JPH03134200A - 電解法による金属表面の粗面化処理方法およびその装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、その第１の３秒において、電解法による表面
の粗面化処理室方 の金属基板、より具体的にはオフセットリド印刷プレー
トのような印刷プレートであって、該金属基板を、好適
には、まず、グリース除去処理し。

それから複数のゾーンを有する電解液槽内へ移送し、各
ゾーンにおいて前記槽内における交流電流（ＡＣ）の作
用を受けさせる方法に関し、また本発明は、その第２の
３秒において、前記方法を実施するのに好適な装置に関
する。

〔従来の技術〕

アメリカ合衆国特許筒３，７５５，１１６号は、前記型
式の方法および装置を開示しており、該装置には２つの
ゾーンと各ゾーンのそれぞれに対応した１つの室であっ
て処理槽を仕切りによって２つに区分してなる室とを備
えたことが明確に記載されている。

〔発明が解決しようとする課題〕

しかし、前記仕切りにはストリップ状金属基板の通路を
設けであるため、２つの区分は互いに連通しており、単
一の空間として機能」−ることになる。前記従来例にお
いては、例えば各ゾーンのそれぞれに対する特定温度の
選択および／または各ゾーンのそれぞれに対する特定電
解液の選択等のような、特殊な粗面化パラメータの選択
は不可能である。さらに、その電流密度及び電流周波数
は、必然的に２つのゾーンにおいて一致する。すなわち
、各区分にはそれぞれ電極を設けているが、該電極は同
一の電源に接続されているため、電流密度および周波数
は全体として一致している。それ故、事情が異なる場合
には前記と同様に不都合な状態となる。

さらに前記装置によると装置の複雑性を許容しても、比
較的浅い凹部のきわめて不規則な粗面が形成されるのみ
で、すなわち、処理表面上に前記凹部が不規則に配けら
れ、さらに、前記凹部がすることを避けられない。不均
一な粗面の結果、可視的な縞が生じることになる。

深い凹部に堆積する汚れの場合、前記表面から離脱した
粒子の、ある種のクラスタが問題となる。

その結果前記表面が黒色に変色し、印刷プレートにおけ
る場合では、印刷の間、インキの着肉領域と非着肉領域
との間を適切に区別することができないという問題が生
じる。それ故、従来の技術においては１表面処理の次に
次期エツチングによる表面処理と前記汚れを除去する中
和処理とを行う必要がある。その点を除いても印刷プレ
ートに好適な粗面を形成するには、浸せきまたは処理時
間を長くすることによってのみ実現される。そのために
、前記汚れを除去する必要がある点を除いてもより高い
エネルギーが必要であり、また、処理過程が遅くなり、
経済性が向上されないという問題があった。

本発明の目的は、前記方法を簡単にできるとともに経費
を低減する手段によって改良し、生成物を均一な粗面と
するとともに低経費で処理することができる方法を提供
することにある。

本発明の他の目的は均一な粗面であるとともに、縞や汚
れのない生成物を提供することにある。

本発明のさらに別の目的は前記方法を実施するのに好適
で、特に有効な装置を提供することにある。

〔課題を解決するための手段および作用〕前記各目的あ
るいはその他の目的を達成するため、明細書および図面
に記載のように本発明は。

第１のゾーンと第２のゾーンと第３のゾーンとを備え、
第１のゾーンにおける電流の周波数を第２のゾーンにお
ける電流の周波数よりも高くし、第１のゾーンにおける
電流密度を第２のゾーンにおける電流密度と少なくとも
等しくし、第２のゾーンにおける浸せき時間を第１のゾ
ーンにおける浸せき時間よりも長くし、第３のゾーンに
おける電流の周波数を第１のゾーンおよび第２のゾーン
における電流周波数よりも高くしたものである。

