JPH03145756A - 電力変換装置用トランジスタモジュール - Google Patents
電力変換装置用トランジスタモジュールInfo
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- JPH03145756A JPH03145756A JP1284028A JP28402889A JPH03145756A JP H03145756 A JPH03145756 A JP H03145756A JP 1284028 A JP1284028 A JP 1284028A JP 28402889 A JP28402889 A JP 28402889A JP H03145756 A JPH03145756 A JP H03145756A
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
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- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
- H01L2224/491—Disposition
- H01L2224/4911—Disposition the connectors being bonded to at least one common bonding area, e.g. daisy chain
- H01L2224/49111—Disposition the connectors being bonded to at least one common bonding area, e.g. daisy chain the connectors connecting two common bonding areas, e.g. Litz or braid wires
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、トランジスタと、それらを保護するための非
対称素子およびコンデンサからなるスナバ回路とによっ
て構成された電力変換装置に使用されるトランジスタモ
ジュールに関する。
対称素子およびコンデンサからなるスナバ回路とによっ
て構成された電力変換装置に使用されるトランジスタモ
ジュールに関する。
トランジスタを用いた電力変換装置用半導体装置は通常
モジュールとして作られ、トランジスタだけあるいはト
ランジスタと並列または直列に接続され、トランジスタ
とは逆方向または同方向に電流を流すダイオードとから
なり、これらトランジスタとダイオードは同一の基板上
に固着され、さらに一つの容器に納められ、かつ主たる
電流を流すための外部端子とトランジスタを駆動するた
めの端子とが容器の外周部に設けられていた。
モジュールとして作られ、トランジスタだけあるいはト
ランジスタと並列または直列に接続され、トランジスタ
とは逆方向または同方向に電流を流すダイオードとから
なり、これらトランジスタとダイオードは同一の基板上
に固着され、さらに一つの容器に納められ、かつ主たる
電流を流すための外部端子とトランジスタを駆動するた
めの端子とが容器の外周部に設けられていた。
このようなトランジスタモジュールで構成される電力変
換装置において、トランジスタのターンオフ時あるいは
ダイオードの逆回復時に回路の浮遊インダクタンスによ
って発生するサージ電圧が素子に印加され、素子が破壊
するおそれがある。
換装置において、トランジスタのターンオフ時あるいは
ダイオードの逆回復時に回路の浮遊インダクタンスによ
って発生するサージ電圧が素子に印加され、素子が破壊
するおそれがある。
またトランジスタの端子間の電圧の立上り（ｄｖ／ｄｔ
）が急峻な場合、他のトランジスタの誤動作あるいは制
御回路の誤動作が起こることがある。この対策としてト
ランジスタに並列に直列接続の抵抗とコンデンサからな
るＲ−Ｃスナバを接続する方法、あるいは並列接続され
たダイオードと抵抗にコンデンサを直列接続してなるＲ
−（、−Ｄスナバを接続する方法が知られている。しか
し、Ｒ−Ｃ−Ｄスナバでは、抵抗が大形になること、ス
ナバダイオードの順電圧降下が大きいこと、スナバ回路
のダイオードが逆回復する際に高いｄν／ｄｔが生じる
