JPH02895Y2 - - Google Patents
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- JPH02895Y2 JPH02895Y2 JP5815982U JP5815982U JPH02895Y2 JP H02895 Y2 JPH02895 Y2 JP H02895Y2 JP 5815982 U JP5815982 U JP 5815982U JP 5815982 U JP5815982 U JP 5815982U JP H02895 Y2 JPH02895 Y2 JP H02895Y2
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- 238000004804 winding Methods 0.000 claims description 89
- 230000004907 flux Effects 0.000 claims description 31
- 230000005674 electromagnetic induction Effects 0.000 claims description 6
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 claims description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 10
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 3
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 3
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical group [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 230000020169 heat generation Effects 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 230000033228 biological regulation Effects 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
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- Insulating Of Coils (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
この考案は、電磁誘導機器に関するものであ
り、さらに詳しくいうと、電圧調整用のタツプ巻
線を備えた変圧器のごとき電磁誘導機器に関する
ものである。
り、さらに詳しくいうと、電圧調整用のタツプ巻
線を備えた変圧器のごとき電磁誘導機器に関する
ものである。
従来、この種の機器として、変圧器を例に採
り、第1a図または第2a図に示すものがあつ
た。第1a図に示す変圧器は、磁気回路を形成す
る鉄心(図示せず)に低圧巻線LVと、この低圧
巻線LVとコイル中心Cに関して同心状に高圧巻
線HVが巻回されており、この高圧巻線HVは電
圧調整を必要とする巻線で、主巻線HV1,HV2
および中央部のタツプ巻線HVT1,HVT2を備え
て構成されている。L1,L2,H1,H2はそれぞれ
巻線端部を示す。
り、第1a図または第2a図に示すものがあつ
た。第1a図に示す変圧器は、磁気回路を形成す
る鉄心(図示せず)に低圧巻線LVと、この低圧
巻線LVとコイル中心Cに関して同心状に高圧巻
線HVが巻回されており、この高圧巻線HVは電
圧調整を必要とする巻線で、主巻線HV1,HV2
および中央部のタツプ巻線HVT1,HVT2を備え
て構成されている。L1,L2,H1,H2はそれぞれ
巻線端部を示す。
第2a図に示すものは、同様に磁気回路を形成
する鉄心(図示せず)に低圧巻線LVと高圧巻線
HVが互いに同心的に巻回されているが、高圧巻
線HVは、主巻線HV1とタツプ巻線HVT1′と
HVT2′が互いに別個の巻線で構成されている。
