JPH03116952A - Semiconductor device - Google Patents

Semiconductor device

Info

Publication number
JPH03116952A
JPH03116952A JP25595489A JP25595489A JPH03116952A JP H03116952 A JPH03116952 A JP H03116952A JP 25595489 A JP25595489 A JP 25595489A JP 25595489 A JP25595489 A JP 25595489A JP H03116952 A JPH03116952 A JP H03116952A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
epoxy resin
component
package
semiconductor device
resin composition
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP25595489A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Haruo Tabata
田畑 晴夫
Tsutomu Nishioka
務 西岡
Minoru Nakao
稔 中尾
Tatsushi Ito
達志 伊藤
Hideaki Taki
多喜 秀彰
Kazuhiro Ikemura
和弘 池村
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Nitto Denko Corp
Original Assignee
Nitto Denko Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Nitto Denko Corp filed Critical Nitto Denko Corp
Priority to JP25595489A priority Critical patent/JPH03116952A/en
Publication of JPH03116952A publication Critical patent/JPH03116952A/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
  • Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
  • Epoxy Resins (AREA)

Abstract

PURPOSE:To improve a semiconductor device in package crack resistance at a high temperature on solder-mounting of a semiconductor element by a method wherein the semiconductor element is sealed up with epoxy resin composition composed of a main component of epoxy resin and a setting agent component which is, at least, partially formed of specific phenolic resin. CONSTITUTION:A semiconductor device is composed of a sealing resin 1, a lead frame 2, a package 3, a die bonding pad 4, a semiconductor element 7, and a bonding wire 8. The semiconductor element 7 is sealed up with epoxy resin composition composed of a main component of epoxy resin and a setting agent component which is, at least, partially formed of phenolic resin represented by a formula I. In the formula I, m/n is 1 or more, and m+n is an integer of 2-15. As mentioned above, the epoxy resin composition sealing resin 1 is made small in moisture absorption, whereby the package 3 can be improved in moisture resistance. By this setup, a semiconductor device of this design can be improved in package crack resistance at a high temperature on solder-mounting.

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野] この発明は、耐湿信頼性に優れ、特に半田実装時の耐ク
ラツク性に優れた半導体装置に関するものである。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Field of Industrial Application] The present invention relates to a semiconductor device that has excellent moisture resistance and reliability, and particularly excellent crack resistance during solder mounting.

〔従来の技術〕[Conventional technology]

トランジスタ、IC,LSI等の半導体素子は、セラミ
ックパッケージやプラスチックパッケージ等により封止
され半導体装置化されている。なかでも、プラスチック
パッケージを用いた樹脂封止が量産性に優れ、かつ封止
材料が安価であることから半導体パッケージの主流とな
っている。そして、この種のプラスチックパッケージの
材料には、従来からエポキシ樹脂組成物が用いられてい
る。上記エポキシ樹脂組成物は、電気的特性、ja械的
特性、耐薬品性等に優れているため、信頼性が高く半導
体装置の樹脂封止に広く用いられている。上記エポキシ
樹脂組成物としては、特に0−タレゾールノボラックエ
ポキシ樹脂と、硬化剤としてのフェノールノボラック樹
脂と、その他硬化促進剤としての三級アミン、無機質充
填剤として溶融シリカ等で構成されるものが、封止作業
性(特にトランスファー成形時の作業性)に優れている
として賞月されている。
Semiconductor elements such as transistors, ICs, and LSIs are sealed in ceramic packages, plastic packages, and the like to form semiconductor devices. Among these, resin encapsulation using a plastic package has become the mainstream for semiconductor packages because it is excellent in mass production and the encapsulation material is inexpensive. Epoxy resin compositions have conventionally been used as materials for this type of plastic package. The above-mentioned epoxy resin composition has excellent electrical properties, mechanical properties, chemical resistance, etc., and is therefore highly reliable and widely used for resin encapsulation of semiconductor devices. The above-mentioned epoxy resin composition is particularly composed of an 0-talesol novolac epoxy resin, a phenol novolac resin as a curing agent, a tertiary amine as a curing accelerator, and fused silica as an inorganic filler. , has been awarded for its excellent sealing workability (especially workability during transfer molding).

