JPH03112891A

JPH03112891A - ガス供給装置

Info

Publication number: JPH03112891A
Application number: JP25002489A
Authority: JP
Inventors: Nobuo Mikoshiba; 御子柴　宣夫; Kazuo Tsubouchi; 和夫坪内; Kazuya Eki; 一哉益
Original assignee: Canon Inc
Current assignee: Canon Inc
Priority date: 1989-09-26
Filing date: 1989-09-26
Publication date: 1991-05-14

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】（産業上の利用分野〕本発明は、ガス供給装置に関し、特にＣＶＤ法による堆
積膜形成装置に適用して好適な原料ガスの供給を行うガ
ス供給装置に関するものである。

〔従来の技術〕

トリメチルアルミニウム（ＴＭ＾）や、ジメチルアルミ
ニウムハイドライド（ｆｌＭＡＨ）等の有機金属は、化
学気相成長法（ＣＶＤ法）により、＾１薄膜を堆積する
ことができる。また、他の有機金属原料トリメチルアル
ミニウム（ＴＭＧ）　、　）リエチルアルミニウム（Ｔ
ＥＧ）　、　トリエチルアルアルミニウム（ＴＥＡ）は
広＜　ＧａＡｓ、　　ＧａＡｊ！　Ａｓ等のＩＩＩ　−
Ｖ族化合物半導体薄膜の堆積に用いられている。上記、
有機金属原料（以下、ＭＯ原料ともいう）は、一般に、
室温で無色透明の液体である。

而して、ガス供給装置において、ＭＯ原料は、般に、第
５図に示すように金属製の容器１に貯留され、その容器
１には液中まで挿入され、入口バルブ２を有するバイブ
１０２と、液面から離れた位置に設けられ、出口バルブ
３を有するバイブ１０３とが組合されている。さらに人
口バルブ２と出口バルブ３とには、それぞれ、配管へ接
続するための継手５と６とが設けられている。これは、
例えば、ＷＨＩＴＹ社製ｓｗａｇｅ−１ｏｋ　１３手や
Ｎｕ！ＰＲＯ社製ＶＣＲ１手や東横化学ＭＣＧ　４１手
である。

有機金属を容器へ貯蔵するために、さらに別のバイブが
設けられている場合もあるが、ガスの輸送には木質的作
用はないので省略する。

液体で貯蔵されている有機金属は、一般に次のようにし
て輸送される。

人口バルブ２側から、Ｈ，、Ａｒ、　Ｎ、等のキャリア
ガスを導入し、有機金属６０中を泡状態で通過させ、出
口バルブ３から飽和蒸気正分だけ有機金属をキャリアガ
ス中に含ませて、出口バルブの後段に接続される堆積膜
形成装置の反応室（第５図９符号ｌＯで示す）へ輸送さ
れる。

しかし、有機金属中を通過させるキャリアガス中にｐｐ
ｏ＋のオーダの微量酸素や水分が残留していると、反応
式（１）に示すように有機金属はアルコラードになり、
アルコラードになった有機金属を用いると堆積膜中へ酸
素が混入し、膜質低下を引き起してしまう。

［有機金属］　　　　　　　［アルコラード］ここで　
Ｒ：アルキル基等のＣを含む基Ｍ：金属原子（例えば、
ＩＩＩ属元素八りへＧａ等）従って、実際の堆積膜形成装置に有機金属容器を取付け
た場合は、第６図に示すように、バイパス用のバルブ（
バイパスバルブ）７を設けたバイパスライン１０７を構
成し、キャリアガスを十分パージした後に有機金属を輸
送する必要がある。

すなわち、バイパスバルブ７を設けることにより、人口
バルブ２及び出口バルブ３を閉、バイパスバルブ７を開
とすることで配管ライン８内を十分パージする必要があ
る。そして、バイパスバルブ７を設けることにより、有
機金属容器１を取付けた際や、有機金属の輸送後に配管
内を十分パージすることが可能となる。

