JPH03128425A - 信号変換回路 - Google Patents

信号変換回路

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JPH03128425A
JPH03128425A JP2148871A JP14887190A JPH03128425A JP H03128425 A JPH03128425 A JP H03128425A JP 2148871 A JP2148871 A JP 2148871A JP 14887190 A JP14887190 A JP 14887190A JP H03128425 A JPH03128425 A JP H03128425A
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terminal
coupled
circuit
temperature
fet
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JP2148871A
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Rodger Ryan
ロジャー・ライアン
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General Electric Co
Original Assignee
General Electric Co
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Publication date
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    • G01K1/02—Means for indicating or recording specially adapted for thermometers
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    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01D—MEASURING NOT SPECIALLY ADAPTED FOR A SPECIFIC VARIABLE; ARRANGEMENTS FOR MEASURING TWO OR MORE VARIABLES NOT COVERED IN A SINGLE OTHER SUBCLASS; TARIFF METERING APPARATUS; MEASURING OR TESTING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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    • G—PHYSICS
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    • G01K—MEASURING TEMPERATURE; MEASURING QUANTITY OF HEAT; THERMALLY-SENSITIVE ELEMENTS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • G01K7/00—Measuring temperature based on the use of electric or magnetic elements directly sensitive to heat ; Power supply therefor, e.g. using thermoelectric elements
    • G01K7/02—Measuring temperature based on the use of electric or magnetic elements directly sensitive to heat ; Power supply therefor, e.g. using thermoelectric elements using thermoelectric elements, e.g. thermocouples
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    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
