JPH029175A - 光センサの製造方法 - Google Patents
光センサの製造方法Info
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- JPH029175A JPH029175A JP63160054A JP16005488A JPH029175A JP H029175 A JPH029175 A JP H029175A JP 63160054 A JP63160054 A JP 63160054A JP 16005488 A JP16005488 A JP 16005488A JP H029175 A JPH029175 A JP H029175A
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Landscapes
- Light Receiving Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、ファクシミリ装置や光ディスクなどのＯＡ機
器の画像入力部に用いられる光センサの製造方法に関す
るものである。
器の画像入力部に用いられる光センサの製造方法に関す
るものである。
従来の技術
近年、ファクシミリ装置や各種ＯＡ機器の画像情報入力
部の小型化や画像ひずみの改善を目指して、原稿幅と同
一寸法の密着型ラインセンサが開発され、これを用いた
画像読取装置が使用され始めており、さらに現在では性
能面での向上、すなわち高速化や画品質の向上が強く望
まれている。
部の小型化や画像ひずみの改善を目指して、原稿幅と同
一寸法の密着型ラインセンサが開発され、これを用いた
画像読取装置が使用され始めており、さらに現在では性
能面での向上、すなわち高速化や画品質の向上が強く望
まれている。
さて、ＣｄＳ、ＣｄＳｅあるいは固溶体Ｃｄ５−ＣｄＳ
ｅを主体として成る光センサは光電流が大きいのが特徴
で、このためこのセン・すを用いた密着型ラインセンサ
では周辺回路の設計が容易となる。一方、この光センサ
は光電流工Ｐの光照射に対する応答速度が遅く、しかも
照射光強度（すなわち原稿からの反射光強度）Ｌに対す
る比例性に劣るという二つの欠点がある。すなわち、前
者ではＩＰの立上り時間τ１ や立下り時間τｄがｊ１
ｎ常使用時のセンサ而強度１００ ｌｕｘで２−３ ｍ
５ｅｃと長く、後者では工ＰａｃＬγとしたときのγ値
が、６Ｏ−１００１ｕｘで０．６〜０．７６と小さい。
ｅを主体として成る光センサは光電流が大きいのが特徴
で、このためこのセン・すを用いた密着型ラインセンサ
では周辺回路の設計が容易となる。一方、この光センサ
は光電流工Ｐの光照射に対する応答速度が遅く、しかも
照射光強度（すなわち原稿からの反射光強度）Ｌに対す
る比例性に劣るという二つの欠点がある。すなわち、前
者ではＩＰの立上り時間τ１ や立下り時間τｄがｊ１
ｎ常使用時のセンサ而強度１００ ｌｕｘで２−３ ｍ
５ｅｃと長く、後者では工ＰａｃＬγとしたときのγ値
が、６Ｏ−１００１ｕｘで０．６〜０．７６と小さい。
発明が解決しようとする課題
この様に、センサの光電流の立上り時間や立下り時間が
長いとこのセンサを用いたラインセンサの読取り走査速
度が４〜５ｍｓ／βｉｎｅと制限されてしまう。またγ
値が小さいと、センサ而での光強度に応じて生じる光電
流すなわち出力信号値がγ＝１．○の場合は比例してい
るのに、γ≦０．７の場合にはひどく比例性が劣る。こ
のため中間調の再現に余分の回路処理を必要とする。
長いとこのセンサを用いたラインセンサの読取り走査速
度が４〜５ｍｓ／βｉｎｅと制限されてしまう。またγ
値が小さいと、センサ而での光強度に応じて生じる光電
流すなわち出力信号値がγ＝１．○の場合は比例してい
るのに、γ≦０．７の場合にはひどく比例性が劣る。こ
のため中間調の再現に余分の回路処理を必要とする。
