JPH0293477A - 印加電圧制御型画像形成方法、及びその装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は簡便な処理工程で済み、しかも、高感度、高解
像度を得ることが可能な印加型圧制ｆｆｆｌ型画像形成
方法、および簡便な処理工程で済み、しかも高解像度を
得ることが可能な、被写体を高感度で静電的に撮影する
印加電圧制御型画像形成装置に関する。

〔従来の技術〕

従来、高感度撮影技術として銀塩写真法が知られている
。この写真法においては、撮影像は現像工程を経てフィ
ルム等に記録され、画像を再現する場合には銀塩乳剤（
印画紙等）を用いるか、または現像フィルムを光学走査
して陰極線管（以下ＣＲＴ）に再現させる等により行わ
れている。

また、光導電層に電極を蒸着し、暗所で光導電層上にコ
ロナ帯電により全面帯電させ、次いで強い光で露光して
光の当たった部位の光導電層を導電性にし、その部位の
電荷をリークさせて除去することにより静電＆’；ｉ　
’Ｍ像を光導電層の面上に光学的に形成させ、その残留
静電荷と逆極性の電荷（または同極性の電荷）を有する
トナーを付着させて現像する電子写真技術があるが、こ
れは主として複写用に用いられており、−ｆＱに低感度
のため撮影用としては使用できず、静電荷の保持時間が
短いために静電潜像形成後、直らにトナー現像するのが
昔通である。

また、ＴＶ撮影技術は撮像管で撮影し、光半導体を利用
して得た画像情報を電気信号として取り出し、そのまま
ＣＲＴに出力させるか、磁気記録等を用いてビデオ記録
し、任意の時にＣＲＴ上に像出力させる等の方法がある
。

〔発明が解決すべき課題〕

銀塩写真法は被写体像を保存する手段として優れ、てい
るが、銀塩保合形成さ−ピるために現像工程を必要とし
、像再現においてはハードコピー、ソフトコピー（ＣＲ
Ｔ出力）等に至る複雑な光学的、電気的、または化学的
処理が必要である。

電子写真技術は、得られた静電潜像の顕像化は銀塩写真
法よりも簡単、迅速であるが潜像保存は極めて短く、現
像剤の解離性、画質等は銀塩に劣る。

ＴＶ撮影技術は撮像管で得られた電気的像信号を取り出
し、また記録するためには線順次走査が必要となる。線
順次走査は撮像管内では電子ビムで、ビデオ記録では磁
気ヘッドで行うが、解像性は走査線数に依存するため、
銀塩写真のような面状アナログ記録に比して著しく劣化
する。

また、近年発達しつつある固体撮像素子（ＣＯＤ等）を
利用した１’Ｖ撮像系も解像性に関しζは本質的に同様
である。

これらの技術の内蔵する問題点は画像記録が高品質、高
解像であれば処理工程が複雑であり、工程が簡便であれ
ば記憶機能の欠如、あるいは画質の基本的劣化等があっ
た。

本発明者は、先にレンズを介して入射する光学像を撮影
するカメラにおいて、前面に電極が設けられた光導電層
からなる感光体と、ｙε光体に対向し、後面に電極が設
けられた絶縁層からなる電荷保持媒体とを光軸上に配置
すると共に、両電極間への電圧印加をオン、オフするた
めのスイッチを設け、スイッチをオン、オフすることに
より入射光学像に応した静電潜像を電荷保持媒体上に形
成することを特徴とする高解像度静電カメラを出願した
が、光導電層は高抵抗体を使用するために感光体と電荷
保持媒体電極間に電圧を印加によるスイッチを短時間で
オンオフした場合、光導電層での時定数により回路を流
れる電流が制限を受け、結果的にその時間内で光電流が
流れず、電荷保持媒体上に静電潜像が形成されず、高速
シャッター化に関しては一定の課題を有してる。

本発明は上記問題点を解決するためのもので、高速シャ
ッター化が可能で、高品質、高解像であると共に、処理
工程が簡便であり、また長時間の記録が可能で、記憶し
た文字、線画、画像、コード、（１，０）情報は目的に
応じた画質で任意に反復再生することができる印加電圧
制御型画像形成方法、および印加電圧制御型画像形成装
置の提供を課題とする。

〔課題を解決するための手段］ 本発明の印加電圧制御型画像形成方法は、前面に電極が
設けられた光導電層からなる感光体と、感光体に対向し
、後面に電極が設けられた絶縁層からなる電４：：ｊ保
持媒体とを光軸上に配置し、両電極間への電圧印加スイ
ツチをオン、オフすることにより入射光学像に応じた静
電潜像を電荷保持媒体上に形成する印加電圧制御型画像
形成方法において、上記光導電層をその感光体電極と同
極性の電荷をキャリアーとして発生する低抵抗光導電材
料により形成することを特徴とするものである。

更に具体的には上記感光体の抵抗値として、光４電層上
にオーミンク電牟蛋を設け、感光体電極の株性を光導電
層の光キャリアー極性に合わせ、オーミック電極との間
に直流電圧を印加した時に測定される電流値から求めた
抵抗率が１０７〜１０１４Ωｃｍであるような感光体で
あることを特徴とするものである。

また本発明の印加電圧制御型画像形成装置は、前面に電
極が設けられた光導電層からなる感光体と、感光体に対
向し、後面に電極が設けられた絶縁層からなる電荷保持
媒体とを光軸上に配置すると共に、両電極間への電圧印
加をオン、オフするためのスイツチを設け、スイッチを
オン、オフすることにより入射光学像に応した静電潜像
を電荷保持媒体上に形成するに際して、上記光導電層が
その感光体電極と同極性の電荷をキャリアーとして発生
ずる低抵抗光導電材料により形成されていることを特徴
とするものである。

上記印加電圧制御型画像形成方法においては、感光体と
電荷保持媒体とは接触、または非接触であることができ
、また感光体の前面にはカラーフィルターを配置しても
よく、さらには電荷保持媒体は、角板状、円盤状または
フィルム状であり、また入射光学像を入射する側の電極
を用いる基板は、可視域を透過する基板であることを特
徴とするものである。

また印加電圧制御型画像形成装置としては、レンズを介
して入射する光学像を撮影する静電カメラであることを
一つの特徴とするものである。

第１図は本発明の印加電圧制御型画像形成方法を説明す
るための図で、図中、１は感光体、３は電荷保持媒体、
５は光導電層支持体、７は感光体主桟、９は低抵抗光導
電層、１１は絶縁層、１３は電荷保持媒体電極、１５は
絶縁層支持体、１７は電源である。

第１図においては、感光体１側から露光を行う態様であ
り、まずｌ胴厚のガラスからなる光導電層支持体５上に
１０００人厚のＩｒＯからなる透明な感光体重＋う１７
を形成し、この上に１０μｍ程度の低抵抗光導電層９を
形成して感光体１を構成している。この感光体ｌに対し
て、１０ｊ１ｍ程度の空隙を介して電荷保持媒体３が配
置される。電荷保持媒体３は１ｍｍＦＪのガラスからな
る絶縁層支持体１５上に１０００人厚のＩｒｆｉ電極１
３を仄着により形成し、この主権１３上にＩＯμｍ厚の
絶縁層１１を形成したものである。

まず同図（ａ）に示すように感光体１に対し°ζ、１０
μｍ程Ｉｆの空隙を介して電荷保持媒体３をセットし、
同図（ｂ）、（ｃ）に示すように光学像を感光体１に光
導電層支持体５側から入射した状態で光＃ｉ１７オン・
オフスイッチにより、電極７．１３間に電圧を短時間オ
ン・オフする。

露光部では光導電層の時定数が小さいので、短時間内の
電圧印加時間内においても光電流が流れ、空隙で空気放
電を起こさせ、結果的に絶縁層１１に光量に応した電荷
が蓄積される。

一方未露光部は、電圧印加時間内では電極間に何の変化
も起こらず、絶縁層１１には電荷が蓄積さγ１．ない。

また条件によって暗電流が流れ、結果（きに絶縁層１１
に一定のカブリ電流が生しることもありうるが、この場
合も露光部ではそれ以上の電荷が蓄積され、静電潜像の
形成が可能である。

