JPH0288635A - 表面改質剤及びそれを用いた表面改質方法 - Google Patents

表面改質剤及びそれを用いた表面改質方法

Info

Publication number
JPH0288635A
JPH0288635A JP63238727A JP23872788A JPH0288635A JP H0288635 A JPH0288635 A JP H0288635A JP 63238727 A JP63238727 A JP 63238727A JP 23872788 A JP23872788 A JP 23872788A JP H0288635 A JPH0288635 A JP H0288635A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
formulas
tables
formula
mathematical
fluoroalkyl ether
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP63238727A
Other languages
English (en)
Other versions
JPH0637608B2 (ja
Inventor
Saburo Shoji
庄司　三良
Takayuki Nakakawaji
孝行 中川路
Yutaka Ito
豊 伊藤
Shigeki Komatsuzaki
小松崎　茂樹
Akio Kobi
向尾　昭夫
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Ltd filed Critical Hitachi Ltd
Priority to JP63238727A priority Critical patent/JPH0637608B2/ja
Priority to DE68926988T priority patent/DE68926988T2/de
Priority to EP89117633A priority patent/EP0361346B1/en
Publication of JPH0288635A publication Critical patent/JPH0288635A/ja
Priority to US07/724,724 priority patent/US5157066A/en
Publication of JPH0637608B2 publication Critical patent/JPH0637608B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G65/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming an ether link in the main chain of the macromolecule
    • C08G65/02—Macromolecular compounds obtained by reactions forming an ether link in the main chain of the macromolecule from cyclic ethers by opening of the heterocyclic ring
    • C08G65/32—Polymers modified by chemical after-treatment
    • C08G65/329—Polymers modified by chemical after-treatment with organic compounds
    • C08G65/333—Polymers modified by chemical after-treatment with organic compounds containing nitrogen
    • C08G65/33303—Polymers modified by chemical after-treatment with organic compounds containing nitrogen containing amino group
    • C08G65/3331—Polymers modified by chemical after-treatment with organic compounds containing nitrogen containing amino group cyclic
    • C08G65/33313—Polymers modified by chemical after-treatment with organic compounds containing nitrogen containing amino group cyclic aromatic
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09D—COATING COMPOSITIONS, e.g. PAINTS, VARNISHES OR LACQUERS; FILLING PASTES; CHEMICAL PAINT OR INK REMOVERS; INKS; CORRECTING FLUIDS; WOODSTAINS; PASTES OR SOLIDS FOR COLOURING OR PRINTING; USE OF MATERIALS THEREFOR
    • C09D171/00—Coating compositions based on polyethers obtained by reactions forming an ether link in the main chain; Coating compositions based on derivatives of such polymers
    • C09D171/02—Polyalkylene oxides
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