ので制御回路に誤動作を生じるおそれがあることなどの
欠点があり、Ｒ−Ｃスナバば、コンデンサの蓄積電荷が
抵抗を通じて放電するのでエネルギ損失が大きいこと、
抵抗が大形になることなどの欠点がある。これらの欠点
を解決するため、トランジスタの端子間に順方向電圧降
下が小で逆方向電圧降下が大である非対称素子、例えば
、定電圧ダイオードとコンデンサの直列回路を並列接続
する方法が、平成元年電気学会全国大会（平成元年４月
）に発表され、また特願平１８３１１号明細書に記載さ
れている。第４図はそのような回路の一例で、ダイオー
ド２２が逆並列接続されたトランジスタ２１のコレクタ
・エミッタ間に定電圧ダイオード２３とコンデンサ２４
との直列回路を並列接続したものである。
）が急峻な場合、他のトランジスタの誤動作あるいは制
御回路の誤動作が起こることがある。この対策としてト
ランジスタに並列に直列接続の抵抗とコンデンサからな
るＲ−Ｃスナバを接続する方法、あるいは並列接続され
たダイオードと抵抗にコンデンサを直列接続してなるＲ
−（、−Ｄスナバを接続する方法が知られている。しか
し、Ｒ−Ｃ−Ｄスナバでは、抵抗が大形になること、ス
ナバダイオードの順電圧降下が大きいこと、スナバ回路
のダイオードが逆回復する際に高いｄν／ｄｔが生じる
ので制御回路に誤動作を生じるおそれがあることなどの
欠点があり、Ｒ−Ｃスナバば、コンデンサの蓄積電荷が
抵抗を通じて放電するのでエネルギ損失が大きいこと、
抵抗が大形になることなどの欠点がある。これらの欠点
を解決するため、トランジスタの端子間に順方向電圧降
下が小で逆方向電圧降下が大である非対称素子、例えば
、定電圧ダイオードとコンデンサの直列回路を並列接続
する方法が、平成元年電気学会全国大会（平成元年４月
）に発表され、また特願平１８３１１号明細書に記載さ
れている。第４図はそのような回路の一例で、ダイオー
ド２２が逆並列接続されたトランジスタ２１のコレクタ
・エミッタ間に定電圧ダイオード２３とコンデンサ２４
との直列回路を並列接続したものである。
このようなトランジスタモジュールを用いて電力変換装
置を構成する一例を第５図に示す。通常、この回路図に
示すようにブリッジ回路の上アーム用のトランジスタモ
ジュール１００及び下アーム用のトランジスタモジュー
ル１０１の２個を直列に接続した１アーム対１１０が単
位となり、これらが並列に接続されて電力変換装置が構
成される。
置を構成する一例を第５図に示す。通常、この回路図に
示すようにブリッジ回路の上アーム用のトランジスタモ
ジュール１００及び下アーム用のトランジスタモジュー
ル１０１の２個を直列に接続した１アーム対１１０が単
位となり、これらが並列に接続されて電力変換装置が構
成される。
第４図に示すような回路を有するトランジスタモジュー
ルでは、トランジスタ２１のコレクタ（Ｃ）端子と定電
圧ダイオード２３のアノード（Ａ）端子を導体で接続し
、さらに定電圧ダイオード２３のカット（Ｋ）端子とト
ランジスタ２１のエミッタ（Ｅ）端子との間にコンデン
サ２４を接続していた。しかし、このような構成におい
ては以下の問題点があった。
ルでは、トランジスタ２１のコレクタ（Ｃ）端子と定電
圧ダイオード２３のアノード（Ａ）端子を導体で接続し
、さらに定電圧ダイオード２３のカット（Ｋ）端子とト
ランジスタ２１のエミッタ（Ｅ）端子との間にコンデン
サ２４を接続していた。しかし、このような構成におい
ては以下の問題点があった。
ｃｊ）定電圧ダイオードが発熱するためこれを放熱させ
なし干ればならないが、一般にスナバ回路はトランジス
タ素子の容器の上部に設置される配線用導体に取り付け
られるため充分に放熱できず、大きなチップサイズの定
電圧ダ・オード素子を必要とする。
なし干ればならないが、一般にスナバ回路はトランジス
タ素子の容器の上部に設置される配線用導体に取り付け
られるため充分に放熱できず、大きなチップサイズの定
電圧ダ・オード素子を必要とする。
（２）前記の問題を解決するため、トランジスタ素子と
同一冷却体上に定電圧ダイオード素子を取り付けた場合
、トランジスタ素子の端子との距離が長くなり、接続の
ために別の配線用導体が必要となる。さらにコンデンサ
とトランジスタの端子との間の配線が長くなり、これら