しかしながら、半導体分野の技術革新はめざましく、最
近では集積度の向上による高機能化と高速化が進んでお
り、加えて電子装置を小形で高機能にする要求から、実
装の高密度化が進んでいる。このような観点からデュア
ルインラインパッケージ(DIP)のようなピン挿入型
のパッケージに代えた、表面実装用パッケージが主流に
なってきている。この種のパッケージを用いた半導体装
置においては、平面的にピンを取り出し、これを実装基
板表面に直接半田等によって固定するようになっている
。このような表面実装型半導体装置は、平面的にビンが
取り出せるようになっており、薄い、軽い、小さいとい
う利点を備えている。
However, technological innovation in the semiconductor field is remarkable, and in recent years, improvements in the degree of integration have led to higher functionality and faster speeds.In addition, the demand for smaller and more functional electronic devices has led to higher density packaging. There is. From this point of view, surface mount packages have become mainstream in place of pin insertion type packages such as dual in-line packages (DIPs). In a semiconductor device using this type of package, pins are taken out in a plane and fixed directly to the surface of the mounting board by soldering or the like. Such a surface-mounted semiconductor device can be removed from the bottle on a flat surface, and has the advantages of being thin, light, and small.

したがって、実装基板に対する占有面積が小さくてすみ
、さらに基板に対する両面実装も可能であるという長所
をも有している。
Therefore, it has the advantage that it occupies only a small area on the mounting board and can also be mounted on both sides of the board.

〔発明が解決しようとする課題〕[Problem to be solved by the invention]

ところが、上記のような表面実装用パッケージを用いた
半導体装置において表面実装前にパッケージ自体が吸湿
している場合には、半田実装時に水分の蒸気圧によって
、パッケージにクラックが生じるという問題がある。す
なわち、第1図に示すような表面実装型半導体装置にお
いて、水分は矢印Aのように封止樹脂lを通って、パッ
ケージ3内に浸入し、主としてシリコンチップ7の表面
やグイボンドバッド4の裏面に滞溜する。そして、ペー
パーフェーズソルダリング等の半田表面実装を行う際に
、上記滞溜水分が、上記半田実装における加熱により気
化し、その蒸気圧により、第2図に示すようにダイボン
ドパッド4の裏面の樹脂部分を下方に押しやり、そこに
空隙5をつくると同時にパッケージ3にクラック6を生
じさせる。第1図および第2図において、7は半導体素
子、8はワイヤーボンディングである。
However, in a semiconductor device using a surface mount package as described above, if the package itself absorbs moisture before surface mounting, there is a problem that cracks occur in the package due to the vapor pressure of moisture during solder mounting. That is, in a surface-mounted semiconductor device as shown in FIG. It accumulates on the back side. Then, when performing solder surface mounting such as paper phase soldering, the accumulated moisture is vaporized by the heating during the solder mounting, and its vapor pressure causes the resin on the back side of the die bond pad 4 to be heated as shown in FIG. The part is pushed downward, creating a gap 5 there and at the same time creating a crack 6 in the package 3. In FIGS. 1 and 2, 7 is a semiconductor element and 8 is a wire bonding.

このような問題に対する解決策として、半導体素子をパ
ッケージで封止した後、得られる半導体装置全体を密封
し、表面実装の直前に開封して使用する方法や、表面実
装の直前に上記半導体装置を100″Cで24時間乾燥
させ、その後半田実装を行うという方法が提案され、す
でに実施されている。しかしながら、このような前処理
方法によれば、製造工程が長くなる上、手間がかかると
いう問題がある。
As a solution to such problems, there are methods in which the semiconductor element is sealed in a package, the entire semiconductor device obtained is sealed, and the package is opened and used immediately before surface mounting, or the semiconductor device is sealed in a package immediately before surface mounting. A method of drying at 100"C for 24 hours and then performing solder mounting has been proposed and has already been implemented. However, such a pretreatment method lengthens the manufacturing process and is labor-intensive. There is.

この発明は、このような事情に鑑みなされたもので、電
子機器への実装に際して前処理を要することなく、しか
も半田実装時の加熱に耐えうる低応力性に優れた半導体
装置の提供査その目的とする。
This invention was made in view of the above circumstances, and its purpose is to provide a semiconductor device that does not require pre-treatment when mounted on electronic equipment and has excellent low stress properties that can withstand heating during solder mounting. shall be.