電圧をオン・オフした後は、感光体ｌに光照射しても光
電流及び暗電流は流れないので、電極間には何の変化も
生じない。

次いで同図（ｄ）に示すように電荷保持媒体３を取り出
すことにより静電潜像の形成が終了する。

なお感光体１と電荷保持媒体３とは上記のように非接触
でなく接触式でもよく、接触式の場合には、低抵抗光導
電層９の露光部で発生した正または負の光キャリアーが
電荷保持媒体３例の電極１３に引かれて低抵抗光導電層
９を通過し、絶縁層１１面に達した所で電荷移動が停止
し、その部位に注入電荷が蓄積される。そして、感光体
ｌと電荷保持媒体３とを分離すると、絶縁層１１は電荷
を蓄積ひたままの状態で分離される。

この記録方法は面状アナログ記録とした場合、銀塩写真
法と同様に高解像度が得られ、また形成される絶縁層１
１上の表面電荷は空気環境に曝されるが、空気は良好な
絶縁性能を持っているので、明所、暗所に関係なく放電
−Ｑず長期間保存される。

この絶縁層１１−ヒの電荷保存期間は、絶縁体の性質に
よっ′ζ定まり、空気の絶縁性以外に絶縁体の電荷捕捉
特性が影響する。前述の説明では電荷は表面電荷として
説明しているが、注入電荷は単に表面に蓄積させる場合
もあり、また微視的には絶縁体表面付近内部に侵入し、
その物質の構造内に電子またはホールがトラップされる
場合もあるので長期間の保存が行われる。また電荷保持
媒体の物理的損傷やｔ品度が高い場合の放電等を防くた
めに絶縁層１１の表面を絶縁性フィルム等で覆って保存
するようにしてもよい。

以下、本願発明に用いられる感光体、および電荷保持媒
体の構成材料について説明する。

光導電層支持体５としては、感光体を支持することがで
きるある程度の強度を有していれば、その材質、厚みは
特に制限がなく、例えば可撓性のあるプラスチックフィ
ルム、金属箔、紙、或いは硝子、プラスチックシート、
金属板（電極を兼ねるごともできる）等の剛体が使用さ
れる。但し、感光体側から光を入射して情報を記録する
装置に用いられる場合には、当然その光を透過させる特
性が必要となり、例えば自然光を入射光とし、感光体側
から入射するカメラに用いられる場合には、厚み１ｍｍ
程度の透明なガラス板、或いはプラスチックのフィルム
、ソートが使用される。

感光体電極７は、光導電層支持体５に金属のものが使用
される場合を除いて光導電層支持体５に形成され、その
材質は比抵抗値が１０’Ω・ｃｍ以下であれば限定され
なく、無機金属導電膜、無機金属酸化物導電膜等である
。このような感光体電極７は、光導電層支持体５上に、
？″Ｎ着、スパッタリング、ＣＶＤ、コーティング、メ
ツキ、ディジピング、電解重合等により形成される。ま
たその厚みは、感光体電極７を構成する材質の電気特性
、および情報の記録の際の印加電圧により変化させる必
要があるが、例えばアルミニウムであれば、１００〜３
０００人程度である。この感光体電極７も光導電層支持
体５と同様に、情報光を入射させる必要がある場合には
、上述した光学特性が要求され、例えば情報光が可視光
（４００〜７００ｎｍ）であれば、ｌ　Ｔｏ　（Ｉｎ２
０ｘ−３ｎＯｚ）　、Ｓｎ　Ｏ２等をスパッタリング、
蒸着、またはそれらの微粉末をバインダーと共にインキ
化してコーティングしたような透明電極や、Ａｕ、ＡＩ
、Ａｇ、Ｎ１、Ｃ「等を蒸着、またはスパッタリングで
作製する半透明電極、テトラシアノキノジメタン（ＴＣ
ＮＱ）、ポリアセチレン等のコーティングによる有機透
明電極等が使用される。

また情報光が赤外（７００ｎｍ以上）光の場合も上記電
極材料が使用できるが、場合によっては可視光をカット
するために、着色された可視光吸収電極も使用できる。

更に、情報光が紫外（４００ｎｍ以下）光の場合も、上
記電極材料を基本的には使用できるが、電ｐｉＡ基板材
料が紫外光を吸収するもの（有機高分子材料、ソーダガ
ラス等）は好ましくなく、石英ガラスのような紫外光を
透過する材料が好ましい。

低抵抗光導電ＦＡ９は、光が照射されると照射部分で光
キャリア（電子、正孔）が発生し、それらのキャリアが
層幅を移動することができる導電性層であり、特に電界
が存在する場合にその効果が顕著である層である。本発
明においては光導電材料として低抵抗の材料を使用する
が、詳しくは感光体の抵抗値として、光導電層上にオー
ミック電極を設け、感光体電極の極性を光導電層の光キ
ヤリア極性に合わせて、オーミック電極との間に直流電
圧を印加した時にＩ１１定される電流値から求めた抵抗
率が、１０７〜１０′３Ω・ｃｍであるような感光体を
形成する光導電材料を使用するとよい。

材料は無機光導電＋Ａ料、有機光導電材料等で構成され
る。

以下、これら光導電材料、および光導電層の形成方法に
ついて説明する。

（イ）シリコン感光体 シリコン感光体としては ■シリコン単体 ■不純吻合ドーピングしたもの、 Ｂ、ＡＩ、Ｇａ、Ｉｎ、ＴＩ等をドーピングにより１）
型（ホール輸送型）にしたもの、Ｐ、Ａｇ、Ｓｂ、Ｂ　
ｉ等をドーピングによりＮ型（電子輸送型）にしたもの
、 がある。

感光体層の形成方法としては、シランガス、不純物ガス
を水素ガスなどと共に低真空中に導入しく　１０−２〜
Ｉ　Ｔｏｒｒ）　、グロー放電により加熱、或いは加熱
しない電ｌ！ｌｉ基板上に堆積して成膜するか、単に加
熱した電掘基板上に熱化学的に反応形成するか、或いは
固体源ネ４を蒸着、スパンター法により成Ｒグし、単層
、或いは積層で使用する。ＢＳ！厚は１〜５０μｍであ
る。

また、感光体電極７から電荷が注入され、露光してない
のにもかかわらず恰も露光したような帯電を防止するた
めに、感光体電極７の表面に電荷注入防止層を設けるこ
とができる。この電荷注入防止層として、電極基板上と
感光体最上層（表面層）の一方或いは両方に、グロー放
電、蒸着、スパッター法等によりａ−ＳｉＮ層、ａ−５
ｉＣ層、ＳｉＯ２層、Ａｎ！ｚｏｉ層等の樹脂層を設け
るとよい。この樹脂層を余り厚くしすぎると露光したと
き電流が流れないので、少なくとも１０００Å以下とす
る必要があり、作製し易さ等を考慮すると４００〜５０
０人程度が望ましい。

また、電荷注入防止層として、整流効果を利用して電極
基板上に電極基板における極性と逆極性の電荷輸送能を
有する電荷輸送層を設けるとよく、電極がマイナスの場
合はホール輸送層、電極がプラスの場合は電子輸送層を
設ける０例えば、Ｓｌにボロンをドープしたａ　−３ｉ
　：　Ｈ（ｎ”　）は、ホールの輸送特性が上がって整
流効果が得られ、電荷注入防止層として機能する。

（ロ）セレン感光体 セレン感光体としては、 ■セレン印体 ■セレンテルル ■ひ素セレン化合物（ＡｓｚＳｅｓ） ■ひ素セレン化合物＋Ｔｅ がある。

この感光体は蒸着、スパッター法により作製し、また電
荷注入阻止層としてＳｉＯ□、Ａ　Ｐ−ｚ（ｈ　、５ｉ
Ｃ１ＳｉＮ層を茎着、スパック−、グロー放電法等によ
り電極基板上に設けてもよい。また上記■〜■を組み合
わせ、積層型感光体としてもよい。感光体層の膜■はソ
リコン感光体と同様である。

（ハ）硫化カドミウム（ＣｄＳ　） この感光体は、コーティング、蒸着、スパッタリング法
により作製する。蒸着の場合はＣｄＳの固体粒をタング
ステンボードにのせ、抵抗加熱により蒸着するか、ＥＢ
（エレクトロンビーム）蒸着により行う、またスパッタ
リングの場合はＣｄＳターゲットを用いてアルゴンプラ
ズマ中で基板Ｆに堆積させる。この場合、通常はアモル
ファス状態でＣｄＳが堆積されるが、スパッタリング条
件を選択することにより結晶性の配向膜（膜厚方向に配
向）を得ることもできる。コーティングの場合は、Ｃｄ
Ｓ粒子（粒径ｌ〜１００μｍ）をバインダー中に分散さ
せ、溶媒を添加して基板上にコーティングするとよい。