の配線のもつインダクタンス分によりスナバ回路のサー
ジ電圧吸収効果が少なくなる。
同一冷却体上に定電圧ダイオード素子を取り付けた場合
、トランジスタ素子の端子との距離が長くなり、接続の
ために別の配線用導体が必要となる。さらにコンデンサ
とトランジスタの端子との間の配線が長くなり、これら
の配線のもつインダクタンス分によりスナバ回路のサー
ジ電圧吸収効果が少なくなる。
（３）このような１−ランジスタモジュールを用いて電
力変換装置を構成する場合、第５図に示すように、通常
、ブリッジ回路の上アーム用のトランジスタモジュール
と下アーム用のトランジスタモジュールの２個のモジュ
ールを直列に接続した１アーム対を並列に接続するため
、トランジスタモジュールの個数が増加する問題があっ
た。
力変換装置を構成する場合、第５図に示すように、通常
、ブリッジ回路の上アーム用のトランジスタモジュール
と下アーム用のトランジスタモジュールの２個のモジュ
ールを直列に接続した１アーム対を並列に接続するため
、トランジスタモジュールの個数が増加する問題があっ
た。
本発明の課題は前述の問題点を解決して、非対称素子と
コンデンサの直列回路からなるスナバ回路を有する電力
変換装置用トランジスタモジ、ユールにおける配線のも
つインダクタンス分を低減するのに役立つと共に非対称
素子に発生する熱を充分放熱させることができ、更に、
電力変換装置を構成する場合、その使用するモジュール
の個数を減少せしめた電力変換装置用トランジスタモジ
ュールを提供することにある。
コンデンサの直列回路からなるスナバ回路を有する電力
変換装置用トランジスタモジ、ユールにおける配線のも
つインダクタンス分を低減するのに役立つと共に非対称
素子に発生する熱を充分放熱させることができ、更に、
電力変換装置を構成する場合、その使用するモジュール
の個数を減少せしめた電力変換装置用トランジスタモジ
ュールを提供することにある。
前述の課題を解決するために、本発明の電力変換装置用
トランジスタモジュールにおいては、直列に接続された
２個のトランジスタとこの各々のトランジスタに並列に
それぞれ接続された電流・電圧特性の順逆非対称素子及
びコンデンサからなる直列回路構成とが一つの容器内に
収容されるものにおいて、容器底板上に絶縁基板を介し
て複数の接続導体を設け、その第１の接続導体上には一
方のトランジスタのコレクタと一方の非対称素子のアノ
ードとがそれぞれ電極を下にして固着され、この第１の
接続導体は容器外に引き出されてコレクタ外部端子を形
成し、この一方のトランジスタの他面側のエミッタは金
属細線を介して第２の接続導体と接続され、この第２の
接ＶＥ導体は容器外に引き出されて中間外部端子を形成
し、一方の非対称素子のカソードは金属細線を介して前
記第３の接続導体と接続されて、この第３の接続導体は
容器外に引き出されてカソード外部端子を形成するとと
もに前記コンデンサを通して前記一方のトランジスタの
エミッタに接続され、 他方のトランジスタのコレクタは第３の接続導体に固着
され、この第４接続導体は引き出されて前記中間外部端
子に接続され、他方のトランジスタのエミッタは金属細
線を介して第５接続導体に接続され、この第５の接続導
体は容器外に引き出されてエミッタ外部端子を形成し、
他方の非対称素子のアノードは第６接続導体に接続され
、この第６の接続導体は容器外に引き出されてアノード
外部端子を形成するとともに前記の他のコンデンサを通
して他方のトランジスタのコレクタに接続するようにす
る。
トランジスタモジュールにおいては、直列に接続された
２個のトランジスタとこの各々のトランジスタに並列に
それぞれ接続された電流・電圧特性の順逆非対称素子及
びコンデンサからなる直列回路構成とが一つの容器内に
収容されるものにおいて、容器底板上に絶縁基板を介し
て複数の接続導体を設け、その第１の接続導体上には一
方のトランジスタのコレクタと一方の非対称素子のアノ
ードとがそれぞれ電極を下にして固着され、この第１の
接続導体は容器外に引き出されてコレクタ外部端子を形
成し、この一方のトランジスタの他面側のエミッタは金
属細線を介して第２の接続導体と接続され、この第２の
接ＶＥ導体は容器外に引き出されて中間外部端子を形成
し、一方の非対称素子のカソードは金属細線を介して前
記第３の接続導体と接続されて、この第３の接続導体は