上述のように、新しい有機金属容器１を配管ラインに装
着した場合、配管ライン８を十分パージし、残留酸素、
水分を取り除くことは、有機金属を用いる場合、必須の
工程であり、残留水分としては、露点−７０℃以下、残
留酸素量ｌｐｐｍ以下にすることが望ましく、さらに膜
中への酸素汚染をｉｐｐｍ以下に減少させるためには、
露点−８５℃以下、残留酸素Ｊｉ１０．Ｏ５ｐｐｍ以下
とすることが望ましく、少ない程良いのである。

従って、上述のように入口バルブ２及び出口バルブ３を
開、バイパスバルブ７を閉として有機金属を輸送した後
、配管ライン８をキャリアガスで十分パージし、配管ラ
イン中の有機金属を十分排出する必要があるが、配管ラ
イン中の残留有機金属の排出が不十分であると、特に配
管ラインに水素が残留すると、たとえ室温であっても有
機金属は、分解し、ＣＪｌ、（ｍ、ｎ任意）等のＣを含
む化合物、等が生成し、次回の成膜時のカーボン汚染の
原因となる。

ところで、バイパスバルブ７の取付にあたっては、キャ
リアガスのパージや、有機金属ガス輸送後の残留有機金
属のパージが十分に行われることを考慮して、第６図に
おける配管内位置２１と人口バルブ２との距離、配管内
位置２１とバイパスバルブ７との距離、配管内位置２２
と出口バルブ３との距離、および配管内位置２２とバイ
パスバルブ７との距離を極力短くするのが強く望ましい
。−例として、配管をすべて外径１７４インチのバイブ
で構成し、配管内位置２１と人口バルブ２との距離、お
よび配管内位置２２と出口バルブ３との距離が４０乃至
５０ｃｍもあるような配管を用いると、有機金属輸送後
に人口バルブ２および出口バルブ３を閉、バイパスバル
ブ７を開とし、Ｎ２もしくはＮ２を用いて流量路々５０
０ＳＣＣＭ　、且つ配管を略々１００℃で加熱しながら
一昼夜パージしても、有機金属容器１を配管８ラインか
ら取外すと、取外し部分から白煙が発生してしまう程配
管内に有機金属が残留しているからである。

要は配管内位置２１と人口バルブ２との距離、配管内位
置２１とバイパスバルブ７との距離、配管内位置２２と
出口バルブ３の距離、および配管内位置２２とバイパス
バルブ７との距離が長いと大きなデッドゾーンが生じ、
バイパスバルブ７を介しただけのパージでは、配管内の
残留有機物を十分にパージし排出することができないの
である。

そこで、第７図に示すように、バイパスバルブ７および
容器１近傍の配管を注意深く構成し、図示のようなＴ型
の継手１０５，１０８を用いてバイパス経路と金属容器
への経路とを分岐するとともに、継手５，１０５問およ
び継手６，１０６間を極力短くするように構成すること
は可能である。

しかしながら、基本的に第４図に示すような構成を採る
限り、容器１を配管ライン８に結合するための継手、５
．６が存在しているため、デッドゾーンを減少するにも
限界がある。

また、第７図の様な配管系統を組むと、有機金属容器装
着時の継手１０５および１０６の部分のリークが発生す
るという問題も生ずる。ここに、継手部分でのリーク量
は、Ｉ　Ｘ　１０−ｇＴｏｒｒ　・ＩＩ八へｃが好まし
く理想的には、２　ｘ　１０−”Ｔｏｒｒ−４２／ｓｅ
ｅ以下である。そして、継手としては、上述したような
金属製継手が用いられているが、上記リーク量を達成す
るためには、バイパスバルブ７を含む配管系統構成時に
第７図中の継手１０５−１０６間距！！　ｔ、　Ｉを、
±０．５ｍｍ以下の精度で、入口バルブ２と出口バルブ
３との間の距離に一致させなければならない。しかし、
入口ライン配管１１１および出口ライン配管１２は、バ
イパスバルブを含む堅牢なＳＵＳ製パイプで接続されて
いるので、実際の配管を精度良く行うことは非常に困難
である。