前記３秒により１本発明は簡単であるとともに低経費で
前記目的を達成できる。第１段階における相対的に高い
周波数により、粗面化されるべき表面の領域に相対的に
多くの点が形成される。すなわち、該表面上に相対的に
多くの数の点であって、小さな凹部が形成されはじめる
。第１段階において相対的に短い浸せき時間とするため
、前記凹部は相対的に小さく、該凹部は次過程の第２段
階の間に、その中での浸せき時間の長さにより拡大する
。低周波数とするため前記凹部の形成数は基本的に変わ
らない。第３段階の間に最も高周波数とするため、それ
により前記過程で凹部に堆積した汚れを除去するという
所期の目的が達成される。生成した部品の全表面には、
縞や汚れがなく、多くの均一であるとともに粗面の深さ
である相対的に深い凹部が形成され、厳密な前記必要性
に適合するとともに規則正しい配設形状の表面となる。

加工が困難な材料による実験においても例えばアルミニ
ウム３００３　（Ａｌ　３００３）の場合、機械的粗面
化によってのみ達成可能な実用的で白地であり、縞がな
いとともに汚れのない表面を得ることができ、その粗面
ば高品質なものとなる。

そのことは単に従来技術の品質の向上を実現するのみな
らず時間およびエネルギーの低減をも実現する。さらに
本発明の効果として汚れがなくなることにより次期過程
として、例えば、中和および洗浄過程に続きポストエツ
チング等のあらゆる次期処理が不要となる。このように
本発明は、前記過程を全体として優れて低経費とする。

好適には第１のゾーンの区域における電流密度を第２の
ゾーンの区域における電流密度よりも大きくすることが
望ましい。第１のゾーンの区域に適用する相対的に密度
の高い電流によって粗面化されるべき表面の多くの場所
でも生じる反応がきわめて活発になる。

さらに本発明の好適な実施例において、第３のゾーンの
区域における電流密度は前記第１のゾーンにおける電流
密度と前記第２のゾーンにおける電流密度との間の値と
される。その結果第３のゾーンの区域において、確実に
前記粗面の形状を変化することなく、汚れの除去という
所期の課題を解決できる。それ故、第３のゾーンの区域
においては、前記浸せき時間は相対的に短い時間で十分
である。さらに別の、本発明の好適な実施例においては
、第３のゾーンの区域における前記浸せき時間は前記第
１のゾーンにおける浸せき時間と前記第２のゾーンにお
ける浸せき時間との間の継続時間となっている。すなわ
ち、該時間は汚れの除去を十分にする。

さらに、本発明の３秒は、少なくとも第１のゾーンの区
域における電解液の温度を最大とする。

それにより粗面化すべき表面の多くの場所における反応
を活発にすることにある。それに基づき、第１のゾーン
の区域における電解液の温度を他の２つのゾーンの区域
における電解液の温度よりも高くすることが望ましく、
第３のゾーンにおける電解液の温度第１のゾーンにおけ
る電解液の温度と第２のゾーンにおける電解液の温度と
の間の温度とすることが望ましい。

本発明のさらに別の３秒は、３つのゾーンに異なる電解
液を適用することにある。それにより独自の適用の要求
にそれぞれを適合させることができる。各段階における
電解液は少なくとも一つの共通成分を含有し、該成分を
、装置の低経費による操作のため、好適には５グラム毎
リットル（ｇ／ｌ）の塩酸（ＨＣｌ）とすることが望ま
しい。

さらに本発明の３秒および効果は本発明の方法に関する
請求項に記載するとおりである。

本発明の前記目的を達成するための装置は複数の室を画
成し、該室に加熱可能な電解液を供給可能とするととも
に前記室内で浸せきする。電源に接続された電極を備え
た粗面化処理ステーションと、前記基板材料を移送する
。好適には移送ローラからなる移送手段であって好適に
はストリップまたはバンドを前記電極へ通過させる移送
手段とを備えた構成とし、前記粗面化処理ステーション
の室は相互に連通せず、また各室はそれぞれ独自の前記
電解液の供給源と調節可能な加熱手段と各室に対する電
流密度および所定周波数をそれぞれの所定値とする電源
とを備えたことを３秒とする。

前記３秒によって、各ゾーンのそれぞれの区域における
電流密度、周波数、電解液の温度および、前記各室に適
用する電解液の種類を従来技術のように相互に阻害し合
うことなく、確実に各室に対して選択することができる
。