。 （ニ）酸化亜鉛（Ｚｎ　Ｏ） この感光体はコーティング法、或いはＣＶＤ法で作製さ
れる。コーティング法としては、ＺｎＳ粒子（粒径１　
＝　１００７７　ｍ　）をバインダー中に分散させ、溶
媒を添加して基板上にコーティングを行って得られる。

またＣＶＤ法としては、ジエチル亜鉛、ジエチル亜鉛等
の有機金属と酸素ガスを低真空中（１０４〜１Ｔｏｒｒ
）で混合し、加熱した電極基板（１５０〜４００’Ｃ）
上で化学反応させ、酸化亜鉛ｎりとして堆積させる。こ
の場合も膜厚方向に配向した膜が得られる。

有機感光体 有機窓光体としては、単層系感光体、機能分離型感光体
とがある。

（イ）単層系感光体 単層系感光体は電荷発生物質と電荷輸送物質の混合物か
らなっている。

〈電荷発生物質系〉 光を吸収して電荷を生し易い物質であり、例えば、アブ
系顔料、ノスアゾ系顔料、トリスアゾ系顔料、フタロシ
アニン系顔料、ペリレン系顔料、ピリリウｌ、染料系、
シアニン染料系、メチン染料系が使用される。

く電荷輸送物質系〉 電離した電荷の輸送特性がよい物質であり、例えばヒド
ラゾン系、ビラプリン系、ポリビニルカルバゾール系、
カルバゾール系、スチルヘン系、アントラセン系、ナフ
タレン系、トリジフェニルメタン系、アジン系、アミン
系、芳香族アミン系等がある。

また、電荷発生系物質と電荷輸送系物質により錯体を形
成させ、電荷移動錯体としてもよい。

通常、感光体は電荷発生物質の光吸収特性で決まる感光
特性を有するが、電荷発生物質と電荷輸送物質とを混ぜ
て錯体をつくると、光吸収特性が変わり、例えばポリビ
ニルカルバゾール（ＰＶＫ）は紫外域でしか感ぜず、ト
リニトロフルオレノン（ＴＮＦ）は４００ｎｍ波長近傍
しか感じないが、ＰＶＫ−ＴＮＦ錯体は６５０ｎｍ波長
域まで惑しるようになる。

このような単層系感光体の膜厚は、１０〜５０μｍが好
ましい。

（ロ）機能分離型感光体 電荷発生物質は光を吸収し易いが、光をトラップする性
質があり、電荷輸送物質は電荷の輸送特性はよいが、光
吸収特性はよくない。そのため両者を分離し、それぞれ
の特性を十分に発揮させようとするものであり、電荷発
生層と′Ｆｉ、荷輸送層を積層したタイプである。

＜９荷発生層〉 電荷発生層を形成する物質としては、例えばアゾ系、ジ
スアゾ系、トリスアゾ系、フタロシアニン系、酸性ザン
セン染料系、シアニン系、スチリル色素系、ピリリウム
色素系、ペリレン系、メチン系、ａ−５ｃ　、　ａ−５
ｉ　、アズレニウム塩系、スクアリウム曳糸等がある。

く電荷イａ送層〉 電荷輸送層を形成する物質としては、例えばヒドラゾン
系、ビラプリン系、ＰＶＫ系、カルバゾール系、オキサ
ヅール系、トリアゾール系、芳香族アミン系、アミン系
、トリフェニルメタン系、多環芳香族化合物系等がある
。

機能分離型感光体の作製方法としては、まず電荷発生物
質を溶剤に溶かして、電極上に塗布し、次に電荷輸送層
を）８剤に溶かして電荷輸送層に塗布し、′電荷発止層
を０．１〜１０μｍ、電荷輸送層を１０〜５０μｍの膜
厚とするとよい。

なお、単層系Ｔ８光体、機能分離型感光体の何れの場合
にも、バインダーとしてンリコーン樹脂、スチレン−ブ
タジェン共重合体樹脂、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、
飽和又は不飽和ポリエステル樹脂、ポリカーボネート樹
脂、ポリビニルアセクール樹脂、フェノール樹脂、ポリ
メチルメタアクリレート（ＰＭＭＡ）樹脂、メラミン樹
脂、ポリイミド樹脂等を電荷発生材料と電荷発生材料各
１部に対し、０．１−１ｏ部添加して付着し呂いように
する。コーティング法としては、デインピング法、展着
法、スパッター法等を使用することができる。

次ぎに、電荷注入防止層について詳述する。

電荷注入防止層は、光導電層９の両表面の少なくとも一
方か、両方の面に、光導電層９の電圧印加時の暗電流（
電極からの電荷注入）、すなわち露光していないにもか
かわらず恰も露光したように感光層中を電荷が移動する
現象を防止するために設けることができるものである。

この電荷注入防止層は、いわゆるトンネリング効果を利
用した；Ｚと整流効果を利用した層との種類のものがあ
る。まず、いわゆるトンふリング効果を利用したものは
、電圧印加のみではこの電荷注入防止層により、光導電
層、あるいは樹脂層表面まで電流が流れないが、光を入
射した場合には、入射部分に相当する電荷注入防止層に
は光導電層で発生した電荷の一方（電子、またはホール
）が存在するため高電界が加わり、トンネル効果を起こ
して、電荷注入防止層を通過して電流が流れるものであ
る。このような電荷注入防止層は無機絶縁性膜、有機絶
縁性高分子膜、絶縁性単分子膜等の単層、あるいはこれ
らを積層して形成され、無機絶縁性膜としては、例えば
ＡＳ２０３　、Ｂ２Ｏ２、ＢｉｚＯ３、ＣｄＳ　、　Ｃ
ａＯ、ＣｅＯ２、Ｃｒ、０３、ＣｏＯ、Ｇｅｍ、、Ｈｆ
０ｚ、Ｆｔ、ｚＯｉ　、Ｌａ２Ｏ３、ＭｇＯ、ＭｎＯ２
、Ｎｄ２０１、Ｎｂ２Ｏ％　、ＰｂＯ，５ｂｚＯ）　、
ＳｉＯ２，５ｅ０２、Ｔａｘｅｓ　、ＴｉＯ２、ＷＯ，
、Ｖ、０３、　Ｙ２Ｏ３、ＹｚＯ３、Ｚｒ（ｈ、　Ｂａ
ＴｉＯ３、Ａ１２（ｈ、ＢｉｚＴｉＯｓ　、ＣａＯ−５
ｒＯ、Ｃａ０−ＹｚＯ＞、Ｃｒ−３ｉＯ１１，１ＴａＯ
１、ＰｂＴｉ０＋、ＰｂＺｒＯ３、Ｚｒ０ｚ−Ｃｏ　、
　Ｚｒ０ｚ−５ｉＯｚ　、ＡＩＮ　、　ＢＮ、　ＮｂＮ
　、Ｓｉ３Ｎ４、ＴａＮ　、　ＴｉＮ　、νＮ、　Ｚｒ
Ｎ、ＳｉＣ、ＴｉＣ、ＷＣ，Ａｌ４Ｃ３等をグロー放電
、蒸着、スパッタリング等により形成される。尚、この
層の膜厚は電荷の注入を防止する絶縁性と、トンネル効
果の点を考慮して使用される材質ごとに決められる。次
ぎに整流効果を利用した電荷注入防止層は、整流効果を
利用して電極基板の極性と逆極性の電荷輸送能を有する
電荷輸送層を設ける。即ら、このような電荷注入防止層
は無機光導電層、有機光導電層、有機無機複合型光導電
層で形成され、その膜厚は０．１−１ｏμｍ程度である
。具体的には、電極がマイナスの場合はＢ、ＡＩ、Ｇａ
、Ｉｎ等をドープしたアモルファスシリコン光導電層、
アモルファスセレン、またはオキサジアゾール、ピラゾ
リン、ポリビニル力ルハヅール、スチルヘン、アントラ
セン、ナフタレン、トリジフェニルメタン、トリフェニ
ルメタン、アジン、アミン、芳香族アミン等を樹脂中に
分散して形成した有機光導電ｊご、電極がプラスの場合
は、Ｐ、Ｎ、Ａｓ、Ｓｂ、Ｂ　ｉ等をドープしたアモル
ファスシリコン光導電層、ＺｎＯ光導電層等をグロー放
電、蒸着、スパッタリング、ＣＶＤ、コーティング等の
方法により形成される。

