JPH0313258A - 半溶融成形用金型構造 - Google Patents
半溶融成形用金型構造Info
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- JPH0313258A JPH0313258A JP14670489A JP14670489A JPH0313258A JP H0313258 A JPH0313258 A JP H0313258A JP 14670489 A JP14670489 A JP 14670489A JP 14670489 A JP14670489 A JP 14670489A JP H0313258 A JPH0313258 A JP H0313258A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〈産業上の利用分野〉
本発明は、半溶融成形用の金型構造に関する。
〈従来の技術及び発明が解決しようとする課題〉従来よ
咋金属加工法の一つとして鋳造が知られている。鋳造は
、溶融した金属である溶融を鋳型に流し込んで成形する
加工法であり、比較的複雑な形のものも容易に且つ安価
に製造できるという特徴を有する。しかしながら、鋳造
ではひけ巣などの製品欠陥が生じ易く、又、引張り強さ
や耐力などの機械的性質の優れた製品が得られないとい
う問題がある。
咋金属加工法の一つとして鋳造が知られている。鋳造は
、溶融した金属である溶融を鋳型に流し込んで成形する
加工法であり、比較的複雑な形のものも容易に且つ安価
に製造できるという特徴を有する。しかしながら、鋳造
ではひけ巣などの製品欠陥が生じ易く、又、引張り強さ
や耐力などの機械的性質の優れた製品が得られないとい
う問題がある。
一方、鍛造は、一対の工具又は金型の間に金属の素材を
置き、工具又は金型を互いに近づけて素材を圧縮する加
工法であるが、目的の形状に成形できると同時に素材の
機械的性質が改善できるものとして知られている。しか
しながら、鍛造では金型等を圧縮するのに大きな圧力を
要するので、素材によっては成形しにくいという問題が
ある。
置き、工具又は金型を互いに近づけて素材を圧縮する加
工法であるが、目的の形状に成形できると同時に素材の
機械的性質が改善できるものとして知られている。しか
しながら、鍛造では金型等を圧縮するのに大きな圧力を
要するので、素材によっては成形しにくいという問題が
ある。
そこで、成形時の変形抵抗を小さくすると共に成形品の
機械的性質を向上させるものとして半溶融成形法、すな
わち固相状態と液相状態とが共存する状態の金属を成形
する方法が最近検討されている。
機械的性質を向上させるものとして半溶融成形法、すな
わち固相状態と液相状態とが共存する状態の金属を成形
する方法が最近検討されている。
本発明は、かかる半溶融成形法に用いる金型構造を提供
することを目的とする。
することを目的とする。
く課題を解決するための手段〉
前記目的を達成する本発明に係る半溶融成形用金型構造
は、成形型と該成形型に連通ずる素材保持型とを有して
該素材保持型に保持された素材を成形内に型押しする金
型であって、上記素材保持型を当該素材の半溶融温度域
に保持する第1のと一夕と、上記成形型を上記半溶融温
度域に近い固相温度域に保持する第2の辷−タとを具え
たことを特徴とする。
は、成形型と該成形型に連通ずる素材保持型とを有して
該素材保持型に保持された素材を成形内に型押しする金
型であって、上記素材保持型を当該素材の半溶融温度域
に保持する第1のと一夕と、上記成形型を上記半溶融温
度域に近い固相温度域に保持する第2の辷−タとを具え
たことを特徴とする。
く作 用〉
素材は、金型の素材保持部内で半溶融状態で保持され、
型押しにより半溶融温度域に近い固相温度域に保持され
た型内に押込まれるので、半溶融成形法の長所を損うこ
となく、成形時の抵抗も小さく、シかも成形品は固相温
度域に保持されるのでその取外しが容易となる。
型押しにより半溶融温度域に近い固相温度域に保持され
た型内に押込まれるので、半溶融成形法の長所を損うこ
となく、成形時の抵抗も小さく、シかも成形品は固相温
度域に保持されるのでその取外しが容易となる。
く夾 施 例〉
以下、本発明を実施例に基づいて説明する。
第1図には本実施例に係る半溶融成形用金型の断面を示
す。同図に示すように、この金型は製品を型取ろ凹部1
1aが形成された成形型11と凹部11aに連通する素
材保持室12aが形成された素材保持型12とを有し、
両者の間にはセラミックス等からなる断熱材13が設け
られている。また、素材保持型12の上方には素材保持
室12aに嵌合するアッパーパンチ14が上下方向移動
自在に設けられており、このアッパーパンチ14により
素材保持室12a内に保持されている素材15を凹部1
1a内に押込んで型押しするようになっている。なお、
凹部11aと素材保持室12aとの連通部16の横断面
積は、素材保持室12aの横断面積より小さくなってお
り、素材15は型押しされる際に一端絞り込まれる。さ
らに、素材保持型12及び成形型13の周囲には、それ
ぞれ第1及び第2のヒータ17,18が設けられており
、両型12,13を別々の温度に保持できるようになっ
ている。
す。同図に示すように、この金型は製品を型取ろ凹部1
1aが形成された成形型11と凹部11aに連通する素
材保持室12aが形成された素材保持型12とを有し、
両者の間にはセラミックス等からなる断熱材13が設け
られている。また、素材保持型12の上方には素材保持
室12aに嵌合するアッパーパンチ14が上下方向移動
自在に設けられており、このアッパーパンチ14により
素材保持室12a内に保持されている素材15を凹部1
1a内に押込んで型押しするようになっている。なお、
凹部11aと素材保持室12aとの連通部16の横断面
積は、素材保持室12aの横断面積より小さくなってお
り、素材15は型押しされる際に一端絞り込まれる。さ
らに、素材保持型12及び成形型13の周囲には、それ
ぞれ第1及び第2のヒータ17,18が設けられており
、両型12,13を別々の温度に保持できるようになっ
ている。
次に、このような金型を用いて半溶融成形する工程を説
明する。
明する。
まず、素材として例えばアルミニウムを用いた場合、素
材保持型12を半溶融濃度580〜630℃、例えば6
00℃に保持し、成形型11を580℃以下、例えば4
50℃に保持しておく。なお、図示は省略しであるが、
両方の型11.12には温度制御のセンサとしての熱電
対が設けられている。
材保持型12を半溶融濃度580〜630℃、例えば6
00℃に保持し、成形型11を580℃以下、例えば4
50℃に保持しておく。なお、図示は省略しであるが、
両方の型11.12には温度制御のセンサとしての熱電
対が設けられている。
そして、別に用意した炉内で素材を例えば600℃に加
