JPH03148122A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPH03148122A JPH03148122A JP28650489A JP28650489A JPH03148122A JP H03148122 A JPH03148122 A JP H03148122A JP 28650489 A JP28650489 A JP 28650489A JP 28650489 A JP28650489 A JP 28650489A JP H03148122 A JPH03148122 A JP H03148122A
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Landscapes
- Drying Of Semiconductors (AREA)
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- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は、アルミニウム合金を含む配線をドライエツチ
ングした後の配線の腐食防止技術に関する。
ングした後の配線の腐食防止技術に関する。
［従来の技術］
従来の半導体装置では、第２図（ａ）〜（ｂ）に示すよ
うに、配線材料としてアルミニウム・シリコン合金２０
３が用いられること一般的で、三塩化ホウ素、塩素等の
塩素系の反応ガスを用いてエツチングした場合において
も、１ｇ食防止処理としてエツチング後に四弗化炭素の
プラズマ雰囲気中で処理したり、エツチング後すぐに水
洗することにより配線の腐食を防止することは可能であ
った。
うに、配線材料としてアルミニウム・シリコン合金２０
３が用いられること一般的で、三塩化ホウ素、塩素等の
塩素系の反応ガスを用いてエツチングした場合において
も、１ｇ食防止処理としてエツチング後に四弗化炭素の
プラズマ雰囲気中で処理したり、エツチング後すぐに水
洗することにより配線の腐食を防止することは可能であ
った。
［発明が解決しようとする課題及び目的］しかしながら
、高集積化にともないアルミニウム・シリコン合金の代
わりにアルミニウム・銅合金やアルミニウム・シリコン
・銅合金等のように銅を含有するアルミニウム合金が用
いられるようになり、さらに窒化チタン、窒化タングス
テン等のバリアメタルを組み合わせた積層構造の配線が
用いられるようになってきており、このような構造の配
線を、前述の技術によりエツチング及び腐食防止しよう
としても、完全に腐食を防止することは非常に困難で、
配線のいたるところで腐食が発生してしまい、それらの
部分で配線が断線するような場合があった。
、高集積化にともないアルミニウム・シリコン合金の代
わりにアルミニウム・銅合金やアルミニウム・シリコン
・銅合金等のように銅を含有するアルミニウム合金が用
いられるようになり、さらに窒化チタン、窒化タングス
テン等のバリアメタルを組み合わせた積層構造の配線が
用いられるようになってきており、このような構造の配
線を、前述の技術によりエツチング及び腐食防止しよう
としても、完全に腐食を防止することは非常に困難で、
配線のいたるところで腐食が発生してしまい、それらの
部分で配線が断線するような場合があった。
そこで本発明はこのような課題を解決するもので、その
目的とするところは、アルミニウム合金単層またアルミ
ニウム合金とバリアメタルを含む多層より成る配線をエ
ツチングして形成した後の腐食を防止することにある。
目的とするところは、アルミニウム合金単層またアルミ
ニウム合金とバリアメタルを含む多層より成る配線をエ
ツチングして形成した後の腐食を防止することにある。
［課題を解決するための手段］
本発明は、ウェハー上に形成された少なくともアルミニ
ウム合金を含む単層または多層より成る配線層をドライ
エツチングした後の工程に於て。
ウム合金を含む単層または多層より成る配線層をドライ
エツチングした後の工程に於て。
炭素、水素、弗素を含む反応ガスを真空中に導入し高周
波により前記反応ガスを励起１重合させることにより、
前記ウェハー表面に炭素、水素。
波により前記反応ガスを励起１重合させることにより、
前記ウェハー表面に炭素、水素。
弗素を含む重合膜を堆積させる工程。
前記ウェハーをアセトンを含む有機溶剤に浸漬すること
