JPH0311682A - 半導体レーザ励起固体レーザ装置 - Google Patents
半導体レーザ励起固体レーザ装置Info
- Publication number
- JPH0311682A JPH0311682A JP14404389A JP14404389A JPH0311682A JP H0311682 A JPH0311682 A JP H0311682A JP 14404389 A JP14404389 A JP 14404389A JP 14404389 A JP14404389 A JP 14404389A JP H0311682 A JPH0311682 A JP H0311682A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- solid
- prevent
- semiconductor laser
- state laser
- output
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 34
- 230000005284 excitation Effects 0.000 title abstract description 15
- 239000000470 constituent Substances 0.000 claims abstract description 4
- 239000002826 coolant Substances 0.000 claims abstract 2
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 claims description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 4
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 3
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 abstract description 3
- 238000001816 cooling Methods 0.000 abstract description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- FPIPGXGPPPQFEQ-OVSJKPMPSA-N all-trans-retinol Chemical compound OC\C=C(/C)\C=C\C=C(/C)\C=C\C1=C(C)CCCC1(C)C FPIPGXGPPPQFEQ-OVSJKPMPSA-N 0.000 description 2
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 2
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 2
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 238000005086 pumping Methods 0.000 description 2
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 2
- 229910052779 Neodymium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 description 1
- 235000019169 all-trans-retinol Nutrition 0.000 description 1
- 239000011717 all-trans-retinol Substances 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N neodymium atom Chemical compound [Nd] QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 239000003507 refrigerant Substances 0.000 description 1
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/05—Construction or shape of optical resonators; Accommodation of active medium therein; Shape of active medium
- H01S3/06—Construction or shape of active medium
- H01S3/0602—Crystal lasers or glass lasers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/02—Constructional details
- H01S3/04—Arrangements for thermal management
