JPH03102330A - フォーカシング機構 - Google Patents
フォーカシング機構Info
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- JPH03102330A JPH03102330A JP24117489A JP24117489A JPH03102330A JP H03102330 A JPH03102330 A JP H03102330A JP 24117489 A JP24117489 A JP 24117489A JP 24117489 A JP24117489 A JP 24117489A JP H03102330 A JPH03102330 A JP H03102330A
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- refractive index
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- 230000007246 mechanism Effects 0.000 title claims abstract description 22
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 17
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 claims abstract description 12
- 230000004075 alteration Effects 0.000 abstract description 23
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 abstract description 21
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 abstract description 13
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は、レンズによる像点の位置を変えられるフォー
カシング機構の構造に関する。
カシング機構の構造に関する。
［従来の技術］
従来、レンズを固定したままフォーカシングを行なう例
として光学ヘッドに用いられるフォーカシング機構があ
り、その１例として特開昭６３−３０４４３３にあるよ
うにレンズに対する光源の位置を移動させることによっ
て像点を移動させるものがあった． ［発明が解決しようとする課題］ しかし、従来のフォーカシング機構では、像点の移動と
ともに収差が大きくなり、良好な点像を保ったまま像点
を移動させられる範囲が小さいという問題点があった． そこで本発明はこのような問題点を解決するもので、そ
の目的とするところは、レンズを固定したまま像点を移
動させる際に、広い像点移動範囲にわたって収差の発生
を抑えることができるフォーカシング機構を提供すると
ころにある．［課題を解決するための手段］ 本発明の第１のフォーカシング機構は、発振波長が可変
である光源と、回折格子構造からなる面及び屈折率可変
材料を含むレンズと、該レンズに対する光源の位置を移
動させる手段と、前記屈折率可変材料の屈折率を制御す
る手段とから成ることを特徴とする． また、本発明の第２のフォーカシング機構は、前記光源
が、中心波長が異なり、発振波長が可変である複数の光
源から成ることを特徴とする．［作用］ 第５図を用いて本発明のフォーカシング機構の作用を説
明する。
として光学ヘッドに用いられるフォーカシング機構があ
り、その１例として特開昭６３−３０４４３３にあるよ
うにレンズに対する光源の位置を移動させることによっ
て像点を移動させるものがあった． ［発明が解決しようとする課題］ しかし、従来のフォーカシング機構では、像点の移動と
ともに収差が大きくなり、良好な点像を保ったまま像点
を移動させられる範囲が小さいという問題点があった． そこで本発明はこのような問題点を解決するもので、そ
の目的とするところは、レンズを固定したまま像点を移
動させる際に、広い像点移動範囲にわたって収差の発生
を抑えることができるフォーカシング機構を提供すると