〔発明が解決しようとする課題〕

従来のガス供給装置は、以上のように構成されていたの
で、キャリアガスのパージや有機金属輸送後の残留有機
金属（原料ガス）のパージが十分行えないどう問題、お
よび有機金属をキャリアガス配管へ接続する際にリーク
が発生するという配管施行時の問題があフた。

本発明は、このような問題点を解決するためになされた
もので、有機金属輸送のためのキャリアガスのパージ、
有機金属輸送後の残留有機金属のパージを容易に行える
とともにリーク発生のない有機金属容器の取付けを可能
とし、もって高品質・高純度の薄膜堆積を行うことが可
能となるガス供給装置を提供することを目的とする。

〔課題を解決するための手段〕

そのために、本発明は、ガス輸送経路に着脱可能で、化
学気相成長法による堆積膜形成装置に用いられて原料ガ
スを供給するためのガス供給装置であって、キャリアガ
スを導入して有機金属を含む前記原料ガスを排出するた
めに設けられた有機金属の貯留手段と、前記ガス輸送経
路への着脱部より前記貯留手段側の前記貯留手段の直近
に設けられ、前記キャリアガスを前記貯留手段に導ぎ、
前記原料ガスを排出させる経路と、前記キャリアガスを
前記貯留手段を介さずに排出側にバイパスさせる経路と
に、ガスの流れを切換える切換え手段とを具えたことを
特徴とする。

〔作　用〕

本発明によれば、上記デッドゾーンが減少するので、キ
ャリアガスのパージや有機金属輸送後の残留有機金属の
パージを確実かつ短時間で行うことができる。

〔実施例〕

以下、図面を参照して本発明の実施例を詳細に説明する
。

第１図は本発明の一実施例に係るガス供給装置を示し、
金属製の有機金属容器１に貯留されている有機金属液６
０に挿入されたパイプ２０２に人口バルブ２が取り付け
られること、有機金属容器１内に接続されているが有機
金属液６０中には挿入されていないバイブ２０３に出口
バルブ３が取付けられること、および継手５，６でキャ
リアガスの流れる配管に接続されることについては第５
図と同様である。しかし本例ではバイパスバルブ４が設
けられるバイパスライン２０４を、継手５と入口バルブ
２とを結ぶ配管と、継手６と出口バルブ３とを結ぶ配管
との間に設けである。各バルブ間のデッドゾーンを極力
小さくするために、本例では各バルブ２，３．４間の配
管は継手を用いずに溶接により直接接続しである。バル
ブには、リーク量の少ないベロー型もしくはダイヤフラ
ム型バルブを用いることが望ましい。なお、継手５，６
には上記ＷＨＩＴＹ社製Ｓｗａｑｅ−１ｏｋ継手、ＮＩ
ＩＰＲＯ社製ＶＣＲ継手、東横化学製ＭＣＧ継手等を用
いることができるが、脱着の容易性、リーク発生の防止
を考慮して金属ガスケットや金属リングを用いるＶＣＲ
，ＭＣＧ　１１手が好ましく用いられ、本実施例ではｖ
ＣＲ１１手を用いた。また、有機金属原料を容器１内へ
貯蔵させるために、他のバイブ及びバルブ等が取付けら
れていても良い。これら上記容器のバルブ等は、金属製
であることが望ましく、５Ｏ５３０４もしくは５Ｏ３３
１６材で形成されていることが更に望ましい。

有機金属は、水素ガス雰囲気下では、ＳＵＳ表面での触
媒反応等により室温においてわずかずつではあるが分解
するため、有機金属容器２の内面は、絶縁物でコーティ
ングすることが望ましい。

