JPH03124220A - 接点防護回路 - Google Patents

接点防護回路

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JPH03124220A
JPH03124220A JP1261989A JP26198989A JPH03124220A JP H03124220 A JPH03124220 A JP H03124220A JP 1261989 A JP1261989 A JP 1261989A JP 26198989 A JP26198989 A JP 26198989A JP H03124220 A JPH03124220 A JP H03124220A
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Kazuo Hamasato
和雄 浜里
Tsunetaka Ema
恒尊 江間
Masahiko Maeda
前田 正彦
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NISSHIN DENKI SEISAKUSHO KK
Nippon Telegraph and Telephone Corp
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NISSHIN DENKI SEISAKUSHO KK
Nippon Telegraph and Telephone Corp
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、通信回線に直列に挿入される接点、例えば電
話回線が故障したとき、故障個所が電話機側か通信線路
側かを識別するに際し、両者間を切離すための接点が用
いられるが、かかる接点を雷サージ等の大電流から保護
するための接点防護回路に関するものである。
〔従来の技術〕
従来この種接点の防護は、接点の通信回線側に防護素子
を接続するとともに、端末装置(電話機)側の対地イン
ピーダンスを大とすることにより実現していた。
第3図は、従来のかかる接点防護回路を説明するだめの
回路図であって、Tは端末装置、Sa。
sbは接点、La、Lbは通信回線、EXは交換装置、
ARPは防護素子、Gは接地を表わす。
通信回線La、Lbに誘起された雷サージ等のサージ電
流は防護素子ARRを介して接地Gに流通する。このと
き通信回線La、Lbの端末装置T側の電位は、接地G
の接地抵抗R,(Ω)が零でないため、サージ電流1s
(A)が流れると、オームの法則により、R,X I 
5(v)だけ上昇し、この電圧は例えば RG=10Ω
、l5=1,0OOAとしても、10,0OOVにも及
ぶ大きなものとになる。
基本機能のみを有する一般的な電話機は、交換装置1t
EXから通信回線La、Lbを介して供給される電力の
みで動作可能であり、端末装置Tは大地から絶縁して設
置することが可能であり、サージ電流は防護素子ARR
を通じて大地に流通するため、接点Sa、Sbに大電流
が流れることは無く、接点の防護の目的が達成されてい
る。
〔発明が解決しようとする課題〕
しかし、近年電話機の高機能化が進み、交換装置EXか
ら供給される電力のみでは不足するため、商用電源を併
用する機種が増大しつつある。
かかる電話機では、商用電源回路を保護するために通信
回線と商用電源回路間にバリスタ等の防護素子を接続し
ているものがあり、通信回線の電位が上昇すると、前記
防護素子が動作して通信回線に生じたサージ電流は商用
電源の配電線にも流通し、接点Sa、Sbに大電流が流
れ、結局従来の防護回路では接点Sa、Sbの保護がで
きなくなるという欠点が生じ、その解決手段の開発が望
まれていた。更には保安のため接点に直列にヒユーズが
挿入される場合があるが、このヒユーズには耐量の大き
なものが要求されるという問題もあった。
本発明の目的は、上記欠点及び問題点を解決し、サージ
電流等に起因する大電流が接点に流入してもその防護が
可能であると共に、保安のために該接点に直列に接続す
るヒユーズに、保安の目的に反するような耐量の大きな
ものを要求しなくとも済むような接点防護回路を提供す
ることにある。
〔課題を解決するための手段〕
上記目的達成のため本発明では、接点とヒユーズエレメ
ントと抵抗体を直列に接続して直列回路を形成するとと
もに、前記ヒユーズエレメントと抵抗体とを熱結合させ
、更に前記直列回路にサージ防護素子を並列接続した。
[作用〕 その結果接点に流れる電流を接点の耐量以下に制限でき
る上、ヒユーズエレメントは抵抗体と熱結合されている
ことから、長時間連続する事故電流に対しては、小電流
でも作動するので保安の機能を果たすことができる。
〔実施例〕
第1図は本発明の一実施例を説明するための回路図であ
って、前出の記号は同種対象を表わし、そのほかAPR
,は前置防護素子、VRa、VRbは防護素子、Fa、
Fbはヒユーズエレメント、Ra、Rbは抵抗体、G+
 、Gzは接地である。
接点5a(Sb)とヒユーズエレメントFa(Fb)と
抵抗体Ra (Rb)は直列接続されており、この直列
回路には更に防護素子VRa(VRb)が並列に接続さ
れている。更に後述する如く、ヒユーズエレメントFa
(Fb)と抵抗体Ra(Rb)は熱結合されている。
次に動作を説明すると、端末Tが図示していない内部防
護回路を介して通信回線La、Lbを接地G2に接続し
ている場合、通信回線に生じたサージ電流は前記回路に
て流れることとなる。サージ電流は値が小さい場合は抵
