JPH0311214Y2 - - Google Patents

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JPH0311214Y2
JPH0311214Y2 JP19261583U JP19261583U JPH0311214Y2 JP H0311214 Y2 JPH0311214 Y2 JP H0311214Y2 JP 19261583 U JP19261583 U JP 19261583U JP 19261583 U JP19261583 U JP 19261583U JP H0311214 Y2 JPH0311214 Y2 JP H0311214Y2
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wafer
melt
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wafer molding
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Description

【考案の詳細な説明】 本考案は太陽電池、その他の光電変換素子等に
用いられている多結晶シリコンウエハの製造に供
される製造皿に関する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION The present invention relates to a manufacturing tray used for manufacturing polycrystalline silicon wafers used in solar cells, other photoelectric conversion elements, and the like.

従来、上述多結晶シリコンウエハは、最も一般
的にはシリコン母材により一旦所定形状のインゴ
ツトを鋳造し、これをスライスすることによつて
ウエハを得る方法が実施されている。
Conventionally, the most common method for producing the above-mentioned polycrystalline silicon wafers is to once cast an ingot of a predetermined shape from a silicon base material and then slice the ingot to obtain the wafer.

このスライスによらない方法としてはリボン法
とキヤステイング法(鋳造法)が既に実施されて
いる。
As methods that do not involve slicing, a ribbon method and a casting method have already been implemented.

しかし、上述スライスによる方法は、スライス
作業に大変時間がかかるだけでなく、インゴツト
の約50%がスライス時のロスとなつてしまう為、
製品コストが高くつき、大量生産も不可能であ
る。
However, with the slicing method mentioned above, not only does the slicing process take a lot of time, but also about 50% of the ingot is lost during slicing.
The product cost is high and mass production is not possible.

又、上記リボン法やキヤステイング法では大型
の太陽電池素材等が得られない難点があり、更に
キヤステイング法では、シリコン結晶粒が非常に
細かくなつて大きな結晶粒が得られない為、当該
ウエハによつて得られる太陽電池の光電変換効率
も2〜3%と極度に悪くなる欠陥をもつている。
In addition, the above-mentioned ribbon method and casting method have the disadvantage that large-sized solar cell materials cannot be obtained, and furthermore, in the casting method, the silicon crystal grains become extremely fine and large crystal grains cannot be obtained, so the wafer The photoelectric conversion efficiency of the solar cell obtained by this method is also extremely poor at 2 to 3%.

そこで、本願人は、上記諸法の欠陥を改善する
ことができる多結晶シリコンウエハの製造方法と
して既に、シリコン母材を溶融し、この融液を石
英又はカーボンで形成され、かつ回転状態にある
製造皿上に滴下するなどして、遠心力を有効利用
することにより所望拡径状態の融液薄層を層成
し、これを固化後、製造皿から剥離する方法(以
下これをスピン法という)を提案した。
Therefore, the applicant has already developed a method for manufacturing polycrystalline silicon wafers that can improve the defects of the above-mentioned methods, by melting a silicon base material and using this melt as a method of manufacturing polycrystalline silicon wafers made of quartz or carbon and in a rotating state. A method in which a thin layer of melt with a desired expanded diameter is layered by dripping onto a production plate, etc. by effectively utilizing centrifugal force, and this is peeled off from the production plate after solidification (hereinafter referred to as the spin method) ) was proposed.

そして、このスピン法に関しても、本願入は第
1図イに示すように、一枚の皿本体aを用意し、
同皿本体aの上面には、平面十字形状のウエハ成
形凹溝bを形成して、その底面をウエハ成形平面
cとなし、同凹溝bの端末側には、四角形状のウ
エハ成形部dを4個形成し、更に第1図ロに示し
た如く中央部に貫通孔eが開設されてなる蓋体f
を上記皿本体aに、第2図に示した如く被嵌し、
該蓋体fと皿本体aとにより囲成されるウエハ成
形空間g…に、上記貫通孔eから前記融液を注入
充填することにより融液薄層を形成する製造皿を
提案している。
Regarding this spin method, as shown in Figure 1A, this application prepares a single plate body a,
A cross-shaped wafer molding groove b is formed on the upper surface of the dish body a, the bottom surface of which serves as a wafer molding plane c, and a square wafer molding part d is formed on the end side of the groove b. A lid body f is formed by forming four through holes e in the center as shown in FIG.
into the dish body a as shown in FIG. 2,
A manufacturing pan is proposed in which a thin layer of melt is formed by injecting and filling the melt through the through hole e into the wafer molding space g defined by the lid f and the pan main body a.