〔課題を解決するための手段〕[Means to solve the problem]

上記の目的を達成するため、この発明の半導体装置は、
エポキシ樹脂主剤成分(A成分)と、少なくとも一部が
一般式(I)で表されるフェノール樹脂からなるフェノ
ール樹脂硬化剤成分(B成分)とを含有するエポキシ樹
脂組成物を用いて半導体素子を封止するという構成をと
る。
In order to achieve the above object, the semiconductor device of the present invention includes:
A semiconductor element is manufactured using an epoxy resin composition containing an epoxy resin base component (component A) and a phenolic resin curing agent component (component B), at least a part of which is made of a phenolic resin represented by general formula (I). It is configured to be sealed.

〔作用〕[Effect]

パッケージクシツクの発生を防止する方法としては、■
封止樹脂に対する吸湿を抑制する、■グイボンドパッド
の裏面および半導体素子の表面と封止樹脂との間の接着
力を高める、■封止樹脂自体の強度を高めるの三つの方
法が考えられる。この発明は、主として上記■の方法に
もとづきエポキシ樹脂組成物系封止樹脂に対する吸湿を
抑制させるようにすることにより、パッケージの耐湿性
の向上を意図するものである。そのため、上記−形式(
1)で表される特殊なフェノール樹脂を用いるものであ
り、それにより、半田実装におけるような高温下(21
5〜260℃)での封止樹脂の耐パッケージクラック性
の大幅な向上を実現できる。
As a method to prevent the occurrence of package scratches,
Three methods can be considered: suppressing moisture absorption into the sealing resin; (1) increasing the adhesive force between the back surface of the Guibond pad and the surface of the semiconductor element and the sealing resin; and (2) increasing the strength of the sealing resin itself. The present invention is intended to improve the moisture resistance of a package by suppressing moisture absorption into an epoxy resin composition-based sealing resin mainly based on method (1) above. Therefore, the above − format (
It uses a special phenolic resin represented by 1), which allows it to withstand high temperatures (21
It is possible to realize a significant improvement in the package crack resistance of the sealing resin at a temperature of 5 to 260°C.

この発明に用いるエポキシ樹脂組成物は、エポキシ樹脂
主剤成分(A成分)と、全部もしくは一部が前記−形式
(I)で表される特殊なフェノール樹脂からなるフェノ
ール樹脂硬化剤成分(B成分)とを用いて得られるもの
であって、通常、粉末状もしくはそれを打錠したタブレ
ット状になっている。
The epoxy resin composition used in this invention consists of an epoxy resin main component (component A) and a phenolic resin curing agent component (component B), which is entirely or partially composed of a special phenolic resin represented by the above-mentioned format (I). It is usually obtained in the form of a powder or a tablet made by compressing it.

上記A成分のエポキシ樹脂主剤成分としては、クレゾー
ルノボラック型、フェノールノボラック型、ノボラック
ビスA型およびビスフェノールA型エポキシ樹脂等の各
種エポキシ樹脂があげられる。特に、ノボラック型エポ
キシ樹脂としては、通常、エポキシ当量150〜250
.軟化点50〜130°Cのものが用いられ、タレゾー
ルノボラック型エポキシ樹脂としては、エポキシ当量1
80〜210.軟化点60〜110“Cのものが一般的
に用いられる。さらに、4.4′−ビス(グリシジルオ
キシ)−3,3’ −ジアリルビフェニル等のビフェニ
ルタイプのエポキシ樹脂を用いると一層効果的である。
Examples of the epoxy resin base component of component A include various epoxy resins such as cresol novolak type, phenol novolac type, novolac bis A type, and bisphenol A type epoxy resin. In particular, novolac type epoxy resins usually have an epoxy equivalent of 150 to 250.
.. Those with a softening point of 50 to 130°C are used, and the Talesol novolac type epoxy resin has an epoxy equivalent of 1
80-210. Those with a softening point of 60 to 110"C are generally used. Furthermore, it is more effective to use biphenyl-type epoxy resins such as 4,4'-bis(glycidyloxy)-3,3'-diallylbiphenyl. be.