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    • H03K17/51—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used
    • H03K17/56—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices
    • H03K17/687—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices the devices being field-effect transistors
    • H03K17/693—Switching arrangements with several input- or output-terminals, e.g. multiplexers, distributors

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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 発明の背景 （１）発明の分野 本発明は信号変換回路に関するものであり、更に詳しく
は増幅を行ないながら１つのパラメータをもう１つのパ
ラメータに変換する信号変換回路に関するものである。
（２）発明の背景 温度のようなある物理的パラメータに比例する電気信号
を発生し、この電気信号を、たとえば放射能の危険があ
る遠い位置からより望ましい位置まで伝えることができ
るようにする回路が必要である。たとえば、遠隔位置は
宇宙船内のマニピュレータアームの延長端や原子力発電
所の原子炉内の位置である。従来、熱電対が高利得の線
形増幅器と結合して使用されてきた。高利得の線形増幅
器では、増幅器オフセットのドリフトを熱電対起電力と
識別することができないという不都合が生じる。このよ
うな増幅器は過酷な環境で使うのには適していない。更
に、熱電対はブリッジ回路、ならびに増幅器オフセット
、熱電効果のような望ましくない直流効果のいくらかを
最小限にし得る交流技術に適合しない。
発明の要約 関心のある温度と基準温度との差に比例した出力電気信
号を発生する回路が提供される。この回路は、基本的に
は、３巻線の差動変圧器、４個の電界効果トランジスタ
（Ｆ　Ｅ　Ｔ−ｆｉｅｌｄ　ｅｒｒａｃｔ　ｔｒａｎｓ
ｌｓｔｏｒｓ）　ｓならびに第１および第２の温度測定
手段の組合わせで構成される。
差動変圧器の３つの巻線すなわち第１、第２および第３
の巻線の各々は第１および第２の端を有する。第１、第
２、第３および第４の電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）
の各々はドレーン端子、ソース端子およびゲート端子を
有する。第１のＦＥＴのドレーン端子およびソース端子
のうちの一方は第１の巻線の第１の端に結合されている
。第２のＦＥＴのドレーン端子およびソース端子のうち
の一方は第２の巻線の第１の端に結合されている。
第３のＦＥＴのドレーン端子およびソース端子のうちの
一方は第１の巻線の第２の端に結合されており、第４の
ＦＥＴのドレーン端子およびソース端子のうちの一方は
第２の巻線の第２の端に結合されている。第１および第
２のＦＥＴのそれぞれのドレーン端子およびソース端子
のうちの他方ならびに第１および第２のＦＥＴのそれぞ
れのゲート端子は一緒に結合されると共に、交流電源へ
の接続用の端子に結合される。第３および第４のＦＥＴ
のドレーン端子およびソース端子のうちの他方は回路基
準端子に結合されている。
第１の温度測定手段は関心のある温度を測定するために
第１および第２の端子を有し、温度の関数であるパラメ
ータが該端子に得られる。第１の温度測定手段はその一
方の端子が回路基準端子に結合され、かつ他方の端子が
第３のＦＥＴのゲート端子か、或いは第３のＦＥＴのソ
ース端子およびドレーン端子のうちの回路基準端子に結
合された方の端子に結合されて、関心のある温度の関数
として第３のＦＥＴの電流の限界を設定する。
第２の温度測定手段は基準温度を測定するために第１お
よび第２の端子を有し、温度の関数であるパラメータが
該端子に得られる。第２の温度測定手段はその一方の端
子が回路基準端子に結合され、かつ他方の端子が第４の