ころにある．［課題を解決するための手段］ 本発明の第１のフォーカシング機構は、発振波長が可変
である光源と、回折格子構造からなる面及び屈折率可変
材料を含むレンズと、該レンズに対する光源の位置を移
動させる手段と、前記屈折率可変材料の屈折率を制御す
る手段とから成ることを特徴とする． また、本発明の第２のフォーカシング機構は、前記光源
が、中心波長が異なり、発振波長が可変である複数の光
源から成ることを特徴とする．［作用］ 第５図を用いて本発明のフォーカシング機構の作用を説
明する。
第５図の配置５０８において、レンズ５０２はマイクロ
フレネルレンズ５０３からなる面を含んでおり、波長が
λＩである光源５０１からの光を偉点５０４に集光する
ように設計されている．レンズ５０２としては、複数枚
からなるレンズ、非球面を持つレンズ、屈折率分布を持
つレンズ等が利用でき、回折格子構造を持つレンズとし
てはマイクロフレネルレンズに限定されるものではない
． 続いて、第５図の配置５０９に示すように光源５０１を
光軸５０５上で移動させると、近軸像点５０６はもとの
像点５０４の位置から移動するとともに収差が発生する
． この状態で、第５図の配置５１０に示すように光源５０
１の波長をλ１に変えると、回折格子構造から或るマイ
クロフレネルレンズ５０３によって収差が発生し、波長
λｉを適当な波長にすることによってその収差が、第５
図の配置５０９においで発生した収差を打ち消すことが
できる．この時、収差の打ち消された像点５０７は第５
図の配置５０９の近軸像点５０６の位置から若干移動し
ている。
フレネルレンズ５０３からなる面を含んでおり、波長が
λＩである光源５０１からの光を偉点５０４に集光する
ように設計されている．レンズ５０２としては、複数枚
からなるレンズ、非球面を持つレンズ、屈折率分布を持
つレンズ等が利用でき、回折格子構造を持つレンズとし
てはマイクロフレネルレンズに限定されるものではない
． 続いて、第５図の配置５０９に示すように光源５０１を
光軸５０５上で移動させると、近軸像点５０６はもとの
像点５０４の位置から移動するとともに収差が発生する
． この状態で、第５図の配置５１０に示すように光源５０
１の波長をλ１に変えると、回折格子構造から或るマイ
クロフレネルレンズ５０３によって収差が発生し、波長
λｉを適当な波長にすることによってその収差が、第５
図の配置５０９においで発生した収差を打ち消すことが
できる．この時、収差の打ち消された像点５０７は第５
図の配置５０９の近軸像点５０６の位置から若干移動し
ている。
しかし、詳しく収差を見ると完全に収差が打ち消されて
いるわけではなく、光軸から離れてレンズ５０２を通過
する光はわずかに収差を持っている．この収差は光軸か
らの距離すなわちレンズのどの部分を通るかによって異
なる。従って、レンズを構成する材料の屈折率をレンズ
の半径方向にわたって変化させれば、収差を更に細かく
制御することが可能になる． 第５１！Ｉで説明したフォーカシング機構において、収
差の発生を広い像点移動範囲で実現するには、光源の波
長可変範囲を広げる必要がある．波長を変えられる光源
として半導体レーザがあるが、単一の半導体レーザでは
波長可変範囲が限られており、広い範囲にわたって波長
を変えるには、中心波長の異なる複数の半導体レーザを
用意し、必要な波長をＲ［できる半導体レーザを選択し
てその必要な波長に発振波長を制御する手段が有効であ
る． 以下、実施例により本発明の詳細を示す。
いるわけではなく、光軸から離れてレンズ５０２を通過
する光はわずかに収差を持っている．この収差は光軸か
らの距離すなわちレンズのどの部分を通るかによって異
なる。従って、レンズを構成する材料の屈折率をレンズ
の半径方向にわたって変化させれば、収差を更に細かく
制御することが可能になる． 第５１！Ｉで説明したフォーカシング機構において、収
差の発生を広い像点移動範囲で実現するには、光源の波
長可変範囲を広げる必要がある．波長を変えられる光源
として半導体レーザがあるが、単一の半導体レーザでは
波長可変範囲が限られており、広い範囲にわたって波長
を変えるには、中心波長の異なる複数の半導体レーザを
用意し、必要な波長をＲ［できる半導体レーザを選択し
てその必要な波長に発振波長を制御する手段が有効であ
る． 以下、実施例により本発明の詳細を示す。