これらの光導電層は、感光体電極側の極性を同し極性の
キャリアーを発生する光導電性材料により形成するｄ・
要がある。感光体電極をマイナス出する場合はＢ、ＡＩ
、Ｇａ、Ｉｎ等をトープしたノリコン光導電層、電極が
プラスの場合は、Ｐ、Ｎ、Ａｓ、Ｓｂ、Ｂｉ等をドープ
したノリコン光導電層、セレン光導電層、有機光導電層
等をグロ放電、蒸着、スパッタリング、ＣＶＤ、コーテ
ィング等の方法により形成される。

次ぎに、電荷保持媒体材料、および電荷保持媒体の作製
方法について説明する。

′１に荷保持媒体３は感光体Ｉと共に用いられて、電荷
保持媒体３を構成する絶縁層１１の表面、もしくはその
内部に情報を静電荷の分布として記録す゛るものである
から、電荷保持媒体自体が記録媒体として使用されるも
のである。従って記録される情報、あるいは記録の方法
によりこの電荷保持媒体の形状は種々の形状をとること
ができる。例えば静電カメラに用いられる場合には、一
般のフィルム（単コマ、連続コマ用）形状、あるいはデ
ィスク状となり、レーザー等によりデジタル情報、また
はアナログ情報を記録する場合には、テープ形状、ディ
スク形状、或いはカード形状となる。

絶縁層支持体１５は、上記のような電荷保持媒体３を強
度的に支持するものであるが、基本的には光導電層支持
体５と同様な材質で構成され、光透過性も同様に要求さ
れる場合がある。具体的には、電荷保持媒体３がフレキ
シブルなフィルム、テープ、ディスク形状をとる場合に
は、フレキシブル性のあるプラスチックフィルムが使用
され、強度が要求される場合には剛性のあるシート、ガ
ラス等の無機材料等が使用される。

電荷保持媒体３がフレキシブルなフィルム、テープ、デ
ィスク形状をとる場合について説明する。

まず第２図（ａ）に示すように、樹脂層１１が連続して
いるタイプがある。

これは電極層を設けたプラスチックフィルム等の支持体
上に樹脂層を支持体の両辺を残して、または全面に形成
してなるものである。この電荷保持媒体は、少なくとも
記録される一画面（例えばカメラ取りによる場合の一コ
マ、デジタル情報記録のトラック中）の２倍以上の長さ
を有するものである。また当然この電荷保持媒体を長手
方向に複数接合してなるものも含まれ、この際には隣接
する樹脂層の間に樹脂層欠落のスリット帯があってもよ
い。

また第２図（ｂ）に示すように、樹脂層１１が長手方向
に不連続のタイプがある。

これはプラスチックフィルム等の支持体上に、樹脂層を
支持体の両辺を残して、または残さずして、長手方向に
不連続に形成してなるものであり、支持体上には複数の
樹脂層が成る大きさで形成される。この樹脂層の大きさ
は、画像、および情報の入力装置の露光方法にもよるが
、例えばカメラ取りによる場合は、３５ｍｍＸ３５ｍｍ
であり、レーザービーム等のスポット入力の場合は、デ
ジタル情報記録のトラック中である。尚、デジタル情報
記録の場合には、隣接する樹脂層間に形成されている樹
脂層欠落部は、情報の入出力の際のトラッキング帯とし
て利用されうる。また当然この電荷保持媒体を長手方向
に複数接合してなるものも含まれ、この際にはＶ４接す
る樹脂層の間に樹脂層欠落のスリット帯があってもよい
。

また第２図（Ｃ）に示すように樹脂層が巾方向に不連続
のタイプがある。

このタイプは電極層を設けたプラスチックフィルム等の
支持帯上に、樹脂層を支持帯の両辺を残して、または残
さずして、中方向に不連続に形成してなるものであり、
支持体上には複数の帯状の樹脂層が形成される。この樹
脂層の巾は記録されるデジタル情報のトラック中に等し
いか、或いは整数倍のものであり、隣接する樹脂層間に
形成されている樹脂層欠落部は、情報の入出力の際のト
ラッキング帯として利用される。

また第２図（ｄ）に示すように、円板状のタイプがある
。

このタイプは、電極層を設けた円形のプラスチックフィ
ルム等の支持帯上に樹脂層を全面に、或いは連続した渦
巻状の樹脂層欠落部を有して形成されるものである。こ
の電荷保持媒体では、入出力装置の駆動のための円形欠
落が形成されていてもよい。またデジタル情報記録部の
場合には、連続した渦巻状の樹脂層欠落部は、情報の入
出力の際のトラッキング帯として利用されうる。

電荷保持媒体電極１３は、基本的には感光体電極７と同
しでよく、上述した感光体電極７と同様の形成方法によ
って、絶縁層支持体１５上に形成される。

絶縁層１１は、その表面、もしくはその内部に情報を静
電荷の分布として記録するものであるから、電荷の移動
を抑えるため高絶縁性が必要であり、比抵抗でｌＯ“°
Ω・ｃｍ以上の絶縁性を有することが要求される。この
ような絶縁石ｌｌは、樹脂、ゴム類を溶剤に溶解させ、
コーティング、デインピングするか、または蒸着、スパ
ンタリング法により層形成させることができる。

ここで、上記＋３・１脂、ゴムとしては、例えばポリエ
チレン、ポリプロピレン、ビニル樹脂、　スヂロール樹
脂、アクリル樹脂、ナイロン６６　ナイロン６、ポリカ
ーボネート、アセタールホモポリマ弗素樹脂、セルロー
ス樹脂、フェノール樹脂ユリア樹脂、ポリエステル樹脂
、エポキン樹脂可撓性エポキシ樹脂、メラミン樹脂、シ
リコン樹脂、フェノオキシ樹脂、芳香族ポリイミド、Ｐ
ＰＯ，ポリスルホン等、またポリイソプレン、ポリブタ
ジェン、ポリクロロプレン、イソブチレン極高ニトリル
、ポリアクリルゴム、クロロスルホン化ポリエチレン、
エチレン・プロピレンラバー弗素ゴム、シリコンラバー
、多硫化系合成ゴムウレタンゴム等のゴムの単体、ある
いは混合物が使用される。

またシリコンフィルム、ポリエステルフィルム、ポリイ
ミドフィルム、含弗素フィルム、ポリエチレンフィルム
、ポリプロピレンフィルム、ポリパラバン酸フィルム、
ポリカーボネートフィルム、ポリアミドフィルム等を電
荷保持媒体電極１３上に接着剤等を介して貼着すること
により層形成さヒるか、あるいは熱可塑性樹脂、熱硬化
性樹脂、紫外線硬化性樹脂、電子線硬化性樹脂、ゴム等
に必要な硬化剤、溶剤等を添加してコーティング、ディ
ッピングすることにより層形成してもよい。

また絶縁［１１として、ラングミュア−・プロシェド法
により形成される単分子膜、または単分子累積膜も使用
することができる。

またこれら絶縁層１１には、電極面との間、または絶縁
層ｌｌ上に電荷保持強化層を設けることができる。電荷
保持強化層とは、強電界（１０４Ｖ　／　ｃ　ｍ以上）
が印加された時には電荷が注入するが、低電界（１０’
Ｖ／ｃｍ以下）では電荷が注入しない層のことをいう。

電荷保持強化層としては、例えばＳｉｎｇ、Ａ１□０３
　、Ｓａｃ　％　ＳｉＮ等が使用でき、有機系物質とし
ては例えばポリエチレン医着膜、ポリパラキシレン蒸着
膜が使用できる。

また静電荷をより安定に保持させるために、絶縁層ＩＩ
に、電子供与性を有する物質（ト′ナー材料）、あるい
は電子受容性を有する物質（アクセプター材料）を添加
するとよい。ドナー材料としてはスチレン系、ピレン系
、ナフタレン系、アントラセン系、ピリジン系、アジン
系化合物があり、具体的にはテトラチオフルバレン（Ｔ
ＴＦ）、ポリビニルピリジン、ポリビニルナフタレン、
ポリビニルアントラセン、ポリアジン、ポリビニルピレ
ン、ポリスチレン等が使用され、一種、または混合して
用いられる。またアクセプター材ネ４としてはハロゲン
化合物、シアン化合物、ニトロ化合物等があり、具体的
にはテトランアノキノジメタン（ＴＣＮＱ）　　トリニ
トロフルオレノン（ＴＮＮドラ等が使用され、一種、ま
たは混合して使用される。ドナー材料、アクセプター材
料は、樹脂等に対して０．００１−１０％程度添加して
使用される。

