JPH0290574A - Heat resistant solar cell - Google Patents
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Links
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 43
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 37
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 37
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 34
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 25
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 25
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims abstract description 14
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 claims abstract description 12
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 claims abstract description 12
- 229910021332 silicide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 10
- FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N silicide(4-) Chemical compound [Si-4] FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 10
- 230000002265 prevention Effects 0.000 claims description 20
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 11
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 9
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 230000003064 anti-oxidating effect Effects 0.000 claims description 6
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000011572 manganese Substances 0.000 claims description 6
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 claims description 5
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N Manganese Chemical compound [Mn] PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000011651 chromium Substances 0.000 claims description 4
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 claims description 4
- 238000010030 laminating Methods 0.000 claims description 3
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 claims description 3
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 claims description 3
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 claims 1
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 4
- 230000002542 deteriorative effect Effects 0.000 abstract description 3
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 abstract 1
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 abstract 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 7
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 4
- 229910021357 chromium silicide Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- 238000003486 chemical etching Methods 0.000 description 2
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000005566 electron beam evaporation Methods 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 1
- 230000000593 degrading effect Effects 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 239000005357 flat glass Substances 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 229910021424 microcrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003449 preventive effect Effects 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- -1 tungten Chemical compound 0.000 description 1
Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/548—Amorphous silicon PV cells
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Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、基板上に小面積の太陽電池セルを多数作成し
て、これらを直列または直並列に接続した耐熱型太陽電
池に関するものでる。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Industrial Application Field] The present invention relates to a heat-resistant solar cell in which a large number of small-area solar cells are formed on a substrate and these are connected in series or in series and parallel.
基板上に小面積の太陽電池セルを多数作成し、これらを
直列または直並列に接続した集積型太陽電池として、受
光面側からインジウム−スズ酸化物（以下これをＩＴＯ
と称す）または酸化スズ（以下これを５ｎ０２と称す）
等からなる透明電極、アモルファスシリコン系半導体層
及びアルミニウム、銀等からなる金属電極を順次積層し
て複数個の太陽電池セルを構成し、隣接する太陽電池セ
ルの透明電極及び金属電極を接触させることによって、
各セルの電気的接続を構成して集積型太陽電池を形成し
ている。A large number of small-area solar cells are created on a substrate, and these are connected in series or in series-parallel to form an integrated solar cell.
) or tin oxide (hereinafter referred to as 5n02)
structuring a plurality of solar cells by sequentially stacking a transparent electrode made of amorphous silicon-based semiconductor layer, an amorphous silicon-based semiconductor layer, and a metal electrode made of aluminum, silver, etc., and bringing the transparent electrodes and metal electrodes of adjacent solar cells into contact with each other. By,
Electrical connections for each cell are configured to form an integrated solar cell.
このようにした集積型太陽電池は、透明電極及びアモル
ファスシリコン系半導体層を積層した後、アモルファス
シリコン系半導体層の一部をレーザ光の照射によって除
去して透明電極を露出せしめ、この上に金属電極を積層
して、隣接する太陽電池セルを電気的に接続している。In such an integrated solar cell, after laminating a transparent electrode and an amorphous silicon-based semiconductor layer, a part of the amorphous silicon-based semiconductor layer is removed by laser light irradiation to expose the transparent electrode, and a metal layer is placed on top of the transparent electrode. Adjacent solar cells are electrically connected by stacking electrodes.
ここで、ＩＴＯ，５ｎ０２等の透明電極は酸化物であり
、電気的に接続された１つの太陽電池セルの透明電極と
他の太陽電池セルの金属電極との接触部に於いて、熱が
加わったり、また安定性が低い場合には長期間放置して
おくだけでも、透明電極の成分が金属電極を酸化し、こ
の接触部の接触抵抗が増大することになる。Here, the transparent electrode such as ITO, 5n02, etc. is an oxide, and heat is added to the contact area between the transparent electrode of one electrically connected solar cell and the metal electrode of another solar cell. Or, if the stability is low, even if it is left alone for a long period of time, the components of the transparent electrode will oxidize the metal electrode, increasing the contact resistance of this contact portion.
このことから、太陽電池の直列抵抗成分が増加すること
になり、太陽電池の出力は低下する。As a result, the series resistance component of the solar cell increases, and the output of the solar cell decreases.
