JPH03109595A - Ｅｌディスプレイパネルの駆動方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明はＥＬディスプレイパネルを駆動する方法に関す
るものである。

（従来の技術） 従来のＥＬパネルの駆動方法としてリフレッシュ駆動法
が知られているが、この方法は印加電圧波形の非対称性
によりＤＣ成分が発生し、ＥＬディスプレイパネルの寿
命が短くなるという欠点があった。そこで最近、ＤＣ成
分の発生を抑制した駆動方法としてＰ−Ｎ対称駆動法、
Ｐ−Ｐ対称駆動法などが提案されている（例えば「表面
科学」第９巻第４号“ＴＦ−ＥＬデイスプレィの駆動方
法“など）。しかしながら、Ｐ−Ｎ対称駆動法、Ｐ−Ｐ
対称駆動法においては走査側ドライバーのＮ−チャンネ
ルの電位を変化させたり、非選択画素の充放電による電
力の消費を低減するために非選択ラインをフローティン
グする必要があり、そのために多くのスイッチング素子
およびそれを制御するための制御信号が必要となり駆動
回路か複雑になるという欠点がある。

（発明が解決しようとする課題） 本発明は上記従来技術の欠点に鑑みなされたものであり
、その目的は簡便に非選択ラインのフローティングを行
うことのできるＥＬディスプレイパネルの駆動方法を提
供することにあり、これにより駆動回路の簡素化を図る
ものである。

（課題を解決するための手段） 本発明者らは上記課題を解決するために鋭意検討を行っ
た結果、本発明を完成するに至った。

すなわち本発明は、発光層を絶縁層で挾み込んでなる二
重絶縁構造を有するＥＬディスプレイパネルの駆動方法
において、出力段にＣ−ＭＯＳ構造を有するドライバー
を用い、Ｃ−ＭＯＳ構造の両チャンネルをＯＦＦとして
非選択ラインを制御することを特徴とするＥＬディスプ
レイパネルの駆動方法である。

本発明のように、出力段にあるＣ−ＭＯＳ構造のＰ−チ
ャンネルおよびＮ−チャンネルを両方とも同時にＯＦＦ
とすることによりフローティングの状態となり、これに
よって非選択ラインが制御される。

（実施例） 以下、本発明のＥＬディスプレイパネルの駆動方法の一
例を図面に基づいて説明するが、本発明はこれに限定さ
れない。

第１図に本発明の駆動方法において用いられる駆動回路
の一実施例を示す。図中、１０．２０はデータ側ドライ
バーのシフトレジスタやラッチなどの論理回路、３０．
４０はデータ側ドライバーの高電圧出力部、５０．６０
は走査側ドライバーのシフトレジスタなどの論理回路、
１００は負の書き込み駆動回路、２００は走査側ドライ
バーの正の書き込み駆動回路を示す。また、図中ＰＯＩ
〜Ｐｏｔ、ＮＯＩ〜Ｎｏｆは奇数ラインの走査側ドライ
バーの出力段を示し、ＰＥＩ〜ＰＥｉ、ＮＥ１〜ＮＥｉ
は偶数ラインの走査側ドライバーの出力段を示す。更に
第２図には各スイッチのＯＮ。

ＯＦＦの状態と走査側ドライバーの出力段の制御状態を
、第３図には走査側ドライバーの出力を制御するロジッ
ク波形を、第４図には走査側ドライバーの出力波形と実
際にＥＬディスプレイパネルの画素にかかる印加電圧波
形を示す。

また、走査側ドライバーの論理回路５０．６０に入力さ
れる制御信号の種類を表１に、走査側ドライバーの制御
ロジックと出ツｊの真理値表を表２に示す。

なお、本実施例では第１図に示すＡの画素を含む走査ラ
インＹ１およびＢの画素を含む走査ラインＹ２について
説明を行い、両ラインのＤＡＴＡ信号をハイレベルとし
、他のラインはローレベルとする。

また、本実施例において走査側の奇数ラインに正の電圧
をかけるフィールドを第１フイールドと称し、負の電圧
をかけるフィールドを第２フイールドと称する。

更にＶｗは発光しきい値以下の書き込み電圧、Ｖｍは変
調電圧を示す。

以下に各フィールドの動作を説明する。

（Ａ）第１フイールド （１）　Ｔ　１１第１放電期間 はじめに走査側ドライバーの負の書き込み駆動回路１０
０のスイッチＳＷ２をＯＮ、ＳＷＩをＯＦＦとする。同
時に正の書き込み駆動回路２００のスイッチＳＷ４をＯ
Ｎ、ＳＷ３をＯＦＦとし、全走査側ドライバーのＮ−チ
ャンネルＭＯＳのソース電位と、Ｐ−チャンネルＭＯＳ
のソース電位をＯｖにおとす。次に奇数ライン側の走査
側ドライバーのＰＯ１〜Ｐｏｔおよび偶数ライン側の走
査側ドライバーのＰＥＩ〜ＰＥｉ　をＯＮとし、全ての
画素に蓄積した電荷を放電する。