例えば、酸化シリコン、窒化シリコン膜でコーティング
することが望ましい。本実施例では、酸化シリコン膜を
コーティングした。

第２図は、第１図示の装置を配管ライン８に接続した状
態を示す。

入口配管１１と出口配管１２とは第１図の装置を除けば
互いに全く独立であり、第７図の従来例のように堅牢な
金属パイプ１０７およびバルブ７で固定されていないの
で、継手間圧ａ　Ｌ　＋は非常に融通性に富み、各部の
設計の自由度が高く、配管工程も容易である。従って、
金属容器１を入口配管１１と出口配管１２とに対して２
　ｘ　１０−”　ｔｏｒｒ−ｆｌ、　／ｓｅｃ以下のリ
ーク量で再現性良く且つ容易に接続できるようになった
。

有機金属の輸送は、次のようにおこなう。

まず有機金属容器１全体を継手５および６を介して人口
配管１１および１２に接続する。配管内のすべてをリー
クチエツクし、すべての継手、バルブからのリーク量が
２　ｘ　１０−”ｔｏｒｒｉ／ｓｅｃ以下であることを
確認する。このとき、バイパスバルブ４は、必要に応じ
て開いても良い。但し人口バルブ２および３は、閉のま
まにしておく。

配管内を真空に排気しつつ配管をベーキングしても良い
が、容器温度は、貯蔵されている有機金属１の分解温度
より低くなくてはならない０次いで、Ｎ２もしくはＮ２
等のキャリアガスを人口配管１１からバルブ４を介して
直接出口配管１２へ流し、配管内のパージを行なう。こ
のとき、Ｎ２もしくは、■、ガスの露点を略々−８５℃
以下、残留酸素を０、Ｏ５ｐｐｍ以下にすることが望ま
しい。

従来の第５図の装置を用いた第７図示の配管では、有機
金属容器１の装着後、露点および残留酸素が上記値にな
るまで略１００時間要したが、本実施例では略１２時間
で上記値に到達した。

その後、薄膜の堆積時にバルブ４を閉、バルブ２および
３を開としてキャリアガスを導入し、容器内を通すこと
により有機金属が堆積膜形成装置の反応室１０（第６図
参照）へ輸送される。

このような有機金属の輸送後に、バルブ２および３を閉
、バルブ４を開として、配管内に残留した有機金属をパ
ージする。このように有機金属輸送後にバルブ２および
バルブ３を閉とし、バルブ４を開としたとき、入口配管
１１からバイパスバルブ４を介して出口配管１２に流れ
るＮ２またはＮ２ガス中の残留有機金属分圧が輸送時の
有機金属分圧の１７１００になるまでの時間は、Ｎ２ま
たはＮ２パージガス流量にも依存するが、従来の配管の
場合と比較して１／１０〜１／ｌｏｏに減少した。

本例にかかるガス供給装置を用い、第２図の出口配管１
２を反応容器（第３図参照）へ接続し、有機金属として
ジメチルアルミニウム（化学式＾ｊ２　（ＣＨ３）２．
ＤＭＡ）、トリメチルアルミニウム（化学式＾Ｉｔ（Ｃ
Ｈ３）　３．　ＴＭＡ）　、モノメチルアルミニウムハ
イドライド（化学式＾ｊ２　Ｎ２ＣＨ３，ＭＭＨ２）ジ
メチルアルミニウムハイドライド（化学式へ立Ｈ（Ｃ）
１３）　２　、　ＤＭＡ）（）等を用いてへ１薄膜堆積
をおこなうことができる。

例えば、ＴＭ八を用いる場合には反応容器内において高
周波プラズマ中でＴＭ＾を励起・分解して、加熱された
基体上に輸送する。基体、例えば＾λの選択堆積を行う
ために使用されるもの（後に詳述する）としては、５ｉ
ｎ２膜（ｌｏｏｏ人）をＳｉウェハ上に形成し、フォト
リソグラフィ技術、ドライエツチング技術を用いて一辺
０．２５μｍから１００μｍの各種開孔を形成し、選択
堆積を行うべくＳｔ表面を露出したものが用いられる。