上記B成分のフェノール樹脂硬化剤成分は、A成分のエ
ポキシ樹脂主剤成分の硬化剤として作用するものであり
、フェノール樹脂硬化剤成分の全部もしくは一部を構成
する下記の一般式(1)の特殊なフェノール樹脂は、フ
ェノールノボラックとアリルクロうイドとを反応させる
ことにより得られる。
The phenolic resin curing agent component of component B acts as a curing agent for the epoxy resin main component of component A, and is a special compound of general formula (1) below that constitutes all or part of the phenolic resin curing agent component. A phenolic resin can be obtained by reacting a phenol novolac with an allyl cloid.

なお、上記−形式(1)中のmおよびn数は、アリル基
と、重量平均分子量より求めたものである。
Note that the m and n numbers in the above-mentioned format (1) are determined from the allyl group and the weight average molecular weight.

そして、上記特殊なフェノール樹脂は、それ自体でフェ
ノール樹脂硬化剤成分を形成してもよいし、それ以外の
通常用いられているフェノール樹脂と併用しても差し支
えはない。前者の場合には、B成分の全部が上記−形式
(I)の特殊なフェノール樹脂で構成され、後者の場合
はB成分の一部が上記−形式(1)の特殊なフェノール
樹脂で構成されることとなる。上記通常用いられるフェ
ノール樹脂としては、フェノールノボラック、タレゾー
ルノボラック等があげられる。これらノボラック樹脂は
、軟化点が50〜110’C,水酸基当量が70〜15
0のものを用いることが好ましい。上記−形式(1)で
表される特殊なフェノール樹脂と、このような通常のフ
ェノール樹脂とを併用する場合における両者の割合は、
前者100重量部(以下「部」と略す)に対して後者0
〜100部の範囲内に設定することが効果の点で好まし
い。
The above-mentioned special phenol resin may form a phenol resin curing agent component by itself, or may be used in combination with other commonly used phenol resins. In the former case, all of the B component is composed of the above-mentioned special phenolic resin of type (I), and in the latter case, a part of the B component is composed of the above-mentioned special phenolic resin of the above-mentioned type (1). The Rukoto. Examples of the above-mentioned commonly used phenolic resins include phenol novolac and talesol novolac. These novolak resins have a softening point of 50 to 110'C and a hydroxyl equivalent of 70 to 15
It is preferable to use 0. When the special phenolic resin represented by the above-format (1) and such a normal phenolic resin are used together, the ratio of both is:
100 parts by weight of the former (hereinafter abbreviated as "parts") to 0 of the latter
From the viewpoint of effectiveness, it is preferable to set the amount within the range of 100 parts to 100 parts.

上記エポキシ樹脂主剤成分(A成分)とフェノール樹脂
硬化剤成分(B成分)との配合比は、上記A成分中のエ
ポキシ基1当量当たりB成分中の水酸基が0.5〜2.
0当量となるように配合することが好適である。より好
適なのは0.8〜1.2当量である。
The blending ratio of the epoxy resin base component (component A) and the phenolic resin curing agent component (component B) is such that the proportion of hydroxyl groups in component B is 0.5 to 2.0 per equivalent of epoxy group in component A.
It is suitable to mix so that it becomes 0 equivalent. More preferred is 0.8 to 1.2 equivalents.

また、一般に、上記A成分であるエポキシ樹脂主剤成分
およびB成分であるフェノール樹脂硬化剤成分とともに
無機質充填剤が用いられる。上記無機質充填剤としては
、通常、シリカが用いられる。それ以外に、結晶性およ
び溶融性シリカはもちろんのこと、酸化アルミニウム、
酸化ベリリウム、炭化ケイ素、窒化ケイ素等の充填剤を
使用することができる。このような無機質充填剤として
は、最大粒径50μm以下、平均粒径2〜15μ翔の破
砕フィラーと、最大粒径1100a以下。
Generally, an inorganic filler is used together with the epoxy resin main component (A component) and the phenol resin curing agent component (B component). Silica is usually used as the inorganic filler. In addition, crystalline and fusible silica as well as aluminum oxide,
Fillers such as beryllium oxide, silicon carbide, silicon nitride, etc. can be used. Such inorganic fillers include crushed fillers with a maximum particle size of 50 μm or less and an average particle size of 2 to 15 μm, and a crushed filler with a maximum particle size of 1100 μm or less.