［実施例］
実施例１
第１図は本発明のフォーカシング機構の第１の実施例を
示す主要断面図である． 発振波長が可変である波長可変半導体レーザ１０１から
の放射光は、設計波長においてレンズ１０２によって像
点１０９に結像される。
示す主要断面図である． 発振波長が可変である波長可変半導体レーザ１０１から
の放射光は、設計波長においてレンズ１０２によって像
点１０９に結像される。
レンズ１０２は、ガラス基板１０４上に形成されたマイ
クロフレネルレンズ１０３、ガラス基板１０４の、マイ
クロフレネルレンズとは反対側の面に形成された分割電
極１０５、レンズ１０８、レンズ１０８の一方の面に形
成された共通電極１０７、分割電極１０５と共通電極１
０７に扶持された屈折率可変材料１０６とから構成され
る。
クロフレネルレンズ１０３、ガラス基板１０４の、マイ
クロフレネルレンズとは反対側の面に形成された分割電
極１０５、レンズ１０８、レンズ１０８の一方の面に形
成された共通電極１０７、分割電極１０５と共通電極１
０７に扶持された屈折率可変材料１０６とから構成され
る。
光源である波長可変半導体レーザ１０１はアクチュエー
タ１１２によって光軸１１０方向に移動可能である． 波長可変半導体レーザ１０１としては波長制御領域を発
光領域とモノリシックに集積化した構造のもの、半導体
レーザチップの外部に配置された回折格子あるいはミラ
ーを制御する構造のもの、注入電流あるいは温度を制御
するものなどを用いることができる．また、光源は半導
体レーザに限定されるものではなく、発振波長が可変で
ある光源であれば良い． アクチュエータ１１２としては電磁式のもの、あるいは
圧電アクチュエータなどを用いることができる． 第２図は、第１図のレンズ１０２における分割電極１０
５のパターンを光軸に垂直な面で見たものである．共通
電極１０７は接地されており、分割電極１０５の各電極
１ ０ ５ ａ， １ ０ ５ ｂ， １ ０５ｃ
，１０５ｄ，１０５ｅには電圧１１１ａ，１１ｌｂ、１
１１Ｃ、１１１ｄ、１１１ｅが独立に印加される．分割
電極１０５の分割数は５つに限定されるものではなく、
収差補正に要求される分割数になる。
タ１１２によって光軸１１０方向に移動可能である． 波長可変半導体レーザ１０１としては波長制御領域を発
光領域とモノリシックに集積化した構造のもの、半導体
レーザチップの外部に配置された回折格子あるいはミラ
ーを制御する構造のもの、注入電流あるいは温度を制御
するものなどを用いることができる．また、光源は半導
体レーザに限定されるものではなく、発振波長が可変で
ある光源であれば良い． アクチュエータ１１２としては電磁式のもの、あるいは
圧電アクチュエータなどを用いることができる． 第２図は、第１図のレンズ１０２における分割電極１０
５のパターンを光軸に垂直な面で見たものである．共通
電極１０７は接地されており、分割電極１０５の各電極
１ ０ ５ ａ， １ ０ ５ ｂ， １ ０５ｃ
，１０５ｄ，１０５ｅには電圧１１１ａ，１１ｌｂ、１
１１Ｃ、１１１ｄ、１１１ｅが独立に印加される．分割
電極１０５の分割数は５つに限定されるものではなく、
収差補正に要求される分割数になる。
続いて、フォーカシングの手続きを述べる．作用の項で
説明したように、光源である波長可変半導体レーザ１０
１の位置をアクチュエータ１１２で光軸方向に移動させ
るとともに、発振波長を変えて収差を補正しながら像点
１０９を移動させる。さらにレンズ１０２の分割電極１
０５の各電極に印加する電圧１１１を制御して屈折率可
変材料１０６の屈折率をレンズ１０２の半径方向で変化
させ、細かい収差補正を行なう． レンズ１０２において、マイクロフレネルレンズ１０３
、分割電極１０５、屈折率可変材料１０６、共通電極１
０７、レンズ１０８は必ずしも第１図に示す順序で配置
される必要はなく、また、レンズ１０８を基板として、
共通電極１０７あるいは分割電極１０５、屈折率可変材
料１０６、マイクロフレネルレンズ１０３などを順次積
層してレンズ１０２を形或しても良い．また、屈折率可
変材料及び電極を多層化しても良い。
説明したように、光源である波長可変半導体レーザ１０
１の位置をアクチュエータ１１２で光軸方向に移動させ
るとともに、発振波長を変えて収差を補正しながら像点
１０９を移動させる。さらにレンズ１０２の分割電極１