反応ガスには１１□を用い、プラズマ電力密度を略々０
．０３〜ｏ、ｏｅｗ／Ｃω３、基体温度略々　１８０°
〜３５０℃としたところ、Ｓｉ露出部のみに選択的に八
１が堆積した。

従来型構造（第７図）の場合、選択性を維持してＡ℃を
堆積させることのできる時間が略々１時間であったが、
例に係るガス供給装置を適用したプラズマＣＶＤ法によ
る堆積膜形成装置を用いると、選択性が維持される時間
が略々２時間と長くなった。

また、このようなプラズマＣＶＤ法による堆積膜形成装
置のみならず、減圧ＣＶＤ法による堆積膜形成装置にも
本例は有効に適用できる。

この場合、例えば堆積膜の構成要素となる原子を少なく
とも１つ含む原料ガスとして有機金属であるジメチルア
ルミニウムハイドライド（ＤＭＡＩＩ）またはモノメチ
ルアルミニウムハイドライド（ＭＭＡＨ２）　と、原料
ガスとしてのＳｉ原子を含むガスとを使用し、かつ反応
ガスとしてＨ２を使用し、これらの混合ガスによる気相
成長により基体上に例えば選択的にＡｌ１［を形成する
ことができる。

そのような選択堆積のために適用可能な基体は、　Ａ４
の堆積する表面を形成するための第１の基体表面材料と
、Ａ１の堆積しない表面を形成するための第２の基体表
面材料とを有するものである。そして、第１の基体表面
材料としては、電子供与性を有する材料を用いる。

この電子供与性について詳細に説明する。

電子供与性材料とは、基体中に自由電子が存在している
か、もしくは自由電子を意図的に生成せしめだかしたも
ので、例えば基体表面上に付着した原料ガス分子との電
子授受により化学反応が促進される表面を有する材料を
いう。例えば、一般に金属や半導体がこれに相当する。

金属もしくは半導体表面に薄い酸化膜が存在しているも
のも含まれる。それは基体と付着原料分子間で電子授受
により化学反応が生ずるからである。

具体的には、単結晶シリコン、多結晶シリコン、非晶質
シリコン等の半導体、ＩＩＩ族元素としてのＧａ、Ｉｎ
、八１とＶ族元素としてのＰ、＾ｓ、Ｎとを組合せて成
る二元系もしくは三元系もしくは四元系ＩＩＩ　−Ｖ族
化合物半導体、タングステン、モリブデン、タンタル、
タングステンシリサイド、チタンシリサイド、アルミニ
ウム、アルミニウムシリコン、チタンアルミニウム、チ
タンナイトライド。

銅、アルミニウムシリコン銅、アルミニウムパラジウム
、チタン、モリブデンシリサイド、タンタルシリサイド
等の金属１合金およびそれらのシリサイド等を含む。

これに対して、ＬＪ２が選択的に堆積しない表面を形成
する材料、すなわち非電子供与性材料としては、熱酸化
、　ＣＶＯ等により酸化シリコン、　ＢＳＧ。

ＰＳＧ、ＢＰＳＧ等のガラスまたは酸化膜、熱ＣＶＤ　
、ブラズｖｃｖｏ、減圧ＣＶＤ　、　ＥＣＲ−ＣＶＤ法
等によるシリコン窒化膜等である。

このような構成の基体に対して、ｌは原料ガスとＨ７と
の反応系において単純な熱反応のみで堆積する０例えば
ＤＭＡＨとＨ２との反応系における熱反応は基本的にと考えられる。ＤＭＡＨは室温で二量体構造をとってい
る。ＭＭＡＨ２によっても下記実施例に示すように、熱
反応により高品質へβが堆積可能であった。

