JPH0310226B2 - - Google Patents
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Description
【発明の詳細な説明】
この発明は、フオトエツチング技術を用いてア
ルミナ膜を選択加工するアルミナ膜の加工方法に
関するものである。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION The present invention relates to an alumina film processing method for selectively processing an alumina film using photoetching technology.
半導体などの固体素子や、その集積回路の構成
要素として絶縁膜が重要な役割を果している。し
たがつて、この絶縁膜を容易に、かつ確実、正確
に整形加工する技術は極めて重要である。シリコ
ンを用いた半導体素子の製作においては、絶縁膜
として酸化シリコン、窒化シリコンが通常よく用
いられていて、その選択加工法も発達している。 Insulating films play an important role as components of solid-state devices such as semiconductors and their integrated circuits. Therefore, a technique for easily, reliably, and accurately shaping this insulating film is extremely important. In the production of semiconductor devices using silicon, silicon oxide and silicon nitride are commonly used as insulating films, and selective processing methods have also been developed.
近年、化合物半導体素子が登場してくるにした
がつて、素子製作温度の低下の必要性もあつて、
各種の絶縁膜やその堆積法が試みられている。ア
ルミナ（酸化アルミニウム）膜もその一つである
が、比較的低温で良質の膜が堆積できるため注目
を集めている。固体素子の構成要素としての絶縁
膜に要求されることとしては、
機械的、化学的、電気的に安定であること
相手の物質との密着性が良いこと
均一な膜であること
加工性が良いこと
などがあげられる。 In recent years, as compound semiconductor devices have appeared, there is also a need to lower the device manufacturing temperature.
Various insulating films and their deposition methods have been tried. Alumina (aluminum oxide) film is one such film, and it is attracting attention because it can be deposited with high quality at a relatively low temperature. The requirements for an insulating film as a component of a solid-state device are: it must be mechanically, chemically, and electrically stable; it must have good adhesion to the other material; it must be a uniform film; it must be easy to process. There are many things that can be mentioned.
通常、これらの性質は絶縁膜の堆積条件によつ
て大きく左右されるため、確実に膜を形成し、加
工するための条件、例えばエツチング時間の設定
には困難があつた。 Normally, these properties are greatly influenced by the deposition conditions of the insulating film, so it has been difficult to set conditions such as etching time to reliably form and process the film.
この発明は、これらの欠点を克服し、良質のア
ルミナ膜を提供することを目的としてなされたも
のである。以下、この発明のアルミナ膜の加工方
法について説明する。 This invention was made with the aim of overcoming these drawbacks and providing a high quality alumina film. The method of processing an alumina film according to the present invention will be explained below.
この発明の基本は、第１図に示したような、チ
タン層２に接している部分のアルミナ膜１が、良
好な密着性と機械的、化学的、電気的にすぐれた
性質をもつていることを利用することにある。こ
のようなアルミナ膜１の性質を利用することによ
り、当該アルミナ膜１の選択加工を容易にするこ
とができる。 The basis of this invention is that the alumina film 1 in the part that is in contact with the titanium layer 2 has good adhesion and excellent mechanical, chemical, and electrical properties as shown in FIG. It's about taking advantage of things. By utilizing such properties of the alumina film 1, selective processing of the alumina film 1 can be facilitated.
次に、この発明による加工方法の実施例につい
て説明する。 Next, an example of the processing method according to the present invention will be described.
第２図ａ，ｂは、半導体か、またはチタン以外
の金属からなる基板４上にチタン層２を所要のパ
ターニングを施し整形し、その上に加工するアル
ミナ膜１をスパツタリング等で形成し、マスク３
を用いてエツチングする場合のエツチング前、後
の断面図である。 2a and b show that a titanium layer 2 is patterned and shaped as required on a substrate 4 made of a semiconductor or a metal other than titanium, and an alumina film 1 to be processed is formed thereon by sputtering or the like, and then a mask is formed. 3
FIG. 4 is a cross-sectional view before and after etching when etching is performed using etching.