- H01S3/042—Arrangements for thermal management for solid state lasers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/09—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping
- H01S3/091—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping using optical pumping
- H01S3/094—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping using optical pumping by coherent light
- H01S3/0941—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping using optical pumping by coherent light of a laser diode
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/02—Constructional details
- H01S3/04—Arrangements for thermal management
- H01S3/0404—Air- or gas cooling, e.g. by dry nitrogen
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、金属、半導体、セラミックス等の加工あるい
はコアギユレータとして医療に用いる高出力の半導体レ
ーザ励起固体レーザ装置に関するものである。
はコアギユレータとして医療に用いる高出力の半導体レ
ーザ励起固体レーザ装置に関するものである。
（従来の技術）
従来、固体レーザ装置の励起には、アークランプやフラ
ッシュランプ等が用いられてきたが、励起に寄与するス
ペクトル以外を多く含むために励起効率が悪く、また、
ランプや固体レーザ媒質の放熱のために装置は大形とな
らざるを得なかった。
ッシュランプ等が用いられてきたが、励起に寄与するス
ペクトル以外を多く含むために励起効率が悪く、また、
ランプや固体レーザ媒質の放熱のために装置は大形とな
らざるを得なかった。
近年、高出力の半導体レーザが開発されるに及び、これ
を固体レーザの励起光源として用いるようになってきた
。半導体レーザは、固体レーザの媒質吸収帯に波長を合
わせることができるため、励起効率が大幅に改善される
ばかりでなく、余分なスペクトルを吸収しないので、発
熱せず放熱板を必要とせず高効率で小形の半導体レーザ
励起固体レーザ装置が得られる。
を固体レーザの励起光源として用いるようになってきた
。半導体レーザは、固体レーザの媒質吸収帯に波長を合
わせることができるため、励起効率が大幅に改善される
ばかりでなく、余分なスペクトルを吸収しないので、発
熱せず放熱板を必要とせず高効率で小形の半導体レーザ
励起固体レーザ装置が得られる。
この種の従来の半導体レーザ励起固体レーザ装置につい
て、第４図により説明する。同図において、従来の半導
体レーザ励起固体レーザ装置は、ネオジム（Ｎｄ）を注
入したＮｄ：ＹＡＧロッド１を挟んで、上記のＮｄ：Ｙ
ＡＧロッ１〜１の後端面に形成した平面状の内部反射鏡
と凹面状の外部反射鏡２で光共振器を形成したＹＡＧレ
ーザと、上記のＮｄ：ＹＡＧロッド１−を励起する半導
体レーザ３と、上記の半導体レーザ３の出射光を上記の
Ｎｄ：ＹＡＧロッド１の後端面に集光する集光レンズ４
とから構成される。Ｎｄ：ＹＡＧロッド」の軸端面に、
半導体レーザ３の出射光を集光レンズ４で集めた励起方
式は、ＹＡＧレーザ光と半導体レーザ光との結合効率が
よいために、励起効率が高いばかりでなく、安定してＴ
Ｅ Ｍ、、モードで作動するが、励起点が１箇所のた
め、ＹＡＧレーザ光の出力は、半導体レーザ３の出力で
制限されるという問題があった。
て、第４図により説明する。同図において、従来の半導
体レーザ励起固体レーザ装置は、ネオジム（Ｎｄ）を注
入したＮｄ：ＹＡＧロッド１を挟んで、上記のＮｄ：Ｙ
ＡＧロッ１〜１の後端面に形成した平面状の内部反射鏡
と凹面状の外部反射鏡２で光共振器を形成したＹＡＧレ
ーザと、上記のＮｄ：ＹＡＧロッド１−を励起する半導
体レーザ３と、上記の半導体レーザ３の出射光を上記の
Ｎｄ：ＹＡＧロッド１の後端面に集光する集光レンズ４
とから構成される。Ｎｄ：ＹＡＧロッド」の軸端面に、
半導体レーザ３の出射光を集光レンズ４で集めた励起方
式は、ＹＡＧレーザ光と半導体レーザ光との結合効率が
よいために、励起効率が高いばかりでなく、安定してＴ
Ｅ Ｍ、、モードで作動するが、励起点が１箇所のた
め、ＹＡＧレーザ光の出力は、半導体レーザ３の出力で
制限されるという問題があった。
この問題の解決策として、本発明者は、第５図に示すよ
うな多角柱状Ｎｄ：ＹＡＧロッドの各多角柱構成面で、
ＹＡＧレーザ光をスパイラル状に反射させ、各構成面の