この製造皿を用いる前述のスピン法は、多くの
優れた特徴をもつているが、上記製造皿によると
きは、上記貫通孔eから注入充填した前記融液
が、同皿における皿本体aの凹溝b中央部分b′に
一旦流下した後、回転遠心力によつてウエハ成形
空間g方向へ流れ込むものの、このような凹溝b
形状によると、上記中央部分b′の融液がウエハ成
形空間gに向けて流入し難く、この結果同空間g
の端末箇所まで融液が流れ込まないといつたこと
も生じ、満足すべき形状のものが得難くなる欠陥
があつた。
The above-described spin method using this manufacturing pan has many excellent features, but when using the manufacturing pan, the melt injected and filled from the through-hole e can be Although the flow once flows down into the central portion b' of the groove b, it flows into the wafer forming space g direction due to rotational centrifugal force.
According to the shape, it is difficult for the melt in the central portion b' to flow toward the wafer forming space g, and as a result, the same space g
In some cases, the melt did not flow to the end of the mold, resulting in defects that made it difficult to obtain a product with a satisfactory shape.

本考案は、かかる現状に鑑みて創案されたもの
で、その目的とするところは、上述製造皿におい
て、皿本体の凹溝端末側に夫々形成される各ウエ
ハ成形部を所望の偏位箇所に形成すると共に、融
液が注入される中心部分の注入部と、当該各ウエ
ハ成形部とは偏位しない連通首部によつて連通さ
せるよう構成し、これにより、回転遠心力による
シリコン溶融液の流れをよくして、ウエハ成形部
に対し、全域にわたる均等な流れ込みを可能とな
し、ウエハ成形部の寸法を大きくとることもでき
るようにし、以つて所望層厚の大型シリコンシー
トを製造できる製造皿を提供しようとするにあ
る。
The present invention was devised in view of the current situation, and its purpose is to position each wafer molding part formed on the end side of the concave groove of the dish body at a desired deviation position in the above-mentioned manufacturing dish. At the same time, the central injection part into which the melt is injected is configured to communicate with each wafer molding part through a communication neck that does not deviate, thereby preventing the flow of the silicon melt due to rotational centrifugal force. The present invention aims to provide a production pan that can improve the flow rate, make it possible to flow uniformly over the entire area of the wafer molding part, and also make it possible to increase the size of the wafer molding part, thereby producing a large silicon sheet with a desired layer thickness. That's what we're trying to offer.

以下本考案を図示の実施例に基づいて詳述すれ
ば、第3図イに示すような皿本体1と、同図ロに
示すような蓋体2とにより製造皿Aは構成され、
これらの部材は、シリコンとの反応性が少ない石
英SiO2やカーボンによつて形成されている。
Below, the present invention will be described in detail based on the illustrated embodiment.A production plate A is composed of a plate main body 1 as shown in FIG. 3A, and a lid body 2 as shown in FIG.
These members are made of quartz SiO 2 or carbon, which has little reactivity with silicon.

上記皿本体1は、その平旦に形成した上面3
に、平面略偏心十字形状の凹溝4を形成し、その
底面をウエハ成形平面5となし、かつ同溝4の端
末側に、図示の実施例では四角形状のウエハ成形
部6が4個形成されている。
The plate main body 1 has an upper surface 3 formed on the same day.
A concave groove 4 having a substantially eccentric cross shape in plan is formed, the bottom surface of which serves as a wafer molding plane 5, and four wafer molding portions 6, which are rectangular in the illustrated embodiment, are formed on the end side of the groove 4. has been done.

