JPH03115659U - - Google Patents

Description

【図面の簡単な説明】

第１図は本考案の実施例を示したマグネトロン
スパツタリング装置の要部の断面図、第２図は本
考案の他の実施例のターゲツト付近の要部断面図
、第３図は従来の同様の図である。 １……カソード基体、１００……中空部、２，
３……永久磁石、４……ヨーク、５……金属プレ
ート、６……ターゲツト、７，８……強磁性体ブ
ロツク、９，１０……非磁性体金属ブロツク、１
３，１４……空隙、１１，１２……磁極片、１５
……非磁性ステンレス製水冷ブロツク。

Claims (1)

1. 【実用新案登録請求の範囲】 (1) 強磁性体材料よりなる環状ターゲツトを使
   用し、該環状ターゲツトの被スパツタ面の前面空
   間にその面に平行な磁力線成分をもつ環状の磁場
   を設定すべく設けられた磁気回路、即ち、「該空
   間を挟み該環状ターゲツトの内外縁端部を覆つて
   設けられた内外一対の環状磁極片」と「該環状タ
   ーゲツトの裏側に設置された環状磁石」と「ヨー
   ク」とを含んで構成される磁気回路が該環状ター
   ゲツトによつて磁気的に短絡され磁束が該環状磁
   極片を通過しなくなるのを防止する目的をもつて
   、該環状ターゲツトと該磁気回路の間に非磁性体
   ブロツクを設置する構成を採用するマグネトロン
   方式のスパツタリング装置において、 該非磁性体ブロツクの露出表面の高さを、該環
   状ターゲツトと縁端部の高さよりも低く構成した
   ことを特徴とするスパツタリング装置。 (2) 該環状ターゲツトがその内外の縁端部に前
   方への環状の突出部（リブ）を備えることを特徴
   とする実用新案登録請求の範囲第１項記載のスパ
   ツタリング装置。 (3) 該環状ターゲツトの内・外の縁端部と、そ
   れぞれを覆う該一対の環状磁極片の外・内の縁端
   部の後面とで作られる間隙が断面形状において屈
   曲した形状を示すように、該環状磁極片と縁端部
   の後面に環状の突起（リブ）を設けてあることを
   特徴とする実用新案登録請求の範囲第２項記載の
   スパツタリング装置。