０５の各電極に印加する電圧１１１を制御して屈折率可
変材料１０６の屈折率をレンズ１０２の半径方向で変化
させ、細かい収差補正を行なう． レンズ１０２において、マイクロフレネルレンズ１０３
、分割電極１０５、屈折率可変材料１０６、共通電極１
０７、レンズ１０８は必ずしも第１図に示す順序で配置
される必要はなく、また、レンズ１０８を基板として、
共通電極１０７あるいは分割電極１０５、屈折率可変材
料１０６、マイクロフレネルレンズ１０３などを順次積
層してレンズ１０２を形或しても良い．また、屈折率可
変材料及び電極を多層化しても良い。
また、マイクロフレネルレンズ１０３を含むレンズ１０
２として、設計時に像点１０９に無収差で結像させるの
ではなく、許容できる適当な収差を発生させるように設
計することも、像点移動にともなう収差の発生を抑えて
、フォーカシング範囲を広げるのに有効である。
２として、設計時に像点１０９に無収差で結像させるの
ではなく、許容できる適当な収差を発生させるように設
計することも、像点移動にともなう収差の発生を抑えて
、フォーカシング範囲を広げるのに有効である。
なお、屈折率可変材料の屈折率の制御は電界に限らず、
光、磁界、熱などによって行なっても良い． 実施例２ 第３図は本発明のフォーカシング機構の第２の実施例を
示す主要断面図である。実施例１を示す第１図と同じ要
素には同一の番号が付けてある。
光、磁界、熱などによって行なっても良い． 実施例２ 第３図は本発明のフォーカシング機構の第２の実施例を
示す主要断面図である。実施例１を示す第１図と同じ要
素には同一の番号が付けてある。
波長可変半導体レーザ１０１からでた光はコリメータレ
ンズ３０１で平行光にされ、レンズ３０２で一旦像点３
０４を形成した後レンズ１０２に入射し、像点１０９に
結像される． フォーカシングは、レンズ１０２に対する点光源である
像点３０４の位置を、レンズ３０２をアクチュエータ３
０３で光軸方向に移動させることによって移動させると
ともに、波長可変半導体レーザ１０１の発振波長を変え
、また、レンズ１０２の分割電極１０５に印加する゛電
圧１１１を制御することによって行なう， 実施例３ 第４図は本発明のフォーカシング機構の第３の実施例を
示す主要断面図である。
ンズ３０１で平行光にされ、レンズ３０２で一旦像点３
０４を形成した後レンズ１０２に入射し、像点１０９に
結像される． フォーカシングは、レンズ１０２に対する点光源である
像点３０４の位置を、レンズ３０２をアクチュエータ３
０３で光軸方向に移動させることによって移動させると
ともに、波長可変半導体レーザ１０１の発振波長を変え
、また、レンズ１０２の分割電極１０５に印加する゛電
圧１１１を制御することによって行なう， 実施例３ 第４図は本発明のフォーカシング機構の第３の実施例を
示す主要断面図である。
中心波長が異なる波長可変半導体レーザ１０１ａ、１０
ｌｂ、１０１ｃから出た光はプリズム４０１を経てコリ
メータレンズ４０２で平行光にされ、レンズ３０２で一
旦像点３０４を形成した後レンズ１０２に入射し、像点
１０９に結像される。
ｌｂ、１０１ｃから出た光はプリズム４０１を経てコリ
メータレンズ４０２で平行光にされ、レンズ３０２で一
旦像点３０４を形成した後レンズ１０２に入射し、像点
１０９に結像される。
フォーカシングは、レンズ１０２に対する点光源である
像点３０４の位置を、レンズ３０２をアクチュエータ３
０３で光軸方向に移動させることによって移動させると
ともに、光源の発振波長を変え、また、レンズ１０２の
分割電極１０５に印加する電圧１１１を制御することに
よって行なう。
像点３０４の位置を、レンズ３０２をアクチュエータ３
０３で光軸方向に移動させることによって移動させると
ともに、光源の発振波長を変え、また、レンズ１０２の
分割電極１０５に印加する電圧１１１を制御することに
よって行なう。
光源の波長は、必要な波長を発振できる半導体レーザを
１０１ａ、１０ｌｂ，１０１ｃの中から電気的に選択し
、その半導体レーザにおいて発振波長を変化させること
によって変化させる。半導体レーザ１０１ａ，１０ｌｂ
．１０１ｃとして中心波長が８１０ｎｍ、８３０ｎｍ，
８４０ｎｍのものを用いれば、それぞれを切り換えて使
うことにより８００ｎｍから８５０ｎｍまで約５０ｎｍ