容器外に引き出されてカソード外部端子を形成するとと
もに前記コンデンサを通して前記一方のトランジスタの
エミッタに接続され、 他方のトランジスタのコレクタは第３の接続導体に固着
され、この第４接続導体は引き出されて前記中間外部端
子に接続され、他方のトランジスタのエミッタは金属細
線を介して第５接続導体に接続され、この第５の接続導
体は容器外に引き出されてエミッタ外部端子を形成し、
他方の非対称素子のアノードは第６接続導体に接続され
、この第６の接続導体は容器外に引き出されてアノード
外部端子を形成するとともに前記の他のコンデンサを通
して他方のトランジスタのコレクタに接続するようにす
る。
容器底板上の接続導体に固着される非対称素子に発生す
る熱は、容器底板に冷却体を取付けることにより容易に
放熱させることができる。そして非対称素子はトランジ
スタに接近して固着できるので接続配線が不要で、配線
によるインダクタンス分が省略される。さらに、非対称
素子とコンデンサを接続する端子とトランジスタとコン
デンサを接続する端子を接近して設けることができるの
で、コンデンサの接続配線も短くすることができ、この
部分の配線インダクタンスも低減する。
る熱は、容器底板に冷却体を取付けることにより容易に
放熱させることができる。そして非対称素子はトランジ
スタに接近して固着できるので接続配線が不要で、配線
によるインダクタンス分が省略される。さらに、非対称
素子とコンデンサを接続する端子とトランジスタとコン
デンサを接続する端子を接近して設けることができるの
で、コンデンサの接続配線も短くすることができ、この
部分の配線インダクタンスも低減する。
また、本発明のトランジスタモジュールは、電力変換装
置のブリッジ回路の上アーム用トランジスタと下アーム
用トランジスタを一体構造としたものであり、これによ
り、電力変換装置を構成するトランジスタモジュールの
個数を減少することができる。
置のブリッジ回路の上アーム用トランジスタと下アーム
用トランジスタを一体構造としたものであり、これによ
り、電力変換装置を構成するトランジスタモジュールの
個数を減少することができる。
第１図は本発明の一実施例における各素子及び部品の配
置を示す。例えば、銅からなる容器底板１１の上に絶縁
基板２を介して銅からなる接続導体３１．３２，３３．
３４，３４，３６，３７．３８が固定されている。第１
の接続導体３６の上にはトランジスタチップ４１Ａが下
面のコレクタ電極により、ダイオードチップ４２Ａが下
面のカソード電極により、定電圧ダイオードチップ４３
Ａが下面のアノード電極により固着されている。図を見
やすくするために、詳細な図示は省略したが、トランジ
スタチップ４１Ａの上面のエミッタ電極は第２の接続導
体３５と、ベース電極は接続導体３８と、ダイオードチ
ップ４２＾の上面のアノード電極は第２の接続導体３５
と、また定電圧ダイオードチップ４３Ａの上面のカソー
ド電極は第３の接続導体３７とそれぞれ金属細線５によ
って接続されている。
置を示す。例えば、銅からなる容器底板１１の上に絶縁
基板２を介して銅からなる接続導体３１．３２，３３．
３４，３４，３６，３７．３８が固定されている。第１
の接続導体３６の上にはトランジスタチップ４１Ａが下
面のコレクタ電極により、ダイオードチップ４２Ａが下
面のカソード電極により、定電圧ダイオードチップ４３
Ａが下面のアノード電極により固着されている。図を見
やすくするために、詳細な図示は省略したが、トランジ
スタチップ４１Ａの上面のエミッタ電極は第２の接続導
体３５と、ベース電極は接続導体３８と、ダイオードチ
ップ４２＾の上面のアノード電極は第２の接続導体３５
と、また定電圧ダイオードチップ４３Ａの上面のカソー
ド電極は第３の接続導体３７とそれぞれ金属細線５によ
って接続されている。
第４の接続導体３２の上には、トランジスタチップ４１
Ｂが下面のコレクタ電極により、ダイオードチップ４２
Ｂが下面のカソード電極により固着されている。また、
第６の接続導体３４の上には定電圧ダイオードチップ４
３Ｂが下面のアノード電極により固着されている。前述
と同様、図を見やすくするために、詳細な図示は省略し
たが、トランジスタチップ４１Ｂの上面のエミッタ電極
は第５の接続導体３３と、ベース電極は接続導体３１と