（２）Ｔ２：第１書き込み駆動期間 次に走査側ドライバーの正の書き込み駆動回路２００の
ＳＷＩとＳＷ２をそのままの状態とし、選択ラインとな
るＹｌのＰ−チャンネルＭＯＳであるＰＯＩをＯＮとす
る。同時に選択の偶数ラインＹ２、非選択の偶数ライン
Ｙ４〜Ｙ２１、非選択の奇数ラインＹ３〜Ｙ２１−１の
Ｐ−チャンネル〜１０ＳとＮ−チャンネルＭＯＳを全て
ＯＦＦとし、ハイ・インピーダンスの状態とする。この
時の走査側ドライバーの制御ロジックは表２に示す真理
値表から第３図に示すとおりになる。すなわち、非選択
の奇数ラインはＤ　Ａ　Ｔ　Ａ　ｏｄｄがローレベルに
あるために出力はハイ・インピーダンスの状態となり、
全偶数ラインはＯＥ　ｅｖｅｎをハイレベルとすること
により出力はハイ・インピーダンスの状態となる。次に
正の後書き込み駆動回路２００のスインチＳＷ３をＯＮ
とし、走査ラインＹ１にＶｗ十Ｖｍの正の電圧をかける
。これにより、選択ラインＹ１のみにＶ　ｗ　＋　Ｖ　
ｍの正の高電圧がかかり、他のラインはフローティング
の状態となる。第４図にこの時の出力波形を示す。図中
、−点鎖線はフコ−ティング状態を示し、鎖線は非発光
の時の出力波形を示す。

以上により、データ側ドライバーのＸ２の出力かＯＶの
時は、ＥＬ索子の両端にかかる電圧はＶ　ｗ　＋　Ｖ　
ｍと発光しきい値電圧以上となるので画素Ａは発光する
。また、データ側ドライバーのＸ２の出力がＶｍの時は
、ＥＬ素子の両端にかかる電圧はＶｗ＋Ｖｍ−Ｖｍ−Ｖ
ｗとなりこれは発光しきい値電圧以下なので、画素Ａは
発光しない。

（３）Ｔ３：第２放電期間 負の書き込み駆動回路１００のスイッチＳＷ１をＯＦＦ
、スイッチＳＷ２をＯＮとする。これにより全走査側ド
ライバーのＮ−チャンネルＭ　ＯＳのソース電位はＯＶ
となる。このときの走査側ドライバーの正の書き込み駆
動回路２００の切り替えスイッチＳＷ３とＳＷ４は前の
状態のままとする。次に、全ての走査側ドライバーのＮ
−チャンネルＭＯＳをＯＮとし、全ての画素の放電を行
う。

（４）Ｔ４：第２書き込み駆動期間 負の書き込み駆動回路のスイッチ１００のスイッチＳＷ
ＩとＳＷ２はそのままの状態とし、選択ラインとなるＹ
２のＮ−チャンネルＭＯＳであるＮＥＩをＯＮとする。

他の選択の奇数ラインＹｌ。

非選択の奇数ラインＹ３〜Ｙ２ｉ−１、非選択の偶数ラ
インＹ４〜Ｙ２１（７）Ｐ−チ’ｒ　ンネルＭｏＳとＮ
−チャンネルＭＯＳは全てＯＦＦとし、ハイゆインピー
ダンスの状態とする。この時の走査側ドライバーの制御
ロジックは表２に示す真理値表から第３図に示すとおり
となるすなわち、非選択の偶数ラインはＤ　Ａ　Ｔ　Ａ
　ｅｖｅｎがローレベルにあるため、ハイ・インピーダ
ンス状態となり、奇数ラインはＯＥ　ｏｄｄをハイレベ
ルとすることにより、ハイ・インピーダンス状態になる
。次に走査側ドライバの負の書き込み駆動回路のＳＷ２
をＯＦＦとし、ＳＷＩをＯＮとし、走査側ドライバーの
ソース電位をＯＶから−Ｖｗとする。このことにより、
選択ラインＹ２の電位のみがＯｖから−Ｖｗとなり、他
はフローティングの状態となる。第４図にこの時の出力
波形を示す。図中−点鎖線はフローティング状態を示し
、鎖線は非発光を示す。

以上により、データ側ドライバーのＸ２の出力がＶｍで
あるとき、ＥＬ索子の両端にかかる電圧は−Ｖ　ｗ　−
Ｖ　ｍと発光しきい値電圧以上となるので、画素Ｂは発
光する。またデータ側ドライバーのＸ２の出力がＯＶの
時はＥＬ素子の両端にかかる電圧は−Ｖｗとなり、発光
しきい値電圧以下となるので画素Ｂは発光しない。

（１３）第２フイールド （５）Ｔ５：第３放電期間 第１フイールドの第２放電期間と同じ動作を行う。

（１３）Ｔ６：第３書き込み駆動期間 第３放電期間と同様に負の書き込み駆動回路１００のス
イッチＳＷ２をＯＮ、ＳＷＩをＯＦＦとし、選択ライン
となるＹｌのＮ−チャンネルＭＯＳであるＮＯＩをＯＮ
とする。また、選択の偶数ラインＹ２、非選択の偶数ラ
インＹ４〜Ｙ２ｉおよび非選択の奇数ラインＹ３〜Ｙ２
ｉ−ＬのＰ−チャンネルＭＯＳとＮ−チャンネルＭＯＳ
は全てＯＦＦとし、ハイ・インピーダンスの状態にする
。

