JPH0289296A - Nonvolatile memory circuit - Google Patents

Nonvolatile memory circuit

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JPH0289296A
JPH0289296A JP63241572A JP24157288A JPH0289296A JP H0289296 A JPH0289296 A JP H0289296A JP 63241572 A JP63241572 A JP 63241572A JP 24157288 A JP24157288 A JP 24157288A JP H0289296 A JPH0289296 A JP H0289296A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
data
section
nonvolatile
ram
written
Prior art date
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Pending
Application number
JP63241572A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Itsuki Ishida
厳 石田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
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Filing date
Publication date
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Publication of JPH0289296A publication Critical patent/JPH0289296A/en
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Abstract

PURPOSE:To shorten the initialization time of a nonvolatile part by writing data to be written in the nonvolatile part into an ROM part and switching to whether the data of an RAM part are written into the nonvolatile part or whether the data of an ROM part are written into the nonvolatile part. CONSTITUTION:This circuit is constituted of an RAM part 13, nonvolatile part 16, control part 17, ROM part 14 and a switching circuit 15. This RAM part 13 holds data by an ordinary access and the nonvolatile part 16 holds the data when power source is cut off. A control 17 controls the read/write of the data of the RAM part 13 and the nonvolatile part 16 by an external control and the ROM part 14 previously writes the data to be written into the nonvolatile part 16. The switching circuit 15 switches to whether the data of the RAM part 13 are written into the nonvolatile part 16 or whether the data of the ROM part 14 are written into the nonvolatile part. Thus, the data can be easily and shortly written into the nonvolatile part 16.

Description

【発明の詳細な説明】 (産業上の利用分野) 本発明は不揮発性メモリ回路の改良に1司し、%にその
不揮発性部へのデータの書込みに関する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION (Field of Industrial Application) The present invention is concerned with improving non-volatile memory circuits, and particularly relates to writing data into the non-volatile portion thereof.

(従来の技術) 従来、この種の不揮発性メモリは第2図に示すように、
データバッファ21と、フントロール部22ご、アドレ
スバッファ23と、通常のアクセスによってデータを格
納するためのRAM部2部上4電源切断時にデータを保
持するための不揮発性部25とを1′・准えて構を愛さ
れている。コントロール部22は、外部制御によりRA
M部24と、不揮発性部25とのデータの書込会/、偉
出しをIII御する。
(Prior art) Conventionally, this type of non-volatile memory has the following characteristics, as shown in FIG.
A data buffer 21, a controller unit 22, an address buffer 23, and a RAM unit 2 for storing data through normal access; I am loved for my preparation. The control unit 22 controls the RA by external control.
It controls data writing and output between the M section 24 and the non-volatile section 25.

不揮発性部2Sにデータを膚込む場合、不揮発性メモリ
を制御するためのプロセサを通し、いったん、RAM部
2部上4定アドレスVCill :間圧データを書込ん
だ後、外部利:@lにより不揮発性部25ヘデータt−
書込み、1呆持していた。
When writing data to the non-volatile part 2S, first write the 4 constant address VCill:pressure data on the RAM part 2 through the processor for controlling the non-volatile memory, and then write the data to the external user:@l. Data t- to non-volatile section 25
I was in a daze as I wrote this.

住源が投入された後、再度、データを使用する際には、
外部制御により不ツ゛(発性都25のデータをRAM部
2部上4!、F込み、RA M部24のデータをプロセ
サが使用していた。
When using the data again after the source has been input,
Due to external control, data from source 25 was transferred to RAM section 2, upper 4!, F included, and data from RAM section 24 was used by the processor.

(発明が・′4決しようと°するiii’+:! )上
述した従来の不揮発性メモリでは、RAM部以外からは
不揮発性部へデータを書込むことができないため、不揮
発性部へ初期データを書込むとき、当該不揮発性メモリ
をアクセスするプロセサを通し、RAM部の指定アドレ
スに順番にデータを書込み、その後で不揮発性部へデー
タを書込む必要がある。
(The invention is about to end.iii'+:!) In the conventional non-volatile memory described above, data cannot be written to the non-volatile part from anything other than the RAM part, so the initial data is not stored in the non-volatile part. When writing, it is necessary to sequentially write data to specified addresses in the RAM section through a processor that accesses the nonvolatile memory, and then write the data to the nonvolatile section.

したがって、不揮発性部の初期化に長時間がかかるとい
う欠点がある。
Therefore, there is a drawback that it takes a long time to initialize the nonvolatile part.