ＣｄＳ、ＣｄＳｅあるいは固溶体Ｃｄ５−ＣｄＳｅをＣ
ｄＣｅ２蒸気中で活性化熱処理した光導電型センサの場
合、γ値を大きくすることは、例えば不純物であるＣｕ
濃度を高くするなどの方法によって実現される。ただ同
時に光電流の立下り時間τｄは小さくなるが、立上り時
間τ、が大きくなり、全体としての光応答速度が遅くな
るとともに光電流１ｐ も小さくなるという大きな欠
点がある。
ｄＣｅ２蒸気中で活性化熱処理した光導電型センサの場
合、γ値を大きくすることは、例えば不純物であるＣｕ
濃度を高くするなどの方法によって実現される。ただ同
時に光電流の立下り時間τｄは小さくなるが、立上り時
間τ、が大きくなり、全体としての光応答速度が遅くな
るとともに光電流１ｐ も小さくなるという大きな欠
点がある。
課題を解決するだめの手段
本発明は、光電流ＪＰ を小さくせずして光応答速度を
速く、γ値を大きくし、しかも製造プロセスが全く増え
ない方法を提供するものである。すなわち、絶縁性基板
上にＣｄＳ、ＣｄＳｅあるいは固溶体Ｃｄ５−ＣｄＳｅ
で成る半導体薄膜を形成し、前記薄膜を高温でＣｄＣｅ
２の蒸気に暴露、熱処理し光’１−１ｆ的に活性化した
後対向電極を設け、さらに無機絶縁体を主体としてなる
保護膜を形成する光センサの製造方法において、前記保
護膜の形成に際し保護膜中に少量のＣｕあるいはＡｇを
含有させ、保護膜を形成後加熱することにより含有Ｃｕ
あるいはＡｇの一部を前記半導体薄膜中に拡散させるこ
とにより、光電流を小さくせずしてその光応答速度を著
しく速くし、しかもγ値を大きくする方法である。
速く、γ値を大きくし、しかも製造プロセスが全く増え
ない方法を提供するものである。すなわち、絶縁性基板
上にＣｄＳ、ＣｄＳｅあるいは固溶体Ｃｄ５−ＣｄＳｅ
で成る半導体薄膜を形成し、前記薄膜を高温でＣｄＣｅ
２の蒸気に暴露、熱処理し光’１−１ｆ的に活性化した
後対向電極を設け、さらに無機絶縁体を主体としてなる
保護膜を形成する光センサの製造方法において、前記保
護膜の形成に際し保護膜中に少量のＣｕあるいはＡｇを
含有させ、保護膜を形成後加熱することにより含有Ｃｕ
あるいはＡｇの一部を前記半導体薄膜中に拡散させるこ
とにより、光電流を小さくせずしてその光応答速度を著
しく速くし、しかもγ値を大きくする方法である。
作 用
本発明の方法によれば、ＣｄＳ糸光導宙型センサの光電
流値が大きいという特長を損わずして、しかもその光応
答速度を著しく速くし、さらにγ値を大きくすることが
できる。しかも製造プロセスの増加を必要としない。光
電流は、その立下り時間τｄにほぼ比例するものである
が、この立下り時間が短かくなっても光電流が小さくな
らないのは本発明の方法により半導体薄膜中の光キャリ
ア（電子）の移動度が大きくなるためである。
流値が大きいという特長を損わずして、しかもその光応
答速度を著しく速くし、さらにγ値を大きくすることが
できる。しかも製造プロセスの増加を必要としない。光
電流は、その立下り時間τｄにほぼ比例するものである
が、この立下り時間が短かくなっても光電流が小さくな
らないのは本発明の方法により半導体薄膜中の光キャリ
ア（電子）の移動度が大きくなるためである。
実施例
以下、本発明の実施例をＣｄ５ｏ、６Ｓｅｏ、４を例に
とり説明する。ガラス基板（コーニング社、井７ｏ６９
．２３０ｘ２５ｘ１．２ｍｍ）上に厚さ４０００ＡのＣ
ｄ５ｏ、６Ｓｅ０．４の蒸着膜を形成し、フォトエツチ
ングにより主走査方向に島状（９０Ｘ３５０μｍ”）に
８ビツト／１の割合で１７２８ビツト配置する。
とり説明する。ガラス基板（コーニング社、井７ｏ６９
．２３０ｘ２５ｘ１．２ｍｍ）上に厚さ４０００ＡのＣ
ｄ５ｏ、６Ｓｅ０．４の蒸着膜を形成し、フォトエツチ
ングにより主走査方向に島状（９０Ｘ３５０μｍ”）に
８ビツト／１の割合で１７２８ビツト配置する。
この島状のＣｄ５ｏ、６Ｓｅ０．４膜を５０Ｃ）℃でＣ
ｄＣｌ２の飽和蒸気中で加熱処理して光電的に活性化し