反射点を複数の半導体レーザで励起する側面励起方式を
提案した。発明者が提案した側面励起方式の半導体レー
ザ励起固体レーザ装置について、第５図および第６図に
より説明する。
うな多角柱状Ｎｄ：ＹＡＧロッドの各多角柱構成面で、
ＹＡＧレーザ光をスパイラル状に反射させ、各構成面の
反射点を複数の半導体レーザで励起する側面励起方式を
提案した。発明者が提案した側面励起方式の半導体レー
ザ励起固体レーザ装置について、第５図および第６図に
より説明する。
第５図はその構成を示す斜視図で、本発明者による側面
励起方式の半導体レーザ励起固体レーザ装置は、六角柱
状のＮｄ：ＹＡＧロッド５と、その六角柱構成面５ａに
相対向するように各辺６個ずつ配置したレンズ一体形半
導体レーザ６とから構成されている。
励起方式の半導体レーザ励起固体レーザ装置は、六角柱
状のＮｄ：ＹＡＧロッド５と、その六角柱構成面５ａに
相対向するように各辺６個ずつ配置したレンズ一体形半
導体レーザ６とから構成されている。
上記の六角柱状Ｎｄ：ＹＡＧロッド５は、−辺の幅が５
ｎｗｎ、長さが３２ｗｎの六角柱状で、両端面近傍に断
面三角形の突起５ｂおよび５ｃを設け、その相対向する
六角柱構成面５ａに、それぞれ外方に１１°の傾斜角０
を有する反射面５ｄおよび出射面５ｃを形成し、さらに
出射面５ｅを曲率半径１ｍの凸球面に加工して六角柱状
Ｎｄ：ＹＡ、Ｇロッド５自体で光共振器が構成されてい
る。さらに、」１記の反射面５ｄは、波長］、、０６７
ｚｍに対して９９％以上の反射率を、」１記の凸球面の
出射面５ｅは、同じ波長１．０６μｍに対して８０％の
反射率を、また、六角柱構成面５ａは、波長１．０６戸
に対しては９９％以」二の反射率、波長０．８０９μｍ
に対しては９０％以上の透過率をそれぞれ有するように
コーティングを施す。
ｎｗｎ、長さが３２ｗｎの六角柱状で、両端面近傍に断
面三角形の突起５ｂおよび５ｃを設け、その相対向する
六角柱構成面５ａに、それぞれ外方に１１°の傾斜角０
を有する反射面５ｄおよび出射面５ｃを形成し、さらに
出射面５ｅを曲率半径１ｍの凸球面に加工して六角柱状
Ｎｄ：ＹＡ、Ｇロッド５自体で光共振器が構成されてい
る。さらに、」１記の反射面５ｄは、波長］、、０６７
ｚｍに対して９９％以上の反射率を、」１記の凸球面の
出射面５ｅは、同じ波長１．０６μｍに対して８０％の
反射率を、また、六角柱構成面５ａは、波長１．０６戸
に対しては９９％以」二の反射率、波長０．８０９μｍ
に対しては９０％以上の透過率をそれぞれ有するように
コーティングを施す。
上記の各六角柱構成面５ａに対向して、それぞれ６個ず
つ配置されたレンズ一体形半導体レーザ６は、上記の六
角柱状Ｎｄ：ＹＡＧロッド５の中で、反射面５ｄと出射
面５ｅの間でスパイラル状に反射を繰り返す各六角柱構
成面５ａの反射点５ｆに集光し、六角柱状Ｎｄ：ＹＡＧ
ロッド５を励起する。
つ配置されたレンズ一体形半導体レーザ６は、上記の六
角柱状Ｎｄ：ＹＡＧロッド５の中で、反射面５ｄと出射
面５ｅの間でスパイラル状に反射を繰り返す各六角柱構
成面５ａの反射点５ｆに集光し、六角柱状Ｎｄ：ＹＡＧ
ロッド５を励起する。
本提案によって、第４図に示した従来の軸励起方式と同
様に、半導体レーザ光とＹＡＧレーザ光の結合効率がよ
いため、励起効率が高いばかりでなく、ＴＥＭｏｏモー
ドで安定して作動する超ホ形で高出力の半導体レーザ励
起固体レーザ装置が得られる。
様に、半導体レーザ光とＹＡＧレーザ光の結合効率がよ
いため、励起効率が高いばかりでなく、ＴＥＭｏｏモー
ドで安定して作動する超ホ形で高出力の半導体レーザ励
起固体レーザ装置が得られる。
（発明が解決しようとする課題）
第６図は、上記の側面励起方式の半導体レーザ励起固体
レーザ装置の出力特性図で、レンズ一体形半導体レーザ
６の発振しきい入力値は０．９Ｗ、最大出力は入力値が
２０Ｗのとき、４．５Ｗを得たが、特性曲線が直線を描
くのは入力値が８Ｗまで、出力が大きくなるに従い、六
角柱状Ｎｄ：ＹＡＧロッド５内に発生熱が蓄積し、熱分
布の不均一から生ずる屈折率の不均一のため、ＹＡＧレ
ーザ光の理想的な進行を妨げ、各六角柱構成面５ａ上の
反射点５ｆの位置ずれを生じ、これが原因となって励起
効率が低下し、直線性が失れるという問題があった。
レーザ装置の出力特性図で、レンズ一体形半導体レーザ
６の発振しきい入力値は０．９Ｗ、最大出力は入力値が
２０Ｗのとき、４．５Ｗを得たが、特性曲線が直線を描
くのは入力値が８Ｗまで、出力が大きくなるに従い、六
角柱状Ｎｄ：ＹＡＧロッド５内に発生熱が蓄積し、熱分
布の不均一から生ずる屈折率の不均一のため、ＹＡＧレ
ーザ光の理想的な進行を妨げ、各六角柱構成面５ａ上の
反射点５ｆの位置ずれを生じ、これが原因となって励起
効率が低下し、直線性が失れるという問題があった。
本発明は上記の問題を解決するもので、出力特性が直線
となる超小形で高出力の側面励起方式の半導体レーザ励
起固体レーザ装置を提供するものである。
となる超小形で高出力の側面励起方式の半導体レーザ励
起固体レーザ装置を提供するものである。
（課題を解決するための手段）
上記の課題を解決するため、本発明は、六角柱状Ｎｄ：
ＹＡＧロッドに管状の貫通孔をあけ、そこに冷媒である