本発明の目的は、不揮発性部へ書込むべきデータをRO
M部に書込んでおくとともに、RAM部のデータを不6
に発性部へ書込むか、あるいはROM部のデータを不揮
発性部へ書込むかを切換えること罠より上記欠点を除去
し、不揮発性部の初期化時間を短縮できるように構成し
た不揮発性メモリ回路を提供することにある。
An object of the present invention is to write data to be written into a non-volatile part by RO
In addition to writing to the M section, the data in the RAM section is
A non-volatile memory configured to eliminate the above-mentioned drawbacks and shorten the initialization time of the non-volatile part by switching between writing to the volatile part or writing data from the ROM part to the non-volatile part. The purpose is to provide circuits.

(課!+Li−解決するための手段) 本発明による不揮発性メモリ回路は、RAM部と、不揮
発性部と、コントロール部と、ROM部と、切換え回路
とを具備して構成したものである。
(Section!+Li-Means for Solving) A non-volatile memory circuit according to the present invention includes a RAM section, a non-volatile section, a control section, a ROM section, and a switching circuit.

RAM部は通常のアクセスによりデータを保持するため
のものであり、不揮発性部は電源の切断時にデータを保
持するためのものである。
The RAM section is for holding data during normal access, and the non-volatile section is for holding data when the power is turned off.

コントロール部は、外部制御によりRAM部と不揮発性
部とのデータの書込み/読出しを制御するなめのもので
ある。
The control section is a part that controls writing/reading of data in the RAM section and the nonvolatile section by external control.

ROM部は、不揮発性部へ書込むべきデータを予め書込
んでおくためのものである。
The ROM section is for writing data to be written into the non-volatile section in advance.

切換え回路は、RAM部のデータを不揮発性部へ書込む
か、あるいはROM部のデータを不揮発性部へ書込むか
を切換えるためのものである。
The switching circuit is for switching between writing data in the RAM section to the nonvolatile section or writing data in the ROM section to the nonvolatile section.

(実施例) 次に、本発明について図面を参照して説明する。(Example) Next, the present invention will be explained with reference to the drawings.

第1図は、本発明による不揮発性メモリ回路の一実施例
を示すブロック図である。
FIG. 1 is a block diagram showing one embodiment of a nonvolatile memory circuit according to the present invention.

第1図において、11はアドレスバッファ、12はデー
タバッファ、13はRAM部、14はROM部、1Sは
切換え回路、16は不揮発性部、1フはコントロール部
である。
In FIG. 1, 11 is an address buffer, 12 is a data buffer, 13 is a RAM section, 14 is a ROM section, 1S is a switching circuit, 16 is a nonvolatile section, and 1F is a control section.

ROM14は不揮発性部16へ書込べき初期データを書
込んでおり、切換え回路15はRAM部13のデータを
不揮発性部16へ書込むか、あるいはROM14のデー
タを不揮発性部16へ書込むかのデータの流れを制御す
る。
The ROM 14 writes initial data to be written into the non-volatile section 16, and the switching circuit 15 determines whether to write the data in the RAM section 13 to the non-volatile section 16 or the data in the ROM 14 to the non-volatile section 16. control the flow of data.

コントロール部17は、通常のアクセスをする・祭のR
AM部13への読出し/書込み1j@、80M部14へ
の初期データの書込み制御信号、外部信号によりRAM
部13、または80M部14へのデータの不揮発性部1
6へ書込むための書込み制@信号、ならびに不揮発性部
16からRAM部13へのデータの読出しを匍」伺する
ためのイカ11仰信号を発生する。
The control unit 17 performs normal access and the R of the festival.
Read/write 1j@ to AM section 13, write control signal of initial data to 80M section 14, RAM by external signal
Non-volatile part 1 of data to part 13 or 80M part 14
It generates a write control @ signal for writing to the RAM section 6 and a signal for reading the data from the non-volatile section 16 to the RAM section 13.

ROMrff114へ不」1発性部16の初期化データ
を書込む際ンこは、切換え回路1SをROM14の側に
セットし、コントロール部17をアクセスして不揮発性
部16に初期化データを書込む。
When writing the initialization data of the nonvolatile section 16 to the ROMrff 114, set the switching circuit 1S to the ROM 14 side, access the control section 17, and write the initialization data to the nonvolatile section 16. .