平均粒径10〜25μmの球状フィラーとを併用するこ
とが効果の点で好ましい。このように両者を併用するこ
とにより、従来の封止樹脂に比較して、約4倍の強度を
得ることができると同時に、エポキシ樹脂組成物に対し
t優れた流動性を付与させるようになる。この無機質充
填剤の含有量は、エポキシ樹脂組成物全体の40〜90
重量%の範囲内に設定することが好適である。
From the viewpoint of effectiveness, it is preferable to use a spherical filler having an average particle size of 10 to 25 μm. By using both in combination in this way, it is possible to obtain approximately four times the strength compared to conventional sealing resins, and at the same time, it imparts excellent fluidity to the epoxy resin composition. . The content of this inorganic filler is 40 to 90% of the total epoxy resin composition.
It is preferable to set it within a range of % by weight.

なお、この発明に用いるエポキシ樹脂組成物には、必要
に応じて上記A成分、B成分および無機質充填剤以外に
難燃化剤、カップリング剤、硬化促進剤、ワックス等が
用いられる。
The epoxy resin composition used in the present invention may contain flame retardants, coupling agents, curing accelerators, waxes, etc. in addition to the above-mentioned components A, B, and inorganic fillers, if necessary.

上記難燃化剤としては、ノボラック型ブロム化エポキシ
もしくはビスA型エポキシ、三酸化アンチモンおよび五
酸化アンチモン等の化合物を適宜単独でもしくは併せて
使用することが行われる。
As the flame retardant, compounds such as novolac type brominated epoxy, bis A type epoxy, antimony trioxide, and antimony pentoxide may be used alone or in combination as appropriate.

上記カップリング剤としては、グリシジルエーテルタイ
プ、アミンタイプ、チオシアンタイプ。
The above-mentioned coupling agents include glycidyl ether type, amine type, and thiocyan type.

ウレアタイプ等のメトキシないしはエトキシシランが、
適宜に単独でもしくは併せて用いられる。
Methoxy or ethoxysilane such as urea type,
They may be used alone or in combination as appropriate.

その使用方法は、充填剤に対して、トライブレンドした
り、もしくは予備加熱反応したり、さらには有機成分原
料に対する予備混合等自由に使用される。
It can be used freely, such as tri-blending or preheating reaction with fillers, or premixing with organic component raw materials.

上記硬化促進剤としては、アミン系、リン系。The above-mentioned curing accelerators include amine type and phosphorus type.

ホウ素系等の硬化促進剤があげられ、単独でもしくは併
せて用いられる。
Examples include boron-based curing accelerators, which may be used alone or in combination.

上記ワックスとしては、高級脂肪酸、高級脂肪酸エステ
ル、高級脂肪酸カルシウム等の化合物があげられ、単独
でもしくは併せて使用される。
Examples of the wax include compounds such as higher fatty acids, higher fatty acid esters, and higher fatty acid calcium, which may be used alone or in combination.

この発明に用いられるエポキシ樹脂組成物は、例えばつ
ぎのようにして製造することができる。
The epoxy resin composition used in this invention can be produced, for example, as follows.

すなわち、上記の成分原料を適宜配合し予備混合した後
、ミキシングロール機等の混練機にかけ加熱状態で混練
して溶融混合し、これを室温に冷却した後、公知の手段
によって粉砕し、必要に応じて打錠するという一連の工
程により製造することができる。
That is, after suitably blending and pre-mixing the above-mentioned component raw materials, they are kneaded and melt-mixed in a heated state using a kneading machine such as a mixing roll machine, and after cooling this to room temperature, it is pulverized by known means, and as necessary. It can be manufactured by a series of steps of tabletting according to the appropriate conditions.

このようなエポキシ樹脂組成物を用いての半導体素子の
封止は、特に限定するものではなく、通常のトランスフ
ァー成形等の公知のモールド方法により行うことができ
る。
The encapsulation of a semiconductor element using such an epoxy resin composition is not particularly limited, and can be performed by a known molding method such as ordinary transfer molding.