すなわち、主巻線HV1とタツプ巻線HVT1′,
HVT2′とは同心円の直径を異にしており、高圧
巻線HVとタツプ巻線HVT1′およびHVT2′には、
低圧巻線LV−主巻線HV1間と同様に、HV1−
HVT1′,HVT2′間に必要な絶縁距離を保ち、必
要によつては絶縁バリヤー(図示せず)も用いら
れる。
する鉄心(図示せず)に低圧巻線LVと高圧巻線
HVが互いに同心的に巻回されているが、高圧巻
線HVは、主巻線HV1とタツプ巻線HVT1′と
HVT2′が互いに別個の巻線で構成されている。
すなわち、主巻線HV1とタツプ巻線HVT1′,
HVT2′とは同心円の直径を異にしており、高圧
巻線HVとタツプ巻線HVT1′およびHVT2′には、
低圧巻線LV−主巻線HV1間と同様に、HV1−
HVT1′,HVT2′間に必要な絶縁距離を保ち、必
要によつては絶縁バリヤー(図示せず)も用いら
れる。
以上、第1a図、第2a図に示す巻線構成は、
一般に前者は小容量の変圧器に、後者は大容量の
変圧器に適用される。その理由を以下に説明す
る。変圧器においては負荷に伴つて漏れ磁束を発
生する。この漏れ磁束の分布を第1a図の巻線構
成の場合について、第1b図によつてみると、低
圧巻線LV側で発生する漏れ磁束は高圧巻線HV
に近づくにしたがつて次第に多くなり、やがて高
圧巻線HVにもつとも近い側で最大となる。この
最大漏れ磁束密度がB0である。この漏れ磁束は、
高圧巻線HV内では、低圧巻線LVから遠ざかる
にしたがつて次第に打ち消され、高圧巻線HVの
最外側で零となる。
一般に前者は小容量の変圧器に、後者は大容量の
変圧器に適用される。その理由を以下に説明す
る。変圧器においては負荷に伴つて漏れ磁束を発
生する。この漏れ磁束の分布を第1a図の巻線構
成の場合について、第1b図によつてみると、低
圧巻線LV側で発生する漏れ磁束は高圧巻線HV
に近づくにしたがつて次第に多くなり、やがて高
圧巻線HVにもつとも近い側で最大となる。この
最大漏れ磁束密度がB0である。この漏れ磁束は、
高圧巻線HV内では、低圧巻線LVから遠ざかる
にしたがつて次第に打ち消され、高圧巻線HVの
最外側で零となる。
同様に、第2a図の巻線構成においては第2b
図に示すように、低圧巻線LVに発生した漏れ磁
束はB0′のレベルまで達したのち、主巻線HV1に
おいてB0Tまで減少し、タツプ巻線の最外側です
べての漏れ磁束が打ち消される。なお、このよう
な別巻きタツプ方式では、タツプ巻線HVT1′,
HVT2′を全く使用していない場合は破線のよう
に高圧巻線HV1ですべての漏れ磁束が打ち消さ
れる。
図に示すように、低圧巻線LVに発生した漏れ磁
束はB0′のレベルまで達したのち、主巻線HV1に
おいてB0Tまで減少し、タツプ巻線の最外側です
べての漏れ磁束が打ち消される。なお、このよう
な別巻きタツプ方式では、タツプ巻線HVT1′,
HVT2′を全く使用していない場合は破線のよう
に高圧巻線HV1ですべての漏れ磁束が打ち消さ
れる。
以上のような漏れ磁束について、さらに第1a
図の巻線構成を例にとつて詳細に考察すると、高
圧巻線HV1,HV2およびタツプ巻線HVT1,
HVT2は第3a図に示すように、高圧巻線HVは
1,…j,j+1,…Nの円板コイルからなつて
おり、このうち主巻線HV1は1〜j、主巻線
HV2は(j+3)〜N、タツプ巻線HVT1はj+
1、タツプ巻線HVT2はj+2で構成されてい
る。これら個々の円板コイルは数ターンの巻線で
構成されており、第3a図では1つの円板コイル
が6ターンからなつている例を示している。ま
た、この1ターンは2本以上の素線でなつてお
り、この素線数は容量の大きいほど、すなわち電
流が大となるほど多くする。第3a図のものは3
本の素線で1ターンを形成するコイルの例で示
す。さらに、第3a図の例では、3ターンで1タ
ツプを構成している。そうして漏れ磁束は第3b
図に示すように低圧巻線LVに近い側から漸次減
少している。
図の巻線構成を例にとつて詳細に考察すると、高
圧巻線HV1,HV2およびタツプ巻線HVT1,
HVT2は第3a図に示すように、高圧巻線HVは
1,…j,j+1,…Nの円板コイルからなつて
おり、このうち主巻線HV1は1〜j、主巻線
HV2は(j+3)〜N、タツプ巻線HVT1はj+
