JPH029208A - 高周波数帯コンバーター - Google Patents
高周波数帯コンバーターInfo
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- JPH029208A JPH029208A JP15970788A JP15970788A JPH029208A JP H029208 A JPH029208 A JP H029208A JP 15970788 A JP15970788 A JP 15970788A JP 15970788 A JP15970788 A JP 15970788A JP H029208 A JPH029208 A JP H029208A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/0213—Electrical arrangements not otherwise provided for
- H05K1/0237—High frequency adaptations
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/14—Structural association of two or more printed circuits
- H05K1/142—Arrangements of planar printed circuit boards in the same plane, e.g. auxiliary printed circuit insert mounted in a main printed circuit
Landscapes
- Control Of Motors That Do Not Use Commutators (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は衛星放送用のBSコンバーターやマイクロ波帯
受信機に用いられる高周波数帯コンパ−グーに関するも
のである。
受信機に用いられる高周波数帯コンパ−グーに関するも
のである。
従来■且王
従来より、この種のコンバーターの回路は第3図に示す
ようにアルミナ基板等から成る1枚の低を置火基板(1
3)の上に構成するか、または第4図若しくは第5図に
示すように各回路部分をそれぞれ異なった基板、すなわ
ちアルミナ板等の如き低損失基板(13)と、テフロン
ガラス基板の如きt置火のやや大きい基板(14)との
組合せ板の上に構成している。そして第4図では基板同
士をワイヤーボンディングまたは金リボン(19)を用
いて結合し、第5図では基板同士を金属壁(21)を介
して同軸線(25)を用いて結合している。第3図〜第
5図において(1)はRF帯が入力される導波管・マイ
クロストリップ変換器、(2)は該変換器(1)の出力
が入力される低雑音化を目標に設計されたRF帯低雑音
増幅器、(3)は該RF帯低雑音増幅器(2)の出力が
人力される利得を稼ぐためのRF帯帯幅幅器(5)は高
無負荷Qを有する誘電体共振器、(4)及び(6)は該
誘電体共振器(5)と結合するマイクロストリンプライ
ンである。マイクロストリップライン(,4L(6)及
び前記誘電体共振器(5)はRF帯の帯域通過フィルタ
ー(7)を構成している。、(8)は局部発振器、(9
)は局部発振用帯域通過フィルター、 (10)は該局
部発振用帯域通過フィルター(9)の出力及び前記RF
帯帯域通過フィルター(7)の出力を混合して中間周波
数信号を形成するための混合器。
ようにアルミナ基板等から成る1枚の低を置火基板(1
3)の上に構成するか、または第4図若しくは第5図に
示すように各回路部分をそれぞれ異なった基板、すなわ
ちアルミナ板等の如き低損失基板(13)と、テフロン
ガラス基板の如きt置火のやや大きい基板(14)との
組合せ板の上に構成している。そして第4図では基板同
士をワイヤーボンディングまたは金リボン(19)を用
いて結合し、第5図では基板同士を金属壁(21)を介
して同軸線(25)を用いて結合している。第3図〜第
5図において(1)はRF帯が入力される導波管・マイ
クロストリップ変換器、(2)は該変換器(1)の出力
が入力される低雑音化を目標に設計されたRF帯低雑音
増幅器、(3)は該RF帯低雑音増幅器(2)の出力が
人力される利得を稼ぐためのRF帯帯幅幅器(5)は高
無負荷Qを有する誘電体共振器、(4)及び(6)は該
誘電体共振器(5)と結合するマイクロストリンプライ
ンである。マイクロストリップライン(,4L(6)及
び前記誘電体共振器(5)はRF帯の帯域通過フィルタ
ー(7)を構成している。、(8)は局部発振器、(9
)は局部発振用帯域通過フィルター、 (10)は該局
部発振用帯域通過フィルター(9)の出力及び前記RF
帯帯域通過フィルター(7)の出力を混合して中間周波