また、アルミニウム電極を有するアモルファスシリコン
系の太陽電池は、６０°Ｃ以上の温度になると、アモル
ファスシリコン系半導体層とアルミニウムとの相互拡散
により劣化し、出力低下が起こる場合が多い。Furthermore, when an amorphous silicon solar cell having an aluminum electrode reaches a temperature of 60° C. or higher, it often deteriorates due to interdiffusion between the amorphous silicon semiconductor layer and aluminum, resulting in a decrease in output.
本発明は、上記問題点に鑑みて、受光面側には透明電極
を有し、受光面に背設する面にはアルミニウム電極を有
するアモルファスシリコン系半導体層でなる太陽電池セ
ルを基板上に複数個配し、前記透明電極及びアルミニウ
ム電極を利用して、前記複数個の太陽電池セルが、直列
または直並列に接続されてなる集積型太陽電池において
、前記透明電極及び前記アモルファスシリコン系半導体
層を積層した後、前記アモルファスシリコン系半導体層
の一部を前記各太陽電池セルに応じてレーザ光の照射に
よって除去して分離し、露出した前記透明電極の上には
酸化防止膜を、前記アモルファスシリコン系半導体層上
には相互拡散防止膜を形成し、この上に更にアルミニウ
ム電極を形成してなる耐熱型太陽電池を構成するもので
ある。In view of the above-mentioned problems, the present invention provides a plurality of solar cells on a substrate made of an amorphous silicon semiconductor layer having a transparent electrode on the light-receiving surface side and an aluminum electrode on the surface facing the light-receiving surface. In an integrated solar cell in which the plurality of solar cells are individually arranged and connected in series or in series and parallel using the transparent electrode and the aluminum electrode, the transparent electrode and the amorphous silicon-based semiconductor layer are After stacking, a part of the amorphous silicon-based semiconductor layer is removed and separated by irradiation with laser light according to each solar cell, and an oxidation prevention film is applied on the exposed transparent electrode. A mutual diffusion prevention film is formed on the semiconductor layer, and an aluminum electrode is further formed on this to constitute a heat-resistant solar cell.
ここで、酸化防止膜及び相互拡散防止膜として、モリブ
デン、ニッケル、クロム、タングテン、パラジウム、マ
ンガンのうちから選択した金属またはモリブデン、ニッ
ケル、クロム、タングステン、パラジウム、マンガンの
うちから選択した成分を利用した金属シリサイド層で構
成することができる。Here, as the oxidation prevention film and interdiffusion prevention film, a metal selected from molybdenum, nickel, chromium, tungten, palladium, and manganese or a component selected from molybdenum, nickel, chromium, tungsten, palladium, and manganese is used. It can be composed of a metal silicide layer.
また、酸化防止膜及び相互拡散防止膜は、１０〜２００
人の膜厚で構成することが好ましい。In addition, the oxidation prevention film and interdiffusion prevention film are 10 to 200
It is preferable to configure the film thickness to be that of a human.
更に、太陽電池セルとして、ＰＩＮ接合型のアモルファ
スシリコン系太陽電池を利用することができ、特に太陽
電池セルの少なくとも受光面側がアモルファスシリコン
カーバイドであることが好ましい。Furthermore, a PIN junction type amorphous silicon solar cell can be used as the solar cell, and it is particularly preferable that at least the light-receiving surface side of the solar cell is made of amorphous silicon carbide.
また、透明電極としては、インジウム−スズ酸化物また
は酸化スズまたは酸化亜鉛を利用することが可能である
。Further, as the transparent electrode, it is possible to use indium-tin oxide, tin oxide, or zinc oxide.
本発明に係る耐熱型太陽電池は、上述のような構成から
なり、アルミニウム電極と透明電極との間に形成した金
属膜または金属シリサイド層でなる酸化防止膜が、アル
ミニウム電極の酸化を防止すると同時に、アルミニウム
電極とアモルファスシリコン系半導体層との間に形成し
た金属膜または金属シリサイド層でなる相互拡散防止膜
がアモルファスシリコン系半導体層とアルミニウム電極
との相互拡散を防止し、太陽電池の熱による劣化を軽減
して、出力の低下を防ぐものである。The heat-resistant solar cell according to the present invention has the above-described configuration, and the oxidation prevention film made of a metal film or metal silicide layer formed between the aluminum electrode and the transparent electrode prevents the oxidation of the aluminum electrode and at the same time The interdiffusion prevention film made of a metal film or metal silicide layer formed between the aluminum electrode and the amorphous silicon semiconductor layer prevents mutual diffusion between the amorphous silicon semiconductor layer and the aluminum electrode, thereby preventing thermal deterioration of the solar cell. This prevents a drop in output.