1、タツプ巻線HVT2はj+2で構成されてい
る。これら個々の円板コイルは数ターンの巻線で
構成されており、第3a図では1つの円板コイル
が6ターンからなつている例を示している。ま
た、この1ターンは2本以上の素線でなつてお
り、この素線数は容量の大きいほど、すなわち電
流が大となるほど多くする。第3a図のものは3
本の素線で1ターンを形成するコイルの例で示
す。さらに、第3a図の例では、3ターンで1タ
ツプを構成している。そうして漏れ磁束は第3b
図に示すように低圧巻線LVに近い側から漸次減
少している。
ところで、第4図に示すごとく、導体で形成さ
れた閉ループAと磁束Φが交差すると、閉ループ
Aの両端X,Y間に電圧が誘起されることは周知
であり、同様の現象が上記の変圧器のタツプ巻線
でも発生する。すなわち、第3a図、第3b図に
おいて、1ターンを形成する3本の素線は互いに
絶縁はされているが、タツプの引出し口T1,T2,
T3,T4,T5およびT6の点では、タツプリードと
接続され、3本の素線が互いに接触した状態にな
つている。一方、素線間には第3b図で示すよう
な分布の漏れ磁束が貫通しており、第4図と同一
の現象により電圧が発生し、その巻線のインピー
ダンスによつて決まる電流が巻線内を循環し、エ
ネルギの損失を生じる。この内部損失は巻線に局
部加熱をもたらし、変圧器の重大事故につながる
おそれがある。
れた閉ループAと磁束Φが交差すると、閉ループ
Aの両端X,Y間に電圧が誘起されることは周知
であり、同様の現象が上記の変圧器のタツプ巻線
でも発生する。すなわち、第3a図、第3b図に
おいて、1ターンを形成する3本の素線は互いに
絶縁はされているが、タツプの引出し口T1,T2,
T3,T4,T5およびT6の点では、タツプリードと
接続され、3本の素線が互いに接触した状態にな
つている。一方、素線間には第3b図で示すよう
な分布の漏れ磁束が貫通しており、第4図と同一
の現象により電圧が発生し、その巻線のインピー
ダンスによつて決まる電流が巻線内を循環し、エ
ネルギの損失を生じる。この内部損失は巻線に局
部加熱をもたらし、変圧器の重大事故につながる
おそれがある。
さて、この循環電流は、第3a図、第3b図の
例において、つぎのように決定される。まず、引
出口T2,T3間の誘起電圧Eは、 E=2πf(B1l1+B2l2+B3l3)d (1) ここで、 f:周波数 B1:6ターン目の平均漏れ磁束密度 B2:5ターン目の 〃 B3:4ターン目の 〃 l1:6ターン目の導体の平均長 l2:5ターン目の 〃 l3:4ターン目の 〃 d:1ターンを構成する導体間距離、 したがつてタツプ巻線内循環電流Icは、 Ic=E/Z (2) ここで、 Z:引出し口T2,T3間で循環電流を制限する
インピーダンス。
例において、つぎのように決定される。まず、引
出口T2,T3間の誘起電圧Eは、 E=2πf(B1l1+B2l2+B3l3)d (1) ここで、 f:周波数 B1:6ターン目の平均漏れ磁束密度 B2:5ターン目の 〃 B3:4ターン目の 〃 l1:6ターン目の導体の平均長 l2:5ターン目の 〃 l3:4ターン目の 〃 d:1ターンを構成する導体間距離、 したがつてタツプ巻線内循環電流Icは、 Ic=E/Z (2) ここで、 Z:引出し口T2,T3間で循環電流を制限する
インピーダンス。
以上のことから、(1)式からもわかるように、誘
起電圧Eは、漏れ磁束密度が大きいほど、また、
1ターンを構成する複数本の素線間の距離が大き
いほど、大となる。すなわち、この例では漏れ磁
束の大きい側のタツプT2−T3,T4−T5間の誘起
電圧が重要であることがわかる。したがつて第1
a図のようなタツプ、巻線構成ではB0および素
線数の大きい大容量変圧器には不可能であり、第
2a図の構造をとらざるを得ないことになる。つ
まり、漏れ磁束密度の小さい部位にタツプ巻線を
設けることである。この場合、タツプ巻線がさら
される最大漏れ磁束密度B0TはB0′のほぼ10%程度
以下となり、きわめて低い値となる。
起電圧Eは、漏れ磁束密度が大きいほど、また、
1ターンを構成する複数本の素線間の距離が大き
いほど、大となる。すなわち、この例では漏れ磁
束の大きい側のタツプT2−T3,T4−T5間の誘起