て光導電体膜にした後、その島状の膜の各々に対向電極
（Ｎ ｉ Ｃｒ／Ａｕ蒸着膜）すなわち共通電極と個別
電極を形成する。対向電極のギャップは６０μｍである
。その上にＳｉＯ２，Ａｌ２Ｏ３やホウ硅酸ガラスなど
の無機絶縁体を主体としてなる保護膜を形成しラインセ
ンサを完成する。すなわち、例えばＳｉＯ２，Ａｇ２Ｏ
３やホウ硅酸ガラスを蒸着する際、同時にＣｕやＡｇを
少量蒸着する。あるいはＳ １０２ 。
ｄＣｌ２の飽和蒸気中で加熱処理して光電的に活性化し
て光導電体膜にした後、その島状の膜の各々に対向電極
（Ｎ ｉ Ｃｒ／Ａｕ蒸着膜）すなわち共通電極と個別
電極を形成する。対向電極のギャップは６０μｍである
。その上にＳｉＯ２，Ａｌ２Ｏ３やホウ硅酸ガラスなど
の無機絶縁体を主体としてなる保護膜を形成しラインセ
ンサを完成する。すなわち、例えばＳｉＯ２，Ａｇ２Ｏ
３やホウ硅酸ガラスを蒸着する際、同時にＣｕやＡｇを
少量蒸着する。あるいはＳ １０２ 。
Ａｇ２Ｏ３やホウ硅酸ガラスに少量のＣｕやＡｇを混合
焼結したものをターゲットとしてスバ・ツタ形成しても
良い。しかる後加熱処理を施す。加熱処理の温度は１５
０〜４００℃であることが好ましい。１００℃以下では
ＣｕやＡｇの拡散効果が不充分なことがあり、４００℃
以上では特性のバラツキを生じることがある。半導体薄
膜中に拡散するＣｕやＡｇの分量は０．００５〜０．１
モルチが好ましい。ＣｕやＡｇの量が０．００５モルチ
より少ないと効果が小さく、０．１モルチ以上だと立上
り特性が悪くなる。
焼結したものをターゲットとしてスバ・ツタ形成しても
良い。しかる後加熱処理を施す。加熱処理の温度は１５
０〜４００℃であることが好ましい。１００℃以下では
ＣｕやＡｇの拡散効果が不充分なことがあり、４００℃
以上では特性のバラツキを生じることがある。半導体薄
膜中に拡散するＣｕやＡｇの分量は０．００５〜０．１
モルチが好ましい。ＣｕやＡｇの量が０．００５モルチ
より少ないと効果が小さく、０．１モルチ以上だと立上
り特性が悪くなる。
ホウ硅酸ガラス（コーニング＃７０５９を破砕し、これ
に少量のＣｕあるいはＡｇを加え焼結したもの）を約６
ｏ○０人厚にスパッタ形成し、最終キュア温度３６０℃
のラインセンサのうちの１ビツトの特性を調べた結果を
第１表、第２表にまとめる。ＣｕやＡｇの濃度が保護膜
中１０−５〜２・１Ｑ−２モル／Ｋｑの範囲で満足すべ
き結果が得られる。比較のため、通常のＣｄ５０．６Ｓ
ｅ０．４：Ｃｕ（０，０１〜０．１モル％）蒸着膜を上
記同様活性比熱処理後電極形成したセンサについても調
べである。
に少量のＣｕあるいはＡｇを加え焼結したもの）を約６
ｏ○０人厚にスパッタ形成し、最終キュア温度３６０℃
のラインセンサのうちの１ビツトの特性を調べた結果を
第１表、第２表にまとめる。ＣｕやＡｇの濃度が保護膜
中１０−５〜２・１Ｑ−２モル／Ｋｑの範囲で満足すべ
き結果が得られる。比較のため、通常のＣｄ５０．６Ｓ
ｅ０．４：Ｃｕ（０，０１〜０．１モル％）蒸着膜を上
記同様活性比熱処理後電極形成したセンサについても調
べである。
なお特性は印加電圧ＤＣ１ｏＶ、光照射は緑色第
第
表
表
ＬＥＤ光（６７０ｎｍ、１００１ｕｘ）をＩＨｚ（ｏ、
５ｓｅｃずつ）で点滅して測定した。応答時間は光電流
ＩＰがＱから飽和値の５０％に上がるまでの時間を立上
り時間で７、ＪＰが飽和値からその５０％に下がるまで
の時間を立下り時間τｄとした。またγは６０〜１００
ｄｕｘ間での平均値である。
５ｓｅｃずつ）で点滅して測定した。応答時間は光電流
ＩＰがＱから飽和値の５０％に上がるまでの時間を立上
り時間で７、ＪＰが飽和値からその５０％に下がるまで
の時間を立下り時間τｄとした。またγは６０〜１００
ｄｕｘ間での平均値である。
この様に、光電流を数μへ以上と大きく保ったまま立下
り時間τｄをＱ、５ｍ就程度にまで小さく、γもｏ、７