ストリップ状基板材料の例に関し、前記室を経由するス
トリップ材料の経路は、本発明の目的である前記浸せき
時間の差異に応じるため、その長さを変化させてもよい
、そのために、単に各室の作用領域の長さをそれぞれ異
なるものとすることができる。それにより、ストリップ
の移送速さを一定にして、異なる所定の前記浸せき時間
とすることが簡単に達成できる。

本発明のさらに別の３秒、効果は本発明の装置に関する
請求項に記載するとおりである。

〔実施例〕

オフセットリソプレートまたはそれと同様のものを製造
するための原ストックは、例えばアルミニウム１０５０
　（Ａｌ１０５０）またはアルミニウム３００３　（Ａ
ｌ３００３）等の金属基板ノストリップであり、前記ス
トックに光反応層を形成する前に、まず、該金属基板の
表面を、粗面化し、次に酸化物で被覆し、それから、い
わゆる下層処理する。図示の装置は、符号１で示す粗面
化処理ステーションを備えている。ステーション１はト
ラフ状容器２を有し、容器２は２つの仕切板３によって
室４と室５と室６とに区分されている。室４と室５と、
室６との内側および外側には、ベンドローラフにより形
成した案内部材があり、ペンドローラ７上を、ストリッ
プ９が、その１巻装コイル８から走行する。案内部材は
、前記ストリップを、室４、室５、室６の各室において
それぞれＵ字型ループをなして通過させる配置となって
いる。

ベンドローラフのいくつかを、ストリップ移送のため、
駆動させてもよい。このベンドローラフの駆動について
は、一般には巻き上げステーションからの張力１こよる
のみで十分である。なお、巻き上げステーションについ
ては詳細に図示しない。

ストリップ９を粗面化処理ステーション１へ走行させる
前にそのグリースを除去して水洗させるため、コイル８
を含めたストリップ送り出しステーションの次に奇生ソ
ーダまたはそれと同様な剤を充填したグリース除去容器
１０を配設し、それにより容器１ｏ内をストリップ９が
Ｕ字型ループをなして通過することになる。該工程には
、グリースの除去に加えて、同時に前エツチング処理の
作用がある。それから、ストリップ９は、水洗ステーシ
ョン１２を通過する。この水洗ステーション１２は、洗
浄水を噴出するスプレーノズル１１を有し、スプレーノ
ズル１１は移送平面に沿うとともにストリップの両面に
おいてそれぞれ配設しである。上記の前処理の後、スト
リップは粗面化処理ステーション１に送入され、ステー
ション１内でストリップの表面は電解法による粗面化処
理される。

粗面化処理ステーション１と、それによりストリップの
加工過程は、３つのゾーンすなわち室４、室５および室
６に対応したゾーン■、ゾーン■。

ゾーン■に区分けされており、室４、室５、室６に、そ
れぞれゾーンＩ、ゾーン■、ゾーン■が当てはまってい
る。室４、室５、室６には、各々、電解液を充填してい
る。該液は、水を主成分とし、それにある種の反応剤を
添加してなる。この反応剤は、単一または複数の成分か
らなるものとすることができる。本実施例では塩酸ＣＨ
ＣＱ）を、３つのゾーンにそれぞれ、５グラム毎リット
ル（ｇ／ＩＩ）の濃度で充填している。ゾーンＩには、
前記塩酸（Ｈ（１）の他、他の反応剤を加えていない。

ゾーン■においては前記塩酸に１０グラム毎リットル（
ｇ／ｌ）の濃度のオルトホウ酸（ＨｓＢＯ，）を加えて
いる。ゾーン３においては前記塩酸に１グラム毎リット
ル（ｇ／ｌ）の濃度のオルトホウ酸（Ｈ３Ｂ　Ｏ３）を
加えている。なお、その他の反応剤を適用することも、
また可能である。

前記塩酸（Ｈ（１）の代りに硝酸（ＨＮＯ３）またはそ
れと同様な他の酸を適用することも、また、可能である
。同様に、従来の技術により、さらに別の電解液成分と
することもできる。