本発明の詳細を図示した実施例に基づいて説明する。 The details of the present invention will be explained based on illustrated embodiments.
第１図は、本発明に係る耐熱型太陽電池の実施例の断面
図である。FIG. 1 is a sectional view of an embodiment of a heat-resistant solar cell according to the present invention.
図中１は、当該太陽電池の受光面側に設けられるガラス
基板である。1 in the figure is a glass substrate provided on the light-receiving surface side of the solar cell.
２は、ガラス基板１上に形成された、ＩＴＯまたはＳｎ
Ｏ２または酸化亜鉛（以下これをＺｎＯと称す）等の透
明導電膜でなる透明電極であり、小面積の太陽電池セル
に対応すべく、エツチングまたはレーザ光の照射等によ
って分離されたものである。2 is ITO or Sn formed on the glass substrate 1
A transparent electrode made of a transparent conductive film such as O2 or zinc oxide (hereinafter referred to as ZnO), which is separated by etching or laser light irradiation in order to accommodate small-area solar cells.
３は、グロー放電分解法等で積層されたアモルファスシ
リコン系半導体層であり、該アモルファスシリコン系半
導体層３も、ＹＡＧレーザ等のレーザ光の照射により一
部が除去されて小面積のセル毎に分離されるものである
。3 is an amorphous silicon-based semiconductor layer laminated by a glow discharge decomposition method or the like, and a portion of the amorphous silicon-based semiconductor layer 3 is also removed by irradiation with laser light such as a YAG laser, and is separated into small-area cells. It is something that is separated.
その後、受光面に対設する面全体に、Ｍｏ、 Ｎｉ、Ｃ
ｒ、 ｗ、 Ｐｄ、 Ｍｎのうちから選ばれた金属膜も
しくは、Ｍｏ５Ｎｉ、 Ｃｒ５Ｗ、 Ｐｄ、 Ｍｎ等の
成分を利用した金属シリサイド層を１０〜２００人の厚
さに蒸着する等して、酸化防止膜５及び相互拡散防止膜
６を形成する。After that, Mo, Ni, and C were applied to the entire surface opposite to the light-receiving surface.
Prevent oxidation by depositing a metal film selected from r, w, Pd, and Mn or a metal silicide layer using components such as Mo5Ni, Cr5W, Pd, and Mn to a thickness of 10 to 200 mm. A film 5 and a mutual diffusion prevention film 6 are formed.
更に、この上にアルミニウム電極４を形成し、このアル
ミニウム電極４及び相互拡散防止膜６の一部を化学エツ
チング等により分離する。Furthermore, an aluminum electrode 4 is formed on this, and this aluminum electrode 4 and a part of the interdiffusion prevention film 6 are separated by chemical etching or the like.
ここで、アモルファスシリコン系半導体層３としては、
各種のものが利用可能であるが、ここでは、第２図に説
明用断面図を示すように、受光面側から、ｐ型アモルフ
ァスシリコンカーバイド３ａ、ｉ型アモルファスシリコ
ンａｂＳｎ型アモルファスシリコン３ｃの順に積層させ
たＰＩＮ接合型のアモルファスシリコン系太陽電池を利
用している。Here, as the amorphous silicon-based semiconductor layer 3,
Although various materials can be used, here, as shown in an explanatory cross-sectional view in FIG. It uses a PIN junction type amorphous silicon solar cell.
金属膜または金属シリサイド層は、アモルファスシリコ
ン系半導体層３がレーザ光の照射によって除去された部
分とそれ以外の部分で、同時に形成されるものであり、
透明電極２とアルミニウム電極４の接触部分４ａにあっ
てはアルミニウム電極４の酸化防止膜５、アモルファス
シリコン系半導体層３とアルミニウム電極４の接触部４
ｂに姿っては相互拡散防止膜６を構成するものである。The metal film or metal silicide layer is formed simultaneously in the part where the amorphous silicon-based semiconductor layer 3 is removed by laser light irradiation and in the other part,
At the contact portion 4a between the transparent electrode 2 and the aluminum electrode 4, there is an oxidation prevention film 5 of the aluminum electrode 4, and a contact portion 4 between the amorphous silicon semiconductor layer 3 and the aluminum electrode 4.