この時の走査側ドライバーの制御ロジックは表２の示す
真理値表から第３図に示すとおりとなる。

すなわち、非選択の奇数ラインはＤ　Ａ　Ｔ　Ａ　ｏｄ
ｄがローレベルにあるため、ハイ・インピーダンス状聾
となり、全偶数ラインはＯＥ　ｅｖｅｎをハイレベルと
することによりハイ・インピーダンスの状態になる。次
に負の書き込み駆動回路の１００スイツチＳＷ１をＯＮ
とし、ＳＷ２をＯＦＦとすることにより、選択ラインＹ
１にのみ−Ｖｗの電圧がかかり、他はフローティングの
状態となる。第４図にこの時の出力波形を示す。図中−
点鎖線はフローティングの状態を示し、鎖線は非発光を
示す。

以上により、データ側ドライバーのＸ２の出力かＶｍで
あるとき、ＥＬ索子の両端にかかる電圧は、−Ｖｗ−Ｖ
ｍと発光しきい値電圧以上となり画素人は発光する。ま
た、データ側ドライバーのＸ２の出力がＯＶの時はＥＬ
素子の両端にかかる電圧は−Ｖｗとなり、これは発光し
きい値電圧以下なので画素Ａは発光しない。

（７）Ｔ７：第４放電期間 第１フィールド第１放電期間と同様の動作を行（８）Ｔ
８：第４書き込み駆動期間 第４放電期間と同様に正の書き込み駆動回路２００のＳ
Ｗ４をＯＮ、ＳＷ３をＯＦＦとする。

次に選択ラインとなるＹ２のＰ−チャンネルＭＯ５であ
るＰＥＩをＯＮとする。また、選択の奇数ラインＹ１、
非選択の奇数ラインＹ３〜Ｙ２ｉ−［、偶数ラインＹ４
〜Ｙ２ｉのＰ−チャンネルＭＯ８とＮ−チャンネルＭＯ
Ｓを両方ＯＦＦとし、ハイ・インピーダンスの状態にす
る。この時の走査側ドライバーの制御ロジックは表２に
示す真理値表から第３図に示すとおりである。すなわち
、非選択の偶数ラインはＤ　Ａ　Ｔ　Ａ　ｅｖｅｎがロ
ーレベルにあるため、ハイ・インピーダンス状態となり
、奇数ラインは０Ｅｏｄｄをハイレベルとすることによ
リハイ・インピーダンスの状態となる。その後、正の書
き込み駆動回路２００のスイッチＳＷ３をＯＮ、ＳＷ４
をＯＦＦとする。これによって選択されている偶数ライ
ンＹ２にのみＶ　ｗ　＋　Ｖ　ｍの電圧がかかり、他の
ラインはフローティングの状態となる。第４図にこの時
の出力波形を示す。図中−点鎖線はフローティング状態
を示し、鎖線は非発光を示す。

以上により、データ側ドライバーのＸ２の出力がＶｍで
あるとき、ＥＬ素子の両端にかかる電圧はＶ　ｗ　＋　
Ｖ　ｍと発光しきい値電圧以上となり、画素Ｂは発光す
る。また、データ側ドライバーのＸ２の出力がＶｍの時
にはＥＬ素子の両端にかかる電圧はＶｗ十Ｖｍ−Ｖｍ−
Ｖｗとなり、これは発光しきい値電圧以下なので画素Ｂ
は発光しない。

表１ 信号末尾のｏｄｄ ”　　　　　　　ｅ　　ｖ　　ｅ　　ｎ：　奇数ライン
を示す。

：　偶数ラインを示す。

表２ Ｈ；ハイレベル　　　Ｌ：ローレベル ×二ＨまたはＬ 全：全てのドライバーのＭＯＳにおいて（発明の効果） 以上のように本発明の駆動方法によれば、非選択ライン
はドライバーＩＣの制御のみで簡単に、フローティング
状態にできるので、スイッチング回路が簡単になり、回
路の簡略化を図ることができる。またドライバーＩＣが
Ｃ−ＭＯＳ構造を有するので消費電力を低減することが
できる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の一実施例を示すブロック図、第２図は
各スイッチのＯＮ状態、ＯＦＦ状態及び出力段のＯＮ、
ＯＦＦ状態を示すタイミングチャートを示す図、第３図
には、走査側ドライバーの出力段のタイミングチャート
を示す図、第４図は走査側ドライバーの出力波形と画素
にかかる印加電圧波形を示す図である。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. （１）発光層を絶縁層で挾み込んでなる二重絶縁構造を
   有するＥＬディスプレイパネルの駆動方法において、出
   力段にＣ−ＭＯＳ構造を有するドライバーを用い、Ｃ−
   ＭＯＳ構造の両チャンネルをＯＦＦとして非選択ライン
   を制御することを特徴とするＥＬディスプレイパネルの
   駆動方法。