通常、アルミナ膜はりん酸によりエツチングを
行う。この発明では、具体的には一例として、り
ん酸を30％以上含む溶液を50℃以上100℃以下の
温度で使用する。チタン層２に接した部分のアル
ミナ膜１はりん酸に対して耐性を持つている。し
たがつて、第２図ａに示したように、エツチング
する部分以外をチタン層２に接した構成にしてお
くと、第２図ｂに示したように、チタン層２に接
していない部分のみがエツチングされる。エツチ
ング時間が適切に制御できる場合には、チタン層
２の部分は必ずしも必要ではなく、フオトレジス
ト３のパターンに従つて整形加工は理論上可能で
ある。しかし、通常エツチング時間は適切な時間
よりも長くなるが、チタン層２に接したアルミナ
膜１が化学的に耐性を持つているため、必要以上
の十分長いエツチング時間に対しても整形パター
ンのくずれが生じない。すなわち、確実に正確に
選択エツチングがなされることが大きな特長であ
る。なお、チタン層２の厚みはアルミナ膜１との
密着性に直接関係がないので適宜のものを用いう
る。パターン幅等はアルミナ膜１のパターンと同
様となる。また、エツチング時間は上述のとお
り、適切な時間より長くとつてもチタン層２があ
るため差支えは生じない。 Usually, alumina membranes are etched using phosphoric acid. In this invention, specifically, as an example, a solution containing 30% or more of phosphoric acid is used at a temperature of 50° C. or higher and 100° C. or lower. The portion of the alumina film 1 in contact with the titanium layer 2 has resistance to phosphoric acid. Therefore, if the part other than the part to be etched is in contact with the titanium layer 2 as shown in FIG. is etched. If the etching time can be properly controlled, the titanium layer 2 is not necessarily necessary, and shaping according to the pattern of the photoresist 3 is theoretically possible. However, although the etching time is usually longer than the appropriate time, the alumina film 1 in contact with the titanium layer 2 is chemically resistant, so even if the etching time is sufficiently longer than necessary, the shaped pattern will not collapse. does not occur. That is, a major feature is that selective etching can be performed reliably and accurately. Incidentally, since the thickness of the titanium layer 2 has no direct relation to the adhesion with the alumina film 1, an appropriate thickness can be used. The pattern width etc. are the same as the pattern of the alumina film 1. Further, as described above, even if the etching time is longer than the appropriate time, there will be no problem because the titanium layer 2 is present.
第３図ａ，ｂは整形されたチタン層２がアルミ
ナ膜１中に埋め込まれた構造でエツチングを行つ
た場合のエツチング前、後の断面図で、第２図
ａ，ｂに示したチタン層２の上にアルミナ膜１を
形成した場合と同様の結果が得られる。 FIGS. 3a and 3b are cross-sectional views before and after etching in a structure in which the shaped titanium layer 2 is embedded in the alumina film 1, and the titanium layer shown in FIGS. Similar results can be obtained when the alumina film 1 is formed on the alumina film 2.
第４図ａ，ｂはアルミナ膜１上に整形したチタ
ン層２を形成した場合のエツチングの前、後の断
面図である。アルミナ膜１を堆積させた後、必要
なパターンを施したチタン層２を形成する場合に
も、チタン層２に接していない部分のアルミナ膜
１のみが確実、正確にエツチングされる。 FIGS. 4a and 4b are cross-sectional views before and after etching when a shaped titanium layer 2 is formed on an alumina film 1. FIGS. Even when forming the titanium layer 2 with a necessary pattern after depositing the alumina film 1, only the portions of the alumina film 1 that are not in contact with the titanium layer 2 are reliably and accurately etched.
なお、第４図の実施例においては、フオトレジ
スト３がなくても所要形状にパターニングされ
た、つまり整形されたチタン層２があるため、ア
ルミナ膜１の選択エツチングが可能である。 In the embodiment shown in FIG. 4, selective etching of the alumina film 1 is possible even without the photoresist 3 because the titanium layer 2 is patterned into a desired shape, ie, shaped.