の範囲にわたって光源の波長を変えることができる．こ
れに対して、８３０ｎｍの半導体レーザ単独では約２０
ｎｍの範囲でしか波長を変化させられない． 複数の半導体レーザを用いることによって、広い波長範
囲にわたって波長を変えることができるので収差補正の
範囲が広がり、従って良好な点像を保ったまま像点を移
動させられる範囲、すなわちフォーカシング範囲を広く
することができる。
１０１ａ、１０ｌｂ，１０１ｃの中から電気的に選択し
、その半導体レーザにおいて発振波長を変化させること
によって変化させる。半導体レーザ１０１ａ，１０ｌｂ
．１０１ｃとして中心波長が８１０ｎｍ、８３０ｎｍ，
８４０ｎｍのものを用いれば、それぞれを切り換えて使
うことにより８００ｎｍから８５０ｎｍまで約５０ｎｍ
の範囲にわたって光源の波長を変えることができる．こ
れに対して、８３０ｎｍの半導体レーザ単独では約２０
ｎｍの範囲でしか波長を変化させられない． 複数の半導体レーザを用いることによって、広い波長範
囲にわたって波長を変えることができるので収差補正の
範囲が広がり、従って良好な点像を保ったまま像点を移
動させられる範囲、すなわちフォーカシング範囲を広く
することができる。
以上実施例を述べたが、本発明は、像点を移動させる必
要があるシステムに広く適用できる。例えば、レーザビ
ームを用いて画像を形成するプリンタ、複写機、ファク
シミリ装置、ディスプレイ装置、あるいはレーザ光を用
いて情報をセンシングする光学ヘッド、顕微鏡、表面形
状測定器などに応用が可能である． ［発明の効果］ 以上述べたように本発明のフォーカシング機構によれば
、回折格子構造及び屈折率可変材料を含むレンズと、こ
のレンズに対する光源位置の移動及び光源の波長変化と
、さらにはレンズの半径方向に屈折率を変える機構とを
組み合わせて像点移動にともなって発生する収差を補正
することによって、レンズを機械的に動かすことなしに
、良好な像点を保ったまま広い範囲にわたって像点を移
動させることができるという効果を有する．
要があるシステムに広く適用できる。例えば、レーザビ
ームを用いて画像を形成するプリンタ、複写機、ファク
シミリ装置、ディスプレイ装置、あるいはレーザ光を用
いて情報をセンシングする光学ヘッド、顕微鏡、表面形
状測定器などに応用が可能である． ［発明の効果］ 以上述べたように本発明のフォーカシング機構によれば
、回折格子構造及び屈折率可変材料を含むレンズと、こ
のレンズに対する光源位置の移動及び光源の波長変化と
、さらにはレンズの半径方向に屈折率を変える機構とを
組み合わせて像点移動にともなって発生する収差を補正
することによって、レンズを機械的に動かすことなしに
、良好な像点を保ったまま広い範囲にわたって像点を移
動させることができるという効果を有する．
第１図は本発明のフォーカシング機構の第１の実施例を
示す主要断面図． 第２図は本発明のフォーカシング機構の第１の実施例に
おける分割電極を示す平面図。 第３図は本発明のフォーカシング機構の第２の実施例を
示す主要断面図． 第４図は本発明のフォーカシング機構の第３の実施例を
示す主要断面図。 第５図は本発明のフォーカシング機構の作用を説明する
ための主要断面図。 １ ０ １ １ ０ １ ａ， １ ０ ２ ・・・ １ ０ ３ ・・・ １ ０ ４ ・・・ １ ０ ５ ・・・ １ ０ ５ ａ， １０５ｅ １ ０ ６ ・・・ 波長可変半導体レーザ １０ｌｂ，１０１ｃ 波長可変半導体レーザ レンズ マイクロフレネルレンズ ガラス基板 分割電極 １０５ｂ，１０５ｃ，１０５ｄ， ・・・電極 屈折率可変材料 Ｏ ７ ・・・ ０ ８ ・・・ ０ ９ ・・・ １ ０ ・・・ １ １ ・・・ １ １ ａ， ｌｉｅ １ ２ ・・・ ０ １ ・・・ ０ ２ ・・・ ０ ３ ・・・ ０ ４ ・・・ ０ １ ・・・ ０ ２ ・・・ ０ １ ・・・ ０ ２ ・・・ ０ ３ ・・・ ０ ４ ・・・ ０ ５ ・・・ ０ ６ ・・・ 共通電極 レンズ 像点 光軸 印加電圧 １１ｌｂ，ｌｌｌｃ，１１ ・・・印加電圧 アクチュエータ コリメータレンズ レンズ アクチュエータ 像点 プリズム コリメータレンズ 光源 レンズ マイクロフレネルレンズ 像点 光軸 近軸像点 １ ｄ１ ５ ０ ７ ・・・ 像点 ５０ ８、 ５ ０ ９、 ５ １ Ｏ 配置 以 上