The film shown in b constitutes a mutual diffusion prevention film 6.
即ち、透明電極２とアルミニウム電極４との接触部分に
酸化防止膜５を設けている為に、ＩＴＯまたはＳｎＯ２
またはＺｎＯ等の透明導電膜からなる透明電極２が、ア
ルミニウム電極４をその接触部４ａより酸化させること
を防止するとと同時に、相互拡散防止膜６を設けている
為に、アルミニウム電極４とｎ型アモルファスシリコン
層３Ｃが相互に拡散することを防止することにより、太
陽電池の特性を低下させることなく、長期間その出力を
維持することが可能となるものである。That is, since the anti-oxidation film 5 is provided at the contact portion between the transparent electrode 2 and the aluminum electrode 4, ITO or SnO2
Alternatively, the transparent electrode 2 made of a transparent conductive film such as ZnO prevents the aluminum electrode 4 from being oxidized from its contact portion 4a, and at the same time, since the mutual diffusion prevention film 6 is provided, the aluminum electrode 4 and the n-type By preventing the amorphous silicon layers 3C from diffusing into each other, it is possible to maintain the output for a long period of time without deteriorating the characteristics of the solar cell.
尚、隣接する太陽電池セルを電気的に接続する為に、ア
モルファスシリコン系半導体層３の一部をエツチングに
よって除去するか、あるいはアモルファスシリコン系半
導体層３を除去することなく、その外側の部分で接続す
る等、レーザ光の照射を用いない場合は接触部の直列抵
抗は増大せず、太陽電池の出力低下という問題は発生し
ない。In order to electrically connect adjacent solar cells, a part of the amorphous silicon semiconductor layer 3 may be removed by etching, or the outer portion of the amorphous silicon semiconductor layer 3 may be removed without removing it. When irradiation with laser light is not used, such as when connecting, the series resistance of the contact portion does not increase, and the problem of a decrease in the output of the solar cell does not occur.
即ち、基板上に４５００人のＳｎＯ２あるいは８００人
のＩＴＯ上に更に２００人の５ｎ０２を形成してなる透
明電極上にＡＩを蒸着し、１５０℃で２時間の熱処理を
行ったが、透明電極とアルミニウム電極との間の直列抵
抗はいずれの場合も変化しなかった。That is, AI was deposited on a transparent electrode formed by forming 4,500 layers of SnO2 on a substrate or 200 layers of 5N02 on 800 layers of ITO, and heat treatment was performed at 150°C for 2 hours. The series resistance with the aluminum electrode did not change in any case.
一方、レーザ光の照射によって、アモルファスシリコン
系半導体層の一部を除去し１．その部分にＡＪを蒸着し
て電気的接続を行ったサンプルに関しては、透明電極と
アルミニウム電極の間の直列抵抗は１５０°Ｃの熱処理
時間とともに増大した。On the other hand, a part of the amorphous silicon semiconductor layer is removed by irradiation with laser light.1. For the sample in which AJ was deposited on that part for electrical connection, the series resistance between the transparent electrode and the aluminum electrode increased with the heat treatment time at 150°C.
従って、透明電極２、アモルファスシリコン系半導体層
３を積層した後、レーザ光の照射によってアモルファス
シリコン系半導体層３の一部を除去し、透明電極２を露
出させ、この上にアルミニウム電極４を積層する方法を
採用する場合には、本発明のように透明電極２及びアル
ミニウム電極４の接触部４ａに酸化防止膜５を形成する
ことは太陽電池の出力低下を防止する点で有効である。Therefore, after laminating the transparent electrode 2 and the amorphous silicon semiconductor layer 3, a part of the amorphous silicon semiconductor layer 3 is removed by laser light irradiation to expose the transparent electrode 2, and the aluminum electrode 4 is laminated thereon. When adopting this method, forming the anti-oxidation film 5 on the contact portion 4a of the transparent electrode 2 and the aluminum electrode 4 as in the present invention is effective in preventing a decrease in the output of the solar cell.