そして、これら各ウエハ成形部6…は中心箇所
の注入部7と連通しており、該各ウエハ成形部6
と注入部7の連続部位には、それら連通方向に対
して略直角状態に、かつ一側部から突出した堰8
が夫々形成されており、このことにより、上記注
入部7がウエハ成形部6よりも細幅に狭く形成さ
れた連通首部7′,7′…によつて、夫々のウエハ
成形部6と連通している。
Each of these wafer molding parts 6... communicates with an injection part 7 at the center, and each of these wafer molding parts 6...
At the continuous part of the injection part 7, there is a weir 8 that is approximately perpendicular to the communication direction and protrudes from one side.
are formed, respectively, so that the injection part 7 communicates with each wafer molding part 6 through communication neck parts 7', 7', which are formed narrower than the wafer molding part 6. ing.

この皿本体1の上面3には上記蓋体2が第4図
に示したようにビス9…止めによつて脱着自在に
被嵌されるもので、この蓋体2は、その中央部に
貫通孔10が上記皿本体1における凹溝4の注入
部7に対応して開設され、又この蓋体2の下面1
1は、上記皿本体1の上面3と密着するよう平滑
に形成されている。
As shown in FIG. 4, the lid 2 is removably fitted onto the upper surface 3 of the dish main body 1 with screws 9. A hole 10 is formed corresponding to the injection part 7 of the groove 4 in the dish body 1, and a hole 10 is formed in the bottom surface 1 of the lid body 2.
1 is formed smoothly so as to be in close contact with the upper surface 3 of the dish main body 1.

このように形成された皿本体1と蓋体2とを組
構して製造皿Aを構成するには、第4図に示した
ように、先ず皿本体1を図示しないターンテーブ
ル上に載置し、その底面に設けられた凹穴12…
をターンテーブルの連結ボルト(図示せず)に係
嵌して固定し、次いで上記皿本体1の上面3に上
記蓋体2を重積載置し、これらはビス9…止めに
より脱着自在に固定される。
In order to assemble the plate body 1 and lid body 2 formed in this way to construct the production plate A, first the plate body 1 is placed on a turntable (not shown), as shown in FIG. And a recessed hole 12 provided on the bottom surface...
is fixed by engaging with a connecting bolt (not shown) of the turntable, and then the lid body 2 is stacked on the top surface 3 of the dish main body 1, and these are removably fixed with screws 9. Ru.

それ故、上記組成状態では、皿本体1における
凹溝4の端末部にある各ウエハ成形部6…と、蓋
体2の下面11とによりウエハ成形空間13が
夫々画成され、該各ウエハ成形空間13…は、上
記注入部7、連通部7′,7′…によつて蓋体2の
貫通孔10と夫々連通するよう構成される。
Therefore, in the above composition state, a wafer molding space 13 is defined by each wafer molding part 6 at the end of the groove 4 in the dish body 1 and the lower surface 11 of the lid 2, and each wafer molding space 13 is defined by the lower surface 11 of the lid 2. The spaces 13 are configured to communicate with the through holes 10 of the lid body 2 through the injection portion 7 and the communication portions 7', 7', .

ここで本考案では、さらに上記皿本体1の凹溝
4における各ウエハ成形部6…が、皿本体1の中
心を通る所定径線方向、すなわち図示の場合二軸
方向の直線X−X′,Y−Y′よりも、その中心位
置を周方向の右または左側方へずらして配設され
ている。
Here, in the present invention, each wafer molding part 6 in the groove 4 of the dish body 1 is further arranged along a straight line The center position is shifted to the right or left side in the circumferential direction from Y-Y'.