電圧が重要であることがわかる。したがつて第1
a図のようなタツプ、巻線構成ではB0および素
線数の大きい大容量変圧器には不可能であり、第
2a図の構造をとらざるを得ないことになる。つ
まり、漏れ磁束密度の小さい部位にタツプ巻線を
設けることである。この場合、タツプ巻線がさら
される最大漏れ磁束密度B0TはB0′のほぼ10%程度
以下となり、きわめて低い値となる。
以上の説明からわかるように、従来、大容量変
圧器においては、タツプ巻線内局部発熱の防止対
策から、第2a図に示す巻線構成が採用されてい
た。しかし、この巻線構成は寸法および経済性の
面では第1a図の巻線構成より劣つている。すな
わち、第1a図のものは巻線の製作は2つで済
み、巻線の組合せ作業も低圧巻線LVと高圧巻線
HVの組合せで足りるのであるが、第2a図の構
成においては、タツプ巻線が別巻き巻線であるた
め、低圧巻線LV、高圧巻線HV1およびタツプ巻
線HVT1′,HVT2′と3つの巻線を製作する要が
あり、さらにはこの3つの巻線を組合わせなけれ
ばならず、自づと作業時間が非常に長くなる。ま
た、高圧巻線HV1とタツプ巻線間にも絶縁およ
び冷却上必要なダクト(図示せず)を設ける要が
あり、巻線全体が大形となり、ひいては変圧器全
体が大形で重量も大となるという問題があつた。
圧器においては、タツプ巻線内局部発熱の防止対
策から、第2a図に示す巻線構成が採用されてい
た。しかし、この巻線構成は寸法および経済性の
面では第1a図の巻線構成より劣つている。すな
わち、第1a図のものは巻線の製作は2つで済
み、巻線の組合せ作業も低圧巻線LVと高圧巻線
HVの組合せで足りるのであるが、第2a図の構
成においては、タツプ巻線が別巻き巻線であるた
め、低圧巻線LV、高圧巻線HV1およびタツプ巻
線HVT1′,HVT2′と3つの巻線を製作する要が
あり、さらにはこの3つの巻線を組合わせなけれ
ばならず、自づと作業時間が非常に長くなる。ま
た、高圧巻線HV1とタツプ巻線間にも絶縁およ
び冷却上必要なダクト(図示せず)を設ける要が
あり、巻線全体が大形となり、ひいては変圧器全
体が大形で重量も大となるという問題があつた。
この考案は、以上の事情に鑑みてなされたもの
で、別巻きタツプ巻線を使用せずに、大容量の変
圧器のごとき電磁誘導機器を提供することを目的
とするものである。
で、別巻きタツプ巻線を使用せずに、大容量の変
圧器のごとき電磁誘導機器を提供することを目的
とするものである。
また、この考案の目的は、1つのタツプ巻線を
形成する場合、以上の説明からも明らかなよう
に、このタツプ巻線がさらされる漏れ磁束密度が
少なければタツプ巻線に生じる循環電流が少なる
ことに着目し、漏れ磁束の大きい側にダミーコイ
ル用スペーサを配置し、漏れ磁束の少ない側から
のみタツプを導出する構成になる電磁誘導機器を
得ることである。
形成する場合、以上の説明からも明らかなよう
に、このタツプ巻線がさらされる漏れ磁束密度が
少なければタツプ巻線に生じる循環電流が少なる
ことに着目し、漏れ磁束の大きい側にダミーコイ
ル用スペーサを配置し、漏れ磁束の少ない側から
のみタツプを導出する構成になる電磁誘導機器を
得ることである。
以下、この考案を第5a図に示す一実施例につ
いて説明すると、電圧調整を必要とする巻線は、
円板状のコイル1〜Nからなり、このうちj+
1,j+2,j+3およびj+4がタツプ巻線
HVTo1,HVTo2,HVTo3およびHVTo4をそれ
ぞれ構成している。これらのタツプ巻線は、第5
b図に示す漏れ磁束密度の高い側にダミーコイル
用スペーサSを配置し、循環電流による局部発熱
が問題とならない部位、すなわち第5b図におけ
る漏れ磁束密度B0o′まで下がつた点から外側の
部位の配置する。
いて説明すると、電圧調整を必要とする巻線は、
円板状のコイル1〜Nからなり、このうちj+
1,j+2,j+3およびj+4がタツプ巻線
HVTo1,HVTo2,HVTo3およびHVTo4をそれ
ぞれ構成している。これらのタツプ巻線は、第5
b図に示す漏れ磁束密度の高い側にダミーコイル
用スペーサSを配置し、循環電流による局部発熱
が問題とならない部位、すなわち第5b図におけ
る漏れ磁束密度B0o′まで下がつた点から外側の
部位の配置する。