により前記重合膜を除去した後に、アルカリ溶液に浸漬
し、半導体基板表面に残留している塩素及び塩素化合物
を中和、除去する工程を含むことを特徴とする。
により前記重合膜を除去した後に、アルカリ溶液に浸漬
し、半導体基板表面に残留している塩素及び塩素化合物
を中和、除去する工程を含むことを特徴とする。
［実施例］
本発明の実施例を示す工程断面図を第１図（ａ）〜（ｄ
）に示す。以下、工程順に詳細に説明していく。
）に示す。以下、工程順に詳細に説明していく。
最初に、第１図（ａ）のように、バリアメタルとしての
窒化チタン１０３及びアルミニウム・銅合金１０４より
なる２層構造の配線をドライエツチングする。このとき
反応ガスとしては三塩化ホウ素、塩素を用いた。エツチ
ング後、窒化チタン１０３とアルミニウム・銅合金１０
４の側壁、及び酸化珪素膜１０２表面には塩素化合物１
０６が残留している。特に２本実施例のように、配線が
多層構造になった場合には、各層の界面に塩素化合物１
０６が浸入し、この部分に残留することが多い。
窒化チタン１０３及びアルミニウム・銅合金１０４より
なる２層構造の配線をドライエツチングする。このとき
反応ガスとしては三塩化ホウ素、塩素を用いた。エツチ
ング後、窒化チタン１０３とアルミニウム・銅合金１０
４の側壁、及び酸化珪素膜１０２表面には塩素化合物１
０６が残留している。特に２本実施例のように、配線が
多層構造になった場合には、各層の界面に塩素化合物１
０６が浸入し、この部分に残留することが多い。
次に、第１図（ｂ）のように、酸素を反応ガスとして配
線上に残っているフォトレジスト１０５をアッシング除
去する。このとき、依然として窒化チタン１０３とアル
ミニウム・銅合金１０４の側壁、及び酸化珪素膜１０２
表面には塩素化合物１０６が残留している。
線上に残っているフォトレジスト１０５をアッシング除
去する。このとき、依然として窒化チタン１０３とアル
ミニウム・銅合金１０４の側壁、及び酸化珪素膜１０２
表面には塩素化合物１０６が残留している。
次に、第１図（Ｃ）のように９反応ガスとして三弗化メ
タンを、真空容器中に導入し、高周波を印可し放電させ
ることにより分解９重合させ窒化チタン１０３とアルミ
ニウム・銅合金１０４の側壁、及び酸化珪素膜１０２と
アルミニウム・銅合金１０４表面に炭素、水素、弗素を
成分とする弗化炭素系の重合膜１０７を形成する。
タンを、真空容器中に導入し、高周波を印可し放電させ
ることにより分解９重合させ窒化チタン１０３とアルミ
ニウム・銅合金１０４の側壁、及び酸化珪素膜１０２と
アルミニウム・銅合金１０４表面に炭素、水素、弗素を
成分とする弗化炭素系の重合膜１０７を形成する。
以上の工程は、真空容器中で連続して行なわれる。
次に、シリコン基板を大気中に取り出す。このとき、窒
化チタン１０３とアルミニウム・銅合金１０４の側壁、
及び酸化珪素膜１０２とアルミニウム・銅合金１０４表
面は重合膜１０７により保護されているために、残留し
ていた塩素化合物１０６も大気と触れることはなく、大
気中の湿気を吸い塩酸などの腐食性物質に変化すること
もないので、この状態で長時間放置しても配線は腐食し
ない。
化チタン１０３とアルミニウム・銅合金１０４の側壁、
及び酸化珪素膜１０２とアルミニウム・銅合金１０４表
面は重合膜１０７により保護されているために、残留し
ていた塩素化合物１０６も大気と触れることはなく、大
気中の湿気を吸い塩酸などの腐食性物質に変化すること
もないので、この状態で長時間放置しても配線は腐食し
ない。
次に、第１図（ｄ）のように、アセトン中に浸漬し１重
合膜１０７を溶解、除去する。
合膜１０７を溶解、除去する。
次に、シリコン基板が乾燥しない内に、連続して希釈ア
ンモニア水中に浸漬する。ここで、今まで窒化チタン１
０３とアルミニウム・銅合金１０４の側壁、及び酸化珪
素膜１０２とアルミニウム・銅合金１０４表面に残留し
ていた塩素化合物１０６は、完全に中和、除去される。
ンモニア水中に浸漬する。ここで、今まで窒化チタン１
０３とアルミニウム・銅合金１０４の側壁、及び酸化珪
素膜１０２とアルミニウム・銅合金１０４表面に残留し
ていた塩素化合物１０６は、完全に中和、除去される。
最後に、純水で洗浄後、乾燥させる。このとき。
既に腐食発生の核となる塩素化合物１０６は完全に除去
されているので、このままで大気中に放置しても９Ｍ食
が発生することはない。
されているので、このままで大気中に放置しても９Ｍ食