数信号を形成するための混合器。
(11)はダウンコンパ−1・された中間周波数信号の
みを通ず低域通過フィルター、 (12)は中間周波数
信号を増幅する中間周波数(以下rlFJと言う)増幅
器である。前記誘電体共振器(5)は各々の;・イクロ
ストリノブライン(4)及び(6)の開放端からそれぞ
れほぼλg/4の位置に固定されている。但し、λgは
RF倍信号管内波長である。また前記誘電体共振器(5
)と前記マイクロストリップライン(4)及び(6)か
らの距離及び前記誘電体共振器(5)間の距離は、RF
帯帯域通過フィルター(7)として良好な特性が得られ
るように選ばれている。
みを通ず低域通過フィルター、 (12)は中間周波数
信号を増幅する中間周波数(以下rlFJと言う)増幅
器である。前記誘電体共振器(5)は各々の;・イクロ
ストリノブライン(4)及び(6)の開放端からそれぞ
れほぼλg/4の位置に固定されている。但し、λgは
RF倍信号管内波長である。また前記誘電体共振器(5
)と前記マイクロストリップライン(4)及び(6)か
らの距離及び前記誘電体共振器(5)間の距離は、RF
帯帯域通過フィルター(7)として良好な特性が得られ
るように選ばれている。
第4図及び第5図において、導波管・マイクロストリッ
プ変換器(1)、RF帯低雑音増幅器(2) 、 RF
帯幅幅器(3)、誘電体共振器(5)、マイクロストリ
ップライン(4)及び(6)の一部分は低を置火基板(
13)の1−に構成されている。一方、マイクロストリ
ンブライン(6)の一部分、局部発振器(8)1局部発
振用帯域通過フィルター(9)、混合器(10)、IF
用低域通過フィルター(11)、IF用増幅!(12)
は損失のやや大きい基板(14)の上に構成されている
。そして、第4図では前記低損失基板(13)及び前記
損失のやや大きい基板(14)はマイクロストリップラ
イン(6)を介してワイヤーボンディングまたは金りV
ン(1つ)を用いて結合されている。同図において線分
U−Dは前記低扛1失基板(13)と前記1.i1失の
やや大きい基!&(14)の境界線である。第5回にお
いて、前記低損失基板(13)と前記損失のやや大きい
基板(14)はマイクロストリップライン(6)を介し
て同軸線(20)で結合されている。そして両基板の間
にはアース面につながると共に前記同軸線(20)が貫
通する金属壁(21)が挿入されている。
プ変換器(1)、RF帯低雑音増幅器(2) 、 RF
帯幅幅器(3)、誘電体共振器(5)、マイクロストリ
ップライン(4)及び(6)の一部分は低を置火基板(
13)の1−に構成されている。一方、マイクロストリ
ンブライン(6)の一部分、局部発振器(8)1局部発
振用帯域通過フィルター(9)、混合器(10)、IF
用低域通過フィルター(11)、IF用増幅!(12)
は損失のやや大きい基板(14)の上に構成されている
。そして、第4図では前記低損失基板(13)及び前記
損失のやや大きい基板(14)はマイクロストリップラ
イン(6)を介してワイヤーボンディングまたは金りV
ン(1つ)を用いて結合されている。同図において線分
U−Dは前記低扛1失基板(13)と前記1.i1失の
やや大きい基!&(14)の境界線である。第5回にお
いて、前記低損失基板(13)と前記損失のやや大きい
基板(14)はマイクロストリップライン(6)を介し
て同軸線(20)で結合されている。そして両基板の間
にはアース面につながると共に前記同軸線(20)が貫
通する金属壁(21)が挿入されている。
発明が解決しようとする課題
しかしながら、上述した従来の構成で性能の良いものを
作ろうとすると、第3図の場合では、導体として貴金属
を利用したり導体を基板に付着させるのに作業が複雑に
なったり、基板の加工が困難になるためコスト的に高く
なってしまう。一方、第4図や第5図の場合であると、
異なった基板間をワイヤーボンディングまたは金リボン
、同軸線を利用して結合するために手間がかかったり、
それらの接続部が与える影響を設計に考慮したりしなけ
ればならなくなるという問題があった。
作ろうとすると、第3図の場合では、導体として貴金属
を利用したり導体を基板に付着させるのに作業が複雑に
なったり、基板の加工が困難になるためコスト的に高く
なってしまう。一方、第4図や第5図の場合であると、
異なった基板間をワイヤーボンディングまたは金リボン
、同軸線を利用して結合するために手間がかかったり、
それらの接続部が与える影響を設計に考慮したりしなけ
ればならなくなるという問題があった。
本発明はこのような問題を解決した新規高周波数帯コン
バーターを提供することを目的とする。
バーターを提供することを目的とする。
課題至邂訣工Ak汝久手段
上記の目的を達成するため本発明では、コンバーターを
構成する回路を導波管・マイクロストリップ変換器、増
幅器、マイクロストリップライン。
構成する回路を導波管・マイクロストリップ変換器、増
幅器、マイクロストリップライン。
誘電体共振器の各ブロックから成る第1グループと、マ
イクロストリップライン、局部発振器3局部発振用帯域
通過フィルター、混合器、IF用低域通過フィルター、
IF用増幅器の各ブロックから成る第2グループとに分
けると共に、第1グループに属する回路は低損失基板上
に薄膜で形成し、また第2グループに属する回路は信号
損失のやや大きい基板上に形成し、該第1.第2グルー
プの回路を誘電体共振器帯域通過フィルターを用いて結
合させるようにしていた構成としている。
イクロストリップライン、局部発振器3局部発振用帯域
通過フィルター、混合器、IF用低域通過フィルター、
IF用増幅器の各ブロックから成る第2グループとに分
けると共に、第1グループに属する回路は低損失基板上
に薄膜で形成し、また第2グループに属する回路は信号
損失のやや大きい基板上に形成し、該第1.第2グルー
プの回路を誘電体共振器帯域通過フィルターを用いて結
合させるようにしていた構成としている。
立−ユ
このような構成によると、低を置火基板と損失のやや大
きい基板との間の結合、即ち異なった基板間の結合は、
前記誘電体共振器及びマイクロストリップライン間の磁
気結合で行われる。従って、上記異なった基板間の接続
に特別な工夫がいらなくなる。
きい基板との間の結合、即ち異なった基板間の結合は、
前記誘電体共振器及びマイクロストリップライン間の磁
気結合で行われる。従って、上記異なった基板間の接続
に特別な工夫がいらなくなる。
実施例
第1図は本実発明を実施した高周波数帯コンハーク−の
全体図であり、第2図(a) 、 (b) 、 (c)
は第1図のRF帯帯電電体共振器帯域通過フィルター7
)の部分について詳細に記載した図である。第1図にお
いて、従来例の第3図〜第5図と同一部分には同一符号
を付しである。
全体図であり、第2図(a) 、 (b) 、 (c)
は第1図のRF帯帯電電体共振器帯域通過フィルター7
)の部分について詳細に記載した図である。第1図にお
いて、従来例の第3図〜第5図と同一部分には同一符号
を付しである。
本実施例では導波管・マイクロストリップ変換器(1)
、RF帯低雑音増幅器(2)、RF帯帯幅幅器3)。
、RF帯低雑音増幅器(2)、RF帯帯幅幅器3)。
マイクロストリップライン(4)、誘電体共振器(5)
から成る回路は低損失基板(13)の上に薄膜技術を利
用してマイクロストリップで構成されている。
から成る回路は低損失基板(13)の上に薄膜技術を利
用してマイクロストリップで構成されている。
一方、マイクロス!・リップライン(6)1局部発振器
(8)1局部発振用帯域通過フィルター(9)、混合器
(10)、IF用低域通過フィルター(11)、IF用
増幅器から成る回路は高周波数帯で損失のやや大きい基
板(14)上に構成されている。そして、異なった基板
すなわち前記低損失基板(13)及び前記損失のやや大
きい基板の結合は、前記誘電体共振器(5)と前記マイ
クロストリップラインクロ)の磁気結合で行われている
。
(8)1局部発振用帯域通過フィルター(9)、混合器
(10)、IF用低域通過フィルター(11)、IF用
増幅器から成る回路は高周波数帯で損失のやや大きい基
板(14)上に構成されている。そして、異なった基板
すなわち前記低損失基板(13)及び前記損失のやや大
きい基板の結合は、前記誘電体共振器(5)と前記マイ
クロストリップラインクロ)の磁気結合で行われている
。
次に第2図の(a)〜(c)は第1図のRF帯帯電電体
共振器帯域通過フィルター7)の詳細図であり、(a)
は第1図を上面から見た図、(b)は(a)の正断面図
、(c)は(a)の側断面図である。
共振器帯域通過フィルター7)の詳細図であり、(a)
は第1図を上面から見た図、(b)は(a)の正断面図
、(c)は(a)の側断面図である。
第2図の(a)及び(b)に示すように、金属製のアー
ス用台座(18)の上に境界線U−Dで低を置火基板(
13)及び損失のやや大きい基板(14)が固定されて
おり、マイクロストリップライン(4)は低損失基板(
13)の上に、またマイクロストリップライン(6)は
損失のやや大きい基板(I4)の上にそれぞれ構成され
ている。そして高無負荷Qを有する誘電体供振器(5)
は、低損失基板(13)の上に前記マイクロストリップ
ライン(4)及び(6)の開放端からそれぞれほぼλg
+/4. 7g2/4の位置に固定されている。但し、
λg++λg2はそれぞれ基板(+3)、(14)での
RF倍信号管内波長である。また第2図のくC)に示す
ように、シールドケース(I5)は前記像を置火基板(
13)及び前記損失のやや大きい基板(14)の上に取
り付は用のネジ(16)で締め付けられている。さらに
前記シールドケース(15)の上面には、RFWF電体
共振器帯域通過フィルター(7)の特性を微調整するた
めの微調整用のネジ(+7)が設けられて、該ネジ先端
の突出量によって誘電体共振器(5)の共振周波数が調
整される。
ス用台座(18)の上に境界線U−Dで低を置火基板(
13)及び損失のやや大きい基板(14)が固定されて
おり、マイクロストリップライン(4)は低損失基板(
13)の上に、またマイクロストリップライン(6)は
損失のやや大きい基板(I4)の上にそれぞれ構成され
ている。そして高無負荷Qを有する誘電体供振器(5)
は、低損失基板(13)の上に前記マイクロストリップ
ライン(4)及び(6)の開放端からそれぞれほぼλg
+/4. 7g2/4の位置に固定されている。但し、
λg++λg2はそれぞれ基板(+3)、(14)での
RF倍信号管内波長である。また第2図のくC)に示す
ように、シールドケース(I5)は前記像を置火基板(
13)及び前記損失のやや大きい基板(14)の上に取
り付は用のネジ(16)で締め付けられている。さらに
前記シールドケース(15)の上面には、RFWF電体
共振器帯域通過フィルター(7)の特性を微調整するた
めの微調整用のネジ(+7)が設けられて、該ネジ先端
の突出量によって誘電体共振器(5)の共振周波数が調
整される。
上記構造において、低損失基Fi(1,3)及び損失の
やや大きい基板(14)の接続は、それぞれの2J 板
上のマイクロストリップライン(4L(6) と誘電体
共振器(5)の磁気結合で行われて信号が相互の基板間
で入出力される。従ってマイクロストリップライン(4
) 、 (6)に対して誘電体共振器(5)の相対的な
位置を変化させることにより結合の強さを変えたり、誘
電体共振器(5)の上方に設けた調整ネジ(17)を利
用して誘電体共振器(5)の共振周波数を変えることが
できる。
やや大きい基板(14)の接続は、それぞれの2J 板
上のマイクロストリップライン(4L(6) と誘電体
共振器(5)の磁気結合で行われて信号が相互の基板間
で入出力される。従ってマイクロストリップライン(4
) 、 (6)に対して誘電体共振器(5)の相対的な
位置を変化させることにより結合の強さを変えたり、誘
電体共振器(5)の上方に設けた調整ネジ(17)を利
用して誘電体共振器(5)の共振周波数を変えることが
できる。
なお調整ネジ(17)を設ける位置としては、上面に限
らずシールドケース(+5)の他のケース面であっても
よい。また共振周波数の可変は誘電体共振器(5)の収
納ケース内に別途導体を挿脱する機構を設けて構成する
こともできる。
らずシールドケース(+5)の他のケース面であっても
よい。また共振周波数の可変は誘電体共振器(5)の収
納ケース内に別途導体を挿脱する機構を設けて構成する
こともできる。
発明の効果
本発明によれば、導波管・マイクロストリップ変換器、
低雑音増幅器、RF帯帯幅幅器RF帯帯電電体共振器帯
域通過フィルター一部分から成る回路を高周波数帯でも
低損失基板例えばアルミナ基板等の上に薄膜技術を利用
して作られるので、より低雑音な低雑音増幅器ができ、
低雑音なコンバーターが可能となると同時にRF帯誘電
体共振器帯域通i弱フィルターの挿入損失を小さく押え
ることができる。また低損失基板と損失のやや大きい基
板の間の結合は誘電体供振器とマイクロストリップライ
ンの磁気結合で行われるため、異なったH2N間の接続
に特に工夫がいらなくなり容易に接続できる。さらに、
RF帯帯電電体共振器帯域通過フィルター一部分1局部
発振器1局部発振用帯域通過フィルター、混合器、IF
用低域通過フィルター、IF用増幅器から成る回路を高
周波数帯で損失がやや大きい基板上に構成しているため
に、低損失基板にすべての回路を構成するよりコスト的
に安(なり、性能の良い高周波数帯コンバーターが得ら
れる。
低雑音増幅器、RF帯帯幅幅器RF帯帯電電体共振器帯
域通過フィルター一部分から成る回路を高周波数帯でも
低損失基板例えばアルミナ基板等の上に薄膜技術を利用
して作られるので、より低雑音な低雑音増幅器ができ、
低雑音なコンバーターが可能となると同時にRF帯誘電
体共振器帯域通i弱フィルターの挿入損失を小さく押え
ることができる。また低損失基板と損失のやや大きい基
板の間の結合は誘電体供振器とマイクロストリップライ
ンの磁気結合で行われるため、異なったH2N間の接続
に特に工夫がいらなくなり容易に接続できる。さらに、
RF帯帯電電体共振器帯域通過フィルター一部分1局部
発振器1局部発振用帯域通過フィルター、混合器、IF
用低域通過フィルター、IF用増幅器から成る回路を高
周波数帯で損失がやや大きい基板上に構成しているため
に、低損失基板にすべての回路を構成するよりコスト的
に安(なり、性能の良い高周波数帯コンバーターが得ら
れる。
第1図は本発明を実施した高周波数帯コンバーターの全
体図である。第2図は本発明の実施例を示す第1図のR
F帯帯電電体共振器帯域通過フィルタ一部分についての
詳細図である。第3図は低損失基板上にコンバーター全
体が構成された従来例のコンバーターの全体図である。 第4図はワイヤーボンディングまたは金リボンなどを利
用して低損失基板及び損失のやや大きい基板間を接続し
た従来例のコンバーターの全体図である。第5図は同軸
線で低損失基板及び損失のやや大きい基板間を接続した
従来例のコンバーターの全体図である。 (1)=−導波管・マイクロストリップ変換器。 (2) −RF帯低雑音増幅器。 (3)−−RF帯幅幅器。 (4) 、 (6) −マイクロストリップライン。 (5)−誘電体共振器。 (7)−RF帯電電体共振器帯域通過フィルター(8)
−−一局部発振器 (9)−一局部発振用帯域通過フイルター(10) −
一混合器。 (]1) −r F用低域通過フィルター(12)−T
F用増幅器 (13) −−・低損失基板。 (14)−・損失のやや大きい基板。 (15) −−シールドケース。 (16)−・シールドケースを止めるためのネジ。 RF帯帯電体共振器帯域ii1過フィルターの微調整用
のネジ。 金属製のアース用台座。 ワイヤーボンディングまたは金リボン。 (20)−・−同軸線、 (21)−金属壁。
体図である。第2図は本発明の実施例を示す第1図のR
F帯帯電電体共振器帯域通過フィルタ一部分についての
詳細図である。第3図は低損失基板上にコンバーター全
体が構成された従来例のコンバーターの全体図である。 第4図はワイヤーボンディングまたは金リボンなどを利
用して低損失基板及び損失のやや大きい基板間を接続し
た従来例のコンバーターの全体図である。第5図は同軸
線で低損失基板及び損失のやや大きい基板間を接続した
従来例のコンバーターの全体図である。 (1)=−導波管・マイクロストリップ変換器。 (2) −RF帯低雑音増幅器。 (3)−−RF帯幅幅器。 (4) 、 (6) −マイクロストリップライン。 (5)−誘電体共振器。 (7)−RF帯電電体共振器帯域通過フィルター(8)
−−一局部発振器 (9)−一局部発振用帯域通過フイルター(10) −
一混合器。 (]1) −r F用低域通過フィルター(12)−T
F用増幅器 (13) −−・低損失基板。 (14)−・損失のやや大きい基板。 (15) −−シールドケース。 (16)−・シールドケースを止めるためのネジ。 RF帯帯電体共振器帯域ii1過フィルターの微調整用
のネジ。 金属製のアース用台座。 ワイヤーボンディングまたは金リボン。 (20)−・−同軸線、 (21)−金属壁。
Claims (1)
- (1)コンバーターを構成する回路を導波管・マイクロ
ストリップ変換器、増幅器、マイクロストリップライン
、誘電体共振器の各ブロックから成る第1グループと、
マイクロストリップライン、局部発振器、局部発振用帯
域通過フィルター、混合器、IF用低域通過フィルター
、IF用増幅器の各ブロックからなる第2のグループと
に分けると共に、第1グループに属する回路は低損失基
板上に薄膜で形成し、第2グループに属する回路は信号
損失のやや大きい基板上に形成し、該第1、第2グルー
プの誘電体共振器帯域通過フィルターを用いて結合させ
るようにしたことを特徴とする高周波数帯コンバーター
。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP15970788A JPH029208A (ja) | 1988-06-28 | 1988-06-28 | 高周波数帯コンバーター |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP15970788A JPH029208A (ja) | 1988-06-28 | 1988-06-28 | 高周波数帯コンバーター |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH029208A true JPH029208A (ja) | 1990-01-12 |
Family
ID=15699543
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP15970788A Pending JPH029208A (ja) | 1988-06-28 | 1988-06-28 | 高周波数帯コンバーター |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH029208A (ja) |
-
1988
- 1988-06-28 JP JP15970788A patent/JPH029208A/ja active Pending
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