室４と室５と室６との各室を、既成成分の電解液で充填
することができるが、各室は、それぞれの、前記電解液
貯蔵容器１４，１５．１６を備えており、前記室のそれ
ぞれに連通ずる、ポンプ１７を有する配給パイプ１８が
延在している。図示した本発明の操作例では、室４と室
５と室６には、各室に特有の前記電解液を継続して供給
し、その中を連続して流れるようにしている。すなわち
、循環ダクト１９を配設し、室４と室５と室６の各室か
らあふれた流れを、それぞれに連通ずる貯蔵容器１４、
容器１５、容器１６へ流動させている。

室４と室５と室６のそれぞれを適正温度に保つため、各
室はそれぞれの加熱手段２ｏを備え、加熱手段２０は、
制御器２１に接続しており、それによって制御可能とな
ってりる。加熱手段は線１８で示す配置の連続フローヒ
ーターの形態としてもよい。図示した、本発明の操作例
では、加熱手段２０は室４と室５と室６とのそれぞれに
配設した加熱コイールの形状とされている。同じく、図
示した本発明の操作例では前記加熱コイルは電熱式であ
り、従って、該コイルは電気配線２２に接続している。

制御器２１の調整は目盛２３により指示するようにして
、調節可能となっている。

本実施例の場合、制御器２１は室４すなわちゾーン■の
電解液の温度を３６℃に、室５すなわちゾーン■の電解
液の温度を２８℃に、室６すなわちゾーン■の電解液の
温度を３１℃とする制御に設定されている。ゾーン■の
電解液の温度は３０℃から４０℃までの間の温度とする
ことができ、ゾーン■の前記温度は２０℃から４０℃ま
での間の温度し、ゾーン■の前記温度は２５℃から３５
℃までの間の温度とすることができる・。前記各範囲内
で、ゾーン■の電解液温度が最も高くゾーン■における
前記温度が最も低く、ゾーン■における前記温度が前記
２者の中間値となるように選択している。

室４と室５と室６との各室に電流を導電するため、各室
は、同一回路に接続された一対の電極２４をそれぞれ収
容している。電極は黒鉛ブロックであってその両者の間
に間隔をおいてあり、その下をストリップ９が通過して
移動する構成となっている。その場合、印刷プレートの
製造に係る場合のように電極２４に近接するストリップ
の上面のみが粗面化されることになる。ストリップの両
面を粗面化坦面化させる場合には、電極を対向して配置
し、その間にストリップを移動させるか、あるいは、前
記電極にストリップ走行用の窓を設けることにより達成
できる。電極２４は配電線２２から交流電流（ＡＣ）の
供給を受けている。電極２４の各組にそれぞれ、固有の
周波数設定手段２５を配設し、電流および電圧設定手段
２６が電＼ となっている。

本実施例では周波数設定手段２５は、ゾーン■における
電流周波数を２１０ヘルツ（Ｈｚ）として、ゾーン■に
おける電流周波数を４５ヘルツ（Ｈｚ）、ゾーン■にお
ける電流周波数を３１５ヘルツ（Ｈｚ　）として調節し
ている。ゾーンＩにおける周波数は１２０ヘルツ（Ｈｚ
　）から２４０ヘルツ（Ｈｚ）までの間の値とすること
ができ、ゾーン■においては、２０ヘルツ（Ｈｚ）から
８０ヘルツ（Ｈｚ）までの間の値とし、ゾーン■におい
ては２５０ヘルツ（Ｈｚ）から３６０ヘルツ（Ｈｚ）ま
での間の値とすることができる。各範囲内にて周波数は
常にゾーンＩにおける値をゾーン■における値よりきわ
めて高いとともにゾーン■における値より低い値として
設定し、ゾーン■の値を最も高い値としている。本実施
例において、電流および・電圧設定手段２６は、ゾーン
Ｉの区域ではその電流密度を５０アンペア毎平方デシメ
ートル（Ａ／ｄｍ２）とし、ゾーン■の区域では、その
電流密度を２０アンペア毎乎方デシメートル（Ａ／ｄｍ
２）とし、ゾーン■の区域では、その電流密度を３０ア
ンペア毎乎方デシメートル（Ａ／ｄｍ２）として設定し
である。