酸化防止膜５及び相互拡散防止膜６を構成する金属膜ま
たは金属シリサイド層の膜厚は１０〜２００人が好まし
く、これが１０Å以下の場合は酸化防止並びに相互拡散
防止能力が低下し、太陽電池の信鎖性が低下する。The thickness of the metal film or metal silicide layer constituting the anti-oxidation film 5 and the inter-diffusion preventive film 6 is preferably 10 to 200 nm.If the thickness is less than 10 Å, the anti-oxidation and inter-diffusion prevention ability will decrease, and the solar cell Trustworthiness decreases.
一方、２００Å以上の膜厚になると、この部分で吸収さ
れる光が多くなり、アルミニウム電極４によって反射さ
れる光が減少し、太陽電池の初期特性が低下する。On the other hand, when the film thickness is 200 Å or more, more light is absorbed in this portion, and less light is reflected by the aluminum electrode 4, degrading the initial characteristics of the solar cell.
次に本発明に係る耐熱型太陽電池を実際に製作して、特
性を測定した実験例を示す。Next, an experimental example will be shown in which a heat-resistant solar cell according to the present invention was actually manufactured and its characteristics were measured.
実験例１
厚さ１．１ ｍの青板ガラス上に４５００人のＳｎＯ２
の透明電極を設け、この透明電極をレーザ光の照射によ
って分離した。Experimental example 1 4500 SnO2 on 1.1 m thick blue plate glass
A transparent electrode was provided, and the transparent electrode was separated by irradiation with laser light.
その後、グロー放電分解法によって、基板温度２００℃
、圧力１．ＯＴｏｒｒにて、ｐ型アモルファスシリコン
カーバイド、ｉ型アモルファスシリコン、ｎ型微結晶シ
リコンの構成で、それぞれの厚さが、１５０人、６００
０人、３００人のアモルファスシリコン系半導体層を形
成した。After that, the substrate temperature was raised to 200°C using glow discharge decomposition method.
, pressure 1. At OTorr, the thicknesses of p-type amorphous silicon carbide, i-type amorphous silicon, and n-type microcrystalline silicon were 150 and 600, respectively.
Amorphous silicon-based semiconductor layers of 0 and 300 layers were formed.
更に、レーザ光を照射して半導体層の一部を除去し、透
明電極の一部を露出させた後、電子ビーム蒸着により、
Ｍｏを４０人の厚さで形成し、この上にＡ／を５０００
人の厚さで形成して、次いで、化学エツチングによって
ＡＩ及びＭｏを除去することによりパターン化した。Furthermore, after removing a part of the semiconductor layer by irradiating a laser beam and exposing a part of the transparent electrode, by electron beam evaporation,
A layer of Mo is formed to a thickness of 40 mm, and A/5000 mm is formed on top of this.
It was formed to a thickness of 100 mL and then patterned by removing the AI and Mo by chemical etching.
得られた太陽電池の初期特性、８０℃で２００時間加熱
した後の特性、及び３力月間室温で放置した後の特性を
、ＡＭ−１，１００ｍＷ／ｃ４のソーラーシミュレータ
ーを用いて測定し、その結果を第１表に示す。The initial characteristics of the obtained solar cell, the characteristics after heating at 80°C for 200 hours, and the characteristics after being left at room temperature for 3 months were measured using an AM-1,100mW/c4 solar simulator. The results are shown in Table 1.
実験例２
Ｍｏの代わりに、クロムシリサイドのターゲットを用い
た電子ビーム蒸着により、クロムシリサイド層を形成し
た他は、実験例１と同様にして太陽電池を作成した。Experimental Example 2 A solar cell was produced in the same manner as in Experimental Example 1, except that a chromium silicide layer was formed by electron beam evaporation using a chromium silicide target instead of Mo.
この時のクロムシリサイド層の膜厚は、４０〜５０人の
範囲にあった。The thickness of the chromium silicide layer at this time was in the range of 40 to 50.
得られた太陽電池の特性を実験例１と同様にして、測定
した結果を第１表に示す。The characteristics of the obtained solar cell were measured in the same manner as in Experimental Example 1, and the results are shown in Table 1.
比較例Ｉ
Ｍｏを形成しなかった他は、実験例１と同様にして太陽
電池を作成し、その特性を測定した結果を第１表に示す
。Comparative Example I A solar cell was produced in the same manner as in Experimental Example 1, except that Mo was not formed, and the results of measuring the characteristics are shown in Table 1.