このようにして得られる半導体装置は、エポキシ樹脂組
成物中に含まれる前記−形式(1)の特殊なフェノール
樹脂の作用により、封止樹脂の吸湿量が従来のものの7
〜8割に減少するため、半田実装に際してもパッケージ
クラック等が生じることがない。
In the semiconductor device obtained in this way, the moisture absorption amount of the sealing resin is 7 times higher than that of the conventional one due to the action of the special phenolic resin of type (1) mentioned above contained in the epoxy resin composition.
Since it is reduced by ~80%, package cracks and the like will not occur during solder mounting.

〔発明の効果〕 以上のように、この発明の半導体装置は、上記のような
特殊なフェノール樹脂を含有する特殊なエポキシ樹脂組
成物を用いて半導体素子を封止して構成されているため
、半田実装におけるような過酷な条件下においてもパッ
ケージクラックを生じることがない。特に、上記特殊な
エポキシ樹脂組成物による封止により、8ビン以上、特
に16ピン以上もしくはチップの長辺が4mm以上の大
形の半導体装置において上記のような高信頼度が得られ
るようになるのであり、これが大きな特徴である。
[Effects of the Invention] As described above, the semiconductor device of the present invention is constructed by sealing a semiconductor element using a special epoxy resin composition containing the above-mentioned special phenol resin. Package cracks do not occur even under harsh conditions such as during solder mounting. In particular, by sealing with the above-mentioned special epoxy resin composition, the above-mentioned high reliability can be obtained in large semiconductor devices with 8 bottles or more, especially 16 pins or more, or a chip with a long side of 4 mm or more. This is a major feature.

つぎに、実施例について比較例と併せて説明する。Next, examples will be described together with comparative examples.

まず、実施例および比較例で使用する原料を下記に示す
First, the raw materials used in Examples and Comparative Examples are shown below.

(エポキシ樹脂主剤成分) A:クレゾールノボラックエポキシ樹脂(エポキシ当量
195.軟化点80°C,n=4) (フェノール樹脂硬化剤成分) B:フェノールノボラック(n=3) C:前記−形式(I)において、m=9.n=Qである
アリル化フェノールノボラック樹脂。
(Epoxy resin main component) A: Cresol novolac epoxy resin (epoxy equivalent: 195. Softening point: 80°C, n=4) (Phenol resin curing agent component) B: Phenol novolac (n=3) C: Above-format (I ), m=9. An allylated phenolic novolak resin where n=Q.

D:前記−形式(I)において、m−10,n=5であ
るアリル化フェノールノボラック樹脂。
D: An allylated phenol novolak resin in the above-mentioned form (I), where m-10 and n=5.

E:前記−形式(1)において、m=7.n=7である
アリル化フェノールノボラック樹脂。
E: In the above-format (1), m=7. An allylated phenolic novolac resin in which n=7.

(無機質充填剤) F:溶融SiO□ (形状=破砕型、最大粒径=50μ
霧、平均粒径=15μm) G:溶融5in2 (形状=球状型、最大粒径=100
μm、平均粒径=20μm) (難燃化剤) H:ノボラツク型ブロム化エポキシ I:二酸化ニアンチモン (硬化促進剤) J:2−メチルイミダゾール (離型剤) K:ポリエチレン系ワックス (添加剤) Lニトリメトキシシラングリシジルエーテル〔実施例1
〜5、比較例〕 つぎに、下記の第1表に示す原料を同表に示す割合で配
合し、ミキシングロール機にかけて100°Cで10分
間混練し、シート状樹脂組成物を作製した。ついで、上
記シート状樹脂組成物を粉砕し、目的とする粉末状のエ
ポキシ樹脂組成物を得た。
(Inorganic filler) F: Molten SiO□ (shape = crushed type, maximum particle size = 50μ
Fog, average particle size = 15 μm) G: Melting 5in2 (shape = spherical, maximum particle size = 100
μm, average particle size = 20 μm) (Flame retardant) H: Novolak-type brominated epoxy I: Niantimony dioxide (hardening accelerator) J: 2-methylimidazole (mold release agent) K: Polyethylene wax (additive) ) L nitrimethoxysilane glycidyl ether [Example 1
~5. Comparative Example] Next, the raw materials shown in Table 1 below were blended in the proportions shown in the same table, and kneaded using a mixing roll machine at 100°C for 10 minutes to produce a sheet-like resin composition. Then, the sheet-like resin composition was pulverized to obtain the desired powdered epoxy resin composition.