、ダイオードチップ４２Ｂの上面のアノード電極は第５
の接続導体３３と、また、定電圧ダイオードチップ４３
Ｂの上面のカソード電極は第５の接続導体３３とそれぞ
れ金属細線５によって接続されている。
Ｂが下面のコレクタ電極により、ダイオードチップ４２
Ｂが下面のカソード電極により固着されている。また、
第６の接続導体３４の上には定電圧ダイオードチップ４
３Ｂが下面のアノード電極により固着されている。前述
と同様、図を見やすくするために、詳細な図示は省略し
たが、トランジスタチップ４１Ｂの上面のエミッタ電極
は第５の接続導体３３と、ベース電極は接続導体３１と
、ダイオードチップ４２Ｂの上面のアノード電極は第５
の接続導体３３と、また、定電圧ダイオードチップ４３
Ｂの上面のカソード電極は第５の接続導体３３とそれぞ
れ金属細線５によって接続されている。
第３の接続導体３７と第２の接続導体３５の間に個別ス
ナバ用のコンデンサ７Ａが、第６の接続導体３４と第４
の接続導体３２の間に個別スナバ用のコンデンサ７Ｂが
接続される。本発明のトランジスタモジュールでは、個
別スナバ回路の他に、更にサージ吸収作用を高めるため
、二つのトランジスタ４１八及び４２Ｂにまたがって一
括スナバ用のコンデンサ１８を第３の接続導体３７と接
続導体３８との間に接続することができる。図から明ら
かなように、その接続リードは同一モジュール内で短く
、従ってその配線インダクタンスは小さく、大きなサー
ジ吸収効果が得られる。
ナバ用のコンデンサ７Ａが、第６の接続導体３４と第４
の接続導体３２の間に個別スナバ用のコンデンサ７Ｂが
接続される。本発明のトランジスタモジュールでは、個
別スナバ回路の他に、更にサージ吸収作用を高めるため
、二つのトランジスタ４１八及び４２Ｂにまたがって一
括スナバ用のコンデンサ１８を第３の接続導体３７と接
続導体３８との間に接続することができる。図から明ら
かなように、その接続リードは同一モジュール内で短く
、従ってその配線インダクタンスは小さく、大きなサー
ジ吸収効果が得られる。
第２図は第１図に示した底板１１上に側壁１２および上
蓋１３を組み立ててなるトランジスタモジュール容器の
外観を示す。上蓋１３上には、外部端子、すなわちエミ
ッタ（Ｂ２）端子６１、コレクタ（Ｃ２）端子６２Ａ、
中間（Ｃ２Ｅ１）端子６６、カソード（Ｋ１）端子６４
八、アノード（Ａ２）端子６５Ｂ、 ｌ−ランジメタ４
２Ａ制御用のベース（Ｂ１）端子６３Ａ及び制御用エミ
ッタ（Ｅｌ）端子６７Ａ、Ｉ−ランラスタ４２Ｂ制御用
のベース（Ｂ２）端子６３Ｂ及び制御用エミッタ（Ｂ２
）端子６７Ｂが設けられている。図示されない立上り部
を介して、エミッタ端子６１Ｂは第５の接続導体３３と
、コレクタ端子６２八は第１の接続導体３６と、中間端
子６６は第２，４の接続導体３５及び３２と、カソード
端子６４八は第３の接続導体３７と、アノード端子６５
Ｂは第６の接続導体３４と、ベース端子６３Ａは接続導
体３８と、制御用エミッタ端子６７八は第２の接続導体
３５と、ベース端子６３Ｂは接続導体３１と、制御用エ
ミッタ端子６７Ｂは第５の接続導体３３とそれぞれ接続
されている。
蓋１３を組み立ててなるトランジスタモジュール容器の
外観を示す。上蓋１３上には、外部端子、すなわちエミ
ッタ（Ｂ２）端子６１、コレクタ（Ｃ２）端子６２Ａ、
中間（Ｃ２Ｅ１）端子６６、カソード（Ｋ１）端子６４
八、アノード（Ａ２）端子６５Ｂ、 ｌ−ランジメタ４
２Ａ制御用のベース（Ｂ１）端子６３Ａ及び制御用エミ
ッタ（Ｅｌ）端子６７Ａ、Ｉ−ランラスタ４２Ｂ制御用
のベース（Ｂ２）端子６３Ｂ及び制御用エミッタ（Ｂ２
）端子６７Ｂが設けられている。図示されない立上り部
を介して、エミッタ端子６１Ｂは第５の接続導体３３と
、コレクタ端子６２八は第１の接続導体３６と、中間端
子６６は第２，４の接続導体３５及び３２と、カソード
端子６４八は第３の接続導体３７と、アノード端子６５
Ｂは第６の接続導体３４と、ベース端子６３Ａは接続導
体３８と、制御用エミッタ端子６７八は第２の接続導体
３５と、ベース端子６３Ｂは接続導体３１と、制御用エ
ミッタ端子６７Ｂは第５の接続導体３３とそれぞれ接続
されている。
−括スナバ用のコンデンサは前述のコンデンサ１８のよ
うに、第３の接続導体３７と接続導体３８との間に接続
