JPH03154116A - Power-on reset circuit - Google Patents

Power-on reset circuit

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Publication number
JPH03154116A
JPH03154116A JP1291321A JP29132189A JPH03154116A JP H03154116 A JPH03154116 A JP H03154116A JP 1291321 A JP1291321 A JP 1291321A JP 29132189 A JP29132189 A JP 29132189A JP H03154116 A JPH03154116 A JP H03154116A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
voltage
source
power
reset
mos transistor
Prior art date
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Pending
Application number
JP1291321A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Daijiro Inami
井波 大二郎
Yoichi Seshimo
洋一 瀬下
Yoshiaki Kitamura
義昭 北村
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Corp
NEC Engineering Ltd
Original Assignee
NEC Corp
NEC Engineering Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by NEC Corp, NEC Engineering Ltd filed Critical NEC Corp
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Publication of JPH03154116A publication Critical patent/JPH03154116A/en
Pending legal-status Critical Current

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Abstract

PURPOSE:To surely reset other circuit even if a time constant of the rise of a power source is varied by detecting a power supply voltage by which an element comes to completely a stable state, after a power source is turned on, and outputting a reset signal. CONSTITUTION:By a resistance split voltage by MOS transistors 1, 2 and a resistor 5 by the voltage of a voltage source 8, and in the same way, by a resistance split voltage by MOS transistors 3, 4 and a resistor 6 by the voltage of the voltage source 8, an R-S flip-flop (R-SFF) 7 is transferred from a set state to a holding set, and to a reset state and a reset signal is outputted. Subsequently, by setting suitably the size or resistance value of the MOS transistor, a power supply voltage by which the R-SFF 7 outputs the reset signal is set to a power supply voltage by which an element comes to completely a stable state. In such a way, the reset signal can be sent surely to other circuit without being influenced by a time constant of the rise of a power source.

Description

【発明の詳細な説明】 本発明はパワーオンリセット回路に関し、特にMOS型
半導体集積回路を用いたパワーオンリセット回路に関す
る。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION The present invention relates to a power-on reset circuit, and particularly to a power-on reset circuit using a MOS type semiconductor integrated circuit.

[従来の技術] まず、第3図を参照して、従来のパワーオンリセット回
路について説明する。
[Prior Art] First, a conventional power-on reset circuit will be described with reference to FIG.

図示のパワーオンリセット回路では、抵抗器10の一端
がコンデンサ(容量)11の一端及びインバータ論理素
子12の入力端子に接続されている。さらに、抵抗器1
0の他端は電圧源8に接続され、コンデンサ11の他端
は接地されている。
In the illustrated power-on reset circuit, one end of a resistor 10 is connected to one end of a capacitor (capacitance) 11 and an input terminal of an inverter logic element 12. Furthermore, resistor 1
The other end of the capacitor 11 is connected to the voltage source 8, and the other end of the capacitor 11 is grounded.

インバータ論理素子12の出力端は出力端子9に接続さ
れている。このパワーオンリセット回路では、抵抗器1
0及びコンデンサ11による時定数が電圧源8の立ち上
がりの時定数より大きく設定されている。
The output end of the inverter logic element 12 is connected to the output terminal 9. In this power-on reset circuit, resistor 1
0 and the time constant of the capacitor 11 is set larger than the time constant of the rise of the voltage source 8.

ここで、第4図も参照して、電圧IX8の電圧が第4図
(a)に曲線Cで示すように変化すると、インバータ論
理素子12への入力電圧は抵抗器10と容量11により
第4図(a)に曲線aで示すように変化する。この時、
インバータ論理素子12の入力電圧aが、所定のしきい
値電圧を超えると。
Here, referring also to FIG. 4, when the voltage of voltage IX8 changes as shown by curve C in FIG. It changes as shown by curve a in Figure (a). At this time,
When the input voltage a of the inverter logic element 12 exceeds a predetermined threshold voltage.

出力端子9は前の状態の反転信号、つまり、第4図(b
)にbで示すリセット信号が出力される。
The output terminal 9 receives an inverted signal of the previous state, that is, the signal shown in FIG.
), a reset signal indicated by b is output.