ＦＥＴのゲート端子か、或いは第４のＦＥＴのソース端
子およびドレーン端子のうちの回路基準端子に結合され
ている方の端子に結合されて、基準温度の関数として第
４のＦＥＴの電流の限界を設定する。
第３の巻線の第１および第２の端子は出力端子に結合さ
れている。
本回路に交流信号を受けたとき、第３の巻線の出力信号
は関心のある温度と基準温度との間の温度差に比例する
。
詳しい説明 第１図に例示する回路１０の目的は熱電対２゜が位置し
ている所の温度に比例し、信頼性のある利得を持ち、回
路が位置する近づけない環境がらより望ましい位置へ伝
えることができる電気信号を出力端子１２および１４に
発生することである。
第１図の回路で重要なのは３巻線の差動変圧器３０であ
る。差動変圧器３０には、巻数Ｎ１の第１の巻線３２、
巻数が通常同じ＜Ｎｌの逆向きに巻かれた第２の巻線３
４、および巻数Ｎ２の第３の巻線３６が含まれている。
第３の巻線３６は巻線３２および３４に対してどちら向
きに巻かれていてもよい。すべての巻線の向きは点３２
−１．３４−１、および３６−１で表わされている。巻
数Ｎ１の代表的な数は１０．Ｎ３の代表的な数は１００
である。変圧器は以下に説明する励起電圧Ｅ×の周波数
で動作するように設計しなければならない。また、変圧
器の飽和レベルは以下に説明する接合形ＦＥＴ　（ＪＦ
ＥＴ）を介して供給される電流により発生される動作磁
束よりも高くなければならない。変圧器３０の目的は信
号の増幅を行なうことである。巻線３６の両端はそれぞ
れ出力端子１２および１４に接続されており、出力端子
１２および１４はインピーダンス２の負荷１６（破線で
示す）に結合される。通常、負荷１６に流れる出力電流
Ｉ工は巻線３２および巻線３４に流れる電流の差（１３
２−１３４）に比例し、次式で表わされる。
■よ−（１３２−１３４）ｘＮ１／Ｎ２　　（１）した
がって、出力電流は巻数比Ｎｌ／Ｎ２で増幅される。実
際には、この比は変圧器の内部損失によって制限され、
注意深い変圧器の設計によって最適化することができる
。
次に述べるように４個のＪＦＥＴが変圧器３０に結合さ
れている。トランジスタ４０および４２のドレーン（或
いは、ドレーンとソースは通常交換可能であるのでソー
ス）は変圧器巻線３２および３４の一端にそれぞれ接続
され、他の２個のトランジスタ４４および４６は巻線３
２および３４の反対側の端にそれぞれ結合されている。
トランジスタ４０および４２のソース（またはドレーン
）はそれぞれ抵抗値がＲの帰還抵抗５０および５２を介
して回路基準端子すなわちアース６０に抵抗結合され、
トランジスタ４４および４６のソース（またはドレーン
）はそれぞれ抵抗値がＲの帰還抵抗５４および５６を介
して端子６２に抵抗結合されている。トランジスタ４４
および４６のゲートも端子６２に直接結合されている。
以下に説明する励起電圧Ｅ×が端子６２とアース６０と
の間に接続される。
例示したＪＦＥＴはインターシル（Ｉｎｔｅｒｓｉｌ）
社を含む多数の製造業者によって製造される２Ｎ４４１
６である。
Ｒの値はたとえば１０オームから１０００オームの範囲
にある。Ｒが１０オームであると、帰還が小さくなるの
でＪＦＥＴからの回路性能が向上し、これは非放射性の
環境には適している。しかし高放射性の環境では、放射
線によって性能が劣化するのでＪＦＥＴの高性能は望ま
しくない。したがって、高放射線の環境では１０００オ
ームのＲの方が望ましい。
関心のある温度を測定するために使用される遠隔の熱電
対２０がトランジスタ４０のゲートとアース６０との間
に接続される。局部の熱電対６４がトランジスタ４２の
ゲートとアース６０との間に接続される。熱電対２０を
除く、第１図に示すすべての回路素子は同じ温度の所に
ある。
第１Ａ図は第１図の端子６２に印加され得る信号Ｅ×の
種々の波形を示す。波形の主な必要条件は回路１０の中
で熱電対信号によって変調される搬送波信号としての役
目を果すため、正と負の電位振幅に交互に時間的に変る
ことである。ピーク電圧はたとえば±２０ボルトであり
、周波数はたとえば１００　ｋＨｚである。第１Ａ図に
示すように、波形は７０で示すように長方形であっても
よいし、７２で示すように正弦波状であってもよいし、
７４で示すように三角形であってもよい。
第１図の回路の動作は次の通りである。熱電対２０によ
り生じる電圧Ｅ、は熱電対２０の温度の関数である。熱
電対２０はたとえば原子炉の冷却材の温度のような関心
のある温度を測定するために適当な位置に配置される。