(以下余白) 上記実施例1〜4および比較例1,2で得られた粉末状
のエポキシ樹脂組成物を用い、半導体素子をトランスフ
ァー成形でモールドすることにより半導体装置を作製し
た。上記半導体装置は、80ピン四方向フラツトパツケ
ージ(QFP)(20mmX14onX厚み2.25m
m)で6. OX 6. Ommのチップを有するもの
である。
(The following is a blank space) Using the powdered epoxy resin compositions obtained in Examples 1 to 4 and Comparative Examples 1 and 2, a semiconductor device was manufactured by molding a semiconductor element by transfer molding. The above semiconductor device is an 80-pin four-way flat package (QFP) (20 mm x 14 on x 2.25 m thick).
m) and 6. OX6. It has a chip of 0mm.

このようにして得られた半導体装置について、85°C
/85%RH下で72時間吸湿後、260°Cで10秒
間半田浸漬したときのパッケージクラックの発生数を測
定し下記の第2表に示した。また、エポキシ樹脂組成物
の硬化物のガラス転移温度(Tg)をTMA (The
rmal Mechanical analysis)
により測定し、250°Cにおける曲げ強度をJIS−
に−6911にもとづく曲げ試験により測定評価した。
The semiconductor device obtained in this way was heated at 85°C.
After absorbing moisture for 72 hours under /85% RH, the number of package cracks generated when the package was immersed in solder for 10 seconds at 260°C was measured and shown in Table 2 below. In addition, the glass transition temperature (Tg) of the cured product of the epoxy resin composition was determined by TMA (The
mechanical analysis)
The bending strength at 250°C was measured according to JIS-
Measurement and evaluation were carried out by a bending test based on NI-6911.

さらに、直径50mmで厚みinnのタブレットを作製
し、これの85°C/85%RH下で300時間後の吸
水率を測定した。これらの結果を第2表に併せて示した
Furthermore, a tablet with a diameter of 50 mm and a thickness of inn was prepared, and its water absorption rate was measured after 300 hours at 85°C/85% RH. These results are also shown in Table 2.

(余  白  ) 第2表の結果から、比較測高はガラス転移温度は高いが
、吸水率が高くサンプルの半導体装置の全て(10個)
にパッケージクラックが生じた。
(Margin) From the results in Table 2, all of the sample semiconductor devices (10) have a high glass transition temperature but a high water absorption rate.
A package crack occurred.

これに対して、実施測高はガラス転移温度2曲げ強度と
も高い値を有し、しかも吸水率も低い。さらに、パッケ
ージクシツクの発生数が比較測高に比べて少ない。この
ことから、実施測高は耐湿信頼性、耐熱衝撃信頼性等の
緒特性に優れていることがわかる。
On the other hand, the actual height measurements have high values for both glass transition temperature and bending strength, and also low water absorption. Furthermore, the number of package scratches occurring is smaller than in comparative height measurement. From this, it can be seen that the actual height measurement has excellent characteristics such as moisture resistance reliability and thermal shock resistance reliability.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第1図および第2図は従来の半導体装置のパッケージ久
ラック発生状況を説明する縦断面図である。
FIGS. 1 and 2 are vertical cross-sectional views illustrating the state of package racking in conventional semiconductor devices.

Claims (2)