この第１表から明らかなように、本発明に係る実験例１
、実験例２は、８０℃で２００時間加熱した後において
も、また３力月間室温で放置した後においても、太陽電
池の電流−電圧特性の短絡電流密度（Ｊｓｃ）、曲線因
子であるＦＦ（フィルファクター）の値、及びエネルギ
ー変換効率ηΦ値がほとんど変化せず、むしろ若干向上
するという結果となった。As is clear from Table 1, Experimental Example 1 according to the present invention
, Experimental Example 2 shows that even after heating at 80°C for 200 hours and after being left at room temperature for 3 months, the short circuit current density (Jsc) of the current-voltage characteristics of the solar cell and the fill factor FF ( The result was that the fill factor) value and the energy conversion efficiency ηΦ value hardly changed, but rather improved slightly.
〔発明の効果〕
本発明に係る耐熱型太陽電池は、以上のような構成から
なり、アルミニウム電極と透明電極との間に形成した金
属膜または金属シリサイド層でなる酸化防止膜がアルミ
ニウム電極の酸化を防止し、接触抵抗の増大を防ぐとと
もに、アルミニウム電極とアモルファスシリコン系半導
体層との間に同様に形成した金属膜または金属シリサイ
ド層でなる相互拡散防止膜がアモルファスシリコンとＡ
Ｉとの相互拡散を防止することにより、アモルファスシ
リコン系太陽電池の出力低下を防ぐことができるもので
、即ち、太陽電池の寿命を長くし、設定範囲内での出力
を長期間保持させることが可能になるものである。[Effects of the Invention] The heat-resistant solar cell according to the present invention has the above-described configuration, and the oxidation prevention film made of a metal film or metal silicide layer formed between the aluminum electrode and the transparent electrode prevents the oxidation of the aluminum electrode. In addition to preventing an increase in contact resistance, a mutual diffusion prevention film made of a metal film or a metal silicide layer is formed between the aluminum electrode and the amorphous silicon semiconductor layer.
By preventing interdiffusion with I, it is possible to prevent a decrease in the output of amorphous silicon solar cells.In other words, it is possible to extend the life of the solar cell and maintain the output within the set range for a long period of time. It becomes possible.
第１図は本発明に係る耐熱型太陽電池の第１実施例の断
面図、第２図は本発明に係る耐熱型太陽電池に用いられ
るアモルファスシリコン太陽電池の説明用断面図である
。
１ニガラス基板、 ２：透明電極、３：アモルファ
スシリコン系半導体層、４ニアルミニウム電極、５：酸
化防止膜、６：相互拡散防止膜。FIG. 1 is a cross-sectional view of a first embodiment of a heat-resistant solar cell according to the present invention, and FIG. 2 is an explanatory cross-sectional view of an amorphous silicon solar cell used in the heat-resistant solar cell according to the present invention. 1 Ni glass substrate, 2: Transparent electrode, 3: Amorphous silicon semiconductor layer, 4 Ni aluminum electrode, 5: Antioxidation film, 6: Interdiffusion prevention film.
Claims (1)
にはアルミニウム電極を有するアモルファスシリコン系
半導体層でなる太陽電池セルを基板上に複数個配し、前
記透明電極及びアルミニウム電極を利用して、前記複数
個の太陽電池セルが、直列または直並列に接続されてな
る集積型太陽電池において、前記透明電極及び前記アモ
ルファスシリコン系半導体層を積層した後、前記アモル
ファスシリコン系半導体層の一部を前記各太陽電池セル
に応じてレーザ光の照射によって除去して分離し、露出
した前記透明電極の上には酸化防止膜を、前記アモルフ
ァスシリコン系半導体層上には相互拡散防止膜を形成し
、この上に更にアルミニウム電極を形成してなる耐熱型
太陽電池。 ２）酸化防止膜及び相互拡散防止膜が、モリブデン、ニ
ッケル、クロム、タングテン、パラジウム、マンガンの
うちから選択した金属である特許請求の範囲第１項記載
の耐熱型太陽電池。 ３）酸化防止膜及び相互拡散防止膜が、モリブデン、ニ
ッケル、クロム、タングステン、パラジウム、マンガン
のうちから選択した成分を利用した金属シリサイド層で
ある特許請求の範囲第１項記載の耐熱型太陽電池。 ４）酸化防止膜及び相互拡散防止膜が、１０〜２００Å
の膜厚である特許請求の範囲第１項または第２項または
第３項記載の耐熱型太陽電池。 ５）太陽電池セルとして、ＰＩＮ接合型のアモルファス
シリコン系太陽電池を利用してなる特許請求の範囲第１
項または第２項または第３項または第４項記載の耐熱型
太陽電池。 ６）太陽電池セルの少なくとも受光面側がアモルファス
シリコンカーバイドである特許請求の範囲第１項または
第２項または第３項または第４項または第５項記載の耐
熱型太陽電池。 ７）透明電極として、インジウム−スズ酸化物または酸
化スズまたは酸化亜鉛を利用してなる特許請求の範囲第
１項または第２項または第３項または第４項または第５