    • G03G5/00—Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
    • G03G5/14—Inert intermediate or cover layers for charge-receiving layers
    • G03G5/147—Cover layers
    • G03G5/14708—Cover layers comprising organic material
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
    • G03G5/00—Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
    • G03G5/14—Inert intermediate or cover layers for charge-receiving layers
    • G03G5/147—Cover layers
    • G03G5/14708—Cover layers comprising organic material
    • G03G5/14713—Macromolecular material
    • G03G5/14747—Macromolecular material obtained otherwise than by reactions only involving carbon-to-carbon unsaturated bonds
    • G03G5/1476—Other polycondensates comprising oxygen atoms in the main chain; Phenol resins
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
    • G03G5/00—Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
    • G03G5/14—Inert intermediate or cover layers for charge-receiving layers
    • G03G5/147—Cover layers
    • G03G5/14708—Cover layers comprising organic material
    • G03G5/14713—Macromolecular material
    • G03G5/14786—Macromolecular compounds characterised by specific side-chain substituents or end groups
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
    • G11B5/62—Record carriers characterised by the selection of the material
    • G11B5/72—Protective coatings, e.g. anti-static or antifriction
    • G11B5/725—Protective coatings, e.g. anti-static or antifriction containing a lubricant, e.g. organic compounds
    • G11B5/7253—Fluorocarbon lubricant
    • G11B5/7257—Perfluoropolyether lubricant

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Medicinal Chemistry (AREA)
  • Polymers & Plastics (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Wood Science & Technology (AREA)
  • Paints Or Removers (AREA)
  • Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
  • Polyethers (AREA)
  • Adhesives Or Adhesive Processes (AREA)
  • Lubricants (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、新規なフッ素系化合物、及び該化合物を用い
て固体表面の撥水、撥油性及び潤滑性を改善することを
目的とした表面改質方法と表面改質材料に関する。
〔従来の技術〕
固体表面の汚染防止または固体表面の撥水、撥油性化は
、固体表面の材料の種類によって多くの方法が考えられ
ている。が、一般には低表面エネルギーでしかも高度に
化学的不活性であるフッ素系の界面活性剤を固体表面に
塗布する表面改質方法が良く用いられている。例えば、
特許公報昭６１−１９６７０号に記載の下記フッ素系界
面活性剤￥１ （式中Ｒ’ｆはパーフロロへキセニル基またはパーフロ
ロノニル基、ｎｌは１又は２、Ｙｌは水素。
メチル基またはヒドロキシル基、Ｘｌは一般式％式％ （式中Ｒ１は水素、メチルまたはエチル基。
Ｍｓはアルカリ金属以外の金属元素またはその酸化物、
ｍｌは１から３の整数）で表されるカルボン酸塩類を示
す基のいずれかを示す）を固体表面に塗布することによ
って撥水、撥油性を表面に処理することができる。また
、特許公報昭５４−３６１７２号記載の下記フッ素系界
面活性剤 （ＣＦ　ｓ　−（ＣＦ　２）イｘ　　（ＣＨｚ）ａｘ−
Ｘ２−ＣＯＯ）ｚ−Ｍ２（式中ｎ２は６から２０であり
、ｍ２は６から１０であり、Ｘ２は−ＣＨ＝ＣＨ−また
は−Ｃ＝Ｃ−であり、Ｍ２は２価の陽イオンである）は
固体表面に単分子膜で付着し、その後、ガンマ線または
紫外線照射で単分子重合膜を形成するが、この膜は撥水
、撥油性膜と同時に潤滑性膜としても期待され提案され
た表面改質方法等がある。