電圧ＥＴはＪＦＥＴ４０の電流限界を設定する。換言す
れば、電流限界はＥＴの値に比例して変化する。
熱電対６４は熱電対２０以外の回路１０の残りの部分と
同じ熱状態の中に配置される。ＪＦＥＴのゲートおよび
アースに対する接続を入れないで熱電対６４０休により
発生される電圧ＥＲは熱電対６４の温度の関数である。
注意すべきことは熱電対６４およびその基準接合（それ
の回路１０への接続）が同じ温度になっているのでトラ
ンジスタ４２のゲートと端子６０との間の電位は常に零
であることである。構成品６４として熱電対を使う理由
は熱電対の材料とその接続を、トランジスタ４０のゲー
トに接続された熱電対と対称に保つためである。この対
称度を使って回路１０の核放射線の影響（ガンマ線およ
び中性子）に対する耐性を改善する。電圧ＥＲはＪＦＥ
Ｔ４２の電流限界を設定する。換言すれば、電流限界は
ＥＲの値に比例して変化する。電圧Ｅｘは励起電圧であ
り、これは周波数の関数であり、４個のトランジスタ４
０．４２．４４および４６をすべて電流制限モードに駆
動する。ＪＦＥＴが電流制限モードにあるとき、Ｅ×の
振幅変動は端子１２と１４の間の出力ＥＯには影響を及
ぼさない。差動変圧器３０はトランジスタ４０．４２．
４４および４６の共通電流による磁束を減算するので、
Ｅ、とＥＲの電圧差による電流差によって生じる磁束だ
けが残る。ＥＴとＥ、の電圧差はそれぞれの熱電対２０
および６２が受ける温度の差だけで生じる。差電流は巻
数比Ｎｌ／Ｎ２だけ増倍され、出力電流したがって負荷
１６の両端間の出カフｕ圧が大きくなる。
したがって熱電対６４（および第１図の他の素子）が受
ける温度に対して熱電対２０が所定の温度を受けている
場合、出力電圧ＥＯは所定の振幅となり、その周波数は
信号Ｅ×の周波数に等しい。
熱電対２０の温度が上昇するにつれて、ＥＴが上昇し、
より高い電流限界がトランジスタ４０に設定されるので
、出力電圧Ｅｏが上昇する。熱電対２０の温度と出力電
圧ＥＯとの間の関係は次式で与えられる。
Ｒ＞３００オームの場合 Ｅｏ　−（Ｎｌ／Ｎ２）Ｘ　（Ｚ／Ｒ）　　　（２）Ｘ
　（ＥＴ　−ＥＲ） 但し、 ＥＯは単純化のため近似値である（ＪＦＥＴの相互コン
ダクタンス、変圧器の損失、または回路内の共振は考慮
していない。共振を最適化した場合、出力ＥＯは巻数比
に対して異なる関係となる）Ｎｌ／Ｎ２−変圧器の巻数
比、 Ｚ／Ｒ−負荷抵抗値対帰還抵抗値の比、そして（ＥＴ　
−ＥＲ）−熱電対電圧ＥＴとＥＲの差。
注意すべきことは、どの熱電対についても言えることで
あるが、表示される温度は基準接合温度（それが接続さ
れる測定回路の温度）、この場合には回路１０の温度に
だけ関連している。熱電対２０の実際の温度を測定する
ためには、何らかの絶対温度測定回路によって回路１０
の温度を測定しなければならない。このような温度測定
回路が第４図に示されている。後で説明するように、第
４図では抵抗温度計（ＲＴ　）を使用している。第１図
のすべての構成品は高度の耐放射線性を示すものと想定
される（ガンマ線の１００メガラドより大、そして１平
方センチメートル当り１０１４個より多い中性子）。
第１図の回路は妥当な信号増幅を行なうが、状況によっ
てはもっと増幅を行なうことが望ましいことがある。第
２図の回路は過酷な環境で正確に動作し得る点から第１
図の回路のすべての望ましい性質をそなえるとともに、
より以上の増幅を行なう。第１段１０は第１図の回路１
０と同じであり、ここではこれ以上説明しない。３つの
点を除けば、段１０Ａは段１０と同じである。第１の点
は、トランジスタ４０Ａ（それ自身はトランジスタ４０
と同じものである）のゲートが段１０の場合のように熱
電対２０に結合されるかわりに段１０からの出力信号Ｅ
Ｏを受けるように結合されることである。第２の点は、
トランジスタ４２Ａ（これ自体はトランジスタ４２と同
じものである）のゲートが段１０の場合のように熱電対
６４を介してアース６０に結合されるかわりに短絡回路
としてアース６０に直接結合されることである。最後の
点１２、電圧ＥｘｌがＥ×に類似しているが、第１Ａ図
で説明したＥ×の周波数より大きい周波数になっている
ことである。
段１０Ｂは段１０Ａと同じであり、そのトランジスタ４
０Ｂのゲートとアース６０との間に段１０Ａからの出力
を受ける。印加される電圧Ｅｘ１の周波数より高い点を
除けば、電圧ＥＸ２はＥＸｌの印加電圧と同じである。
第２図に於いて、段１０Ｂの出力はたとえば同軸ケーブ
ル７０に、または第２図の回路が配置されている領域に