して容器の内部に設置することもできるが、第２図の２
２０に示すようにカソード端子６４＾とアノード端子６
５Ｂとの間に接続して容器の端子部に設置することもで
きる。また必要に応じて相方に取り付けることもでき、
サージ吸収効果上必要とされる容量のコンデンサを容易
に設置することができる。
うに、第３の接続導体３７と接続導体３８との間に接続
して容器の内部に設置することもできるが、第２図の２
２０に示すようにカソード端子６４＾とアノード端子６
５Ｂとの間に接続して容器の端子部に設置することもで
きる。また必要に応じて相方に取り付けることもでき、
サージ吸収効果上必要とされる容量のコンデンサを容易
に設置することができる。
第３図はこのようにして得られたトランジスタモジュー
ルの回路図である。
ルの回路図である。
第３図から明らかなように、直列に接続されたトランジ
スタ４１Ａ及びトランジスタ４２Ａばそれぞれ電力変換
装置におけるブリッジ回路の上アーム用トランジスタ及
び下アーム用トランジスタに対応し、本トランジスタモ
ジュールは全体として一アーム対に対応する。従って、
これを、例えば、並列に接続することにより電力変換装
置を構成でき、使用するトランジスタモジュールの個数
を減らずことができる。
スタ４１Ａ及びトランジスタ４２Ａばそれぞれ電力変換
装置におけるブリッジ回路の上アーム用トランジスタ及
び下アーム用トランジスタに対応し、本トランジスタモ
ジュールは全体として一アーム対に対応する。従って、
これを、例えば、並列に接続することにより電力変換装
置を構成でき、使用するトランジスタモジュールの個数
を減らずことができる。
本発明によれば、一つの容器の底板」−に直列に接続さ
れた各１−ランジスタとそれを保護する非対称素子とコ
ンデンサからなる個別のスナバ回路を固定することによ
り、これら素子接続のための配線インダクタンスを小さ
くするとともに、非対称素子で発生する熱を容器底板か
ら冷却体を通して充分に放熱させることが可能となるの
で、非対称素子のチップ寸法を小さくぐることができる
。また、素子接続のための配線インダクタンスの低減に
よりサージ電圧吸収効果を高めることが可能となる。更
にまた、直列に接続されたトランジスタ２個を一つの容
器に収容したトランジスタモジュールは、電力変換装置
のブリッジ回路の１アーム対に対応しており、電力変換
装置を構成する場合、使用するトランジスタモジュール
の個数を１７２に減らすことができる。
れた各１−ランジスタとそれを保護する非対称素子とコ
ンデンサからなる個別のスナバ回路を固定することによ
り、これら素子接続のための配線インダクタンスを小さ
くするとともに、非対称素子で発生する熱を容器底板か
ら冷却体を通して充分に放熱させることが可能となるの
で、非対称素子のチップ寸法を小さくぐることができる
。また、素子接続のための配線インダクタンスの低減に
よりサージ電圧吸収効果を高めることが可能となる。更
にまた、直列に接続されたトランジスタ２個を一つの容
器に収容したトランジスタモジュールは、電力変換装置
のブリッジ回路の１アーム対に対応しており、電力変換
装置を構成する場合、使用するトランジスタモジュール
の個数を１７２に減らすことができる。
第１図は本発明の一実施例の電力変換装置用トランジス
タモジュールにおける容器底板上の素子および部品の配
置を示す斜視図、第２図は第１図の容器底板上に組み立
てられた本発明の電力変換装置用トランジスタモジュー
ルの斜視図、第３図は第２図に示した本発明の電力変換
装置用トランジスタモジュールの回路図、第４図は従来
のトラ／ンスタの端子間に非対称素子とコンデンサの直
列回路を並列接続する方法（平成元年電気学会全国大会
で発表及び特願平１−８３１１号明細書に記載）を示す
回路図、第５図は従来の第４図の回路を有する電力変換
装置用トランジスタモジュールを用いて電力変換装置を
構成した場合の一例の回路図である。 １１：容器底板、１２：容器側板、１３：容器上蓋、２
：絶縁基板、３６，３５，３７，３２，３３，３４
：第１．第２第３．第４．第５．第６の接続導体、４１
八、４１Ｂ：トランジスタチップ、４３＾、４３Ｂ：定
電圧ダイオードチップ（非対称素子チップ） ５：金
属細線、６１Ｂ：エミッタ端子 （外部端子） ６