以上説明したように、この発明のアルミナ膜の
加工方法は、所要形状にパターニングされたチタ
ン層をエツチングするアルミナ膜に接して設けた
後、アルミナ膜にエツチングを施すようにしたの
で、整形パターンのくずれを起こさず信頼度の高
い選択エツチングを行うことができ、良質のアル
ミナ膜を提供できるものであり、電子産業に与え
る影響は極めて大きい。 As explained above, in the alumina film processing method of the present invention, a titanium layer patterned into a desired shape is provided in contact with the alumina film to be etched, and then the alumina film is etched. It is possible to perform selective etching with high reliability without causing deformation, and it is possible to provide a high-quality alumina film, which has an extremely large impact on the electronic industry.
第１図はこの発明のアルミナ膜とチタン層との
間の基本的な構成図、第２図、第３図、第４図は
この発明によるアルミナ膜の選択加工法の具体的
な実施例をそれぞれ説明するための断面図であ
る。
図中、１はアルミナ膜、２はチタン層、３はフ
オトレジスト、４は半導体か、またはチタン以外
の金属よりなる基板である。
Fig. 1 is a basic configuration diagram between an alumina film and a titanium layer according to the present invention, and Figs. 2, 3, and 4 show specific examples of the selective processing method for an alumina film according to the present invention. FIG. 3 is a cross-sectional view for explaining each. In the figure, 1 is an alumina film, 2 is a titanium layer, 3 is a photoresist, and 4 is a substrate made of a semiconductor or a metal other than titanium.
Claims (1)
択エツチングにおいて、エツチングする前記アル
ミナ膜に所要のパターニングを施し整形したチタ
ン層を接して設けた後、前記アルミナ膜を選択エ
ツチングすることを特徴とするアルミナ膜の加工
方法。 ２ 特許請求の範囲第１項に記載のアルミナ膜の
加工方法において、チタン層を最初に整形し、こ
のチタン層の上に選択加工するアルミナ膜を形成
することを特徴とするアルミナ膜の加工方法。 ３ 特許請求の範囲第１項に記載のアルミナ膜の
加工方法において、整形したチタン層を選択加工
するアルミナ膜中に埋込むことを特徴とするアル
ミナ膜の加工方法。 ４ 特許請求の範囲第１項に記載のアルミナ膜の
加工方法において、選択加工するアルミナ膜を最
初に形成し、その後、このアルミナ膜上に整形し
たチタン層を形成することを特徴とするアルミナ
膜の加工方法。[Claims] 1. In selective etching in which a part of the alumina film is removed by etching, a titanium layer that has been patterned and shaped as required is provided in contact with the alumina film to be etched, and then the alumina film is selectively etched. A method for processing an alumina film characterized by the following. 2. A method for processing an alumina film according to claim 1, characterized in that a titanium layer is first shaped, and an alumina film to be selectively processed is formed on the titanium layer. . 3. A method for processing an alumina film according to claim 1, characterized in that the shaped titanium layer is embedded in the alumina film to be selectively processed. 4. An alumina film processing method according to claim 1, characterized in that an alumina film to be selectively processed is first formed, and then a shaped titanium layer is formed on this alumina film. processing method.
Priority Applications (1)
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| JP57219880A JPS59109900A (en) | 1982-12-15 | 1982-12-15 | Method of forming alumina film and method of processing it |
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| JP29358389A Division JPH02177346A (en) | 1989-11-10 | 1989-11-10 | Alumina insulation film |
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| JPS59109900A JPS59109900A (en) | 1984-06-25 |
| JPH0310226B2 true JPH0310226B2 (en) | 1991-02-13 |
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| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59109900A (en) |
-
1982
- 1982-12-15 JP JP57219880A patent/JPS59109900A/en active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS59109900A (en) | 1984-06-25 |
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