗布し、露光・現像して所定
のレジストパターンを形成し、次いで、該レジストパタ
ーンをイオン系界面活性剤を含むリンス液に浸漬するよ
うにしたことを特徴とするレジストパターンの形成方法
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29840889A JPH03157920A (ja) | 1989-11-15 | 1989-11-15 | レジストパターンの形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29840889A JPH03157920A (ja) | 1989-11-15 | 1989-11-15 | レジストパターンの形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03157920A true JPH03157920A (ja) | 1991-07-05 |
Family
ID=17859326
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP29840889A Pending JPH03157920A (ja) | 1989-11-15 | 1989-11-15 | レジストパターンの形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03157920A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH09230606A (ja) * | 1994-07-05 | 1997-09-05 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 微細パターン形成方法 |
| US10578981B2 (en) | 2018-07-25 | 2020-03-03 | International Business Machines Corporation | Post-lithography defect inspection using an e-beam inspection tool |
-
1989
- 1989-11-15 JP JP29840889A patent/JPH03157920A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH09230606A (ja) * | 1994-07-05 | 1997-09-05 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 微細パターン形成方法 |
| US10578981B2 (en) | 2018-07-25 | 2020-03-03 | International Business Machines Corporation | Post-lithography defect inspection using an e-beam inspection tool |
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