【特許請求の範囲】[Claims] (1)エポキシ樹脂主剤成分(A成分)と、少なくとも
一部が一般式( I )で表されるフェノール樹脂からな
るフェノール樹脂硬化剤成分(B成分)とを含有するエ
ポキシ樹脂組成物を用いて半導体素子を封止してなる半
導体装置。 ▲数式、化学式、表等があります▼・・・( I ) 〔上記式( I )において、m/nが1以上でありm+
nは2〜15の整数である。〕
(1) Using an epoxy resin composition containing an epoxy resin base component (component A) and a phenolic resin curing agent component (component B), at least a part of which is composed of a phenolic resin represented by general formula (I). A semiconductor device made by sealing a semiconductor element. ▲There are mathematical formulas, chemical formulas, tables, etc.▼...(I) [In the above formula (I), m/n is 1 or more and m+
n is an integer from 2 to 15. ]
(2)エポキシ樹脂主剤成分(A成分)と、少なくとも
一部が一般式( I )で表されるフェノール樹脂からな
るフェノール樹脂硬化剤成分(B成分)とを含有する半
導体封止用エポキシ樹脂組成物▲数式、化学式、表等が
あります▼・・・( I ) 〔上記式( I )において、m/nが1以上でありm+
n2〜15の整数である。〕
(2) An epoxy resin composition for semiconductor encapsulation containing an epoxy resin main component (component A) and a phenolic resin curing agent component (component B), at least a part of which is made of a phenolic resin represented by general formula (I) ▲There are mathematical formulas, chemical formulas, tables, etc.▼...(I) [In the above formula (I), m/n is 1 or more and m+
n is an integer from 2 to 15. ]
JP25595489A 1989-09-29 1989-09-29 Semiconductor device Pending JPH03116952A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP25595489A JPH03116952A (en) 1989-09-29 1989-09-29 Semiconductor device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP25595489A JPH03116952A (en) 1989-09-29 1989-09-29 Semiconductor device

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH03116952A true JPH03116952A (en) 1991-05-17

Family

ID=17285887

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP25595489A Pending JPH03116952A (en) 1989-09-29 1989-09-29 Semiconductor device

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH03116952A (en)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11140163A (en) * 1997-11-07 1999-05-25 Nippon Kayaku Co Ltd Epoxy resin, epoxy resin production, epoxy resin composition, and cured article prepared therefrom
JP2007146171A (en) * 2007-01-05 2007-06-14 Nippon Kayaku Co Ltd Epoxy resin composition for die bonding paste
JP2017128657A (en) * 2016-01-20 2017-07-27 日立化成株式会社 Sealing epoxy resin composition, and semiconductor device and method for manufacturing the same
JP2020097753A (en) * 2020-02-19 2020-06-25 日立化成株式会社 Sealing epoxy resin composition, and semiconductor device and method for manufacturing the same

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11140163A (en) * 1997-11-07 1999-05-25 Nippon Kayaku Co Ltd Epoxy resin, epoxy resin production, epoxy resin composition, and cured article prepared therefrom
JP2007146171A (en) * 2007-01-05 2007-06-14 Nippon Kayaku Co Ltd Epoxy resin composition for die bonding paste
JP2017128657A (en) * 2016-01-20 2017-07-27 日立化成株式会社 Sealing epoxy resin composition, and semiconductor device and method for manufacturing the same
JP2020097753A (en) * 2020-02-19 2020-06-25 日立化成株式会社 Sealing epoxy resin composition, and semiconductor device and method for manufacturing the same

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPH03116952A (en) Semiconductor device
JP2519280B2 (en) Semiconductor device
JPH11130936A (en) Epoxy resin composition and semiconductor device
JP3259968B2 (en) Semiconductor device manufacturing method
JP2519278B2 (en) Semiconductor device
JP2922672B2 (en) Semiconductor device manufacturing method
JP2872828B2 (en) Semiconductor device
JP3176502B2 (en) Semiconductor device and epoxy resin composition for semiconductor encapsulation used therein
JPH03201467A (en) Semiconductor device
KR100480945B1 (en) Epoxy Resin Composition for Sealing Semiconductor Device
JPH03201468A (en) Semiconductor device
KR100529257B1 (en) Epoxy Resin Composition for Packaging Semiconductor Device
JP4560871B2 (en) Epoxy resin composition and semiconductor device
JPH11172075A (en) Epoxy resin composition and semiconductor device
JPH11106612A (en) Epoxy resin composition and semiconductor device
JPH03116951A (en) Semiconductor device
KR100565421B1 (en) Epoxy molding composition for semiconductor encapsulant
JPH0451548A (en) Semiconductor device
JPH07113078B2 (en) Molding phenol resin composition, method for producing the same, and semiconductor device sealed with the composition
JPH03165055A (en) Semiconductor device
JPH11181237A (en) Epoxy resin composition and semiconductor device
JP3239970B2 (en) Semiconductor device
JPH03116959A (en) Semiconductor device
JPH06163754A (en) Semiconductor device
JP2965392B2 (en) Semiconductor device