即ち、製造皿Aが第3図イに示した矢印B方向
に回転される場合は、上記各ウエハ成形部6…を
同図のように上記直線X−X′,Y−Y′に対して
周方向右周り方向へずらして形成し、又反矢印B
方向に回転される場合は、周方向左周り方向にず
らして形成するのである。そして、上記各堰8
は、上記各ウエハ成形部6…が右方向にずらして
設けられる場合は、同図に示した如く、連続部位
のずらした側の側部から突出して形成し、又上述
と反対に左方向にずらして設けられる場合は、図
示とは反対側の側部から反対向きに突出して形成
され、さらに前記連通首部7′,7′…はX−X′,
Y−Y′である所定径線上にあつて実質的に偏位
することなく設けられ、回転される製造皿Aの注
入部7における中心位置に注入滴下されたシリコ
ン溶液は、当該回転により、第5図の矢印方向と
なるようにし、このことによつてウエハ成形部6
…のすみずみにわたり上記融液が均等に流れ込み
易くしたものである。
That is, when the production plate A is rotated in the direction of the arrow B shown in FIG. Formed by shifting clockwise in the circumferential direction, and opposite to arrow B
When rotated in the direction, it is formed so as to be shifted in the circumferential direction to the left. And each of the above weirs 8
If each of the wafer molding parts 6 is provided shifted to the right, it should be formed so as to protrude from the shifted side of the continuous part, as shown in the figure, and contrary to the above, it should be formed to the left. In the case where they are provided offset, they are formed to protrude in the opposite direction from the side opposite to that shown in the figure, and furthermore, the communicating necks 7', 7'...
The silicone solution injected and dropped into the central position of the injection part 7 of the rotating production plate A, which is placed on a predetermined radial line Y-Y' without being substantially deviated, is caused by the rotation. The wafer molding section 6 is aligned in the direction of the arrow in FIG.
This makes it easy for the melt to flow evenly throughout the...

又、上記各堰8…の先端部には、第5図に矢印
で示したシリコン溶融液の流れ込み方向へ傾斜面
8aを設けるようにすると、上記融液のウエハ成
形部6に対する流れ込みを更に良好とすることが
できる。
Furthermore, if the tip of each of the weirs 8 is provided with an inclined surface 8a in the direction in which the silicon melt flows in as indicated by the arrow in FIG. It can be done.

而して上記構成において、これを用いてシリコ
ンウエハを製造する時は、第4図に示す製造皿A
を図示しないターンテーブルに載置し、これを所
望速度で回転させつつ、蓋体2の貫通孔10より
シリコン溶融液を注入すればよいが、この際図示
の実施例では、製造皿Aを第3図イの矢印B方向
へ回転する。
In the above configuration, when manufacturing silicon wafers using this, manufacturing plate A shown in FIG.
may be placed on a turntable (not shown) and rotated at a desired speed, while injecting the silicon melt through the through hole 10 of the lid 2. At this time, in the illustrated embodiment, the production plate A is Rotate in the direction of arrow B in Figure 3 A.

上記貫通孔10から上記融液が注入されれば、
ウエハ成形平面5の注入部7中央位置に融液は注
入滴下されることとなり、該融液は、回転する製
造皿Aの遠心力によつて各連通首部7′,7′…か
ら各ウエハ成形部6…へとウエハ成形平面5上を
拡径流動して各ウエハ成形空間13…に流れ込む
が、この際、製造皿Aの矢印Bで示す回転方向に
対して、連通首部7′,7′…に図示の向きに突設
した堰8…が臨設されているから、上記融液は第
5図に示した矢印方向に、すなわち同空間13…
の左から右側へ向け流れ込み、上記各ウエハ成形
空間13…の全域に均等にシリコン溶液が流れ込
むようになり、当該ウエハ成形空間13…に融液
薄層が層成される。その後、これを冷却し固化さ
せることによつて、図示例では同時に4枚のシリ
コンウエハを形成することができる。
If the melt is injected from the through hole 10,
The melt is injected and dropped into the center position of the injection part 7 on the wafer forming plane 5, and the melt is applied to each wafer from each communication neck 7', 7', etc. by the centrifugal force of the rotating production plate A. The wafer molding spaces 13 flow into the wafer molding spaces 13 by increasing the diameter of the wafer forming parts 6..., but at this time, the communication neck parts 7', 7' Since there is a weir 8 protruding in the direction shown in the figure, the melt flows in the direction of the arrow shown in FIG. 5, that is, in the same space 13...
The silicon solution flows from the left to the right, and the silicon solution flows uniformly over the entire area of each wafer forming space 13, forming a thin layer of melt in the wafer forming space 13. Thereafter, by cooling and solidifying this, four silicon wafers can be formed at the same time in the illustrated example.