[発明が解決しようとする問題点] ところで、上述した従来のパワーオンリセット回路では
、抵抗器10及びコンデンサ11による時定数と、電圧
源8の時定数によってリセット時間が決定する。このた
め、電圧源の立ち上がりの時定数が抵抗器10及びコン
デンサ11で決まる時定数よりも大きな値となると、リ
セットがかからなくなってしまうという問題点がある。
[Problems to be Solved by the Invention] In the conventional power-on reset circuit described above, the reset time is determined by the time constant of the resistor 10 and the capacitor 11 and the time constant of the voltage source 8. Therefore, if the time constant of the rise of the voltage source becomes larger than the time constant determined by the resistor 10 and the capacitor 11, there is a problem that the reset cannot be applied.

本発明の目的は電圧源立ち上がり時定数に関係なくリセ
ットをかけることができるパワーオンリセット回路を提
供することにある。
SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide a power-on reset circuit that can perform reset regardless of the voltage source rise time constant.

[課題を解決するための手段] 本発明では、第1の抵抗値と該第1の抵抗値以下の第2
の抵抗値が選択的に設定される第1及び第2の可変抵抗
手段が備えられ、該第1の可変抵抗手段が第1の接点に
よって第1の抵抗器を介して電源に接続され、前記第2
の可変抵抗手段が前記電源に接続されるとともに第2の
接点によって第2の抵抗器に接続されており、前記第1
及び第2の接点がフリップフロップに接続され、該フリ
ップフロップが前記第1及び第2の接点電圧に基づいて
リセット信号を送出するようにしたことを特徴としてい
る。
[Means for Solving the Problems] In the present invention, a first resistance value and a second resistance value less than or equal to the first resistance value are provided.
first and second variable resistance means having a resistance value selectively set, the first variable resistance means being connected to a power source via the first resistor by a first contact; Second
variable resistance means is connected to the power source and to a second resistor by a second contact;
and a second contact are connected to a flip-flop, and the flip-flop sends out a reset signal based on the first and second contact voltages.

具体的には、第1の可変抵抗手段は、それぞれゲートと
ドレインとが接続された第1及び第2のMOSトランジ
スタを備え、該第1のMOSトランジスタのソースが前
記第2のMOSトランジスタのドレインに接続され、前
記第1のMOSトランジスタのドレインが前記第1の接
点に接続されており、前記第2の可変抵抗手段は、それ
ぞれゲートとドレインとが接続された第3及び第4のM
OSトランジスタを備え、該第3のMOSトランジスタ
のソースが前記第4のMOSトランジスタのドレインに
接続され、前記第4のMOSトランジスタのソースが前
記第2の接点に接続されており、第1乃至第4のMOS
トランジスタはゲート・ソース間電圧が予め定められた
しきい値電圧を越えた際オン状態となり、前記第1乃至
第4のMOSトランジスタがオフ状態の際前記第1の抵
抗値が設定され、前記第1乃至第4のMOSトランジス
タがオン状態の際前記第2の抵抗値が設定され、該第2
の抵抗値は前記ゲート・ソース間電圧に応じて変化する
。これによって第1及び第2の接点電圧を変化させる。
Specifically, the first variable resistance means includes first and second MOS transistors whose gates and drains are connected, and the source of the first MOS transistor is connected to the drain of the second MOS transistor. , the drain of the first MOS transistor is connected to the first contact, and the second variable resistance means has third and fourth MOS transistors whose gates and drains are connected, respectively.
an OS transistor, the source of the third MOS transistor is connected to the drain of the fourth MOS transistor, the source of the fourth MOS transistor is connected to the second contact, and 4 MOS
The transistor is turned on when the gate-source voltage exceeds a predetermined threshold voltage, and the first resistance value is set when the first to fourth MOS transistors are off, and the first resistance value is set when the first to fourth MOS transistors are off. The second resistance value is set when the first to fourth MOS transistors are in the on state, and the second resistance value is set when the first to fourth MOS transistors are in the on state.
The resistance value changes depending on the gate-source voltage. This changes the first and second contact voltages.

[実施例] 以下本発明について実施例によって説明する。[Example] The present invention will be explained below with reference to Examples.