０以上、多くは０．８０以上と大きくできる。−刀先電
流の立上り時間τ、ば、通常センサの場合と違ってτｄ
が小さくなっても大きくならず、実際にラインセンサと
して用いる場合には原稿黒地でも存在する反射光（少な
くとも３係はある）がバイアス光となり、これが常時セ
ンサに照射されるため、実効的には著しく小さくなる。
り時間τｄをＱ、５ｍ就程度にまで小さく、γもｏ、７
０以上、多くは０．８０以上と大きくできる。−刀先電
流の立上り時間τ、ば、通常センサの場合と違ってτｄ
が小さくなっても大きくならず、実際にラインセンサと
して用いる場合には原稿黒地でも存在する反射光（少な
くとも３係はある）がバイアス光となり、これが常時セ
ンサに照射されるため、実効的には著しく小さくなる。
その効果を同じく第１表、第２表中右端に示す。この程
度のバイアス光照射による他の特性（ＩＰ。
度のバイアス光照射による他の特性（ＩＰ。
τｄ、γ）の変化は殆んどない。
本実施例ではＣｄ５ｏ、６Ｓｅｏ、４を例にとったがＣ
ｄＳ、ＣｄＳｅや他の組成比の固溶体Ｃｄ５−ＣｄＳｅ
でも同様の効果が得られる。
ｄＳ、ＣｄＳｅや他の組成比の固溶体Ｃｄ５−ＣｄＳｅ
でも同様の効果が得られる。
発明の効果
本発明によれば、光電流値が大きいままで光応答速度が
著しく速く、シかもγ値の犬なる光センサを実現するこ
とが可能となる。これより、中間調再現に優れた、高速
の画像読取装置ができる。
著しく速く、シかもγ値の犬なる光センサを実現するこ
とが可能となる。これより、中間調再現に優れた、高速
の画像読取装置ができる。
Claims (1)
- 絶縁性基板上にＣｄＳ、ＣｄＳｅあるいは固溶体ＣｄＳ
−ＣｄＳｅで成る半導体薄膜を形成し、前記薄膜を高温
でＣｄＣｌ＿２の蒸気に暴露し光電的に活性化した後対
向電極を設け、さらに無機絶縁体を主体としてなる保護
膜を形成する光センサの製造方法において、前記保護膜
の形成に際し、保護膜中に少量のＣｕあるいはＡｇを含
有させ、前記保護膜を形成後加熱することにより含有Ｃ
ｕあるいはＡｇの一部を前記半導体薄膜中に拡散させる
ことを特徴とする光センサの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63160054A JPH0719901B2 (ja) | 1988-06-28 | 1988-06-28 | 光センサの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63160054A JPH0719901B2 (ja) | 1988-06-28 | 1988-06-28 | 光センサの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH029175A true JPH029175A (ja) | 1990-01-12 |
| JPH0719901B2 JPH0719901B2 (ja) | 1995-03-06 |
Family
ID=15706912
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63160054A Expired - Fee Related JPH0719901B2 (ja) | 1988-06-28 | 1988-06-28 | 光センサの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0719901B2 (ja) |
-
1988
- 1988-06-28 JP JP63160054A patent/JPH0719901B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0719901B2 (ja) | 1995-03-06 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |