JPH0292898A - 高温超伝導体薄膜の成長方法および装置 - Google Patents
高温超伝導体薄膜の成長方法および装置Info
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- JPH0292898A JPH0292898A JP63245203A JP24520388A JPH0292898A JP H0292898 A JPH0292898 A JP H0292898A JP 63245203 A JP63245203 A JP 63245203A JP 24520388 A JP24520388 A JP 24520388A JP H0292898 A JPH0292898 A JP H0292898A
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-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E40/00—Technologies for an efficient electrical power generation, transmission or distribution
- Y02E40/60—Superconducting electric elements or equipment; Power systems integrating superconducting elements or equipment
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- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Superconductor Devices And Manufacturing Methods Thereof (AREA)
- Superconductors And Manufacturing Methods Therefor (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概要〕
本発明は、臨界温度の高い高温超伝導体の薄膜を基板上
に成長させるための高温超伝導体薄膜の成長方法および
装置に関し、 多元の蒸着ソース間の干渉がなく、しかも各蒸着ソース
からの蒸発速度を正確に検知して基板上に被着される薄
膜の組成を正確にコントロールできるような高温超伝導
体薄膜の成長方法および装置を１星倶することを目的と
し、 真空室内に高温超伝導体薄膜を成長させるための基板を
設け、この基板に真空室内に設けた多元の蒸着ソースか
ら超伝導体粒子を蒸着させるようにした高温超伝導体薄
膜の成長方法において、複数の蒸着ソースに対応させて
真空室内に蒸着物を被着させてその蒸着速度を測定する
慢数の膜厚センサを設け、一時に一つのみの蒸着ソース
の蒸着粒子の放射面を開放して蒸着粒子を飛散させると
ともに他の蒸着ソースからの蒸着粒子の飛散を遮蔽し、
前記複数のセンサのうち、一時にその一つの蒸管面を開
放するとともに他のセンサの蒸着面を遮蔽し、前記蒸着
ソースとこれに対応する膜厚センサとの開放遮蔽を同期
させ、膜厚センサからの出力により蒸百ソースの蒸着速
度を調整するように（＾１成するとともに、 真空室内に高温超伝導体薄膜を成長させるための基板を
設け、この基板に真空室内に設けた多元の蒸着ソースか
ら超伝導体粒子を蒸着させるようにした高温超伝導体薄
膜の成長装置において、前記真空室内に複数の蒸着ソー
スに対応させて配置され、その検知面に蒸着物を被着さ
せて蒸着速度を測定するための複数の膜厚センサと、蒸
着ソースの蒸着粒子の放射面を開放可能に遮蔽するため
の遮蔽装置と、前記センサの検知面を開放可能に遮蔽す
るための遮蔽装置と、前記両遮蔽装置を同期して作動せ
しめ、一時に一組の互いに対応する蒸着ソースの蒸着粒
子の放射面と膜厚センサの検知面とを開放し、他の組は
遮蔽するようにするためのコントローラとを有するよう
に構成した。
に成長させるための高温超伝導体薄膜の成長方法および
装置に関し、 多元の蒸着ソース間の干渉がなく、しかも各蒸着ソース
からの蒸発速度を正確に検知して基板上に被着される薄
膜の組成を正確にコントロールできるような高温超伝導
体薄膜の成長方法および装置を１星倶することを目的と
し、 真空室内に高温超伝導体薄膜を成長させるための基板を
設け、この基板に真空室内に設けた多元の蒸着ソースか
ら超伝導体粒子を蒸着させるようにした高温超伝導体薄
膜の成長方法において、複数の蒸着ソースに対応させて
真空室内に蒸着物を被着させてその蒸着速度を測定する
慢数の膜厚センサを設け、一時に一つのみの蒸着ソース
の蒸着粒子の放射面を開放して蒸着粒子を飛散させると
ともに他の蒸着ソースからの蒸着粒子の飛散を遮蔽し、
前記複数のセンサのうち、一時にその一つの蒸管面を開
放するとともに他のセンサの蒸着面を遮蔽し、前記蒸着
ソースとこれに対応する膜厚センサとの開放遮蔽を同期
させ、膜厚センサからの出力により蒸百ソースの蒸着速
度を調整するように（＾１成するとともに、 真空室内に高温超伝導体薄膜を成長させるための基板を
設け、この基板に真空室内に設けた多元の蒸着ソースか
ら超伝導体粒子を蒸着させるようにした高温超伝導体薄
膜の成長装置において、前記真空室内に複数の蒸着ソー
スに対応させて配置され、その検知面に蒸着物を被着さ
せて蒸着速度を測定するための複数の膜厚センサと、蒸
着ソースの蒸着粒子の放射面を開放可能に遮蔽するため
の遮蔽装置と、前記センサの検知面を開放可能に遮蔽す
るための遮蔽装置と、前記両遮蔽装置を同期して作動せ
しめ、一時に一組の互いに対応する蒸着ソースの蒸着粒
子の放射面と膜厚センサの検知面とを開放し、他の組は
遮蔽するようにするためのコントローラとを有するよう
に構成した。
本発明は、臨界温度の高い高温超伝導体の薄膜を基板上
に成長させるための高温超伝導体薄膜の成長方法および
装置に関する。
に成長させるための高温超伝導体薄膜の成長方法および
装置に関する。
最近、臨界温度が液体窒素の沸点（７７Ｋ）を超えるよ
うな酸化物超高温伝導体が発見され、エレクトロニクス
分野でも電気機器からコンピュータまで幅広い用途が開
けようとしており、特にコンピュータ用の素子としては
高温超伝導体を薄膜の形にして使用される。
うな酸化物超高温伝導体が発見され、エレクトロニクス
分野でも電気機器からコンピュータまで幅広い用途が開
けようとしており、特にコンピュータ用の素子としては
高温超伝導体を薄膜の形にして使用される。
従来、高温超伝導薄膜の成長方法の一つとしては、第４
図に示すような電子ビーム蒸着法が存在する。すなわち
、真空室４０内上部には加熱装置４１によって温度調節
可能な基板４２が設けられ、この基板４２に対向して真
空室４ｏの下部には！夏ｆｉｌ （７） 蒸着ソース４
３．４３が設置され、この蒸着ソース４３は、例えば、
電子ビームガンからなる。
図に示すような電子ビーム蒸着法が存在する。すなわち
、真空室４０内上部には加熱装置４１によって温度調節
可能な基板４２が設けられ、この基板４２に対向して真
空室４ｏの下部には！夏ｆｉｌ （７） 蒸着ソース４
３．４３が設置され、この蒸着ソース４３は、例えば、
電子ビームガンからなる。
前記基板４２上に被着される薄膜の組成を測定するため
には、各蒸着ソース４３に対応して水晶膜厚センサ４４
，４４が設けられ、これら各センサ４４によって対応す
る各蒸着ソース４３から放射され、その検知面に被着さ
れる被蒸着物の所定時間における膜厚か３Ｐ１定され、
コントローラ４５４５によって蒸着ソース４３からの被
煎青物の蒸発速度がコントロールされる。
には、各蒸着ソース４３に対応して水晶膜厚センサ４４
，４４が設けられ、これら各センサ４４によって対応す
る各蒸着ソース４３から放射され、その検知面に被着さ
れる被蒸着物の所定時間における膜厚か３Ｐ１定され、
コントローラ４５４５によって蒸着ソース４３からの被
煎青物の蒸発速度がコントロールされる。
ところが、各蒸着ソースからの蒸着物の速度を測定する
ためには呂蒸着ソースに対応して膜厚センサが設けられ
、この膜厚センサには一つの蒸着ソースからの蒸着物の
みが被着されるようにしないと正確な各蒸着ソースから
の蒸着速度のコントロールができない。このようにセン
サを真空室内に配置することは、蒸発粒子に直進性が乏
しい場合に幾何学的に困難な場合が多いし、事実上不可
能な場合もある。
ためには呂蒸着ソースに対応して膜厚センサが設けられ
、この膜厚センサには一つの蒸着ソースからの蒸着物の
みが被着されるようにしないと正確な各蒸着ソースから
の蒸着速度のコントロールができない。このようにセン
サを真空室内に配置することは、蒸発粒子に直進性が乏
しい場合に幾何学的に困難な場合が多いし、事実上不可
能な場合もある。
また、前記電子ビーム蒸管法では、蒸着時のガス圧が高
いため、多元の蒸着ソース間の干渉が生じ、個々の蒸着
速度をコントロールするのが難しい。
いため、多元の蒸着ソース間の干渉が生じ、個々の蒸着
速度をコントロールするのが難しい。
本発明は、かかる点に鑑み、多元の蒸着ソース間の干渉
がなく、しかも各蒸着ソースからの蒸発速度を正確に検
知して基板上に被着される薄膜の組成を正確にコントロ
ールできるような高温超伝導体薄膜の成長方法および装
置を提供することを］］的とする。
がなく、しかも各蒸着ソースからの蒸発速度を正確に検
知して基板上に被着される薄膜の組成を正確にコントロ
ールできるような高温超伝導体薄膜の成長方法および装
置を提供することを］］的とする。
そこで、本発明は、高温超伝導薄膜の成長方法を真空室
内に高温超伝導体薄膜を成長させるための基板を設け、
この基板に真空室内に設けた多元の蒸着ソースから超伝
導体粒子を蒸着させるようにした高温超伝導体薄膜の成
長方法において、複数の蒸着ソースに対応させて真空室
内に蒸着物を被着させてその蒸着速度を測定する複数の
膜厚センサを設け、一時に一つのみの蒸着ソースの蒸着
粒子の放射面を開放して蒸着粒子を飛散させるとともに
他の蒸着ソースからの蒸着粒子の飛散を遮蔽し、前記複
数のセンサのうち、一時にその一つの蒸行面を開放する
とともに他のセンサの蒸着面を遮蔽し、前記蒸着ソース
とこれに対応する膜厚センサとの開放遮蔽を同期させ、
膜厚センサからの出力により蒸着ソースの蒸着速度を調
整するように構成するとともに、高温超伝導薄膜の成長
装置を真空室内に高温超伝導体薄膜を成長させるための
基板を設け、この基板に真空室内に設けた多元の蒸着ソ
ースから超伝導体粒子を蒸着させるようにした高温超伝
導体薄膜の成長装置において、前記興空室内に複数の蒸
着ソースに対応させて配置され、その検知面に蒸着物を
被着させて蒸着速度を測定するための複数の膜厚センサ
と、蒸着ソースの蒸着粒子の放射面を開放可能に遮蔽す
るための遮蔽装置と、前記センサの検知面を開ｂ’を可
能に遮蔽するための遮蔽装置と、前記両遮蔽装置を同期
して作動せしめ、一時に一組の互いに対応する蒸着ソー
スの蒸着粒子の放射面と膜厚センサの検知面とを開放ｌ
７、他の組は遮蔽するようにするためのコントローラと
を有するように構成する。
内に高温超伝導体薄膜を成長させるための基板を設け、
この基板に真空室内に設けた多元の蒸着ソースから超伝
導体粒子を蒸着させるようにした高温超伝導体薄膜の成
長方法において、複数の蒸着ソースに対応させて真空室
内に蒸着物を被着させてその蒸着速度を測定する複数の
膜厚センサを設け、一時に一つのみの蒸着ソースの蒸着
粒子の放射面を開放して蒸着粒子を飛散させるとともに
他の蒸着ソースからの蒸着粒子の飛散を遮蔽し、前記複
数のセンサのうち、一時にその一つの蒸行面を開放する
とともに他のセンサの蒸着面を遮蔽し、前記蒸着ソース
とこれに対応する膜厚センサとの開放遮蔽を同期させ、
膜厚センサからの出力により蒸着ソースの蒸着速度を調
整するように構成するとともに、高温超伝導薄膜の成長
装置を真空室内に高温超伝導体薄膜を成長させるための
基板を設け、この基板に真空室内に設けた多元の蒸着ソ
ースから超伝導体粒子を蒸着させるようにした高温超伝
導体薄膜の成長装置において、前記興空室内に複数の蒸
着ソースに対応させて配置され、その検知面に蒸着物を
被着させて蒸着速度を測定するための複数の膜厚センサ
と、蒸着ソースの蒸着粒子の放射面を開放可能に遮蔽す
るための遮蔽装置と、前記センサの検知面を開ｂ’を可
能に遮蔽するための遮蔽装置と、前記両遮蔽装置を同期
して作動せしめ、一時に一組の互いに対応する蒸着ソー
スの蒸着粒子の放射面と膜厚センサの検知面とを開放ｌ
７、他の組は遮蔽するようにするためのコントローラと
を有するように構成する。
複数の蒸着ソースに取付けた遮蔽装置と蒸着ソースに対
応して設けた膜厚センサの遮蔽装置とを同期して開閉せ
しめ、一つのセンサには一種類の蒸着物質のみを被着せ
しめる。
応して設けた膜厚センサの遮蔽装置とを同期して開閉せ
しめ、一つのセンサには一種類の蒸着物質のみを被着せ
しめる。
これにより、蒸着ソース間の干渉が有効に避けられると
ともに各蒸着ソースの蒸発粒子の蒸発速度が１［確に測
定でき、これに伴って基板上の薄膜の組成も正確にコン
トロールできる。
ともに各蒸着ソースの蒸発粒子の蒸発速度が１［確に測
定でき、これに伴って基板上の薄膜の組成も正確にコン
トロールできる。
以下、図面を参照して本発明の一実施例について説明す
る。
る。
第１図において、本発明の高温超伝導体薄膜の成長装置
Ｍは真空室１を有し、この真空室１には真空引き開口１
ａが設けられている。前記真空室１内の上部には高温超
伝導体の薄膜２ａをその表面に蒸着せしめるための基板
２が設けられ、この基！！ｉ２２は加熱装置３によって
所定温度に維持されている。
Ｍは真空室１を有し、この真空室１には真空引き開口１
ａが設けられている。前記真空室１内の上部には高温超
伝導体の薄膜２ａをその表面に蒸着せしめるための基板
２が設けられ、この基！！ｉ２２は加熱装置３によって
所定温度に維持されている。
前記真空室］内の下部には、基板２に対向（７て複数、
例えば３つの電子ビームガンからなる蒸着ソース４．５
．６が配置され、例えば左側の蒸着ソース４にはイツト
リウムＹが、中央の蒸着ソース５にはバリウムＢａが、
右側の蒸着ソース６には銅Ｃｕが蒸着材料として入って
いる。各蒸着ソースの蒸着材料の放射面にλ・ｌ向して
遮蔽装置としてのシャッタ板７，８．９が設けられ、こ
のシャッタｔｌｉ７，８．９は水平方向にスライドする
スライド式でもよいし、上下に開閉するドアタイプのも
のでもよい。
例えば３つの電子ビームガンからなる蒸着ソース４．５
．６が配置され、例えば左側の蒸着ソース４にはイツト
リウムＹが、中央の蒸着ソース５にはバリウムＢａが、
右側の蒸着ソース６には銅Ｃｕが蒸着材料として入って
いる。各蒸着ソースの蒸着材料の放射面にλ・ｌ向して
遮蔽装置としてのシャッタ板７，８．９が設けられ、こ
のシャッタｔｌｉ７，８．９は水平方向にスライドする
スライド式でもよいし、上下に開閉するドアタイプのも
のでもよい。
前記基板２の図上右側には、前記蒸着ソース４５．６に
対応して同数の水晶膜厚センサ１０１１．１２が設けら
れ、これら水晶膜厚センサ１．０，１１，１．２の検知
面に対応して前記シャッタ板７，８．９と同一の構造の
シャツタ板１３１．４．１５が設けられている。前記蒸
着ソース４とシャツタ板７の組合せとセンサ１０とジャ
シタ板１３の組合せ間には、コントローラ１６が、蒸着
ソース５とシャツタ板８の組合せとセンサ１１とシャツ
タ板１４の組合せ間にはコントローラ１７が、蒸着ソー
ス６とシャツタ板９の組合せとセンサ１２とシャツタ板
１５との組合せ間にはコントローラ１８がそれぞれ設け
られている。これらコントローラ１６．１７．１８によ
ってシャツタ板７と１３、シャツタ板８と１４、シャツ
タ板９と１５が同期して開閉するとともに、センサ１０
．１．１，１．２の検知面からの検知信号に応じて各蒸
着ソースが制御され蒸着材料の蒸発速度が調整される。
対応して同数の水晶膜厚センサ１０１１．１２が設けら
れ、これら水晶膜厚センサ１．０，１１，１．２の検知
面に対応して前記シャッタ板７，８．９と同一の構造の
シャツタ板１３１．４．１５が設けられている。前記蒸
着ソース４とシャツタ板７の組合せとセンサ１０とジャ
シタ板１３の組合せ間には、コントローラ１６が、蒸着
ソース５とシャツタ板８の組合せとセンサ１１とシャツ
タ板１４の組合せ間にはコントローラ１７が、蒸着ソー
ス６とシャツタ板９の組合せとセンサ１２とシャツタ板
１５との組合せ間にはコントローラ１８がそれぞれ設け
られている。これらコントローラ１６．１７．１８によ
ってシャツタ板７と１３、シャツタ板８と１４、シャツ
タ板９と１５が同期して開閉するとともに、センサ１０
．１．１，１．２の検知面からの検知信号に応じて各蒸
着ソースが制御され蒸着材料の蒸発速度が調整される。
次に、本発明の作用について説明する。
第２図は、各シャツタ板７，８，９．１３゜１４．１５
の開閉状態のタイミングを示す図であり、シャツタ板７
とこれに対応するシャツタ板１３が同期して開き、蒸着
ソース４からの蒸着材料が蒸発して基板２上に被着する
とともにセンサ１０の検知面に被着する。このときには
、他のシャッタ板８，９．１４．１５が閉じて蒸着ソー
ス５６からの蒸着材料の蒸発は遮蔽され、これに伴って
センサ１１，１２の検知面にも蒸着材料は被着しない。
の開閉状態のタイミングを示す図であり、シャツタ板７
とこれに対応するシャツタ板１３が同期して開き、蒸着
ソース４からの蒸着材料が蒸発して基板２上に被着する
とともにセンサ１０の検知面に被着する。このときには
、他のシャッタ板８，９．１４．１５が閉じて蒸着ソー
ス５６からの蒸着材料の蒸発は遮蔽され、これに伴って
センサ１１，１２の検知面にも蒸着材料は被着しない。
次に、シャツタ板８と１４が開くとともに他のシャッタ
板７，９，１３．１５は閉じ、蒸着ソースうのみからの
蒸着材料が蒸発して基板上に被着するとともにセンサ１
１の検知面にのみ蒸発ソース５からの蒸着材料が被着す
る。次に、シャツタ板９とこれに対応するシャツタ板１
５の組のみが開いて、他のシャッタ板７，８．１３１４
は閉じる。
板７，９，１３．１５は閉じ、蒸着ソースうのみからの
蒸着材料が蒸発して基板上に被着するとともにセンサ１
１の検知面にのみ蒸発ソース５からの蒸着材料が被着す
る。次に、シャツタ板９とこれに対応するシャツタ板１
５の組のみが開いて、他のシャッタ板７，８．１３１４
は閉じる。
このようにして、各シャツタ板、蒸着ソース、センサは
互いに組をなして一時期には一つの組のみが動作し、各
センサ１０．１１．１２の検知面には、それに対応する
蒸着ソース７．８．９のそれぞれの蒸着材料のみが被着
される。前記コントローラ１６，１７．１８は、センサ
１０，１．１゜１２の検知面の所定時間に被着される膜
厚の測定信号に対応して蒸着ソース４．５．６への供給
電力をコントロールして、３つの元素の蒸発速度を調整
し基板２上に被着される薄膜の組成をコントロールする
。
互いに組をなして一時期には一つの組のみが動作し、各
センサ１０．１１．１２の検知面には、それに対応する
蒸着ソース７．８．９のそれぞれの蒸着材料のみが被着
される。前記コントローラ１６，１７．１８は、センサ
１０，１．１゜１２の検知面の所定時間に被着される膜
厚の測定信号に対応して蒸着ソース４．５．６への供給
電力をコントロールして、３つの元素の蒸発速度を調整
し基板２上に被着される薄膜の組成をコントロールする
。
次に、本発明の他の実施例について説明する。
第１図の実施例においては、各シャツタ板はそれぞれ独
立に設けられ、個々に開閉動作をするようになっている
が、第３図に示すように蒸着ソース４，５．６の蒸発面
に対向して回転円板シャッタ３０を設け、このシャッタ
３０の周縁近傍に開口３０ａを設けるとともに、前記セ
ンサ１０゜１、．１．．１２の検知面に対向して回転円
板シャッタ３１を設け、このシャッタ３１の周縁近傍に
開口３０ａを設けるようにしてもよい。これら両シャッ
タ３０．３１は同期して回転され、一時に互いに対応す
る蒸着ソースとセンサの組が開放される。
立に設けられ、個々に開閉動作をするようになっている
が、第３図に示すように蒸着ソース４，５．６の蒸発面
に対向して回転円板シャッタ３０を設け、このシャッタ
３０の周縁近傍に開口３０ａを設けるとともに、前記セ
ンサ１０゜１、．１．．１２の検知面に対向して回転円
板シャッタ３１を設け、このシャッタ３１の周縁近傍に
開口３０ａを設けるようにしてもよい。これら両シャッ
タ３０．３１は同期して回転され、一時に互いに対応す
る蒸着ソースとセンサの組が開放される。
なお、この場合には各蒸着ソースおよびセンサはシャッ
タ板３０．３１の開口３０ａ、３１ａの回転軌跡に沿っ
て配設されている。
タ板３０．３１の開口３０ａ、３１ａの回転軌跡に沿っ
て配設されている。
本発明は、蒸着ソースに取り付けたシャッタと膜厚セン
サに取り付けたシャッタとを同期して開＋！Ｓ ｔ、て
一つのセンサに二種類の蒸着物質のみを被着せしめるよ
うにしたので、薄膜成長時のガス圧が高く、蒸着粒子の
直進性が悪い場合では従来の多元センサ方式では蒸着ソ
ース間の干渉が生じたのに対して、本発明においては蒸
着ソース間の干渉が生じず、膜厚センサの配置も極めて
容易となる。また、本発明では、シャッタの切り換え速
度を速くすれば、膜厚センサの応答速度により制限をう
けることなく蒸着ソースの切り換え速度を適宜速めるこ
とができるため、従来のものに比較してソースの切り換
え速度を大きくとれるという利点がある。
サに取り付けたシャッタとを同期して開＋！Ｓ ｔ、て
一つのセンサに二種類の蒸着物質のみを被着せしめるよ
うにしたので、薄膜成長時のガス圧が高く、蒸着粒子の
直進性が悪い場合では従来の多元センサ方式では蒸着ソ
ース間の干渉が生じたのに対して、本発明においては蒸
着ソース間の干渉が生じず、膜厚センサの配置も極めて
容易となる。また、本発明では、シャッタの切り換え速
度を速くすれば、膜厚センサの応答速度により制限をう
けることなく蒸着ソースの切り換え速度を適宜速めるこ
とができるため、従来のものに比較してソースの切り換
え速度を大きくとれるという利点がある。
第１図は本発明の高温超伝導体薄膜の成長装置の概略構
成図、 第２図はシャツタ板の開閉タイミング図、第３図は本発
明の他の実施例を示す高温超伝導薄膜の成長装置の概略
構成図、 第４図は従来の高温超伝導薄膜の成長装置の概略構成図
である。 １・・・真空室 ２・・・基板 ４，５．６・・・蒸着ソース ７．８．９・・・シャツタ板 ］、０．１ ］、、 ］−２・・・膜厚センサ１．３
，１４．１５・・・シャツタ板 ３０．３１ ・・回転円板シャッタ ／ヤノタ板のタイミング図 第 ２ 図 ３０．３１・・回転円板ンヤノタ 本発明の他の実施例図 第３図 ａ ４．５，６ ７．８，９ １０．１１，１２ １３．１４，１５ １６．１７．１８ 真空室 基板 蒸着ソース ／ヤノタ板 膜厚セッサ シャツタ板 コントローラ 本発明の成長装置の構成図 第１図 ４０・・真空室 ４２・・・基板 ４３・・・蒸着ソース ４４・・膜厚センサ ４５・・・コントローラ 従来の成長装置の構成図 第 ４ 図
成図、 第２図はシャツタ板の開閉タイミング図、第３図は本発
明の他の実施例を示す高温超伝導薄膜の成長装置の概略
構成図、 第４図は従来の高温超伝導薄膜の成長装置の概略構成図
である。 １・・・真空室 ２・・・基板 ４，５．６・・・蒸着ソース ７．８．９・・・シャツタ板 ］、０．１ ］、、 ］−２・・・膜厚センサ１．３
，１４．１５・・・シャツタ板 ３０．３１ ・・回転円板シャッタ ／ヤノタ板のタイミング図 第 ２ 図 ３０．３１・・回転円板ンヤノタ 本発明の他の実施例図 第３図 ａ ４．５，６ ７．８，９ １０．１１，１２ １３．１４，１５ １６．１７．１８ 真空室 基板 蒸着ソース ／ヤノタ板 膜厚セッサ シャツタ板 コントローラ 本発明の成長装置の構成図 第１図 ４０・・真空室 ４２・・・基板 ４３・・・蒸着ソース ４４・・膜厚センサ ４５・・・コントローラ 従来の成長装置の構成図 第 ４ 図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、真空室（１）内に高温超伝導体薄膜を成長させるた
めの基板（２）を設け、この基板（２）に真空室（１）
内に設けた多元の蒸着ソース（４、５、６）から超伝導
体粒子を蒸着させるようにした高温超伝導体薄膜の成長
方法において、 複数の蒸着ソース（４、５、６）に対応させて真空室（
１）内に蒸着物を被着させてその蒸着速度を測定する複
数の膜厚センサ（１０、１１、１２）を設け、 一時に一つのみの蒸着ソース（４）の蒸着粒子の放射面
を開放して蒸着粒子を飛散させるとともに他の蒸着ソー
ス（５、６）からの蒸着粒子の飛散を遮蔽し、 前記複数のセンサのうち、一時にその一つのセンサ（１
０）の蒸着面を開放するとともに他のセンサ（１１、１
２）の蒸着面を遮蔽し、 前記蒸着ソースとこれに対応する膜厚センサとの開放遮
蔽を同期させ、膜厚センサからの出力により蒸着ソース
の蒸着速度を調整することを特徴とする高温超伝導体薄
膜の成長方法。 ２、真空室内に高温超伝導体薄膜を成長させるための基
板（２）を設け、この基板（２）に真空室（１）内に設
けた多元の蒸着ソース（４、５、６）から超伝導体粒子
を蒸着させるようにした高温超伝導体薄膜の成長装置に
おいて、 前記真空室（１）内に複数の蒸着ソースに対応させて配
置され、その検知面に蒸着物を被着させて蒸着速度を測
定するための複数の膜厚センサ（１０、１１、１２）と
、 蒸着ソースの蒸着粒子の放射面を開放可能に遮蔽するた
めの遮蔽装置（７、８、９、３０）と、前記センサの検
知面を開放可能に遮蔽するための遮蔽装置（１３、１４
、１５、３１）と、前記両遮蔽装置を同期して作動せし
め、一時に一組の互いに対応する蒸着ソースの蒸着粒子
の放射面と膜厚センサの検知面とを開放し、他の組は遮
蔽するようにするためのコントローラ（１６、１７、１
８）とを有することを特徴とする高温超伝導体薄膜の成
長装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63245203A JPH0292898A (ja) | 1988-09-29 | 1988-09-29 | 高温超伝導体薄膜の成長方法および装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63245203A JPH0292898A (ja) | 1988-09-29 | 1988-09-29 | 高温超伝導体薄膜の成長方法および装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0292898A true JPH0292898A (ja) | 1990-04-03 |
Family
ID=17130159
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63245203A Pending JPH0292898A (ja) | 1988-09-29 | 1988-09-29 | 高温超伝導体薄膜の成長方法および装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0292898A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5105528A (en) * | 1991-01-22 | 1992-04-21 | Universal Instruments Corporation | Method and apparatus for supplying and changing tips of a pick and place vacuum spindle |
| US5534071A (en) * | 1992-03-13 | 1996-07-09 | American Research Corporation | Integrated laser ablation deposition system |
| JP2017009586A (ja) * | 2015-06-18 | 2017-01-12 | ゼロックス コーポレイションＸｅｒｏｘ Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ | フィルム製造装置におけるリアルタイムのフィルム厚測定のための全幅アレイイメージセンサの使用 |
-
1988
- 1988-09-29 JP JP63245203A patent/JPH0292898A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5105528A (en) * | 1991-01-22 | 1992-04-21 | Universal Instruments Corporation | Method and apparatus for supplying and changing tips of a pick and place vacuum spindle |
| US5534071A (en) * | 1992-03-13 | 1996-07-09 | American Research Corporation | Integrated laser ablation deposition system |
| JP2017009586A (ja) * | 2015-06-18 | 2017-01-12 | ゼロックス コーポレイションＸｅｒｏｘ Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ | フィルム製造装置におけるリアルタイムのフィルム厚測定のための全幅アレイイメージセンサの使用 |
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