が発生することはない。
本実施例では１重合膜の供給源となる反応ガストして、
三弗化メタンを用いているが９例えば。
三弗化メタンを用いているが９例えば。
四弗化メタンと水素の混合ガスのように、炭素。
水素、弗素を含む複数のガスを混合して用いても同様の
効果が得られる。
効果が得られる。
［発明の効果〕
以上述べたように１本発明によれば、銅を含むアルミニ
ウム合金に窒化チタンなどのバリアメタルを組み合わせ
たような非常に腐食の発生しやすい構造の配線であって
も腐食が発生せず、高信頼性の半導体装置を高歩留まり
で製造できるようになった。
ウム合金に窒化チタンなどのバリアメタルを組み合わせ
たような非常に腐食の発生しやすい構造の配線であって
も腐食が発生せず、高信頼性の半導体装置を高歩留まり
で製造できるようになった。
第１図（ａ）〜（ｄ）は１本発明の実施例における半導
体装置の製造方法を示す主要工程断面図。 第２図（ａ）〜（’ｂ ）は、従来の半導体装置の製造
方法を示す主要工程断面図。 １０１、 ２０１ １０２、 ２０２ ０３ ０４ １０５．２０４ ０６ ０７ ０３ シリコン基板 酸化珪素膜 窒化チタン アルミニウム・銅合金 フォトレジスト 塩素化合物 重合膜 アルミニウム ・シリコン合金 以上
体装置の製造方法を示す主要工程断面図。 第２図（ａ）〜（’ｂ ）は、従来の半導体装置の製造
方法を示す主要工程断面図。 １０１、 ２０１ １０２、 ２０２ ０３ ０４ １０５．２０４ ０６ ０７ ０３ シリコン基板 酸化珪素膜 窒化チタン アルミニウム・銅合金 フォトレジスト 塩素化合物 重合膜 アルミニウム ・シリコン合金 以上
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 ウェハー上に形成された少なくともアルミニウム合金
を含む単層または多層より成る配線層をドライエッチン
グした後の工程に於て、 炭素、水素、弗素を含む反応ガスを真空中に導入し高周
波により前記反応ガスを励起、重合させることにより、
前記ウェハー表面に炭素、水素、弗素を含む重合膜を堆
積させる工程、 前記ウェハーをアセトンを含む有機溶剤に浸漬すること
により前記重合膜を除去した後に、アルカリ溶液に浸漬
し、半導体基板表面に残留している塩素及び塩素化合物
を中和、除去する工程を含むことを特徴とする半導体装
置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28650489A JPH03148122A (ja) | 1989-11-02 | 1989-11-02 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28650489A JPH03148122A (ja) | 1989-11-02 | 1989-11-02 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03148122A true JPH03148122A (ja) | 1991-06-24 |
Family
ID=17705267
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP28650489A Pending JPH03148122A (ja) | 1989-11-02 | 1989-11-02 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03148122A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN100431116C (zh) * | 2004-03-12 | 2008-11-05 | 联华电子股份有限公司 | 金属氧化物半导体晶体管的制造方法 |
-
1989
- 1989-11-02 JP JP28650489A patent/JPH03148122A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN100431116C (zh) * | 2004-03-12 | 2008-11-05 | 联华电子股份有限公司 | 金属氧化物半导体晶体管的制造方法 |
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