第1図を参照して、ゲートとドレインとが接続されたM
OSトランジスタ1のソースは、ゲートとドレインとが
接続されたMOSトランジスタ2のドレインに接続され
ている。MOSトランジスタ2のソースは接地され、抵
抗器5の一端とMOSトランジスタ1のゲートとドレイ
ンが接続されて。
Referring to FIG. 1, M with the gate and drain connected
The source of the OS transistor 1 is connected to the drain of a MOS transistor 2 whose gate and drain are connected. The source of MOS transistor 2 is grounded, and one end of resistor 5 is connected to the gate and drain of MOS transistor 1.

さらにR−Sフリップフロップ(R−8FP ) 7の
第2の入力端子に接続されている。また、ゲートとドレ
インとが接続されたMOSトランジスタ3のソースは、
ゲートとドレインとが接続されたMOSトランジスタ4
のドレインに接続されている。
Furthermore, it is connected to the second input terminal of an R-S flip-flop (R-8FP) 7. Further, the source of the MOS transistor 3 whose gate and drain are connected is
MOS transistor 4 whose gate and drain are connected
connected to the drain of

MOSトランジスタ4のソースは抵抗器6の一端に接続
され、ざらにR−8FF 7の第1の入力端子に接続さ
れている。抵抗器6の他端は接地されており、抵抗器5
の他端とMOSトランジスタ3のゲート及びドレインと
は電圧源8に接続されている。
The source of the MOS transistor 4 is connected to one end of the resistor 6 and roughly connected to the first input terminal of the R-8FF 7. The other end of the resistor 6 is grounded, and the resistor 5
The other end and the gate and drain of the MOS transistor 3 are connected to a voltage source 8.

そして、 R−9FF 7の出力が出力端子9に接続さ
れている。
The output of R-9FF 7 is connected to output terminal 9.

ここで、上述のパワーオンリセット回路の動作について
第2図(a)、第2図(b)及び第5図を参照して説明
する。
The operation of the power-on reset circuit described above will now be described with reference to FIGS. 2(a), 2(b), and 5.

ゲートとドレインとが接続されたMOSトランジスタの
電流−電圧特性は第5図に示す特性であり、VGS (
ゲート・ソース間電圧)がVT 1きい値電圧)を超え
る点を境にオフオン状態が変化する。つまり、オフ状態
では高抵抗に等価され。
The current-voltage characteristics of a MOS transistor whose gate and drain are connected are shown in Figure 5, and VGS (
The off-on state changes at the point where the gate-source voltage) exceeds the VT1 threshold voltage). In other words, it is equivalent to high resistance in the off state.

オン状態ではゲート・ソース間電圧によって変化するオ
ン抵抗値を持つ。
In the on state, it has an on-resistance value that changes depending on the gate-source voltage.

第2図(a)において y、はMOSトランジスタ1及
び2がオン状態となる電源電圧を示し。
In FIG. 2(a), y indicates the power supply voltage at which the MOS transistors 1 and 2 are turned on.

■、はMOSトランジスタ3及び4がオン状態となる電
源電圧を示している。■2.、はR−9PP 7かリセ
ット状態となり、リセット信号を出力する電源電圧であ
る。
(2) indicates the power supply voltage at which the MOS transistors 3 and 4 are turned on. ■2. , is a power supply voltage at which the R-9PP 7 enters a reset state and outputs a reset signal.

R−8PP 7の第2の入力端子、つまり、MOSトラ
ンジスタ1のゲートとドレイン及び抵抗器5との接点電
位は、電源電圧V、においてMOSトランジスタ1とM
OSトランジスタ2がオン状態となるため、第2図(a
)の曲線aのように変化する。
The second input terminal of the R-8PP 7, that is, the contact potential between the gate and drain of the MOS transistor 1 and the resistor 5 is the voltage between the MOS transistor 1 and the resistor 5 at the power supply voltage V.
Since the OS transistor 2 is turned on, the state shown in FIG.
) changes like curve a.

R−3FF 7の第1の入力端子、すなわちMOSトラ
ンジスタ4のソースと抵抗器6との接点電位は。
The first input terminal of R-3FF 7, that is, the contact potential between the source of MOS transistor 4 and resistor 6 is as follows.