かような構成により、漏れ磁束が大きい部位に
ダミーコイル用スペーサを配置し、漏れ磁束の小
さい部位にのみタツプ巻線を設けたので、タツプ
巻線を別巻きに形成する要がなく、大容量変圧器
からタツプを引出すことができ、機器の小形、軽
量化を具現できる。また、別巻きタツプ巻線を製
作する要がなく巻線の組合せ作業も単純化され、
経済性を向上することができる。
ダミーコイル用スペーサを配置し、漏れ磁束の小
さい部位にのみタツプ巻線を設けたので、タツプ
巻線を別巻きに形成する要がなく、大容量変圧器
からタツプを引出すことができ、機器の小形、軽
量化を具現できる。また、別巻きタツプ巻線を製
作する要がなく巻線の組合せ作業も単純化され、
経済性を向上することができる。
第1a図は従来のものの要部構成略図、第1b
図は同じく漏れ磁束特性線図、第2a図は従来の
他のものの要部構成略図、第2b図は同じく漏れ
磁束特性線図、第3a図は第1a図の一部詳細
図、第3b図は同じく漏れ磁束特性線図、第4図
は磁束による誘起電圧を説明するための図、第5
a図はこの考案の一実施例の要部構成略図、第5
b図は同じく漏れ磁束特性線図である。 HV1,HV2……高圧巻線の主巻線、HVTo1,
HVTo2,HVTo3,HVTo4……タツプ巻線、T1,
T2,T3,T4,T5,T6……引出し口、S……ダミ
ーコイル用スペーサ。なお、各図中、同一符号は
同一または相当部分を示す。
図は同じく漏れ磁束特性線図、第2a図は従来の
他のものの要部構成略図、第2b図は同じく漏れ
磁束特性線図、第3a図は第1a図の一部詳細
図、第3b図は同じく漏れ磁束特性線図、第4図
は磁束による誘起電圧を説明するための図、第5
a図はこの考案の一実施例の要部構成略図、第5
b図は同じく漏れ磁束特性線図である。 HV1,HV2……高圧巻線の主巻線、HVTo1,
HVTo2,HVTo3,HVTo4……タツプ巻線、T1,
T2,T3,T4,T5,T6……引出し口、S……ダミ
ーコイル用スペーサ。なお、各図中、同一符号は
同一または相当部分を示す。
Claims (1)
- 同心状に巻回された複数の巻線を備え前記巻線
のいずれかが電圧調整用のタツプを有するタツプ
巻線である電磁誘導機器において、前記タツプ巻
線が、漏れ磁束の大きい部位に配置されたダミー
コイル用スペーサと、漏れ磁束の小さい部位にの
み配置された巻線を備えた円板状でなることを特
徴とする電磁誘導機器。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP5815982U JPS58159727U (ja) | 1982-04-19 | 1982-04-19 | 電磁誘導機器 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP5815982U JPS58159727U (ja) | 1982-04-19 | 1982-04-19 | 電磁誘導機器 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS58159727U JPS58159727U (ja) | 1983-10-25 |
JPH02895Y2 true JPH02895Y2 (ja) | 1990-01-10 |
Family
ID=30068564
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP5815982U Granted JPS58159727U (ja) | 1982-04-19 | 1982-04-19 | 電磁誘導機器 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS58159727U (ja) |
-
1982
- 1982-04-19 JP JP5815982U patent/JPS58159727U/ja active Granted
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS58159727U (ja) | 1983-10-25 |
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