ゾーンＩの区域における電流密度は４０アンペア毎平方
デシメートル（Ａ／ｄｍ２）から８０アンペア毎平方デ
シメートル（Ａ／ｄｍ２）までの間の値とすることがで
き、ゾーン■の区域ではその電流密度を１０アンペア毎
平方デシメートル（Ａ／ｄｍ２）から３０アンペア毎平
方デシメートル（Ａ／ｄｍ２）までの間の値とし、ゾー
ン■の区域ではその電流密度を１５アンペア毎平方デシ
メートル（Ａ／ｄｍ”から）５０アンペア毎平方デシメ
ートル（Ａ／ｄｍ２）までの間の値とすることができる
。各範囲内にて電流密度の値は常に第１のゾーン■の区
域における電流密度を最も高くし、第２のゾーン■にお
ける電流密度を最も低くし、第３のゾーン■における電
流密度を、前２者の中間値として設定する。

ストリップは、一定の速さで移動させる。ゾーン■、ゾ
ーン■、ゾーン■を通過するストリップ９のペースは、
各ゾーン内での所望の浸せき時間とするように選択され
る６本実施例では前記浸せき時間をそれぞれ異なるもの
としている。室４、室５．室６、すなわち３つのゾーン
Ｉ、ゾーン■、ゾーン■は、前記浸せき時間に対応しそ
れぞれ異なる間隔あるいは作用幅となっている。ゾーン
■の区域における浸せき時間を最も長くすることが望ま
しい。それ故、室５．すなわちゾーン■が最も大きい長
さとなっている。ゾーンの区域における浸せき時間を最
も短くすることが望ましい。それ故、室４、すなわちゾ
ーンＩが最も短い室となっている。室６の長さは室４の
長さと室５の長さとの間の値となっている。本実施例の
室の長さは、ゾーン■の室４における前記浸せき時間を
３秒とし、ゾーン■に属する室５における前記浸せき時
間を１０秒とし、ゾーン■の室６における前記浸せき時
間を４秒とする長さとなっている。室の長さを一定に設
定した場合、前記浸せき時間はストリップの速さの変化
に応じて変わることになる。

室４．すなわちゾーン■における効果的な時間の範囲は
２秒から５秒までの範囲であり、ゾーン■に属する室５
の前記時間の範囲は６秒から１５秒までの範囲であり、
ゾーン■に属する室６の前記時間の範囲は２秒から６秒
までの範囲である。

電極２４に電流を導電すると、電解過程が生じ、該過程
によって電極２４近傍におけるストリップ９の表面が粗
面化する。ゾーン■の区域における高周波数および高電
流密度および浸せき時間の短さによって多くの凹部形状
が生じ、すなわち該凹部粗面化すべき表面に規則正しく
配設されることになる。なお、前記凹部の大きさは小さ
いままである。ゾーンＨの区域において、浸せき時間は
長くされるが、ゾーンＩと比較して低電流密度および低
周波数であり、それにより前記凹部は大きく拡がること
がわかる。低電流密度および低周波数のため、新たに凹
部が形成されることはなく、ただ、ゾーン■において生
じた点を広げることが課題とされる。ストリップ９から
溶解した多量の材料は生成した凹部に汚れとなって堆積
する。この汚れを除去して洗浄するため、ストリップ９
はゾーン■において高周波数および前２者の中間値の電
流密度を受けることとされる。

７）Ｌ／ミニウム１０５０　（Ａｌ１０５０）（７）ス
トリップによる実験によると、ゾーン■において。

電流密度を５０アンペア毎平方デシメートル（Ａ／ｄｍ
２）とし、電流の周波数を２１０ヘルツ（Ｈｚ）とし、
浸せき時間を３秒とし、電解液の温度を３６℃と設定し
た。電解液は水および５グラム毎リットル（ｇ／ｌ）の
塩酸（ＨＣｌ）からなるものとした。また、ゾーン■に
おいては、電流密度を５０アンペア毎平方デシメートル
（Ａ／ｄｍ２）とし、電流の周波数を４５ヘルツ（Ｈｚ
）とし、浸せき時間を１０秒とし、電解液の温度を２８
℃とした。電解液は水と５グラム毎リットル（ｇ／ｎ）
の濃度の塩酸（ＨＣΩ）と１０グラム毎リットルＣｇ／
ｌ’）の濃度のオルトホウ酸（Ｈ３ＢＯ３）とからなる
ものとした。ゾーン■においては、ｌｔ電流密度同じ＜
５０アンペア毎平方デシメートル（Ａ／　ｄ　ｍ２）と
し、電流の周波数を３１５ヘルツ（Ｈｚ）とし、浸せき
時間を４秒とし電解液の温度を３１℃とした。電解液は
水と５グ５ム毎！Ｊツｈ＃　（ｇ／ｎ）（７）塩１（Ｈ
Ｃｌ）と１グラム毎リットルのオルトホウ酸（Ｈ，ＢＯ
３）からなるものとした。処理を完了したストリップは
規則正しく、実用的な素地であって縞や汚れのない粗面
となった。