比べて環境的に好ましい領域への伝送のためにアンテナ
７２に結合することができる。スイッチ７４は実際には
存在しないで、単に同軸ケーブル７０とアンテナ７２の
両方ではなくて一方が選択されるということを示してい
るに過ぎない。第２図の回路で得られるものよりもっと
大きな増幅が望ましい場合にはＩＯＡ、ＩＯＢのような
他の段を使えるということを破線７６で表わしている。
出力ＥＭは変圧器結合によって隔離されているので、そ
のアース接続部はアース６０に影響を与えることなく後
続のシステム（図示しない）のアース接続部に導入する
ことができる。
その必要がなければ、それをアース６０に接続すること
ができる。熱電対２０に存在する電圧に対して出力信号
ＥＭは次式で規定される。
ＥＭ−［Ｅｏ　／　（ＥＴ　−ＥＲ）］　２　　　（３
）Ｘ［Ｅｏｌ 但し、すべての変圧器が同じ巻数比を有し、また同じ負
荷および帰還抵抗をそなえているものと仮定している。
第２図の回路は第１図の回路とほぼ同じように動作する
。第２図の各回路部分１０ＡおよびＩＯＢはそれぞれの
トランジスタで電圧を受け、この電圧はそこで受けた信
号の大きさに応じて別々の点でトランジスタ４０Ａおよ
び４０Ｂの電流を制限するように動作する。この場合も
、第１図のもとの回路で変圧器３０によって増幅が行な
われるのと丁度同じように変圧器３０Ａおよび３０Ｂに
よって増幅が行なわれる。
第３図は第１図の回路を多重化したものであり、多重熱
電対すなわち３個の熱電対２０Ａ、２０Ｂおよび２０Ｃ
が図示するように存在している点を除けば第１図の回路
とほぼ同じである。熱電対２０Ａの出力端子はスイッチ
ングトランジスタ（ＪＦＥＴ）８０　　および８０Ａ２
のドレーンに結合さＩ れている。同様に、熱電対２０がトランジスタ８０　お
よび８０Ｂ２のドレーンに結合されており、ｌ 熱電対２０Ｃがトランジスタ８０ｏ１および８０ｏ２の
ドレーンに結合されている。トランジスタ８０Ａｌ、８
０Ｂ１および８０ｃ１のソースは第１図のトランジスタ
４０に対応するトランジスタ４０Ｃのゲートに結合され
ている。トランジスタ８０Ａ２゜８０Ｂ２および８０ｃ
２のソースはアース６０に結合されている。トランジス
タ８０Ａ１．８０Ｂｌ。
８０ｃ１，８０Ａ２．８０Ｂ２および８０ｃ２はマルチ
プレクサ８２の一部である。
マルチプレクサ８２には制御回路８４が含まれている。
制御回路８４はトランジスタ８０Ａｌ−８０Ａ２’　　
８０ＤＩ−８０Ｂ２および８０ｏ１−８０　ｏ２を順次
ターンオンすることにより、熱電対２０Ａ、２０Ｂおよ
び２０Ｃをトランジスタ４０Ｃのゲート４０Ｃとアース
６０との間に順に結合する。マルチプレクサ制御回路８
４と種々のＪＦＥＴトランジスタ８０のゲートとの間の
実際の接続は図面をわかりやすくするため図示していな
い。他の点では、第３図の回路の動作は第１図の回路の
動作と同じである。この場合も、第３図で使用されるす
べての構成品の性質、特にＪＦＥＴＩ−ランジスタの使
用により、この回路はＣＭＯＳ等の半導体を使用する回
路に比べてより容易に放射線耐性を強くされる。種々の
トランジスタスイッチがターンオンされる周波数は第１
Ａ図に示す電圧Ｅ×の周波数よりずっと近い周波数であ
る。利用可能なすべての情報を含めるために、熱電対の
サンプリング周波数は熱電対信号の周波数帯域幅の２倍
以上にしなければならない。サンプリング周波数が大き
くなるにつれて、信号ＥＯの周波数スペクトルの含有量
が大きくなり、後続の段ではより広い帯域幅を必要とす
る。このように帯域幅を広くすると、出力の信号対雑音
比が小さくなり、好ましくない。
第４図の回路１００は第１図の熱電対２ｏを抵抗温度計
２１に置き換えた点を除けば第１図の回路１０と同じで
ある。熱電対の動作に対する抵抗温度計の動作の性質に
より、ＪＦＥＴトランジスタ４０Ｄおよび４２Ｄに対す
る回路接続が第１図のトランジスタ４０および４２に対
して少し変更される。第４図のＪＦＥＴ）ランジスタ自
体は第１図のＪＦＥＴトランジスタ４ｏおよび４２と同
じである。したがって、抵抗温度計２１がトランジスタ
４０Ｄのソースとアース６０との間に接続されている。
同様に、擬似温度計６３がトランジスタ４２Ｄのソース
（またはドレーン）とアース６０との間に接続され、ト
ランジスタ４２Ｄのゲートがアース６０に直接接続され
ている。たとえばトランジスタ４０Ｄの電流制限電圧■
。−８はゲートとソースとの間の電圧である。したがっ
て、抵抗温度計２１の電圧降下はＪＦＥＴの電流制限電