窒素ガスを流すものである。
ＹＡＧロッドに管状の貫通孔をあけ、そこに冷媒である
窒素ガスを流すものである。
（作 用）
上記の構成により、六角柱状Ｎｄ：ＹＡＧロッドの温度
を一定に保つことができるので、高出力化に伴う熱の蓄
積による励起効率の低下を防ぐことができる。
を一定に保つことができるので、高出力化に伴う熱の蓄
積による励起効率の低下を防ぐことができる。
（実施例）
本発明の一実施例について、第１図、第２図。
第３図および第６図により説明する。第１−図、第２図
および第３図は、本発明による側面励起方式の半導体レ
ーザ励起固体レーザ装置の構成を示す斜視図、その六角
柱状Ｎｄ：ＹＡＧロッドの斜視図およびその展開図であ
る。
および第３図は、本発明による側面励起方式の半導体レ
ーザ励起固体レーザ装置の構成を示す斜視図、その六角
柱状Ｎｄ：ＹＡＧロッドの斜視図およびその展開図であ
る。
第１図に示す本実施例が、第５図に示した本発明者の提
案例と異なる点は、六角柱状Ｎｄ：ＹＡＧロッド５の軸
心に放熱用貫通孔５ｇを、これに冷却用窒素ガス７を通
した点である。その他は変らないので１．同じ構成部品
には同一符号を付してその説明を省略する。
案例と異なる点は、六角柱状Ｎｄ：ＹＡＧロッド５の軸
心に放熱用貫通孔５ｇを、これに冷却用窒素ガス７を通
した点である。その他は変らないので１．同じ構成部品
には同一符号を付してその説明を省略する。
このように構成された半導体レーザ励起固体レーザ装置
の動作を説明すると、第２図に示すように、ＹＡＧレー
ザ光は、図中に破線で示した六角形のスパイラル状に六
角柱構成面５ａで反射を繰り返しながら、反射面５ｄと
出射面５ｅの間で共振し、出射面５ｅから出射する。レ
ンズ一体形半導体レーザ６の出射光は、 −Ｊ、記の六
角柱構成面５ａの反射点５ｆに集光され、六角柱状Ｎｄ
：ＹＡＧロッド５を励起する。
の動作を説明すると、第２図に示すように、ＹＡＧレー
ザ光は、図中に破線で示した六角形のスパイラル状に六
角柱構成面５ａで反射を繰り返しながら、反射面５ｄと
出射面５ｅの間で共振し、出射面５ｅから出射する。レ
ンズ一体形半導体レーザ６の出射光は、 −Ｊ、記の六
角柱構成面５ａの反射点５ｆに集光され、六角柱状Ｎｄ
：ＹＡＧロッド５を励起する。
第６図は、本発明の実施例と発明者の提案例とを比較し
た出力特性図で、本実施例ではＩＯＷ以上の入力に対し
ても線形性が失われず入力２０Ｗまで出力が飽和するこ
となく作動し最大６Ｗの出力が得られた。
た出力特性図で、本実施例ではＩＯＷ以上の入力に対し
ても線形性が失われず入力２０Ｗまで出力が飽和するこ
となく作動し最大６Ｗの出力が得られた。
（発明の効果）
以上説明したように本発明によれば、超小形で高出力の
半導体レーザ励起固体レーザ装置が可能となり、高出力
を要する加工、医療用としての用途を広げることができ
る。
半導体レーザ励起固体レーザ装置が可能となり、高出力
を要する加工、医療用としての用途を広げることができ
る。
第１図、第２図および第３図は本発明による半導体レー
ザ励起固体レーザ装置の構成を示す斜視図、その固体レ
ーザ媒質の斜視図およびその展開図、第４図は従来の軸
励起方式の半導体レーザ励起固体レーザ装置の構成を示
す斜視図、第５図は本発明者の提案した側面励起方式の
半導体レーザ励起固体レーザ装置の構成を示す斜視図、
第６図は本発明の実施例および本発明者の提案例の出力
特性図である。 １ ・・ Ｎｄ：ＹＡＧロッド、 ２ ・・・外部反射
鏡、 ３ ・・半導体レーザ、 ４ ・・集光レンズ、
５ ・・・六角柱状Ｎｄ：ＹＡＧロッド、 ５ａ・・
・六角柱構成面、 ５ｂ、５ｃ・・・三角状突起、 ５
ｄ・・・反射面、 ５ｅ ・・出射面、 ５ｆ・・・反
射点、 ５ｇ・・・放熱用貫通孔、 ６・・・ レンズ
一体形半導体レーザ、７・・・冷却用窒素ガス。
ザ励起固体レーザ装置の構成を示す斜視図、その固体レ
ーザ媒質の斜視図およびその展開図、第４図は従来の軸
励起方式の半導体レーザ励起固体レーザ装置の構成を示
す斜視図、第５図は本発明者の提案した側面励起方式の
半導体レーザ励起固体レーザ装置の構成を示す斜視図、
第６図は本発明の実施例および本発明者の提案例の出力
特性図である。 １ ・・ Ｎｄ：ＹＡＧロッド、 ２ ・・・外部反射
鏡、 ３ ・・半導体レーザ、 ４ ・・集光レンズ、
５ ・・・六角柱状Ｎｄ：ＹＡＧロッド、 ５ａ・・
・六角柱構成面、 ５ｂ、５ｃ・・・三角状突起、 ５
ｄ・・・反射面、 ５ｅ ・・出射面、 ５ｆ・・・反
射点、 ５ｇ・・・放熱用貫通孔、 ６・・・ レンズ
一体形半導体レーザ、７・・・冷却用窒素ガス。
Claims (1)
- 軸心部に冷却媒体を流す放熱用貫通孔を設けた六角柱で
、その両端面あるいは六角柱構成面の両端近傍に設けた
突起に、柱軸に対して傾斜角を持たせた反射面および出
射面を形成した固体レーザ媒質と、上記の固体レーザ媒
質内をスパイラル状に反射を繰り返す各六角柱構成面の
各反射点に集光するように配置した複数個の半導体レー
ザと、上記の固体レーザ媒質の出射面あるいは外部に設
けた出射側反射鏡とからなり、上記の各反射点を半導体