７／Ｌ／ミニウＡ３００３　（ＡＲ３００３）　による
他の実験では、ゾーン■における電流密度を５０アンペ
ア毎平方デシメートル（Ａ／ｄｍ２）とし。

ゾーン■における電流密度を２０アンペア毎平方デシメ
ートル（Ａ／ｄｍ２）とし、ゾーン■における電流密度
を５０アンペア毎平方デシメートル（Ａ／ｄｍ２）とし
た。他のパラメータは前記第１の実験と同一とした。周
知のようにアルミニウム３００３　（Ａｌ３００３）（
７）表面ヲ粗面化することは、困難であるにもかかわら
ず、本方法により粗面化したストリップの表面は実験１
の場合と同様に実用的な粗面となり、その光学密度は向
上した。

ストリップ９が粗面化処理ステーション１から出ると、
粗面化処理ステーションの次期過程に設けた洗浄ステー
ション９を通過する。洗浄ステーション９では移送面の
両面側にそれぞれ配置したノズル３０からの水を噴出さ
せる。それからストリップ９を陽極ユニットへ通過させ
てもよい。なお、該ユニットは図示していないが、それ
により粗面に酸化層が形成することになる。それからス
トリップをいわゆる下層の形成のため、ステーションを
通過させてもよい。粗面化するとともに下層を形成した
ストリップは印刷プレートの製造−のための素材となる
。そのためストリップを切り取ってからまたは切り取る
前に光反応層を設けることになる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の一実施例を示し、本発明の方法を実施
する装置のダイアグラム図である。 １・・・粗面化処理ステーション、 ２・・・容器、３・・・仕切板、４・・・第１ゾーンの
室、５・・・第２ゾーンの室、６・・・第３ゾーンの室
、７・・・ベントローラ、８・・・ストリップ巻装コイ
ル、９・・・ストリップ、１０・・・グリース除去用容
器、１１・・・スプレーノズル、１４・・・第１のゾー
ンの室のための電解液貯蔵容器、１５・・・第２のゾー
ンの室のための電解液貯蔵容器、１６・・・第３のゾー
ンの室のための電解液貯蔵容器、２ｏ・・・加熱手段、
２１・・・温度制御器、２４・・・電極、２５・・・周
波数設定手段、２６・・・電流、電圧設定手段。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、金属基板材料の材料の表面を電解法により粗面化処
   理する方法であって、金属基板材料を３つのゾーンから
   なる電解液の槽に浸せきし、各ゾーンにて、それぞれ前
   記槽内に導電した交流（ＡＣ）電流をあてることからな
   り、第１のゾーンにおける前記電流の周波数を第２のゾ
   ーンにおける前記電流の周波数よりも高くし、前記第１
   のゾーンにおける電流密度を、少なくとも前記第２のゾ
   ーンにおける電流密度と等しくし、前記第２のゾーンに
   おける前記浸せき時間を前記第１のゾーンにおける前記
   浸せき時間よりも長くし、第３のゾーンにおける前記電
   流の周波数を、前記第１のゾーンにおける前記電流の周
   波数および前記第２のゾーンにおける前記電流の周波数
   よりも高くする方法。 ２、前記第１のゾーンにおける前記電流密度を前記第２
   のゾーンにおける前記電流密度よりも高くする請求項第
   １項に記載の方法。 ３、前記第３のゾーンの前記電流密度を前記第１のゾー
   ンにおける前記電流密度との間の値とする請求項第２項
   に記載の方法。 ４、前記第３のゾーンにおける前記浸せき時間を少なく
   とも前記第１のゾーンにおける前記浸せき時間と等しく
   し、多くとも前記第２のゾーンにおける前記浸せき時間