電源電圧V、においてMOSトランジスタ3及びMOS
トランジスタ4がオン状態となるため、第2図(a)の
曲線すに示すように変化する。この際。
At the power supply voltage V, MOS transistor 3 and MOS
Since the transistor 4 is turned on, the curve changes as shown in FIG. 2(a). On this occasion.

R−3FP 7のしきい値電圧は、電源電圧dの上昇に
伴ない破1icのように変化する。このため、第2図(
b)に実線eで示すように区間Aではリセット状態とな
り、論理値“0”を出力し、その後区間Bでは保持状態
となり、セット状態と同じ論理値“0°を出力する。そ
して1区間Cではリセット状態となるため、論理値“1
”を出力する。
The threshold voltage of the R-3FP 7 changes as shown in FIG. 1 as the power supply voltage d increases. For this reason, Figure 2 (
As shown by the solid line e in b), in section A it enters a reset state and outputs a logical value "0", and then in section B it enters a holding state and outputs the same logic value "0°" as in the set state.Then, for one section C In this case, the logic value “1” is set because it is in the reset state.
” is output.

このように、本発明のパワーオンリセット回路では、電
圧源8の電圧によって、可変抵抗と等価のMOSトラン
ジスタ1とMOSトランジスタ2及び抵抗器5による抵
抗分割電圧と、同様に、電圧源8の電圧によって可変抵
抗と等価のMOSトランジスタ3とMOSトランジスタ
4及び抵抗器6による抵抗分割電圧とによって、 R−
8PP 7をセット状態から保持状態へ、そしてリセッ
ト状態へと遷移させてリセット信号を出力させている。
In this way, in the power-on reset circuit of the present invention, the voltage of the voltage source 8 is used to create the resistance divided voltage of the MOS transistor 1, the MOS transistor 2, and the resistor 5, which is equivalent to a variable resistor, and the voltage of the voltage source 8. R-
The 8PP 7 is caused to transition from the set state to the hold state and then to the reset state to output a reset signal.

以上のように1本発明のパワーオンリセット回路では、
電源電圧v、、電源電圧V、はMOSトランジスタのサ
イズあるいは抵抗値を適当に設定することにより決定で
きる。従って、リセット信号を出力する電源電圧V、。
As described above, in the power-on reset circuit of the present invention,
The power supply voltage v, and the power supply voltage V can be determined by appropriately setting the size or resistance value of the MOS transistor. Therefore, the power supply voltage V, which outputs the reset signal.

、を容易に設定することができ、電源電圧V、。、を素
子が完全に安定状態となる電源電圧に設定することによ
り、電源の立ち上がりの時定数に左右されず他の回路へ
確実にリセット信号を送ることができる。
, can be easily set, and the power supply voltage V,. By setting , to a power supply voltage at which the element is in a completely stable state, it is possible to reliably send a reset signal to other circuits without being affected by the time constant of the rise of the power supply.

[発明の効果] 以上説明したように1本発明では電源投入後。[Effect of the invention] As explained above, in the present invention, after the power is turned on.

素子が完全に安定状態となる電源電圧を検出し。Detects the power supply voltage at which the element becomes completely stable.

リセット信号を出力するようにしているから、電源の立
ち上がりの時定数が変化しても他の回路を確実にリセッ
トできる効果がある。
Since a reset signal is output, it has the effect of reliably resetting other circuits even if the time constant of power supply rise changes.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図は本発明によるパワーオンリセット回路の一実施
例を示す回路図、第2図(a)及び第2図(b)は第1
図に示すパワーオンリセット回路の動作を説明するため
の図、第3図は従来のパワーオンリセット回路を示す回
路図、第4図(a)、第4図(b)は従来のパワーオン
リセット回路の動作を説明するための図、第5図はMO
Sトランジスタの電流−電圧特性を示す図である。 1、 2. 3.4・・・MOSトランジスタ、5.6
・・・抵抗器、7・・・R−8FP 、 8・・・電圧
源、9・・・出力端子。 10・・・抵抗器。 11・・・コンデンサ (容量) 12・・・インバータ論理素子。 第2図(Q) 第 図 第3図 第4 図(a) 第5図
FIG. 1 is a circuit diagram showing one embodiment of the power-on reset circuit according to the present invention, and FIGS.
Figure 3 is a circuit diagram showing a conventional power-on reset circuit, and Figures 4(a) and 4(b) are conventional power-on reset circuits. A diagram for explaining the operation of the circuit, Figure 5 is MO
FIG. 3 is a diagram showing current-voltage characteristics of an S transistor. 1, 2. 3.4...MOS transistor, 5.6
...Resistor, 7...R-8FP, 8...Voltage source, 9...Output terminal. 10...Resistor. 11... Capacitor (capacitance) 12... Inverter logic element. Figure 2 (Q) Figure 3 Figure 4 Figure 5 (a) Figure 5