ＭＭ八へ２は蒸気圧が室温で０．０１〜０．ＩＴｏｒｒ
と低いために多量の原料輸送が難しく、堆積速度は数百
入／分が本発明における上限値であり、好ましくは室温
で蒸気圧が１ＴｏｒｒであるＤＭＡＨを使用することが
最も望ましい。

第３図は本例を適用した減圧ＣＶＤ法による堆積膜形成
装置を示す模式図である。

ここで、５０１はへ１膜を形成するための基体である。

基体５０１は、同図に対して実質的に閉じられた堆積膜
形成用の空間を形成するための反応管５０２の内部に設
けられた基体ホルダ５０３上に載置される０反応管５０
２を構成する材料としては石英が好ましいが、金属製で
あってもよい。この場合には反応管を冷却することが望
ましい。また、基体ホルダ５０３は金属製であり、載置
される基体を加熱できるようにヒータ５０４が設けられ
ている。

そしてヒータ５０４の発熱温度を制御して基体温度を制
御することができるよう構成されている。

ガスの供給系は以下のように構成されている。

５０５はガスの混合器であり、原料ガスと反応ガスとを
混合させて反応管２内に供給する。５０６は原料ガスと
して有機金属を気化させるために設けられた第１図のよ
うなガス供給装置である。

すなわち、上述のように有機金属は室温で液体状である
ので、容器１内でキャリアガスを有機金属の液体中を通
して飽和蒸気となし、混合器５０５へ導入する。

排気系は以下のように構成される。

５０７はゲートバルブであり、堆積膜形成前に反応管５
０２内部を排気する時など大容量の排気を行う際に開か
れる。５０８はスローリークバルブであり、堆積膜形成
時の反応管５０２内部の圧力を調整する時など小容量の
排気を行う際に用いられる。

５０９は排気ユニットであり、ターボ分子ポンプ等の排
気用のポンプ等で構成される。

基体５０１の搬送系は以下のように構成される。

５１０は堆積膜形成前および堆積膜形成後の基体を収容
可能な基体搬送室であり、バルブ５１１を開いて排気さ
れる。５１２は搬送室を排気する排気ユニットであり、
ターボ分子ポンプ等の排気用ポンプで構成される。

バルブ５１３は基体５０１を反応室と搬送空間で移送す
る時のみ開かれる。

第３図に示すように、原料ガスを生成するためのガス供
給装置５０６においては、室温に保持されている液体状
のＤＭ＾）（に対しキャリアガスとしてのＨ２もしくは
＾「（もしくは他の不活性ガス）でバブリングを行い、
気体状ＤＭＡ）Ｉを生成し、これを混合器５０５に輸送
する。反応ガスとしてのＨ７は別経路から混合器５０５
に輸送される。ガスはそれぞれその分圧が所望の値とな
るように流量が調整されている。

原料ガスとしては、ＭＭＡＨ２でもよいが、蒸気圧が室
温でＩＴｏｒｒとなるのに十分なりＭＡＨが最も好まし
い、また、ＤＭＡＨとＭＭＡＨ２を混合させて用いても
よい。

例えばＤＭＡＨの場合、反応ガスとしてＨ２を用いると
反応管５０２内の加熱された基体５０１上で３℃が堆積
する。上述の５ｉｎ２をバターニングしたＳｔ基体上に
、略々１６０−４５０℃の基体温度で、Ｓｉの露出した
表面のみにＡＪ２が選択的に堆積した。

〔その他の実施例〕

なお、ガスの流れを、金属容器１を介した流れとバイパ
スラインを介した流れとに切換える手段の構成は、必ず
しも上記３つのバルブ２〜４を用いたものでなくてもよ
い。例えば、人口側パイプと出口側パイプとに対してそ
れぞれ三方向バルブを配設し、これらをバイパスライン
で連絡することにより、ガスの流れの切換えを行うこと
もできる。