２Ａ：コレクタ端子（外部端子） ６４Ａ：カソー
ド端子（外部端子）、６５Ｂ ニアノード端子（外部
端子”） 、７Ａ。 ７Ｂ：コンデンサ （個別スナバ用の）５− 第３図 ″＼１刊−″〜７ 特開平 １４５７５６ （６） 第５図
タモジュールにおける容器底板上の素子および部品の配
置を示す斜視図、第２図は第１図の容器底板上に組み立
てられた本発明の電力変換装置用トランジスタモジュー
ルの斜視図、第３図は第２図に示した本発明の電力変換
装置用トランジスタモジュールの回路図、第４図は従来
のトラ／ンスタの端子間に非対称素子とコンデンサの直
列回路を並列接続する方法（平成元年電気学会全国大会
で発表及び特願平１−８３１１号明細書に記載）を示す
回路図、第５図は従来の第４図の回路を有する電力変換
装置用トランジスタモジュールを用いて電力変換装置を
構成した場合の一例の回路図である。 １１：容器底板、１２：容器側板、１３：容器上蓋、２
：絶縁基板、３６，３５，３７，３２，３３，３４
：第１．第２第３．第４．第５．第６の接続導体、４１
八、４１Ｂ：トランジスタチップ、４３＾、４３Ｂ：定
電圧ダイオードチップ（非対称素子チップ） ５：金
属細線、６１Ｂ：エミッタ端子 （外部端子） ６
２Ａ：コレクタ端子（外部端子） ６４Ａ：カソー
ド端子（外部端子）、６５Ｂ ニアノード端子（外部
端子”） 、７Ａ。 ７Ｂ：コンデンサ （個別スナバ用の）５− 第３図 ″＼１刊−″〜７ 特開平 １４５７５６ （６） 第５図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １）直列に接続された２個のトランジスタとこの各々の
トランジスタに並列にそれぞれ接続された電流・電圧特
性の順逆非対称素子及びコンデンサからなる直列回路構
成とが一つの容器内に収容されるものにおいて、容器底
板上に絶縁基板を介して複数の接続導体を設け、その第
１の接続導体上には一方のトランジスタのコレクタと一
方の非対称素子のアノードとがそれぞれ電極を下にして
固着され、この第１の接続導体は容器外に引き出されて
コレクタ外部端子を形成し、この一方のトランジスタの
他面側のエミッタは金属細線を介して第２の接続導体と
接続され、この第２の接続導体は容器外に引き出されて
中間外部端子を形成し、一方の非対称素子のカソードは
金属細線を介して前記第３の接続導体と接続されて、こ
の第３の接続導体は容器外に引き出されてカソード外部
端子を形成するとともに前記コンデンサを通して前記一
方のトランジスタのエミッタに接続され、 他方のトランジスタのコレクタは第３の接続導体に固着
され、この第４接続導体は引き出されて前記中間外部端
子に接続され、他方のトランジスタのエミッタは金属細
線を介して第５接続導体に接続され、この第５の接続導
体は容器外に引き出されてエミッタ外部端子を形成し、
他方の非対称素子のアノードは第６接続導体に接続され
、この第６の接続導体は容器外に引き出されてアノード
外部端子を形成するとともに前記の他のコンデンサを通
して他方のトランジスタのコレクタに接続されたことを
特徴とする電力変換装置用トランジスタモジュール。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1284028A JP2646763B2 (ja) | 1989-10-31 | 1989-10-31 | 電力変換装置用トランジスタモジュール |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1284028A JP2646763B2 (ja) | 1989-10-31 | 1989-10-31 | 電力変換装置用トランジスタモジュール |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03145756A true JPH03145756A (ja) | 1991-06-20 |
| JP2646763B2 JP2646763B2 (ja) | 1997-08-27 |
Family
ID=17673370