熱した後、これを素材保持型12の素材保持室12aに
入れる。次いで、アッパーパンチ14を下降させ、素材
15を凹部11a内に押し込む。このとき、成形品の温
度は450℃に瞬間的に下げられ、半溶融状態から固体
状態に変化する。この固体状態の成形品を成形型11か
ら外ずす。
熱した後、これを素材保持型12の素材保持室12aに
入れる。次いで、アッパーパンチ14を下降させ、素材
15を凹部11a内に押し込む。このとき、成形品の温
度は450℃に瞬間的に下げられ、半溶融状態から固体
状態に変化する。この固体状態の成形品を成形型11か
ら外ずす。
このように本発明の金型構造にすると、成形時には半溶
融状態であ1、成形時の変形抵抗が小さいと共に成形品
の性質も半溶融成形によるものと同一となる一方、成形
品を型から外ずすときには固定状態とな9形がくずれる
等の心配もない。
融状態であ1、成形時の変形抵抗が小さいと共に成形品
の性質も半溶融成形によるものと同一となる一方、成形
品を型から外ずすときには固定状態とな9形がくずれる
等の心配もない。
なお、素材保持型及び成形型の両者を半溶融濃度域に保
持した場合には成形品も半溶融状態であるので型から外
ずすときに型くずれなどをおこして問題となる。一方、
両者を固相温度域に保持すると、素材を素材保持室に入
れた瞬間に温度が下がってしまうので、半溶融状態での
成形ができなくなり好ましくないO なお、上記実施例では、ヒータ16.17との加熱部と
して面発熱ヒータを用い、この面発熱し−タを型12.
11の外側面に直接接触させる構造としてあり、これに
より型12゜11の温度制御を精密に行うことができる
ようにしている。
持した場合には成形品も半溶融状態であるので型から外
ずすときに型くずれなどをおこして問題となる。一方、
両者を固相温度域に保持すると、素材を素材保持室に入
れた瞬間に温度が下がってしまうので、半溶融状態での
成形ができなくなり好ましくないO なお、上記実施例では、ヒータ16.17との加熱部と
して面発熱ヒータを用い、この面発熱し−タを型12.
11の外側面に直接接触させる構造としてあり、これに
より型12゜11の温度制御を精密に行うことができる
ようにしている。
く発明の効果〉
以上説明したように、本発明に係る半溶融成形用金型に
よると、素材保持型を半溶融温度域に保持すると共に成
形型を固相温度域に保持することができるので、半溶融
成形法の長所を保持したまま成形品の型からの取外し作
業を容易にするという効果を奏する。
よると、素材保持型を半溶融温度域に保持すると共に成
形型を固相温度域に保持することができるので、半溶融
成形法の長所を保持したまま成形品の型からの取外し作
業を容易にするという効果を奏する。
第1図は本発明の一実施例に係る半溶融成形用金型の断
面図である。 図面中、 11は成形型、 11aは凹部、 12は素材保持型、 12aは素材保持室、 13は断熱材、 14はアッパーパンチ、 15は素材、 17.18はヒータである。
面図である。 図面中、 11は成形型、 11aは凹部、 12は素材保持型、 12aは素材保持室、 13は断熱材、 14はアッパーパンチ、 15は素材、 17.18はヒータである。
Claims (1)
- 成形型と該成形型に連通する素材保持型とを有して該素
材保持型に保持された素材を成形内に型押しする金型で
あって、上記素材保持型を当該素材の半溶融温度域に保
持する第1のヒータと、上記成形型を上記半溶融温度域
に近い固相温度域に保持する第2のヒータとを具えたこ
とを特徴とする半溶融成形用金型構造。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP14670489A JPH0313258A (ja) | 1989-06-12 | 1989-06-12 | 半溶融成形用金型構造 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP14670489A JPH0313258A (ja) | 1989-06-12 | 1989-06-12 | 半溶融成形用金型構造 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0313258A true JPH0313258A (ja) | 1991-01-22 |
Family
ID=15413659
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP14670489A Pending JPH0313258A (ja) | 1989-06-12 | 1989-06-12 | 半溶融成形用金型構造 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0313258A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5152512A (en) * | 1989-01-20 | 1992-10-06 | Hitachi, Ltd. | Sheet receiving apparatus, sheet delivery apparatus and automatic transaction apparatus having an extensible sheet transfer path |
US5346743A (en) * | 1992-03-13 | 1994-09-13 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Resin encapsulation type semiconductor device |
-
1989
- 1989-06-12 JP JP14670489A patent/JPH0313258A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5152512A (en) * | 1989-01-20 | 1992-10-06 | Hitachi, Ltd. | Sheet receiving apparatus, sheet delivery apparatus and automatic transaction apparatus having an extensible sheet transfer path |
US5346743A (en) * | 1992-03-13 | 1994-09-13 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Resin encapsulation type semiconductor device |
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