   と等しくする請求項第１項に記載の方法。 ５、前記第３のゾーンにおける前記浸せき時間を前記第
   １のゾーンにおける前記浸せき時間と前記第２のゾーン
   における前記浸せき時間との間の値とする請求項第４項
   に記載の方法。 ６、前記電解液の温度を、少なくとも前記第１のゾーン
   において最大とする請求項第１項に記載の方法。 ７、前記第１のゾーンにおける前記電解液の温度を、前
   記第２のゾーンにおける前記電解液の温度および前記第
   ３のゾーンの前記電解液の温度よりも高くし、前記第３
   のゾーンの前記電解液の温度を前記第１のゾーンの前記
   電解液の温度と前記第２のゾーンの前記電解液の温度と
   の間の値とする請求項第６項に記載の方法。 ８、異なる電解液を前記３つのゾーンに適用する請求項
   第１項に記載の方法。 ９、前記各ゾーンにおける前記電解液は少なくとも１つ
   の共通の添加成分を含有し、該成分を好適には５グラム
   毎リットル（ｇ／ｌ）の濃度の塩酸（ＨＣｌ）とする請
   求項第１項に記載の方法。 １０、前記第１のゾーンにおける前記電解液を、好適に
   は塩酸（ＨＣｌ）である前記共通の添加成分のみを含有
   するものとする請求項第９項に記載の方法。 １１、前記第２のゾーンの前記電解液は、前記３つのゾ
   ーンにおける共通の添加成分以外の添加成分を含有し、
   好適には１０グラム毎リットル（ｇ／ｌ）のオルトホウ
   酸（Ｈ＿３ＢＯ＿３）とする請求項第９項に記載の方法
   。 １２、前記第３のゾーンの前記電解液は前記３つのゾー
   ンにおける共通の添加成分以外の、添加成分を含有し、
   好適には前記第２のゾーンよりも低い濃度のオルトホウ
   酸（Ｈ＿３ＢＯ＿３）であって好適にはその濃度を１グ
   ラム毎リットル（ｇ／ｌ）とする請求項第９項に記載の
   方法。 １３、前記第１のゾーンにおける前記電流の周波数を１
   ２０ヘルツ（Ｈｚ）から２４０ヘルツ（Ｈｚ）までの間
   の範囲の値とし、好適にはその値を２１０（Ｈｚ）とす
   る請求項第１項に記載の方法。 １４、前記第２のゾーンにおける前記電流の周波数を２
   ０ヘルツ（Ｈｚ）から８０ヘルツ（Ｈｚ）までの間の範
   囲の値とし、好適にはその値を４５ヘルツ（Ｈｚ）とす
   る請求項第１項に記載の方法。 １５、前記第３のゾーンにおける前記電流の周波数を２
   ５０ヘルツ（Ｈｚ）から３５０ヘルツ（Ｈｚ）までの間
   の範囲の値とし、好適にはその値を３１５ヘルツ（Ｈｚ
   ）とする請求項第１項に記載の方法。 １６、前記第１のゾーンにおける前記電流密度を４０ア
   ンペア毎平方デシメートル（Ａ／ｄｍ＾２）から８０ア
   ンペア毎平方デシメートル（Ａ／ｄｍ＾２）までの間の
   範囲の値とし、好適にはその値を５０アンペア毎平方デ
   シメートル（Ａ／ｄｍ＾２）とする請求項第１項に記載
   の方法。 １７、前記第２のゾーンにおける前記電流密度を１０ア
   ンペア毎平方デシメートル（Ａ／ｄｍ＾２）から３０ア
   ンペア毎平方デシメートル（Ａ／ｄｍ＾２）までの間の
   範囲の値とし、好適にはその値を２０アンペア毎平方デ
   シメートル（Ａ／ｄｍ＾２）とする請求項第１項に記載
   の方法。 １８、前記第３のゾーンにおける前記電流密度を１５ア
   ンペア毎平方デシメートル（Ａ／ｄｍ＾２）から５０ア
   ンペア毎平方デシメートル（Ａ／ｄｍ＾２）までの間の
   範囲の値とし、好適にはその値を３０アンペア毎平方デ
   シメートル（Ａ／ｄｍ＾２）とする請求項第１項に記載
   の方法。 １９、前記第１のゾーンにおける前記電解液の温度を３