尚、この製造されたシリコンウエハは、ウエハ
成形部6…と注入部7との間の連通首部7′,
7′…の箇所を利用して折ることにより、四角形
の製品ウエハに分割される。
Note that this manufactured silicon wafer has a communication neck 7' between the wafer molding section 6 and the injection section 7,
By folding using the points 7'..., the product wafers are divided into rectangular product wafers.

このようにして製造されたウエハは、その表裏
両面及び外周面が、皿本体1の凹溝4と、皿本体
1のウエハ成形平面5及び蓋体2の下面11とで
囲成されているので、それらの面によつて、上記
融液薄層が冷却固化する際、表面に発生する凹凸
が抑制されるので平滑な面を有するウエハが形成
される。
The wafer manufactured in this way has its front and back surfaces and outer peripheral surface surrounded by the groove 4 of the dish body 1, the wafer molding plane 5 of the dish body 1, and the lower surface 11 of the lid body 2. These surfaces suppress the unevenness that occurs on the surface when the thin melt layer is cooled and solidified, so that a wafer with a smooth surface is formed.

又、上記ウエハ成形部6…以外で形成される融
液薄層の残余部分は、再度溶融して使用される。
Further, the remaining portion of the thin melt layer formed in areas other than the wafer molding section 6 is melted again and used.

以上説明したように本考案に係る製造皿によれ
ば、上面に設けた凹溝4の端末側にウエハ成形部
6…を形成した皿本体1と、中央部に貫通孔10
を開設して上記皿本体1上に被嵌することによつ
てウエハ成形空間13…を囲成する蓋体2とで構
成され、かつ所望雰囲気内にあつて、回転する上
記凹溝4のウエハ成形平面5上の注入部7に前記
貫通孔10からシリコン母材の融液を供給し、回
転遠心力によつて融液薄層を層成し、これが固化
するようにして多結晶シリコンウエハを製造する
ようにした製造皿において、上記皿本体1にあつ
て、またはその凹溝4の端末側には、所定径線よ
り周方向左または右側方へ偏位させた所望形状の
ウエハ成形部6,6…を夫々形成し、これらのウ
エハ成形部6,6…を、前記注入部7と上記所望
径線上に形成した連通首部7′,7′…によつて連
通させてなるものであるから、回転されるウエハ
成形平面5の注入部7に注入されるシリコン融液
は、上記連通首部7…からウエハ成形部6内に向
かつて曲流して流れ込み、シリコン融液の十分な
拡散を行うことができ、従つて、ウエハ成形空間
13…全域にわたり均等に上記融液が流れ込むこ
とにより、所望形状で、かつ均等層厚を有する融
液薄層が成形され、これが固化されることによつ
て、高品質のシリコンウエハを製造することがで
きる。
As explained above, according to the production plate according to the present invention, the plate body 1 has the wafer molding portion 6 formed on the end side of the groove 4 provided on the upper surface, and the through hole 10 in the center.
and a lid body 2 which surrounds the wafer molding space 13 by opening and fitting onto the dish body 1, and the wafer in the concave groove 4 rotates in a desired atmosphere. The melt of the silicon base material is supplied from the through hole 10 to the injection part 7 on the molding plane 5, and a thin layer of the melt is formed by rotational centrifugal force, and this is solidified to form a polycrystalline silicon wafer. In the manufacturing pan that is manufactured, a wafer molding portion 6 of a desired shape is provided on the tray main body 1 or on the end side of the groove 4 thereof, and is offset to the left or right side in the circumferential direction from a predetermined diameter line. , 6... are formed, respectively, and these wafer molding parts 6, 6... are communicated with the injection part 7 through communication neck parts 7', 7'... formed on the desired diameter line. The silicon melt injected into the injection part 7 of the rotated wafer molding plane 5 curves and flows from the communicating neck part 7 into the wafer molding part 6, and the silicon melt is sufficiently diffused. Therefore, by uniformly flowing the melt over the entire wafer forming space 13, a thin layer of the melt having a desired shape and uniform layer thickness is formed, and this is solidified. High quality silicon wafers can be manufactured.