レーザ光で励起する半導体レーザ励起固体レーザ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14404389A JPH0311682A (ja) | 1989-06-08 | 1989-06-08 | 半導体レーザ励起固体レーザ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14404389A JPH0311682A (ja) | 1989-06-08 | 1989-06-08 | 半導体レーザ励起固体レーザ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0311682A true JPH0311682A (ja) | 1991-01-18 |
Family
ID=15352994
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14404389A Pending JPH0311682A (ja) | 1989-06-08 | 1989-06-08 | 半導体レーザ励起固体レーザ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0311682A (ja) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01105586A (ja) * | 1987-08-28 | 1989-04-24 | General Electric Co <Ge> | 固体レーザ媒質 |
| JPH01122180A (ja) * | 1987-09-30 | 1989-05-15 | Spectra Physics Inc | 横方向ポンピングによる高能率のモード調和形固体レーザ |
-
1989
- 1989-06-08 JP JP14404389A patent/JPH0311682A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01105586A (ja) * | 1987-08-28 | 1989-04-24 | General Electric Co <Ge> | 固体レーザ媒質 |
| JPH01122180A (ja) * | 1987-09-30 | 1989-05-15 | Spectra Physics Inc | 横方向ポンピングによる高能率のモード調和形固体レーザ |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6504858B2 (en) | Lasers with low doped gain medium | |
| US5623510A (en) | Tunable, diode side-pumped Er: YAG laser | |
| US5432811A (en) | Laser rod with polyhedron shaped ends | |
| US6914928B2 (en) | Diode array end pumped slab laser | |
| KR101857751B1 (ko) | 슬랩 고체 레이저 증폭장치 | |
| JPH04137573A (ja) | コンポジットスラブレーザ媒体及びレーザ装置 | |
| JPH0311682A (ja) | 半導体レーザ励起固体レーザ装置 | |
| JPH088477A (ja) | 固体レーザ装置 | |
| JP3074692B2 (ja) | 端面励起型固体レーザー発振器 | |
| JP2558523B2 (ja) | 半導体レーザ励起固体レーザ装置 | |
| JPH0563264A (ja) | 半導体レーザ端面励起固体レーザ装置 | |
| JP3967754B2 (ja) | 側面ポンピングレーザー | |
| JP2676920B2 (ja) | 半導体レーザ励起固体レーザ装置 | |
| JPH06120586A (ja) | 固体レーザ装置 | |
| JPH0311680A (ja) | 半導体レーザ励起固体レーザ装置 | |
| KR100348998B1 (ko) | 방사형으로 배치된 여러 개의 직선형 다이오드 레이저를이용한 고체레이저 발생장치. | |
| JPH09270552A (ja) | 固体レーザ装置 | |
| JPH0637368A (ja) | レーザ装置およびビームエキスパンダ | |
| JPH05335663A (ja) | レーザダイオード励起固体レーザ装置 | |
| JP2546145B2 (ja) | ランプ励起ＴＥＭｏｏモード固体レーザ装置 | |
| CN116544767B (zh) | 一种窄束腰的连续波紫外固体激光器 | |
| JP2004273649A (ja) | 端面励起微細ロッド型レーザー利得モジュール | |
| JP2576794B2 (ja) | レーザダイオード励起固体レーザ発振装置 | |
| JPH033379A (ja) | 固体レーザ装置 | |
| JPH03150885A (ja) | 半導体レーザ励起固体レーザ装置 |