Claims (1)

【特許請求の範囲】 1、第1の抵抗値と該第1の抵抗値以下の第2の抵抗値
が選択的に設定される第1及び第2の可変抵抗手段が備
えられ、該第1の可変抵抗手段が第1の接点によって第
1の抵抗器を介して電源に接続され、前記第2の可変抵
抗手段が前記電源に接続されるとともに第2の接点によ
って第2の抵抗器に接続されており、前記第1及び第2
の接点がフリップフロップに接続され、該フリップフロ
ップが前記第1及び第2の接点電圧に基づいてリセット
信号を出力するようにしたことを特徴とするパワーオン
リセット回路。 2、特許請求の範囲第1項において、前記第1の可変抵
抗手段は、それぞれゲートとドレインとが接続された第
1及び第2のMOSトランジスタを備え、該第1のMO
Sトランジスタのソースが前記第2のMOSトランジス
タのドレインに接続され、前記第1のMOSトランジス
タのドレインが前記第1の接点に接続されており、前記
第2の可変抵抗手段は、それぞれゲートとドレインとが
接続された第3及び第4のMOSトランジスタを備え、
該第3のMOSトランジスタのソースが前記第4のMO
Sトランジスタのドレインに接続され、前記第4のMO
Sトランジスタのソースが前記第2の接点に接続されて
いることを特徴とするパワーオンリセット回路。 3、特許請求の範囲第2項において、前記第1乃至第4
のMOSトランジスタはゲート・ソース間電圧が予め定
められたしきい値電圧を越えた際オン状態となり、前記
第1乃至第4のMOSトランジスタがオフ状態の際前記
第1の抵抗値が設定され、前記第1乃至第4のMOSト
ランジスタがオン状態の際前記第2の抵抗値が設定され
、該第2の抵抗値は前記ゲート・ソース間電圧に応じて
変化することを特徴とするパワーオンリセット回路。
[Claims] 1. First and second variable resistance means are provided in which a first resistance value and a second resistance value that is less than or equal to the first resistance value are selectively set; variable resistance means is connected to a power source via a first resistor by a first contact, and said second variable resistance means is connected to said power source and to a second resistor by a second contact. and the first and second
A power-on reset circuit characterized in that a contact is connected to a flip-flop, and the flip-flop outputs a reset signal based on the first and second contact voltages. 2. In claim 1, the first variable resistance means includes first and second MOS transistors whose gates and drains are connected, and the first variable resistance means
The source of the S transistor is connected to the drain of the second MOS transistor, the drain of the first MOS transistor is connected to the first contact, and the second variable resistance means has a gate and a drain, respectively. comprising third and fourth MOS transistors connected to
The source of the third MOS transistor is connected to the fourth MOS transistor.
connected to the drain of the S transistor, and the fourth MO
A power-on reset circuit characterized in that a source of the S transistor is connected to the second contact. 3. In claim 2, the first to fourth
The MOS transistor is turned on when the gate-source voltage exceeds a predetermined threshold voltage, and the first resistance value is set when the first to fourth MOS transistors are off, A power-on reset characterized in that the second resistance value is set when the first to fourth MOS transistors are in an on state, and the second resistance value changes according to the gate-source voltage. circuit.
JP1291321A 1989-11-10 1989-11-10 Power-on reset circuit Pending JPH03154116A (en)

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