圧である。実際上、次式が成り立つ。
ｖｏ−８−［（ゲート電位）−（アース電位）］−［（
ソース電位）−（アース電位）］　　　　（４）したが
って、抵抗温度計に対する電流制限電圧は丁度［（ソー
ス電像）−（アース電位）〕である。
これは抵抗温度計２１の両端間の電圧であるので、電流
制限電圧は抵抗値ＲＴにつれて変化し、抵抗値ＲＴは温
度につれて変化する。他のすべての点で、第４図の回路
の動作は第１図の回路の動作と同じである。第４図の回
路１００の出力Ｅ。０をたとえば第２図の回路１０のか
わりに結合することができる。
接合形電界効果トランジスタ（ＪＦＥＴ）を使用した場
合について説明してきたが、他の型式の電界効果トラン
ジスタも使用できる。しかし、放射線の環境で動作する
必要がある場合には、接合形電界効果トランジスタによ
り最も良い結果が得られる。すなわち、熱電対または抵
抗温度計の温度変化に対して最も正確な出力が得られる
。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明の一実施例による熱電対センサを使用す
る信号変換回路の回路図である。第１Ａ図は第１図の回
路に印加し得る一組の交流波形を示す波形図である。第
２図は本発明の一実施例による第１図の信号変換回路で
更に増幅を行うようにした回路を示す回路図である。第
３図は第１図の信号変換回路の多重化したものの回路図
である。 第４図は第１図の信号変換回路と類似しているが、異な
る温度検知素子を使用したものの回路図である。 〔主な符号の説明］ ０．１００・・・信号変換回路、 ２．１４・・・出力端子、 ０・・・熱電対、 １・・・抵抗温度計、 ０．３０．Ａ・・・差動変圧器、 ２．３４．３６・・・差動変圧器の巻線、０．４２，４
４．４６・・・ＪＦＥＴ。 ４・・・熱電対。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 １、関心のある温度と基準温度との間の差に比例した出
    力電気信号を発生する回路に於いて、各々が第１および
    第２の端を持つ第１、第２および第３の巻線を有する第
    １の差動変圧器、各々がドレーン端子、ソース端子およ
    びゲート端子を持つ第１、第２、第３および第４の電界
    効果トランジスタ（ＦＥＴ）であって、上記第１のＦＥ
    Ｔのドレーン端子およびソース端子のうちの一方が上記
    第１の巻線の第１の端に結合され、上記第２のＦＥＴの
    ドレーン端子およびソース端子のうちの一方が上記第２
    の巻線の第１の端に結合され、上記第３のＦＥＴのドレ
    ーン端子およびソース端子のうちの一方が上記第１巻線
    の第２の端に結合され、上記第４のＦＥＴのドレーン端
    子およびソース端子のうちの一方が上記第２巻線の第２
    の端に結合されており、上記第１および第２のＦＥＴの
    それぞれのドレーン端子およびソース端子のうちの他方
    ならびに上記第１および第２のＦＥＴのそれぞれのゲー
    ト端子が一緒に結合され、かつ交流源への接続用の交流
    端子に結合されており、上記第３および第４のＦＥＴの
    それぞれのドレーン端子およびソース端子のうちの他方
    が回路基準端子に結合されている第１、第２、第３およ
    び第４の電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）、関心のある
    温度を測定するための第１および第２の端子を持つ第１
    の温度測定手段であって、該第１および第２の端子には
    温度の関数であるパラメータが得られ、また関心のある
    温度の関数として上記第３のＦＥＴの電流限界を設定す
    るために該端子の一方が回路基準端子に結合され、他方
    の端子が上記第３のＦＥＴのゲート端子か、或いは上記
    第３のＦＥＴのソース端子およびドレーン端子のうちの
    上記回路基準端子に結合された方の端子のいずれかに結
    合されている第１の温度測定手段、 基準温度を測定するための第１および第２の端子を有す
    る第２の温度測定手段であって、該端子には温度の関数
    であるパラメータが得られ、また上記基準温度の関数と
    して上記第４のＦＥＴの電流限界を設定するために該端
    子の一方が上記回路基準端子に結合され、他方の端子が
    上記第４のＦＥＴのゲート端子か、或いは上記第４のＦ