また、第１図は、単体バルブの組合せで構成した実施例
であった。従って、第１図において人口バルブ２又は出
口バルブ３とバイパスバルブ４を溶接で接続するため、
人口バルブ２及びバイパスバルブ４との間、出口バルブ
３とバイパスバルブ４との間には、若干の（１〜５ｃ＋
ｎ）デッドゾーンが生じることはさけられない。

これに対し、第４図（＾）は、デッドゾーンを更に低減
させた装置構成例を示す。第４図（Ｂ）は、同図（Ａ）
のバルブ部分の構成を示した模式図で、破線で囲まれる
範囲が同図（Ａ）の破線で示すブロックに対応している
。

第４図（Ｂ）の構成では、バルブ４５を閉、バルブ４６
を開とするとき、ガスは５１側から５３側へ流れる。そ
の際配管内位置４７とバルブ４５との間のデッドゾーン
が生じない構造となっている。同様に、バルブ４６を閉
、バルブ４５を開とすると、配置位置４７とバルブ４６
との間のデッドゾーンも生じない。

このような構成には例えば、本山製作所製二連バルブを
適用することができる。

そして、第４図（Ｂ）のバルブを２個組み合せて第４図
（＾）のようなガス供給装置を構成することができる。

第４図（Ａ）の場合、バルブ４１と４２の２個を第１図
の実施例のバイパスバルブ４とみなせば、上述の実施例
と同様の用い方で、キャリアガスのパージ、有機金属の
輸送をおこなうことができる。なお人口バルブ、出口バ
ルブ、バイパスバルブを１つの金属ブロックに構成して
も良い。

〔発明の効果）以上説明したように、本発明によれば、液体状の有機金
属を気化して輸送するＣＶＤ法による堆積膜形成法にお
いて、キャリアガスのパージ、有機金属輸送後の配管内
残留有機金属の排出を、短時間でおこなうことができる
。

本発明にかかる有機金属容器は、液体状である原料なら
ば、有機金属以外の５ｉＣｊ２４等の材料でも用いるこ
とができる。

特に、有機金属は、キャリアガス中の微量の水分、酸素
と反応してしまうので、本有機金属容器は有効である。

更に、微量水分、酸素との反応の激しいトリメチルアル
ミニウム、ジメチルアルミニウム等を用い酸素汚染のな
い高品質へｎ膜堆積に果す効果は大きい。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の一実施例に係るガス供給装置の模式的
斜視図、第２図はその装置をガス供給ラインに結合した状態を示
す模式図、第３図はその装置を組込んだ減圧ＣＶＤ法による堆積膜
形成装置の一例を示す模式図、第４図（＾）および（Ｂ）は本発明の他の実施例に係る
ガス供給装置を説明するための模式図、第５図は従来の
ガス供給装置を示す模式的斜視図、第６図はその装置をガス供給ラインに結合した状態を示
す模式図、第７図は第５図示の装置とガス供給ラインとの従来の接
続状態を示す模式図である。１・・・有機金属容器、２・・・人口バルブ、３・・・出口バルブ、４、７．４１．４２・・・バイパスバルブ、５．６・・
・継手、８・・・配管ライン、１０・・・反応容器、１１・・・人口配管、１２・・・出口配管、４５、４６・・・バルブ、６０・・・有機金属、５０６・・・ガス供給装置。第１図第図第図第図第５図第図

Claims

【特許請求の範囲】ガス輸送経路に着脱可能で、化学気相成長法による堆積
膜形成装置に用いられて原料ガスを供給するためのガス
供給装置であって、キャリアガスを導入して有機金属を含む前記原料ガスを
排出するために設けられた有機金属の貯留手段と、前記ガス輸送経路への着脱部より前記貯留手段側の前記
貯留手段の直近に設けられ、前記キャリアガスを前記貯
留手段に導き、前記原料ガスを排出させる経路と、前記
キャリアガスを前記貯留手段を介さずに排出側にバイパ
スさせる経路とに、ガスの流れを切換える切換え手段とを具えたことを特徴とするガス供給装置。