又、上述のようにしてシリコン溶融液の十分な
拡散を可能ならしめることができるので、ウエハ
成形部6の寸法を、現用製造皿のそれよりも相当
大きく形成することができ、大型のシリコンウエ
ハをも容易に製造することができる。
Furthermore, since sufficient diffusion of the silicon melt can be made possible as described above, the dimensions of the wafer molding section 6 can be made considerably larger than those of the current production tray, and large silicon wafers can be processed. can also be easily manufactured.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図イ,ロは、本願人が既に提案した製造皿
における皿本体と蓋体との各平面図、第2図は同
製造皿の縦断側面図、第3図イ,ロは本考案に係
る製造皿における皿本体と蓋体の各平面図、第4
図は同製造皿の縦断側面図、第5図は同製造皿に
おけるシリコン溶融液の拡径流動状態を示す説明
図である。 A…製造皿、1…皿本体、2…蓋体、4…凹
溝、5…ウエハ成形平面、6…ウエハ成形部、7
…注入部、7′…連通首部、10…ウエハ成形空
間。
Figures 1A and 2B are plan views of the dish main body and lid of the production dish already proposed by the applicant, Figure 2 is a longitudinal side view of the same production dish, and Figure 3A and 3B are according to the present invention. Each plan view of the dish main body and lid body in the production dish concerned, 4th
The figure is a longitudinal sectional side view of the same manufacturing dish, and FIG. 5 is an explanatory view showing the diameter-expanding flow state of the silicon melt in the same manufacturing dish. A...Production plate, 1...Dish body, 2...Lid, 4...Concave groove, 5...Wafer molding plane, 6...Wafer molding part, 7
...Injection part, 7'...Communication neck part, 10...Wafer molding space.

Claims (1)

【実用新案登録請求の範囲】[Scope of utility model registration request] 上面には凹溝を形成して、その底面をウエハ成
形平面とした皿本体と、略中央部に貫通孔が開設
されて上記皿本体に被嵌することによつてウエハ
成形空間を囲成する蓋体とで構成され、所望雰囲
気内にあつて回転する上記ウエハ成形平面上の注
入部に、上記貫通孔からシリコン母材の融液を供
給し、回転遠心力によつて融液薄層を層成し、こ
れが固化するようにして多結晶シリコンウエハの
製造用に供される製造皿において、上記皿本体に
あつて、その凹溝の端末側には、所定径線より周
方向左または右側方へ偏位させた所望形状のウエ
ハ成形部を夫々形成し、これらのウエハ成形部
を、前記注入部と上記所定径線上に形成した連通
首部によつて連通させてなる製造皿。
A dish body having a concave groove formed on the top surface and whose bottom face is a wafer forming plane, and a through hole formed approximately in the center to fit into the dish body, thereby surrounding a wafer forming space. The melt of the silicon base material is supplied from the through hole to the injection part on the wafer molding plane that rotates in a desired atmosphere, and a thin layer of the melt is formed by rotational centrifugal force. In a manufacturing pan that is used for manufacturing polycrystalline silicon wafers by layering and solidifying the layers, in the tray body, on the end side of the groove, there is a groove on the left or right side in the circumferential direction from a predetermined diameter line. A manufacturing dish comprising forming wafer molding parts having desired shapes that are deviated toward the injection molding part, and communicating these wafer molding parts with the injection part through a communication neck formed on the predetermined diameter line.
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