さらに電荷を安定に保持させるために、電荷保持媒体中
に元素単体微粒子を添加することができる。元素単体と
しては周期律表第１Ａ族（アルカリ金属）、同ＩＢ族（
銅族）、同ＩＩ　Ａ族（アルカリ土類金属）、同ＩＩＢ
族（亜鉛族）、同Ｉ［ＩＡ族（°？ルミニウム族）、同
Ｉ［ｌＢ族（希土類）、同■Ｂ族（チタン族）、同ＶＢ
族（バナジウム族）、同■Ｂ族（クロム族）、同■Ｂ族
（マンガン族）、同■族（鉄族、白金族）、また同ＩＶ
Ａ族（炭素族）としては珪素、ゲルマニウム、錫、鉛、
同ＶＡ族（窒素族）としてはアンチモン、ビスマス、同
ＶＩＡ族（酸素族）としては硫黄、セレン、テルルが微
細粉状で使用される。また上記元素単体のうち金属類は
金属イオン、微細粉状の合金、有機金属、錯体の形態と
しても使用することができる。

更に上記元素単体は酸化物、燐酸化物、硫酸化物、ハロ
ゲン化物の形態で使用することができる。これらの添加
物は、上述した樹脂、ゴム等の電荷保持媒体にごく僅か
添加すればよく、添加量は電荷保持媒体に対して０．０
１〜ｌＯ重呈％程度でよい。

また絶縁層１１は、絶縁性の点からは少なくても１００
０人（０，１μｍ）以上の厚みが必要であり、フレキン
ビル性の点からは１００μｍ以下が好ましい。

このようにして形成される絶縁層１１は、破を賛、また
はその表面の情報電荷の放電を防止するために、その表
面に保護膜を設けることができる。保護膜としては粘着
性を有するシリコンゴム等のゴム類、ポリテルペン樹脂
等の樹脂類をフィルム状にし、絶縁層１１の表面に貼着
するか、またプラスチックフィルムをノリコンオイル等
の密着剤を使用して貼着するとよく、比抵抗１０１′Ω
・ｃｍ以上のものであればよく、膜厚は０．　５〜３０
μｍｎ程度であり、絶縁層１１の情報を高解像度とする
必要がある場合には保護膜は薄い程よい。この保護層は
、情報再生時には保護股上から情報を再生してもよく、
また保護膜を剥離して絶縁層の情報を再生することもで
きる。

また電荷保持媒体として、第３０に示すような電荷保持
媒体も使用することができる。まず同図（ａ）に示すよ
うな電荷保持媒体３は、まず熱可塑性樹脂、熱硬化性樹
脂、または玉名ルギー綿硬化樹脂を電荷保持媒体電極１
３上に積層し、その樹脂層１１上に光導電性材料、導電
性材料を低圧筑着させると、凝望して微粒子状となった
状、汝で１に着するもので、樹脂層１１合加熱等により
軟化させ、表面内部近傍に単層状態で微粒子１２層金形
成したものである。また同図（ｂ）に示すような電荷保
持媒体３は電荷保持媒体電極１３上にまず！！縁層１１
を積層し、微粒子状の光導電性材料、導電性材料を絶縁
性樹脂に分散させ、コーティング等により積層したもの
、更に同図（ｃ）に示すような電荷保持媒体３は、電荷
保持媒体電極１３上に微粒子状の光導電性材料、導電性
材料を絶縁性樹脂に分ｉ＆させコーティング等により積
層したものである。このような電荷保持媒体３を使用し
て電圧印加時露光により静電画像を記録させると、情報
電荷を絶縁性樹脂層中の微粒子１２層に保持させること
ができ、永続性のある電荷保持媒体となるものである。

次ぎに、印加電圧制御型画像形成装置について説明する
。本発明における印ｊｌｌｌ電圧制？１１１型画像形成
装「は、通常のカメラに使用されている写真フィルムの
代わりに、Ａｉｌ　ｉｌｏに感光体電極７を設けた光導
電層９からなる感光体ｌと、感光体１に対向し、後面に
電荷保持媒体電極１３を設けた絶縁層１１からなる電荷
保持媒体とにより記録部材を構成し、画電極へ電圧を印
加し、入射光に応じて光導電層を導電性として入射光盪
に応じて絶縁層上に電荷をＭ　４ｓｌさ一部ることによ
り入射光学像の静電潜像を電荷蓄積媒体上に形成するも
ので、電圧印加スイッチを使用するものであり、また静
電層像は明所、暗所に関係なく長期間保持することが可
能である。またプリズムにより光情報を、Ｒ，Ｇ、露光
成分に分離し、平行光として取り出すカラーフィルター
を使用し、Ｒ，Ｇ、Ｂ分解した電荷保持媒体３セツトで
１コマを形成するか、または１平面上にＲ，Ｇ、Ｂ像を
並べて１セツトで１コマとすることにより、カラー撮影
することもできる。

第４図は本発明の高解像度静電カメラの概略構成を示す
図で、図中、第１回と同一番号は同一内容を示しており
、なお、２１は撮影レンズ、２３はミラー、２５はピン
トグラス、２７はペンクプリズム、２９は接眼レンズ、
３１はネガ像である。

本発明の静電カメラは、１眼レフカメラのフィルムの代
わりに第１図で示した感光体ｌと電荷保持媒体３を使用
したもので、図示しないスイッチで電源１７をＱＮ、Ｏ
ＦＦすることによりミラー２３が点線の位置に跳ね上げ
られて被写体の静電潜像が電荷保持媒体３に形成される
。そして必要に応して、電荷保持媒体をトナー現像すれ
ばネガ１１３１が得られる。また静電位を読み取って電
気信号として出力し、ＣＲＴに表示させたり、或いは磁
気テープ等地の記録手段に転記ＪることもｉｉＪ能であ
る。

またカラーフィルタを使用してカラー撮影することもで
きる。

第５図はプリズムによる色分解光学系を示す図で、図中
、４１４３．４５はプリズムブロック、４７．４つ、５
１はフィルタ、５３．５５はミラーである。

色分解光学系は３つのプリズムブ０７りからなり、プリ
ズムブロック４１の８面から入射した光情報もよ、５面
において一部が分離反射され、さらに８面で反射されて
フィルタ４７からＢ色光成分が取り出される。残りの光
情報はプリズムブロック４３に入射し、０面まで進んで
一部が分離反射され、他は直進してそれぞれフィルタ４
９．５１からＧ色光成分、Ｒ色光成分が取り出される。

そして、Ｇ、Ｂ色光成分を、ミラー５３．５５で反射さ
せることにより、Ｒ，Ｇ、露光を平行光として取り出す
ことができる。

このようなフィルタを、第６図に示すように感光体１の
前面に配置して撮影することにより、第６図（ロ）のよ
うにＲ，Ｇ、Ｂ分解した電荷保持媒体３セノｉ・で１コ
マを形成するか、あるいは第６図（ハ）に示すように１
平面上にＲ，Ｇ、Ｂ像として並べてｌセットで１コマと
することもできる。

第７図は微細カラーフィルタの例を示す図で、例えば、
レジストをコーティングしたフィルムをマスクパターン
で露光してＲ，Ｇ、Ｂストライプパターンを形成し、そ
れぞれＲ，Ｇ、Ｂ染色することにより形成する方法、ま
たは第５図のような方法で色分解した光を、それぞれ細
いスリットに通すことにより生じるＲ、Ｇ、Ｂの干渉縞
をホログラム記録媒体に記録させることにより形成する
方法、または光導電体にマスクを密着させて露光し、静
電潜像によるＲ、Ｇ、Ｂストライプパタ−ンを形成し、
これをトナー現像して３回転写することによりカラー合
成してトナーのストライプを形成する方法等により形成
する。このような方法で形成されたフィルタのＲ，Ｇ、
Ｂｌｌで１画素を形成し、１画素を１０μｍ程度の微細
なものにする。このフィルタを第６図のフィルタ６１と
して使用することによりカラー静電潜像を形成すること
ができる。この場合、フィルタは感光体と離して配置し
ても、あるいは１き光体と一体に形成するようにしても
よい。

第８図は微細カラーフィルタとフレネルレンズを組み合
わせた例を示す図で、フレネルレンズによってＲ，Ｇ、
Ｂパターンを縮小して記録することができ、また通常の
レンズに比べて薄くコンパクトなレンズ設計が可能とな
り、カメラへの装着が容易となる。

第９図はトナー画像からビデオ信号を得るための実施例
を示す閏で、トナー画像が形成された電荷保持媒体３の
着色した面を光ビームにより照射してスキャニングし、
その反射光を光電変換器６■で電気信号に変換するもの
であり、光ビーム径を小さくすることにより高分解能を
達成することができる。