   ０℃から４０℃までの間の範囲の値とし、好適にはその
   値を３６℃とする請求項第１項に記載の方法。 ２０、前記第２のゾーンにおける前記電解液の温度を２
   ０℃から４０℃までの間の範囲の値とし、好適にはその
   値を２８℃とする請求項第１項に記載の方法。 ２１、前記第３のゾーンにおける前記電解液の温度を２
   ０℃から３５℃までの間の範囲の値とし、好適にはその
   値を３１℃とする請求項第１項に記載の方法。 ２２、前記第１のゾーンにおける前記金属基板の浸せき
   時間を２秒から５秒までの間の範囲の値とし、好適には
   その値を３秒とする請求項第１項に記載の方法。 ２３、前記第２のゾーンにおける前記浸せき時間を６秒
   から１５秒までの間の範囲の値とし、好適にはその値を
   １０秒とする請求項第１項に記載の方法。 ２４、前記第３のゾーンにおける前記浸せき時間を２秒
   から６秒までの間の範囲の値とし、好適にはその値を４
   秒とする請求項第１項に記載の方法。 ２５、アルミニウム１０５０（Ａｌ１０５０）を前記基
   板材料として、前記３つのゾーンにおける電流密度の値
   を５０アンペア毎平方デシメートル（Ａ／ｄｍ＾２）と
   し、３つのゾーンにおける周波数と浸せき時間と電解液
   の温度とをそれぞれ前記の値とするとともに電解液を前
   記成分とする請求項第１項に記載の方法。 ２６、前記基板材料をアルミニウム３００３（Ａｌ３０
   ０３）とし、前記第１のゾーンおよび前記第３のゾーン
   における前記電流密度を５０アンペア毎平方デシメート
   ル（Ａ／ｄｍ＾２）とするとともに前記第２のゾーンに
   おける前記電流密度を２０アンペア毎平方デシメートル
   （Ａ／ｄｍ＾２）とし、周波数と浸せき時間と電解液の
   温度と電解液の成分とを前記の値および前記成分とする
   請求項第１項に記載の方法。 ２７、前記金属基材を金属シートのストリップとすると
   ともに該ストリップを前記第１のゾーンに送入する前に
   そのグリースを除去する請求項第１項に記載の方法。 ２８、粗面化処理ステーションを有して金属基板を粗面
   化処理する装置であって、３つの室を備え各室にはそれ
   ぞれの、その中への加熱可能な電解液の供給手段と、そ
   の電解液中に浸せきした少なくとも１つの電極とを有し
   、該電極を出力源に接続しており、好適には前記基板の
   移送のための移送ローラーによって形成するとともに、
   前記ストリップを前記電極へ通過させる構成の移送手段
   を備え、前記粗面化処理室の各室をそれぞれしや断する
   とともに前記各室はそれぞれの固有の電解液供給手段と
   、調節可能な加熱手段と、それぞれに独自の、電流密度
   および電流周波数を設定して電力を供給する出力源とを
   備えた装置。 ２９、前記ストリップ状の金属基板を、異なる各室内ご
   とに、その室を所望の浸せき時間で通過させる、それぞ
   れに異なる長さとする請求項第２８項に記載の装置。 ３０、前記第２のゾーンにおける室を前記第１のゾーン
   における室の長さよりも長くした請求項第２９項に記載
   の装置。 ３１、ゾーンにおける前記第３の室の長さを、大きくと
   も前記第１の室の長さと同じ長さとするか、あるいは大
   きくとも前記第２の室の長さと同じ長さとし、好適には
   その長さを第１の室の長さと第２の室の長さとの間の値
   とした請求項第３０項に記載の装置。 ３２、前記各室に調節可能な周波数増幅器と電流または
   電圧増幅器とを設けた請求項第２８項に記載の装置。 ３３、前記各室に１対の電極を設けた請求項第２８項に
   記載の装置。