抗体Ra(Rb)、  ヒユーズエレメントFa(Fb
)、接点5a(Sb)の経路で流通する。このとき前記
直列回路の両端にはサージ電流をI (A)、抵抗体R
a、Rbの値をR(Ω)で表わすと、IXR(V)の電
圧が発生する。該電圧が防護素子V Ra(V Rb)
の動作電圧以上になると防護素子は電流を通じるように
なり、その結果前記直列回路の両端電圧は防護素子VR
a(VRb)の動作電圧Vrに制限される。
換言すると、直列回路に流通する電流はVr /Rに制
限され、この電流値が接点5a(Sb)の耐量以下とな
るようにVr、Rを選定すれば接点に流れる電流を該接
点の耐量以下とすることができ、本発明の主目的が達成
される。更に本発明によればヒユーズエレメントに流れ
る電流も同時に制限されることとなり、従来より耐量の
小さな小形で安価なものの使用が可能となる。
又、抵抗体Ra(Rb)とヒユーズエレメントFa(F
b)とは熱結合されており、通信回線が電力線に接触し
た場合等の事故電流に対しては、該事故電流によって抵
抗体Ra(Rb)が発熱して温度が上昇し、該温度上昇
はヒユーズエレメントに伝導するためヒユーズエレメン
トの温度も上昇し、ヒユーズエレメントが溶断する。
即ち雷サージの如き比較的大きな電流に対して溶断しな
い定格電流の大きなヒユーズエレメントを使用しても、
長時間継続する事故電流に対しては小電流でも作動する
ので良好な保安機能が実現できる。
第2図はヒユーズエレメントと抵抗体との熱結合を説明
するための図であって、Fはヒユーズエレメント、RR
は抵抗体である。
第2図(a)は、ヒユーズニレメンI−Fと抵抗体RR
を隣接させたもので、熱伝導を更に良好とするため、相
互を接着材で接着しても良い。第2図(b)はヒユーズ
エレメントに抵抗線を抵抗体RRとして巻回したもので
ある。
又、図示したちの以外にもヒユーズエレメントと抵抗体
が熱結合したものであれば如何なるものも適用でき、例
えばヒユーズエレメントと抵抗体が一体化された正特性
サーミスタ等も使用できることは言うまでもない。
又、通信回線は通常平衡回路であって2線で構成されて
いるが、熱結合は画線間、即ち第1図におけるヒユーズ
ニレメン1−Fa、  Fb、抵抗体RaRb相互間で
有していても良い。
以上の説明において接点Sa、Sbは電磁リレーの如く
機械的接点に限定されることは無く半導体接点でも良く
、防護素子VRa、VRbはバリスタ、避雷管、半導体
防護素子等種々のものが適用でき、更に前置防護素子A
RR,を設けて端末装置Tに流入する電流を軽減するこ
とも可能である。
〔発明の効果〕
以上説明したように本発明によれば、端末装置側に雷サ
ージ電流が流通するような場合でも、直列に挿入された
接点に流れる電流を接点の耐量以下に制限でき、接点の
損傷を防止できる上、保安の機能も有効に達成できると
いう利点がある。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の一実施例を示す回路図、第2図はヒユ
ーズエレメントと抵抗体の熱結合を説明するための斜視
図、第3図は従来の防護回路の一例を示す回路図、であ
る。 符号の説明 T・・・端末装置、Sa 、  Sb ・=接点、La
、Lb・・・通信回線、ARR,・・・前置防護素子、
VRa。 VRb・・・防護素子、Fa、Fb、F・・・ヒユーズ
エレメント、Ra 、Rb 、RR−抵抗体、G、、G
2・・・接地

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 1)通信回線に直列に挿入された接点の防護回路であっ
    て、前記接点と直列にヒューズエレメントと抵抗体を接
    続して直列回路を形成するとともに、前記ヒューズエレ
    メントと抵抗体とを熱結合させ、更に前記直列回路にサ
    ージ防護素子を並列接続して成ることを特徴とする接点
    防護回路。
JP01261989A 1989-10-09 1989-10-09 接点防護回路 Expired - Lifetime JP3092926B2 (ja)

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JPH03124220A true JPH03124220A (ja) 1991-05-27
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7372688B2 (en) 2002-10-08 2008-05-13 Fultec Semiconductor, Inc. Protection devices and methods for preventing the flow of undesirable differential mode transients

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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US7372688B2 (en) 2002-10-08 2008-05-13 Fultec Semiconductor, Inc. Protection devices and methods for preventing the flow of undesirable differential mode transients

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