第１０図はカラートナー画像からビデオ信号を得る実施
例を示す図であり、微細カラーフィルターにより形成し
たＲ２Ｏ，８分解像をトナー現像し、着色した面を光ビ
ームにより照射し、その反射光によりＹ、Ｍ、Ｃ信号を
得る場合の例合示している。図中、６３は走査信号発生
器、６５はレーザー、６７は反射鏡、６９はハーフミラ
−１７Ｉは光電変換器、７３．７５．７７はゲート回路
である。

走査信号発生器６３からの走査信号でレーザー６５から
のレーザー光を、反射鏡６７、ハーフミラ−６９を介し
て着色面に当てて走査する。着色面からの反射光をハー
フミラ−６９を介して光電変換器７１に入射させて電気
信号に変換する。走査信号発生器６３からの信号に同期
してゲート回路７３．７５．７７を開閉制御すれば、微
細フィルタのパターンに同１１Ｊｌシてゲート回路７３
．７５．７７が開閉制御されるので、Ｙ、Ｍ、Ｃに着色
しておかなくてもＹ、Ｍ、Ｃの信号を得ることができる
。

なお、カラー像が３而分Ｓすしたものの場合も、全く同
様にＹ、Ｍ、Ｃの信号を得ることができ、この場合もＹ
、Ｍ、Ｃに着色しておかなくてもよいことは同様である
。

第９図、第１０図に示した方法においては、トナー像が
静電潜像の帯電量に対応したγ特性を有していることが
必要で、そのため帯電量のアナログ的変化に対してしき
い値を持たないようにする必要があるが、対応さえとれ
ていれば、γ特性が一致していなくても電気的処理でＴ
の補正を行うようにすればよい。

第１１図はＮＤ　（Ｎｅｕｔｒａｌ　　Ｄｅｎｓｉｔｙ
）フィルタとＲ，Ｇ、Ｂフィルターを併用した３面分Ｗ
ｌ＋の例を示す図で、入射光をＮＤフィルター８１．８
３及び反射ミラー８５で；３分δすし、それぞれＲフィ
ルター８７、Ｇフィルター８９、Ｂフィルター９１を通
すことにより、Ｒ，Ｇ、Ｂ光を平行光として取り出すこ
とがごきる。

Ｃ作用〕 本発明は、前面に透明電極を設けた光ｊＪ電層からなる
感光体と、感光体に対向し、後面に電極を設置ノだ絶縁
層からなる電荷保持媒体とで記録部材を構成し、入射光
を照射しつつ画電極への電圧印加をンヤノターとして、
電圧印加時間に応して絶縁層上に電荷を蓄積させること
により入射光学像の静電潜像を電荷保持媒体上に形成す
る印加電圧制御型画像形成方法において、この光導電層
として低抵抗値で、詳しくはｌＳ光体の抵抗値として、
光導電層上にオーミック電極を設け、感光体電極の極性
を光導電層の光キャリアー極性に合ね七′（、Ｉ−ミッ
ク電極との間に直流電圧を印加した時に測定される電流
値から求めた抵抗率が１０’〜１０１３Ω・ｃＩｌであ
るような感光体を形成する光導電材料を使用するとよい
。また感光体電極と同一極１１のキャリアーを発生する
光導電性材を二）を使用することにより、高速ソヤンタ
ー化することができ、弱い人１・１光でもキャリアーが
容易に発生し、トラツブされることなく絶縁層−トに情
報型ｔ：：ｊが蓄積されるものであるので、高感度の印
加電圧制御型画像形成方法、およびその装置とすること
ができるものである。また形成された静電潜像は明所、
暗所に関係なく長期間保持することができる。また高速
シャ、ター化可能な静電カメラとすることができる。

〔実施例〕

以下、実施例を説明する。

［実施例１　）・・・アモルファスシリコンａ　Ｓ　ｉ
　：　Ｈ無機感光体の作製方法 ■基板ｆｃ浄 ＳｎＯ，の薄膜感光体電極層を一方の表面に設けたコー
ニング社７０５９ガラス（２３ｘ１６ｘＯ４９ｔ、光学
研に剤）をトリクロロエタン、アセトン、エタノール各
液中、この１頼番に各々１０分ずつ超音波洗浄する。

■装置の１勉（ｌｉｉＩ 洗浄の済んだ基板を第２５図の反応室１０４内のアノー
ド１０６上に熱伝導が十分であるようにセットした後、
反応室内を１０−５Ｔｏｒｒ台までり。

Ｐにより真空引きし、反応容器およびガス管の焼出しを
１５０″Ｃ〜３５０’Ｃで約１時間行い、焼出し後装置
を冷却する。

■ａ−３ｉ：Ｈの堆積 ５ｉ１１．１００％ガスをニードルバルブとＰＭＢの回
転数を制御することで内圧が２００　ｍＴｏｒｒになる
ように流し、内圧が一定になったところで、Ｍａｔｃｈ
ｉｎｇ　Ｂｏｘ　ｌ　０３を通して、４０ＷのＲｆｌ”
ｏｗｅｒ　１０２　（１３，５６Ｋｔｌｚ）を投入し、
プラズマを形成して１２０分間維持する。堆積終了はＲ
ｆの投入を止め、ニードルバルブを閉じる。ｌ（＋ａｔ
ｅｒ１０８１０ｆ後、基板が冷えてから取り出す。

この結果、約３０．０ｕ＋ｎの膜がＳｎ０ｇ上に堆積さ
れた。

こうして５ｎＯｚ　／ａ−３ｉ　：Ｈ（ｎ’　）ブロッ
キング層／ａ−３ｉ：Ｈ（ｎｏｎΦｄｏｐｅ）３０μｍ
の感光体を作製することができた。

この感光体の表面に金電極を萎着法で１０００人積層レ
ザンドインチ型セルを作製し、ＳｎＯ□心棒を負極にし
してｌ−Ｖ特性を測定し、感光体の抵抗率を測定した結
果、２ＸＩＯｇΩ・ｃｍであった。

〔実施例２〕 実施例１のａ−５ｉ：ＩＩ膜堆積にさきだって、以下に
記載のようにｐ型ａ−３ｉ：１１層をＳｎＯ２電極−Ｆ
に設けた。すなわちガラス基板が３５０°Ｃになるよう
に、ヒーター１０８を調整、加熱し、予めタンク１０１
内で混合しておいたＢ、Ｊａ／５ｉｌｌ−−Ｉ０００ｐ
ｐｍのガスをニードルバルブとＰＭ＋３の回転数を制御
することで、反応室１０４の内圧が２００ｍＴｏｒｒに
なるように流し、内圧が一定になった後、Ｍａｔｃｈｉ
ｎｇ　ＢＯＸ　１０３ヲ通して４０匈のＲｆパワー１０
２（１３，５６Ｋ）Ｉｚ）を投入し、カソード、アノー
ド間にプラズマを形成し、堆積を１０分間行い、Ｒｆの
投入を止め、ニードルバルブを閉しる。その結果０．３
ｐｍのａ−３ｉ　：Ｈ（ｐ’　）膜が基板上に堆積され
た。その上に実施例１と同様の方法、材料でａ−３ｉ：
Ｈ膜を３０μｍ積層し、感光体を作製した。

この感光体を実施例１と同様の方法で抵抗率を算出した
結果、４ＸＩＯ”Ω・ｃｍであった。

〔実り島例３〕 実施例１のａ・Ｓｉ：Ｈの堆積に使用する５１１１４１
００％ガスに代えて、Ｉ’１１７ＳｉＨ４＝　ｌ　Ｏｐ
Ｐｍの混合ガスを用い°Ｃ同様の方法で膜堆積を行った
。２ｈｒ、の堆積時間後、ｐを含むａ　−Ｓ　ｉ　：　
ｔ（感光体の膜厚を測定したところ、２８μｍであった
。

またこの感光体の抵抗率を、実施例１と同様の方法で測
定評価した結果、４Ｘ１０”Ω・ｃｍであった。

（実施例４）・・・アモルファスセレン−テルル無機感
光体の作製方法 セレン（Ｓｅ）に対しテルル（Ｔｅ）が３０Ｔｌｉ看％
の１９層合で混合された金属粒を用い、蒸着法によりａ
Ｓｃ−Ｔｃ薄膜を真空度１０−’Ｔｏ　ｒ　ｒ、抵抗加
熱法でＩＴＯガラス基板上に蒸着した。膜厚は１μｍと
した。さらに真空塵を維持した状態で、同しく抵抗加熱
法でＳｅのみの蒸着を行いａ　−５ｅ−Ｔｅ層上に４０
μｍ　ａ−５ｅ層を積層した。