    ＥＴのソース端子またはドレーン端子のうちの上記回路
    基準端子に結合された方の端子のいずれかに結合されて
    いる第２の温度測定手段、ならびに 上記第３の巻線の第１および第２の端に結合された出力
    端子、 を含み、上記交流端子に交流信号を受けたときに生じる
    上記第３の巻線からの出力信号が上記の関心のある温度
    と基準温度との間の温度差に比例することを特徴とする
    回路。 ２、上記変圧器の第１および第２の巻線が逆向きに巻か
    れている請求項１記載の回路。 ３、上記第１および第２の温度測定手段が熱電対である
    請求項１記載の回路。 ４、上記熱電対が上記第３のＦＥＴのゲートと上記回路
    基準端子との間、および上記第４のＦＥＴのゲートと上
    記回路基準端子との間にそれぞれ結合されている請求項
    ３記載の回路。 ５、上記第１、第２、第３および第４の電界効果トラン
    ジスタが接合形電界効果トランジスタである請求項４記
    載の回路。 ６、上記第１、第２、第３および第４の電界効果トラン
    ジスタが接合形電界効果トランジスタである請求項４記
    載の回路。 ７、上記第１の温度測定手段は上記第３のＦＥＴのソー
    スおよびドレーン端子のうちの上記他方の端子と上記回
    路基準端子との間に結合された抵抗温度計であり、上記
    第２の温度測定手段は上記第４のＦＥＴのソースおよび
    ドレイン端子のうちの上記他方の端子と上記回路基準端
    子との間に結合された抵抗温度計であり、上記第３およ
    び第４のＦＥＴの上記ゲート端子が上記回路基準端子に
    接続されている請求項１記載の回路。 ８、上記第１、第２、第３および第４の電界効果トラン
    ジスタが接合形電界効果トランジスタである請求項７記
    載の回路。 ９、更に、各々が第１および第２の端を持つ第１、第２
    、および第３の巻線を有する第２の差動変圧器、ならび
    に 各々がドレーン端子、ソース端子およびゲート端子を持
    つ第５、第６、第７および第８の電界効果トランジスタ
    （ＦＥＴ）であって、上記第５のＦＥＴのドレーン端子
    およびソース端子のうちの一方が上記第２の変圧器の上
    記第１の巻線の第１の端に結合され、上記第６のＦＥＴ
    のドレーン端子およびソース端子のうちの一方が上記第
    ２の変圧器の上記第２の巻線の第１の端に結合され、上
    記第７のＦＥＴのドレーン端子およびソース端子のうち
    の一方が上記第２の変圧器の上記第１の巻線の第２の端
    に結合され、上記第８のＦＥＴのドレーン端子およびソ
    ース端子のうちの一方が上記第２の変圧器の上記第２の
    巻線の第２の端に結合されており、上記第５および第６
    のＦＥＴのドレーン端子およびソース端子のうちの他方
    ならびに上記第５および第６のＦＥＴのゲート端子が一
    緒に結合され、かつ第２の交流源への接続用の第２の交
    流端子に結合されており、上記第７および第８のＦＥＴ
    のドレーン端子およびソース端子のうちの他方および上
    記第８のＦＥＴのゲート端子が上記回路基準端子に結合
    されている第５、第６、第７および第８の電界効果トラ
    ンジスタ（ＦＥＴ）、をも含み、 上記第１の差動変圧器の上記第３の巻線の第１および第
    ２の端が上記第７のＦＥＴのゲート端子と上記回路基準
    端子との間に結合され、 上記第２の変圧器の上記第３の巻線の第１および第２の
    端が上記出力端子に結合されている請求項４記載の回路
    。 １０、上記第１、第２、第３および第４の電界効果トラ
    ンジスタが接合形電界効果トランジスタである請求項９
    記載の回路。
JP2148871A 1989-06-09 1990-06-08 信号変換回路 Pending JPH03128425A (ja)

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GB9012857D0 (en) 1990-08-01
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US4965547A (en) 1990-10-23
DE4017828A1 (de) 1990-12-13

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