コントロール部17をアクセスして不1発性部16のデ
ータをRAM部13へ読込む際には、切換え回路1Sを
RAMI 3の側ヘセットし、RAMg13のデータを
読出し/#込む。
When accessing the control section 17 and reading the data of the non-starting section 16 into the RAM section 13, the switching circuit 1S is set to the RAMI 3 side, and the data of the RAM g13 is read/loaded.

その後、不揮発性部16にデータを3込む際には、切換
え回路15がRAM13の側ヘセットされているため、
RAM部13のデータが不揮発性部16へ書込まれる。
After that, when loading data into the non-volatile section 16, the switching circuit 15 is set to the RAM 13 side, so
Data in the RAM section 13 is written to the nonvolatile section 16.

その後、1!源がオフとなり、さらにその後で電源がオ
ンになった場合にも、コントロール部1フをアクセスし
て、不揮発性部16のデータをRAM部1フヘ読込むこ
とができる。
After that, 1! Even when the power is turned off and then turned on again, the data in the non-volatile section 16 can be read into the RAM section 1 by accessing the control section 1.

途中、不揮発性部16のデータが破壊された場合、また
は初期化データへ労しない場合Kii、切換え回路15
をROM14の側へ切換え、80M部14のデータを不
揮発性部16へ書込み、RAM部13へ読出す。
If the data in the non-volatile section 16 is destroyed during the process, or if no effort is made to restore the initialized data, the switching circuit 15
is switched to the ROM 14 side, the data in the 80M section 14 is written to the nonvolatile section 16, and is read out to the RAM section 13.

80M部14をE  PROMのような電気的に書換え
可能なメモリとすることによって、データはプログラム
により変更することが可能となるが、本実施例はE  
PROMの使用を含む。
By using the 80M section 14 as an electrically rewritable memory such as an E PROM, data can be changed by a program.
Including the use of PROMs.

(発明の効果) 以上説明したように本発明は、不揮発性メモリにデータ
の書込まれ念ROMを用意してRA iVI部のデータ
を書込むか、あるhはROM部のデータを書込むかの切
換えにより、容易、且つ、単時間内に不揮発性部へデー
タを書込むことができるという効果がある。
(Effects of the Invention) As explained above, the present invention allows data to be written to a non-volatile memory. This switching has the effect that data can be easily written to the non-volatile part within a short period of time.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図は1本発明てよる不揮発性メモリ回路の一実施例
を示すブロック図である。 第2図は、従来技術による不揮発性メモリ回路の一例を
示すブロック図である。 11.22・・・アドレスバッファ 12.21・・・データバッファ 13.23・・・RAM部 14・・・ROM部 15・・・切換え同情 16.24・・・不揮発性部 17.25・・・コントロール部
FIG. 1 is a block diagram showing an embodiment of a nonvolatile memory circuit according to the present invention. FIG. 2 is a block diagram showing an example of a nonvolatile memory circuit according to the prior art. 11.22...Address buffer 12.21...Data buffer 13.23...RAM section 14...ROM section 15...Switching mode 16.24...Non-volatile section 17.25...・Control section

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 通常のアクセスによりデータを保持するためのRAM部
と、電源の切断時に前記データを保持するための不揮発
姓部と、外部制御により前記RAM部と前記不揮発性部
とのデータの書込み/読出しを制御するためのコントロ
ール部と、前記不揮発性部へ書込むべきデータを予め書
込んでおくためのROM部と、前記RAM部のデータを
不揮発性部へ書込むか、あるいは前記ROM部のデータ
を前記不揮発性部へ書込むかを切換えるための切換え回
路とを具備して構成したことを特徴とする不揮発性メモ
リ回路。
A RAM section for holding data through normal access, a non-volatile section for holding the data when the power is turned off, and external control to control data writing/reading between the RAM section and the non-volatile section. a ROM section for writing data to be written into the non-volatile section in advance; 1. A nonvolatile memory circuit comprising a switching circuit for switching whether to write to a nonvolatile part.
JP63241572A 1988-09-27 1988-09-27 Nonvolatile memory circuit Pending JPH0289296A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP63241572A JPH0289296A (en) 1988-09-27 1988-09-27 Nonvolatile memory circuit

Applications Claiming Priority (1)

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ID=17076321

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6418506B1 (en) 1996-12-31 2002-07-09 Intel Corporation Integrated circuit memory and method for transferring data using a volatile memory to buffer data for a nonvolatile memory array

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6418506B1 (en) 1996-12-31 2002-07-09 Intel Corporation Integrated circuit memory and method for transferring data using a volatile memory to buffer data for a nonvolatile memory array

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