示す主要断面図． 第２図は本発明のフォーカシング機構の第１の実施例に
おける分割電極を示す平面図。 第３図は本発明のフォーカシング機構の第２の実施例を
示す主要断面図． 第４図は本発明のフォーカシング機構の第３の実施例を
示す主要断面図。 第５図は本発明のフォーカシング機構の作用を説明する
ための主要断面図。 １ ０ １ １ ０ １ ａ， １ ０ ２ ・・・ １ ０ ３ ・・・ １ ０ ４ ・・・ １ ０ ５ ・・・ １ ０ ５ ａ， １０５ｅ １ ０ ６ ・・・ 波長可変半導体レーザ １０ｌｂ，１０１ｃ 波長可変半導体レーザ レンズ マイクロフレネルレンズ ガラス基板 分割電極 １０５ｂ，１０５ｃ，１０５ｄ， ・・・電極 屈折率可変材料 Ｏ ７ ・・・ ０ ８ ・・・ ０ ９ ・・・ １ ０ ・・・ １ １ ・・・ １ １ ａ， ｌｉｅ １ ２ ・・・ ０ １ ・・・ ０ ２ ・・・ ０ ３ ・・・ ０ ４ ・・・ ０ １ ・・・ ０ ２ ・・・ ０ １ ・・・ ０ ２ ・・・ ０ ３ ・・・ ０ ４ ・・・ ０ ５ ・・・ ０ ６ ・・・ 共通電極 レンズ 像点 光軸 印加電圧 １１ｌｂ，ｌｌｌｃ，１１ ・・・印加電圧 アクチュエータ コリメータレンズ レンズ アクチュエータ 像点 プリズム コリメータレンズ 光源 レンズ マイクロフレネルレンズ 像点 光軸 近軸像点 １ ｄ１ ５ ０ ７ ・・・ 像点 ５０ ８、 ５ ０ ９、 ５ １ Ｏ 配置 以 上
Claims (2)
- （１）発振波長が可変である光源と、回折格子構造から
なる面及び屈折率可変材料を含むレンズと、該レンズに
対する光源の位置を移動させる手段と、前記屈折率可変
材料の屈折率を制御する手段とから成ることを特徴とす
るフォーカシング機構。 - （２）光源が、中心波長が異なり、発振波長が可変であ
る複数の光源から成ることを特徴とする請求項１記載の
フォーカシング機構。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24117489A JPH03102330A (ja) | 1989-09-18 | 1989-09-18 | フォーカシング機構 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24117489A JPH03102330A (ja) | 1989-09-18 | 1989-09-18 | フォーカシング機構 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03102330A true JPH03102330A (ja) | 1991-04-26 |
Family
ID=17070344
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24117489A Pending JPH03102330A (ja) | 1989-09-18 | 1989-09-18 | フォーカシング機構 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03102330A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2005093733A1 (en) * | 2004-03-22 | 2005-10-06 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Multi layer variable refractive index unit |
-
1989
- 1989-09-18 JP JP24117489A patent/JPH03102330A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2005093733A1 (en) * | 2004-03-22 | 2005-10-06 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Multi layer variable refractive index unit |
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