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1284028A Expired - Lifetime JP2646763B2 (ja) | 1989-10-31 | 1989-10-31 | 電力変換装置用トランジスタモジュール |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2646763B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1998001939A1 (fr) * | 1996-07-03 | 1998-01-15 | Hitachi, Ltd. | Convertisseur de puissance |
| JP2008198735A (ja) * | 2007-02-09 | 2008-08-28 | Sanken Electric Co Ltd | 整流素子を含む複合半導体装置 |
| FR3044180A1 (fr) * | 2015-11-23 | 2017-05-26 | Ifp Energies Now | Module de puissance pour systeme de conversion d'une puissance electrique continue en puissance electrique triphasee |
| CN106787897A (zh) * | 2015-11-23 | 2017-05-31 | Ifp新能源公司 | 用于将直流功率转换为三相交流电功率的系统、安装转换系统的方法及电机系统 |
-
1989
- 1989-10-31 JP JP1284028A patent/JP2646763B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1998001939A1 (fr) * | 1996-07-03 | 1998-01-15 | Hitachi, Ltd. | Convertisseur de puissance |
| JP2008198735A (ja) * | 2007-02-09 | 2008-08-28 | Sanken Electric Co Ltd | 整流素子を含む複合半導体装置 |
| FR3044180A1 (fr) * | 2015-11-23 | 2017-05-26 | Ifp Energies Now | Module de puissance pour systeme de conversion d'une puissance electrique continue en puissance electrique triphasee |
| CN106787901A (zh) * | 2015-11-23 | 2017-05-31 | Ifp新能源公司 | 用于将直流电功率转换为三相电功率的系统及其功率模块及电极系统 |
| CN106787897A (zh) * | 2015-11-23 | 2017-05-31 | Ifp新能源公司 | 用于将直流功率转换为三相交流电功率的系统、安装转换系统的方法及电机系统 |
| WO2017089061A1 (fr) * | 2015-11-23 | 2017-06-01 | IFP Energies Nouvelles | Circuit amortisseur undeland regenerative pour demi-bras d'un onduleur |
| US20180375426A1 (en) * | 2015-11-23 | 2018-12-27 | IFP Energies Nouvelles | Regenerative undeland snubber circuit for half-arm of an inverter |
| US11444530B2 (en) | 2015-11-23 | 2022-09-13 | Mavel edt S.p.A. | Regenerative undeland snubber circuit for half-arm of an inverter |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2646763B2 (ja) | 1997-08-27 |
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