項または第６項記載の耐熱型太陽電池。[Claims] 1) A plurality of solar cells each made of an amorphous silicon semiconductor layer having a transparent electrode on the light-receiving surface side and an aluminum electrode on the surface facing the light-receiving surface are arranged on a substrate. , in an integrated solar cell in which the plurality of solar cells are connected in series or in series and parallel using the transparent electrode and the aluminum electrode, after laminating the transparent electrode and the amorphous silicon-based semiconductor layer; , a part of the amorphous silicon-based semiconductor layer is removed and separated by laser light irradiation according to each solar cell, an oxidation prevention film is applied on the exposed transparent electrode, and a part of the amorphous silicon-based semiconductor layer is separated from the amorphous silicon-based semiconductor layer. A heat-resistant solar cell with a mutual diffusion prevention film formed on top and an aluminum electrode further formed on top of this. 2) The heat-resistant solar cell according to claim 1, wherein the oxidation-preventing film and the interdiffusion-preventing film are metals selected from molybdenum, nickel, chromium, tungsten, palladium, and manganese. 3) The heat-resistant solar cell according to claim 1, wherein the oxidation-preventing film and the interdiffusion-preventing film are metal silicide layers using components selected from molybdenum, nickel, chromium, tungsten, palladium, and manganese. . 4) Antioxidation film and interdiffusion prevention film are 10 to 200 Å
The heat-resistant solar cell according to claim 1, 2, or 3, which has a film thickness of . 5) Claim 1 in which a PIN junction type amorphous silicon solar cell is used as the solar cell.
The heat-resistant solar cell according to item 1 or 2 or 3 or 4. 6) The heat-resistant solar cell according to claim 1, 2, 3, 4, or 5, wherein at least the light-receiving surface side of the solar cell is made of amorphous silicon carbide. 7) Claims 1 or 2 or 3 or 4 or 5 in which indium-tin oxide, tin oxide, or zinc oxide is used as the transparent electrode.
The heat-resistant solar cell according to item 6 or item 6.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63243358A JP2648698B2 (en) | 1988-09-27 | 1988-09-27 | Heat-resistant solar cell |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63243358A JP2648698B2 (en) | 1988-09-27 | 1988-09-27 | Heat-resistant solar cell |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0290574A true JPH0290574A (en) | 1990-03-30 |
| JP2648698B2 JP2648698B2 (en) | 1997-09-03 |
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Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63243358A Expired - Fee Related JP2648698B2 (en) | 1988-09-27 | 1988-09-27 | Heat-resistant solar cell |
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|---|---|
| JP (1) | JP2648698B2 (en) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2008065970A1 (en) * | 2006-11-30 | 2008-06-05 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Solar cell module and solar cell module manufacturing method |
| US9401440B2 (en) | 2011-10-25 | 2016-07-26 | Lg Innotek Co., Ltd. | Solar cell and method of fabricating the same |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101573846B1 (en) * | 2009-07-27 | 2015-12-04 | 주성엔지니어링(주) | Thin film type Solar Cell Method and Apparatus for manufacturing thereof |
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| JPS6016568U (en) * | 1983-07-08 | 1985-02-04 | 三洋電機株式会社 | photovoltaic device |
| JPS61144885A (en) * | 1984-12-18 | 1986-07-02 | Kanegafuchi Chem Ind Co Ltd | Heatproof, thin film optoelectric transducer and production thereof |
| JPS6242465A (en) * | 1985-08-19 | 1987-02-24 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | Photoelectric converter |
-
1988
- 1988-09-27 JP JP63243358A patent/JP2648698B2/en not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2648698B2 (en) | 1997-09-03 |
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