JPH0312949A - Wafer carrier holding device - Google Patents

Wafer carrier holding device

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Publication number
JPH0312949A
JPH0312949A JP1148703A JP14870389A JPH0312949A JP H0312949 A JPH0312949 A JP H0312949A JP 1148703 A JP1148703 A JP 1148703A JP 14870389 A JP14870389 A JP 14870389A JP H0312949 A JPH0312949 A JP H0312949A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
wafer
wafer carrier
carrier
holding device
static electricity
Prior art date
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Pending
Application number
JP1148703A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Tsutomu Ogawa
力 小川
Masanori Kobayashi
正典 小林
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fujitsu Ltd
Original Assignee
Fujitsu Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Fujitsu Ltd filed Critical Fujitsu Ltd
Priority to JP1148703A priority Critical patent/JPH0312949A/en
Publication of JPH0312949A publication Critical patent/JPH0312949A/en
Pending legal-status Critical Current

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Abstract

PURPOSE:To prevent a wafer from being charged with electric charges independently of the material of a wafer carrier by providing a wafer contact part such that at least one end of the wafer in the wafer carrier makes contact with the wafer contact part upon placing the wafer carrier. CONSTITUTION:A conductive or semiconductive wafer contact part 3 is provided such that one end of a wafer 5 placed on a wafer carrier 4 makes contact with the wafer carrier 4. For this, even though the wafer carrier 4 is charged with static electricity after processing and hence static electricity is induced on the wafer 5, when the wafer carrier 4 on which the wafer 5 is placed is placed on a wafer carrier holding device 1, the static electricity on the wafer 5 can be removed through the wafer contact part by earthening the wafer 5 contact part. Hereby, the material of the wafer carrier 4 comprises an insulator material, e.g. Teflon liable to be charged, the wafer 5 can be prevented from being charged in storage thereof irrespective of the material.

Description

【発明の詳細な説明】 (概 要) ウェハキャリア保持装置に関し、 ウェハキャリアに積載したウェハを保管する際、ウェハ
キャリアの材料によらずウェハの帯電を防止することが
できるウェハキャリア保持装置を提供することを目的と
し、 ウェハキャリアを82するウェハキャリア保持装置にお
いて、前記ウェハキャリアの載置時に該ウェハキャリア
内のウェハの少なくとも一端が接触するようにウェハ接
触部が設けられていることを含み構成する。
[Detailed Description of the Invention] (Summary) Regarding a wafer carrier holding device, the present invention provides a wafer carrier holding device that can prevent wafers from being charged regardless of the material of the wafer carrier when storing wafers loaded on the wafer carrier. A wafer carrier holding device for holding a wafer carrier, comprising: a wafer contact portion so that at least one end of a wafer in the wafer carrier contacts when the wafer carrier is placed; do.

〔産業上の利用分野] 本発明は、ウェハキャリア保持装置に関する。[Industrial application field] The present invention relates to a wafer carrier holding device.

近年、半導体装置は微細化が一層進んでおり、ウェハへ
の塵の付着によって歩留りが左右される場合が多くなっ
ている。
In recent years, the miniaturization of semiconductor devices has progressed further, and yields are increasingly affected by dust adhesion to wafers.

ウェハへの塵の付着は、ウェハの処理中或いはウェハの
保管中に起こる。特に、処理工程と処理工程との間にお
いてはウェハを長時間保管する必要があり、この場合ウ
ェハ表面に塵が付着する機会が多くなる。従って、歩留
り向上のためには、ウェハ保管中に塵の付着を防止する
ことが重要である。
Dust adhesion to wafers occurs during wafer processing or wafer storage. In particular, it is necessary to store the wafer for a long time between processing steps, and in this case, there are many opportunities for dust to adhere to the wafer surface. Therefore, in order to improve yield, it is important to prevent dust from adhering to wafers during storage.

〔従来の技術〕[Conventional technology]

従来、ウェハを保管する場合、そのまま薬液処理できる
テフロン製のウェハキャリアにウェハを積載して保管箱
に入れ、清浄な環境を維持したまま保管していた。
Conventionally, when storing wafers, the wafers were loaded onto Teflon wafer carriers that can be directly treated with chemical solutions, placed in storage boxes, and stored while maintaining a clean environment.

〔発明が解決しようとする課題〕[Problem to be solved by the invention]

ところで、ウェハキャリアは絶縁物でできているため、
ウェハキャリアには処理工程中に容易に静電気が誘起さ
れ、そのまま残存することになる。
By the way, since the wafer carrier is made of an insulator,
Static electricity is easily induced in the wafer carrier during processing steps and remains as it is.

従って、処理後ウェハを移し替えずにそのまま保管する
場合、積載されたウェハには静電気が誘起されることに
なる。
Therefore, if the wafers are stored as they are without being transferred after processing, static electricity will be induced in the loaded wafers.

このため、長時間保管することによってウェハ表面には
保管箱中の塵がイ」着する。例えば、クラス10程度の
清浄な雰囲気に保たれた保管箱中においても20時間放
置すると、ウェハ表面には大きさが0.2μm以上の約
100個の塵が付着することがレーザを用いた塵検出装
置で確認された。
Therefore, if the wafer is stored for a long time, dust in the storage box will accumulate on the surface of the wafer. For example, if the wafer is left in a storage box maintained in a clean atmosphere of Class 10 for 20 hours, approximately 100 pieces of dust with a size of 0.2 μm or more will adhere to the wafer surface. Confirmed with a detection device.

このため、特に、パターンを微細化した場合には歩留り
の低下が著しくなるという問題がある。
For this reason, there is a problem in that particularly when the pattern is made finer, the yield decreases significantly.

これを解決するため、ウェハキャリアのテフロン材料に
炭素等の導電性物質を混合したり、ウェハキャリア表面
に導電性物質を塗布したりして、ウェハ接触部が設けら
れていることを特徴とするウェハキャリア保持装置によ
って達成される。
In order to solve this problem, the wafer contact part is provided by mixing a conductive substance such as carbon into the Teflon material of the wafer carrier or by coating the surface of the wafer carrier with a conductive substance. This is accomplished by a wafer carrier holding device.

〔作 用〕[For production]

本発明のウェハキャリア保持装置においては、ウェハキ
ャリアに積載されたウェハの一端がウェハキャリアと接
触するように導電性又は半導電性のウェハ接触部が設け
られている。
In the wafer carrier holding device of the present invention, a conductive or semiconductive wafer contact portion is provided so that one end of a wafer loaded on the wafer carrier comes into contact with the wafer carrier.

このため、ウェハキャリアが処理後静電気を帯びており
、その結果、ウェハに静電気が誘起されていても、ウェ
ハが積載されたウェハキャリアをウェハキャリア保持装
置に載置した場合、ウェハ接触部を接地することにより
、ウェハ接触部を介してウェハの静電気を除去できる。
Therefore, even if the wafer carrier is charged with static electricity after processing and, as a result, static electricity is induced on the wafer, when the wafer carrier loaded with wafers is placed on the wafer carrier holding device, the wafer contact part is grounded. By doing so, static electricity on the wafer can be removed via the wafer contact portion.

これにより、ウェハキャリアの材料が帯電しやすい絶縁
物質、例えばテフロンなどであっても、その材料によら
ず、保管中のウェハの帯電を防止することができる。
Thereby, even if the material of the wafer carrier is an insulating material that is easily charged, such as Teflon, charging of the wafer during storage can be prevented regardless of the material.

静電気が誘起するのを防止することが考えられる。It is possible to prevent static electricity from being induced.

しかし、このウェハキャリアを用いて薬液処理を行うと
、ウェハキャリア表面の導電性物質が薬液におかされ、
ウェハキャリアが使用できなくなるという問題がある。
However, when chemical processing is performed using this wafer carrier, the conductive material on the surface of the wafer carrier is exposed to the chemical.
There is a problem that the wafer carrier becomes unusable.

従って、薬液処理を行う場合、テフロン製のウェハキャ
リアに移し替えることが必要になる。しかし、ウェハを
移し替える際、塵が発生する機会を更に増やすことにな
り問題がある。
Therefore, when performing chemical treatment, it is necessary to transfer the wafer to a Teflon wafer carrier. However, when transferring wafers, there is a problem in that the chances of dust generation are further increased.

本発明は、かかる従来の問題に鑑みてなされたもので、
ウェハキャリアに積載してウェハを保管する際、ウェハ
キャリアの材料によらずウェハの帯電を防止することが
できるウェハキャリア保持装置を提供することを目的と
するものである。
The present invention was made in view of such conventional problems, and
It is an object of the present invention to provide a wafer carrier holding device that can prevent wafers from being charged regardless of the material of the wafer carrier when the wafers are stored on a wafer carrier.

(課題を解決するための手段〕 上記課題は、ウェハキャリアを載置するウェハキャリア
保持装置において、前記ウェハキャリアの載置時に該ウ
ェハキャリア内のウェハの少なくとも一端が接触するよ
うに導電性又は半導電性の〔実施例〕 次に、本発明の実施例について図を参照しながら説明す
る。
(Means for Solving the Problem) The above problem is to provide a wafer carrier holding device on which a wafer carrier is placed, so that at least one end of the wafer in the wafer carrier comes into contact with the wafer carrier when the wafer carrier is placed on the wafer carrier. Conductive Examples Next, examples of the present invention will be described with reference to the drawings.

第1図は、本発明の実施例のウェハキャリア保持装置を
示す斜視図である。
FIG. 1 is a perspective view showing a wafer carrier holding device according to an embodiment of the present invention.

同図において、1は不図示のウェハキャリアを載置する
ためのステンレスからなる保持台、2はウェハキャリア
を所定の位置に固定するするため、保持台1の上の四隅
に設けられたステンレスからなるガイド、3は保持台1
のほぼ中央に設けられた幅約2cm、高さ約1 cm、
長さがウェハキャリアの長さ程度のウェハ接触部で、抵
抗率が105Ωcmのカーボン入りのテフロンからなり
、ウェハを積載したウェハキャリアが載置されるとき、
ウェハの一端が接触するように設けられている。そして
、少なくともウェハキャリアが載置されている間は接地
される。
In the figure, reference numeral 1 denotes a stainless steel holding stand on which a wafer carrier (not shown) is placed, and numeral 2 stands for stainless steel holding stands provided at the four corners of the holding stand 1 to fix the wafer carrier in a predetermined position. guide, 3 is holding stand 1
Approximately 2 cm wide and 1 cm high, located approximately in the center of
The wafer contact part is about the same length as the wafer carrier, and is made of carbon-containing Teflon with a resistivity of 105 Ωcm, and when the wafer carrier loaded with wafers is placed,
It is provided so that one end of the wafer comes into contact with it. It is grounded at least while the wafer carrier is placed thereon.

次に、このウェハキャリア保持装置を用いてウェハキャ
リアを保管する場合について第2図を参照しながら説明
する。同図はウェハキャリアがすでにウェハキャリア保
持装置に載置されている状態を示している。
Next, a case in which wafer carriers are stored using this wafer carrier holding device will be described with reference to FIG. 2. The figure shows a state in which the wafer carrier is already placed on the wafer carrier holding device.

同図において、第1図の符号と同一の符号は第1図と同
一のものを示し、他の符号4はウェハキャリア保持装置
の保持台1上に載置されたテフロンからなるウェハキャ
リア、5はウェハキャリア4に積載された直径が4イン
チのSiウェハである。
In the same figure, the same reference numerals as those in FIG. 1 indicate the same parts as in FIG. is a Si wafer with a diameter of 4 inches loaded on a wafer carrier 4.

まず、Siウェハ5上に残存するレジスト膜その他の有
機物を除去するため、Siウェハ5が積載されたウェハ
キャリア4を11゜s04 / 11202の混合液に
浸漬した後、洗浄・乾燥する。このとき、ウェハキャリ
ア4はテフロンからなっているので、薬液にはおかされ
ない。しかし、薬液との摩擦によりウェハキャリア4に
は静電気が誘起され、ウェハキャリア4は帯電する。こ
の帯電電圧は約−10,0OOVにもなる場合がある。
First, in order to remove the resist film and other organic substances remaining on the Si wafer 5, the wafer carrier 4 loaded with the Si wafer 5 is immersed in a mixed solution of 11°s04/11202, and then washed and dried. At this time, since the wafer carrier 4 is made of Teflon, it will not be exposed to the chemical solution. However, static electricity is induced in the wafer carrier 4 due to friction with the chemical solution, and the wafer carrier 4 becomes electrically charged. This charging voltage can be as high as about -10,000 V.

従って、Siウェハ5にも同じくらいの静電気が誘起す
る。
Therefore, the same amount of static electricity is induced in the Si wafer 5 as well.

次に、Siウェハ5を保管するため、不図示の保管箱中
のウェハキャリア保持装置の保持台1上に乾燥の終わっ
たウェハキャリア4を載置する。このとき、Siウェハ
5の下部の一端が前もって接地されているウェハ接触部
3と接触する。その結果、Siウェハ5に誘起されてい
る静電気はこの半導電性のウェハ接触部3を介して接地
電極に逃げ始める。
Next, in order to store the Si wafer 5, the dried wafer carrier 4 is placed on the holding table 1 of the wafer carrier holding device in a storage box (not shown). At this time, one end of the lower portion of the Si wafer 5 comes into contact with the wafer contact portion 3 which has been grounded in advance. As a result, static electricity induced in the Si wafer 5 begins to escape to the ground electrode via this semiconductive wafer contact portion 3.

そして、この状態で20時間放置した後、次の工程に入
るため保管箱から取り出す。
After leaving it in this state for 20 hours, it is taken out from the storage box for the next step.

ここで、Siウェハ5の表面に付着した大きさが0.2
μm以上の塵の個数をレーザ光を用いた塵の検出装置に
より測定してみると、塵の個数は約10個で、従来の場
合の1/10に相当するものであった。このようにSi
ウェハ5の表面の塵が大幅に減少していることは、Si
ウェハ5の静電気が十分に除去されていることを示して
いる。
Here, the size of the material attached to the surface of the Si wafer 5 is 0.2
When the number of dust particles larger than μm was measured using a dust detection device using laser light, the number of dust particles was about 10, which is equivalent to 1/10 of the conventional case. In this way, Si
The fact that the dust on the surface of the wafer 5 is significantly reduced indicates that
This shows that the static electricity on the wafer 5 has been sufficiently removed.

このように、本発明のウェハキャリア保持装置によれば
、ウェハキャリア4の材料が静電気を誘起し易い絶縁材
料であっても、Siウェハ5の保管中、Siウェハ5ム
こ誘起される静電気を除去してSiウェハ5が帯電する
のを防止できるので、Siウェハ5表面に付着する塵を
大幅に減少させることができる。
As described above, according to the wafer carrier holding device of the present invention, even if the material of the wafer carrier 4 is an insulating material that easily induces static electricity, static electricity induced on the Si wafer 5 can be prevented while the Si wafer 5 is being stored. Since it is possible to prevent the Si wafer 5 from being charged by removing it, the amount of dust adhering to the surface of the Si wafer 5 can be significantly reduced.

これにより、半導体装置の歩留りを向−トさせることが
できる。また、ウェハキャリアは耐薬品性を有する材料
で製作できるので、薬液で処理する際にもSiウェハ5
を移し替える必要がない。従って、移し替えの際の塵の
発生を防止できるので、半導体装置の歩留りは更に向上
する。
Thereby, the yield of semiconductor devices can be improved. In addition, since the wafer carrier can be made of chemically resistant material, it is possible to make the Si wafer 5
There is no need to transfer. Therefore, the generation of dust during transfer can be prevented, and the yield of semiconductor devices can be further improved.

[発明の効果] 以上のように、本発明のウェハキャリア保持装置によれ
ば、ウェハキャリアの材料が静電気を誘起し易い絶縁材
料であっても、うエバの保管中、ウェハに誘起される静
電気を除去してウェハが帯電するのを防止できるので、
ウェハ表面に付着する塵を大幅に減少させることができ
る。
[Effects of the Invention] As described above, according to the wafer carrier holding device of the present invention, even if the material of the wafer carrier is an insulating material that easily induces static electricity, static electricity induced in the wafer during storage of the wafer can be reduced. can be removed to prevent the wafer from becoming electrically charged.
Dust adhering to the wafer surface can be significantly reduced.

これにより、半導体装置の歩留りを向上させることがで
きる。また、ウェハキャリアは耐薬品性を有する材料で
製作できるので、薬液で処理する際にもウェハを移し替
える必要がない。従って、移し替えの際の塵の発生を防
止できるので、半導体装置の歩留りは更に向上する。
Thereby, the yield of semiconductor devices can be improved. Furthermore, since the wafer carrier can be made of a chemically resistant material, there is no need to transfer the wafer when processing it with a chemical solution. Therefore, the generation of dust during transfer can be prevented, and the yield of semiconductor devices can be further improved.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図は、本発明の実施例のウェハキャリア保持装置を
説明する斜視図、 第2図は、本発明の実施例のウェハキャリア保持装置の
使用方法を説明する斜視図である。 (符号の説明) ■・・・保持台、 2・・・ガイド、 3・・・うエバ接触部、 4・・・ウェハキャリア、 5・・・Siウェハ旬
FIG. 1 is a perspective view illustrating a wafer carrier holding device according to an embodiment of the present invention, and FIG. 2 is a perspective view illustrating a method of using the wafer carrier holding device according to an embodiment of the present invention. (Explanation of symbols) ■... Holding stand, 2... Guide, 3... Eva contact portion, 4... Wafer carrier, 5... Si wafer carrier

Claims (1)

【特許請求の範囲】 ウェハキャリアを載置するウェハキャリア保持装置にお
いて、 前記ウェハキャリアの載置時に該ウェハキャリア内のウ
ェハの少なくとも一端が接触するように導電性又は半導
電性のウェハ接触部が設けられていることを特徴とする
ウェハキャリア保持装置。
[Claims] A wafer carrier holding device for mounting a wafer carrier, comprising a conductive or semiconductive wafer contact portion such that at least one end of a wafer in the wafer carrier comes into contact with the wafer carrier when the wafer carrier is mounted. A wafer carrier holding device comprising:
JP1148703A 1989-06-12 1989-06-12 Wafer carrier holding device Pending JPH0312949A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP1148703A JPH0312949A (en) 1989-06-12 1989-06-12 Wafer carrier holding device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP1148703A JPH0312949A (en) 1989-06-12 1989-06-12 Wafer carrier holding device

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH0312949A true JPH0312949A (en) 1991-01-21

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ID=15458709

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JP1148703A Pending JPH0312949A (en) 1989-06-12 1989-06-12 Wafer carrier holding device

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE4441161B4 (en) * 1993-11-29 2005-12-22 Sanyo Electric Co., Ltd., Moriguchi beverage containers

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS56134732A (en) * 1980-03-26 1981-10-21 Hitachi Ltd Electric charge preventing jig
JPS58207651A (en) * 1982-05-28 1983-12-03 Hitachi Ltd Electrostatic preventing type containing jig

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