実施例１と同様の方法で、感光体の抵ＩＩＬ率をθり定
した。但し感光体電極（ＩＴＯ）側を正極として測定し
た結果、２ＸｌＯ”Ω・ｃｍであった。

〔実施例５〕・・・機能分離型感光体の作製方法（電荷
発生層の形成方法） クロしＪジアンブルー０．４ｇ、ジクロルエタン４０ｇ
の組成を有する混合液を２５０ｍ、ｅ容積のステンレス
容器に入れ、更にガラスピーズＮｏ３．１８０ｍｆを和
え、振動ミル（室圧電機製作所ＫＥＤ９−４）により、
約４時間の粉砕を行い粒経〜５μｍのクロ１コシアンプ
ル−を得る。ガラスビズを濾過後、ポリカーボネート、
ニーピロンＥ２０００　（三菱ガス化学）を０．４ｇ加
え約４時間撹）′「する。ごの？’ａ　液を１ｎｚ０３
−５ｎ０２を約１０００人スパッターしたガラス基（反
（Ｉｍ＋＋＋Ｉゾ）にドクターブレードを用いて塗布し
１、膜厚約１μｍの電荷発生層を得た。乾燥は室温で１
日行った。

〔電荷輸送層の形成方法〕

４−ジベンジルアミノ−２−メチルヘンズアルデヒド−
１，１′−シフｌニルヒドラゾン０．１ｇ、ポリカーボ
ネート（ニーピロンＥ−２０００）０．　１　ｇ。

ジクロルエタン２．０ｇの組成を有する混合液をドクタ
ーブレードにて、上記電荷発生層上に塗布し、約１０μ
ｍの電荷輸送層を得た。乾燥は６０°Ｃで２時間行った
。

実施例４と同様の方法で抵抗率を測定した結果、感光体
の抵抗率は５Ｘ１０”Ω・ｃｍであった。

〔実施例６〕 （電荷発生層の形成方法） 酢酸ブチルＬｏｇにブチラール樹脂（積木化学、５ＬＥ
Ｃ）０．２５ｇ、下記の構造式を有するアズレニウムＣ
１Ｏ，塩、 ０．５ｇ、ガラスピーズＮｏ、１３３ｇとを？昆合し、
タッチミキサーで１日間撹拌し、よく分散させものをド
クターブレード、またはアプリケーターでガラス板上に
積層したＩＴＯ上に塗布し、６０°Ｃ１２時間以上乾燥
させた。乾燥後の膜厚は１μｍ以下。

（電荷輸送層の形成方法） テトラヒドロフラン９．５ｇにポリカーボネート（三菱
ガス化学、ニーピロンＥ２０００）０゜５ｇと下記の構
造式で示されるヒドラゾン誘導体（阿南香料、ＣＴＣ１
９１） ０．５ｇとを混合し、ドクターブレードで上記電荷発生
層上に塗布し、６０°Ｃ１２時間以上乾燥させた。Ｂ！
Ｉ’！１０μｍ以下であった。

（実施例７） （１１ｉｆ荷発生層の形成方法） テトラヒドロフラン２０ｇにブチラール樹脂（積木化学
、５ＬＥＣ）０．５ｇ、チタニルフタし２シアニン０．
２５ｇ、４．１０−ジブロモアンスアンスし１ン０．２
５ｇ、ガラスピーズＮｏ、　　１を３３ｇ、タッチミキ
サーで１［］間撹拌し、よく分散させものをドクターブ
レー）゛、またはアプリケーターでガラス板上に積層し
たＩＴＯ上に塗布し、６０　’Ｃ５２時間以上乾燥さＩ
た。乾燥後の被膜は、膜厚ｌ　ｐ　ｍ以下であった。

（電荷輸送層の作製方法） ノクロＩ：１エタン９．５ｇに、ポリカーボネート（三
菱ガス化学、ニーピロンＥ２０００）０１５ｇ、上記ヒ
ドラゾン誘導体（阿南香ネ）、Ｃ′ＦＣ１９１）０．５
６企７ｆ；解し、ドクターブレードで、上記型に：Ｊ発
生層」處こ塗布、６０’Ｃ２２時間以１−乾燥させた。

膜厚は１０μｍ以上であった。

（実施例８つ 硫化カドミウム（ＣｄＳ）ターゲント（４インチφ、６
ｍｍＶ１．９９．９９％、共同インターナショナル製）
を用いて、スパッタリング（Ｒドマグ不１・Ｌ７ンスバ
ソター）で真空度　Ｉ　Ｘ　ｌ　Ｏ−’Ｔ。

ｒｒ、Δｒ圧３　Ｘ　１０−’ＴｏｒｒＳ１００ＷのＲ
Ｆ電力で、５０分間、２５０°Ｃに加熱した［ＴＯ基板
（ガラス）上に膜形成を行った結果、収１！７７μｍの
ＣｄＳ配向膜が得られた。実施例１と同様の方法で抵抗
率を測定した結果、４Ｘ１０’Ω・ｃ　ｒｎであった。

〔実施例９〕 メチルフェニルシリコン樹脂１０ｇ、キソレンブクノ１
ル１：１溶媒１０　ｇの組成を有する／Ｒ合液に、硬化
剤（金属触媒）；商品名　ＣＲ−１５を１重里％（０，
２ｇ）加えてよく攪拌し、Ａｅを１０００人茎着したガ
ラス基板上にドクターブレード４ミルを用いてコーティ
ングを行った。

その後１５０°Ｃ１１ｈｒの乾燥を行ない、膜厚１０７
１　ｍの電荷保持媒体（ａ）を得た。

また上記混合液を、Ａｌを１０００人蒸着した１　００
　／／　ｍポリエステルフィルム−Ｌに同様の方法でコ
ーティングし、次いで乾燥し、フィルム状の電（１：ｉ
保持媒体（ｂ）を得た。

また上記混合液を、Ａｅを１０００人蒸着した４インチ
ディスク形状アクリル（Ｉ　ｍｍ　ｎ　）　基板上にス
ピンナー２０００ｒｐｍでコーディングし、５０°Ｃ，
３ｈｒ乾燥させ、膜Ｗ、７μｍのディスク状電荷保持媒
体（ｃ）を得た。

また上記混合液に、更にステアリン酸亜鉛を０゜ｔｇ添
加し、同様のコーティング、乾燥を行い、１０μｍの膜
厚を有する電荷保持媒体（ｄ）を得た。

〔実施例１０〕 ポリイミド樹脂１０ｇ、Ｎ−メチルピロリドンｌｏｇの
組成を有する混合液を、Ａｌを１０００人蒸着したガラ
ス基板上にスピンナーコーティング（１０００ｒｐｍ、
２０秒）した。溶媒を乾燥させるため１５０°Ｃで３０
分間、前乾燥を行った後、硬化させるため３５０°Ｃ，
２時間加熱した。

Ｉ模厚８μｍを有する均一な被膜が形成された。

〔実施例１１） リジンエステル樹脂（ステへライトエステル１０）ｌＯ
ｇをｎ−フ′チルアルコール した溶液を用いてＡｌを１０００人莫着したガラス基板
上にスピンナーコーティング（＋０００ｒｐｍ、９０秒
）した。溶媒を乾燥させるため、６０′Ｃで１時間放置
した結果、膜厚２μｍを有する均一の破１へ）が形成さ
れた。

この媒体にアモルファスセレンを以下の条件でノ穴着し
た。

まず真空チ→・ンハー内の基板ホルダーにガラス曲をボ
ルダ−に１妾触する形で媒体を固定する。この基板ホル
ダーは加熱（ヒーター）ができ、茂着時に裁板媒体を１
００°Ｃに加熱する。炭着は通常の抵抗加熱法であるが
、Ｊ’を空度をＱ　、　　ｌ　Ｔｏｒｒの低真空状態で
セレンを演看させる。この結果、セレンは微粒子の形で
粒子層が軟化したロジンエステル樹脂層中に０．１７１
ｍの深さに形成され、その粒子径はＶ均で０．５７１ｍ
程度の電荷保持媒体が作製される。

〔実施例１２］ 実施例１の感光体、実施例９にｉ）の電荷保持媒体を使
用し、これを電極側を外側にして重ねてカメラにセット
する。その際にさ光体と電荷保持媒体間に空隙を設ける
ため、第１２図に示すように１０μｍのポリエステルフ
ィルムをスペーサ２として露光面以外の周囲に配置する
。

露出ｆ＝１．４、感光体電極側を負　電荷保持媒体側を
負にして７００■、１０−６秒電圧印加を行い、屋外昼
間の被写体撮影を行った。

電圧印加ＯＦＦ後、電荷保持媒体を明るい所、あるいは
暗いで所で取り出し、 ■微小面積電位読取り法によるＯＲＴ画像形成、■トナ
ー現象による画像形成を行った。

■では、１　０　０　Ｘ　１　０　０　ｐ　ｍの微小面
積表面電位測定プローブをＸ−Ｙ軸スキャニングを（テ
い、１００μｍ単位の電位テ゛−夕を処理し、ＣＲＴ上
に電位−蝉度変換により画像形成を行った。電荷保持媒
体上には最高露光部電位−２００■から未露光部−５０
Ｖまでのアナログ電位潜像が形成されており、その潜像
をＣ　Ｒ　Ｔ上で１００μｍの解像度で顕像化すること
ができた。

■では、取り出した電荷保持媒体を正に帯電した湿式ト
ナー（、黒）に１０秒浸漬することにより、ボッ像が得
られた。得られたトノ・−像の解像度はｌμｍの高解像
度であった。

カラー画像のＩ最影は以下の方法で行った。

■プリズム型３面分割法 第５回に示すようにプリズムの３面上にＲ，Ｇ。

Ｂフィルターを配置し、それぞれの而に上記媒体をセッ
トし、ｆ＝１．４、シャノタースピーＦ　１０−６秒で
被写体撮影を行った。

■カラーＣＲＴ表示法 Ｒ，Ｇ、Ｂｉｔ３像各々を同様の方法でスキャニングし
て読み取り、Ｒ，Ｃ，Ｉ３潜像に対応した螢光発色をＣ
ＲＴ上で形成し、３色分解画像をＣＲＴ上で合成するこ
とによりカラー画像を得た。

■トナー現像法 分解露光した電荷保持媒体をＲ，Ｇ、ｆ３＞Ｈ像に対し
て正に帯電したＣ（シアン）、Ｍ（マゼンダ）、Ｙ（イ
エロー）トナーで各々現像し、トナー像を形成する。ト
ナーが１：り燥する萌にシアントナー像を形成した媒体
上に普通紙を重ね、紙上に負のコロナ帯電を行い、その
後剥離し、普通紙にトナー像が転写された。さらに、同
様の方法で画像の位置を一致さ仕て、同一箇所にマゼン
ダトナ、イエロートナーを順次転写合成すると、普通紙
上にカラー画像が形成された。

（実施例１３） 実施例１〜８の感光体を用いて、また電荷保持媒体とし
ては実施例９（ａ：ｌの媒体を用いて比較を行った結果
を示す。

条件としては空隙を１０８ｍ、印加電圧を正、負おのお
の７５０Ｖ（！％光体の光キャリアーの極性に合わせて
、感光体電極の極性を一致させた。

）とした。また露光強度はハ「１ケンランプ３０μｗ／
ｃｍ”として、露光部、未露光部の静電電位（電荷保持
媒体上に蓄積された電荷を非接触で表面電位として検出
）と電圧印加時間の関係を下記第１表に示す。

とＪ−電子・宇θ７） 第１表 （発明の効果〕 以上のように本発明によれば、感光体と電荷保持媒体と
を積層し、露光しつつ電圧印加をシャッターとして像露
光する印加電圧制御型Ｗ１１像形成方法、およびその装
置において、感光体の抵Ｉ）′Ｌ値として、光Ａ電層上
にオーミンク電極を設け、感光体電極の極性を光導電層
の光キャリアー極性に合わ庁て、オーミック電極との間
に直流毒圧合印加した時に測定される電流値から求めた
抵抗率が１０７〜１０１３Ω・ｃｍであるような感光体
を形成する光導重相ｔ゛［を使用し、かつ感光体電極と
同一極性の一トヤリアーを発生ずる光４電性材料を使用
することにより、′重圧印加ツヤツターを高速シャック
−化することができ、弱い入射光でもキャリアが容易に
発生し、ｉ・ラップされることなく絶縁層−Ｌに情報電
荷がｘｔ積されるものであるので、］高感度の印加電圧
制御型画（階バち成力法、およびその装置とすることが
できるものである。また形成された静電潜像は明所、暗
所に関係なく長期間保持することができ、また現像上程
を必要と−Ｕず、更に像１■現においＣも複雑な光学的
、電気的、または化６′ｆ！的処理が不要であると共に
、銀塩写真と同様に１ｌｊｉ状アナＬ１グ記録であるの
で、高解像度が得られるものである。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の印ＪＪ１１電圧制御型画像形成装置の
原理を説明するための図、第２図は本発明で使用″する
電荷保持媒体の形状を示す斜視図、第３図は本発明で使
用する電荷保持媒体の一実施例断１ｒｉｉ図、第４図は
印加心圧制ｔａｌｌ型画像形成装置の概略構成を示す図
、第５図は３色分解光学系を示す図、第６図はカラー撮
影を行う場合の説明図、第７図は微細カラーフィルタの
例を示吏図、第８図は微細カラーフィルタとフレネルレ
ンズを組み合わせた例を示す図、第９図、第１Ｏ図はト
ナー画像からビデオ信号を得る例を説明するための図、
第１１図はＮＤフィルタとＲ，Ｇ、Ｂフィルタの併用に
よる３面分割を示す図、第１２図は本発明の静電カメラ
による撮影の実施例を説明するための図、第１３図はａ
　　Ｓｉ　：Ｈ感光体の作製方法を説明するための図で
ある。 ■・・・感光体、２・・・スペーサ、３・・・電荷保持
媒体、５・・・透明支持体、７・・・透明電極、９・・
・低抵抗光導電層、１１・・・絶縁層、１３・・・電極
、１５・・・支持体、１７・・・電源、２１・・・撮影
レンズ、２３・・・ミラー２５・・ピントグラス、２７
・・・ペンタプリズム、２９・・・接眼レンズ、３１・
・・ネガ像。 出　　願　　人　　大日木印別株式会社代理人　弁理士
　　内１）亘彦（外４名）箆２図 （ａ） （ｂ） 第１ （Ｃ） ＩＩ　ＪＪｊ　１ｔ （ｄ） 一一デ門− 第２図 （Ｃ） （ｄ） （ａ） （ｂ） （Ｃ） 第７ 図 第８ 図 皆６ シマ 図 第１１図 第１２図 手 侵区 十市 正　書（方式） ％式％ 補正をする者 事件との関係　　特許出願人 住　　所　東京都新宿区市谷加賀町−「目１番１号名　
　称　（２８９）犬日本印刷株式会社代表者北島義俊

Claims (7)

【特許請求の範囲】
1. （１）前面に電極が設けられた光導電層からなる感光体
   と、感光体に対向し、後面に電極が設けられた絶縁層か
   らなる電荷保持媒体とを光軸上に配置し、両電極間への
   電圧印加スイッチをオン、オフすることにより入射光学
   像に応じた静電潜像を電荷保持媒体上に形成する印加電
   圧制御型画像形成方法において、上記光導電層をその感
   光体電極と同極性の電荷をキャリアーとして発生する低
   抵抗光導電材料により形成することを特徴とする印加電
   圧制御型画像形成方法。
2. （２）前記感光体と電荷保持媒体とは接触、または非接
   触である請求項１記載の印加電圧制御型画像形成方法。
3. （３）前記感光体の前面にカラーフィルターを配置した
   請求項１記載の印加電圧制御型画像形成方法。
4. （４）前記電荷保持媒体は、角板状、円盤状またはフィ
   ルム状である請求項１記載の印加電圧制御型画像形成方
   法。
5. （５）入射光学像を入射する側の電極を用いる基板は、
   可視域を透過する基板である請求項１記載の印加電圧制
   御型画像形成方法。
6. （６）前面に電極が設けられた光導電層からなる感光体
   と、感光体に対向し、後面に電極が設けられた絶縁層か
   らなる電荷保持媒体とを光軸上に配置すると共に、両電
   極間への電圧印加をオン、オフするためのスイッチを設
   け、スイッチをオン、オフすることにより入射光学像に
   応じた静電潜像を電荷保持媒体上に形成する高解像度静
   電カメラにおいて、上記光導電層がその感光体電極と同
   極性の電荷をキャリアーとして発生する低抵抗光導電材
   料により形成されていることを特徴とする印加電圧制御
   型画像形成装置。
7. （７）上記印加電圧制御型画像形成装置が、レンズを介
   して入射する光学像を撮影する静電カメラである請求項
   ６記載の印加電圧制御型画像形成装置。