一方、固体表面の潤滑性表面改質方法に関しては一般に
は固体表面にフッ素系潤滑剤（ｄｕ　Ｐｏｎｔ社：クラ
イトツクスｌ　４３　、１４ｏｎｔｅｆｌｕｏｓ社二ホ
ンプリンＹ）を塗布（米国特許第３４９０９４６　、同
３７７８３０８）するか、あるいはフッ素系界面活性剤
を塗布（特開昭５９−１１６９３１．同５８−４１４３
１．　　同５８−２９１４７、同５７−１５４６１９．
　　同５７−４４２２６）するという表面改質方法が提
案されている。ここで言うフッ素系界面活性剤は特開昭
５８−２９１４７で述べられている下記一般式である化
合物 Ｃｎ’　Ｆ　２ｎ’　”ｘ　　Ｘａ （式中、ｎ’＝４−１３、Ｘａは極性基で−Ｓ　０２Ｍ
　ｅ　（Ｍ　ｅはＫ又はＮａ）、−８○２Ｆ。
−ＣＯＯＮＨ４，−ＣＯＯＨ，−８ＯａＨ，−０Ｈ）で
ある。
一方、固体表面へフッ素系化合物を固定し潤滑性能を高
める表面改質方法としては、フッ素系化合物の末端にシ
ラノール、アクリレートなどの各種反応性官能基を持っ
たもので固体表面を処理しく米国特許第４１２０９９５
．特開昭５４−３６１７１　、同５９２０３２３９　、
同６０−３８７３０　、同５９−１７２１５９　、同６
１−３９９１９で提案されている）、その反応による固
定力に期待したもの、あるいは、フッ素系化合物の末端
にリン酸エステル系の反応基を持った表面改質剤による
表面改質方法（特開昭６０−１０９０２８　、同６０−
１０１７１７　、同６０−２４６０２０．同６０−２１
２８０９．同６１−４２７２７０　）が提案されている
。
〔発明が解決しようとする課題〕
前記一般式で表されるフッ素系表面活性剤を固体表面に
塗布し表面を撥水、撥油性する方法ではフッ素系界面活
性剤は強固に表面に固定されないため、長期間放置され
ることによってフッ素系界面活性剤が飛散し、撥水、撥
油性の耐久性が充分に向上されない。また、特許公報昭
５４−３６１７２記載の単分子膜をガンマ線、紫外線で
撥水、撥油性重合膜を形成する方法は操作手順が複雑で
実用性に乏しく、また固体表面の状態によっては第一段
階の操作である単分子膜作成が困難になる。
また、米国特許第４１２０９９５号、特開昭５４−３６
１７１゜同５９−２０３２３９　、同６０−３８７３０
　、同５９−１７２１５９　、同６１−３９９１９に記
載の表面改質方法は固体表面にフッ素系化合物を固体表
面に化学反応で固定してしまうたぬ、表面からのフッ素
系化合物の脱離が発生しにくく、かなりの耐久性の向上
が期待されるが、反応が困難な上、均質な反応膜が得に
くい欠点があり、実際の製造ラインでは適用が非常に困
難である。また、上記のフッ素系化合物はフッ索鎖の鎖
長が短かすぎて潤滑性に優れた表面改質方法とは言い難
い。
このように従来のフッ素系界面活性剤およびフッ素系化
合物では十分耐久性の高い、しかも操作性の良い表面改
質、あるいは潤滑性に優れた表面改質方法とは言い難い
。
本発明は、このような状況に対応できる新規なフッ素系
化合物、及び該化合物を用いた表面改質材料、及び固体
表面の表面改質方法に関する。本発明により、固体表面
に撥水、撥油、潤滑性、低表面エネルギー、低誘電率化
、耐腐蝕性、低応力化の付与を行なうことを目的とする
。
〔課題を解決するための手段〕
本発明は、パーフロロポリエーテル鎖と親油性あるいは
水溶性の有機基を結合してなる化合物を用い、パーフロ
ロポリエーテル鎖を有機塗膜上に析出させたることによ
って、前記目的を達成したものである。
具体的には、パーフロロポリエーテル鎖と塗膜材と親和
性の高い有機基を結合したフッ素系化合物と塗膜材と溶
剤とを混合した塗料を作成し、固体表面に塗布し、塗膜
表面にパーフロロポリエーテル鎖を析出させ、逆に有機
基は塗膜内に埋め込む。この状態で塗膜を硬化すること
によってパーフロロポリエーテル鎖を固定することがで
きる。
本発明で言うパーフロロポリエーテル鎖及び有機基を結
合してなる化合物の具体例としては、般式 ％式％［］ 〔式中、ｍは１価又は２価を示す。Ｒｆは、−ｆ（−Ｃ
２Ｆ４ＯトＣＦｚ○ザＣＦ２琲　（８，９は１〜５０．
２はＯ又は１である。）のいずれかである。
いずれかである。〕で表わされるアミド結合を持つフル
オロアルキルエーテル系化合物が挙げられる。上記一般
式（１）で表わされる化合物は、新規なフッ素系化合物
であり、本発明の固体表面の改質を効果よく達成する場
合に、必須となる成分である。
本発明における第２の発明は、一般式（Ｉ）で表わされ
る化合物と有機塗膜材料とよりなることを特徴とする表
面改質材料である。
また、第３の発明は、一般式〔Ｉ〕で表わされる化合物
を用いて、フルオロアルキルエーテル鎖を有機塗膜上に
析出配向させ、フッ素原子を含まない有機基を塗膜内部
に埋込み固定することを特徴とする固体表面の表面改質
方法である。
また、本発明に於いては、得られる塗膜表面の表面エネ
ルギーを３０　ｄ　ｙ　ｎ　／　ａｎ以下とすることが
可能となり、撥水性、撥油性、潤滑性の付与が達成でき
る。また、低誘電率化、低応力化の付与も達成できる。
このために、本発明は、潤滑性の要求の強い磁気記録媒
体の潤滑保護層、電子写真感光体の導電性支持体の有機
保護膜、また、撥水性の要求の強いＬＳＩコート膜、低
誘電率化の要求の強いコンピュータ用積層板、多層配線
回路板９着氷防止膜。
耐湿保護膜、汚れ防止膜など、一般式〔Ｉ〕で表わされ
る化合物により、高性能化、高信頼度化の大巾な向上効
果が達成可能な用途も含む。
本発明おいて、前記一般式（１） ％式％（） ２の場合、　−ｆ（Ｃ２Ｆ　４０ザＣＦ２ＯザＣＦｚ汁
（Ｘツ■ ０　　、　　Ｃ、−８、５Ｏ２−のいずれかである。）
のいずれかである。また、Ｙは（ｎは前記と同じである
。）のいずれかである。〕で表わされるアミド結合を持
つフルオロアルキル（式中、ＲｆはＦ（ＣＦ（ＣＦ８＋
ＣＦｚＯ＋；ｌＣＦ（ＣＦｇトでｎ＝１〜５０、または −（（Ｃ２Ｆ４０）（ＣＦｚＯ）；（ＣＦｚ）２）　（
Ｘ　＋　ｙは１〜５０．２はＯまたは１である。）等が
挙げられる。
〔作用〕
本発明は、パーフロロポリエーテル鎖と親油性あるいは
水溶性の有機基を結合してなる化合物を用い、パーフロ
ロポリエーテル鎖を有機塗膜上に析出させることによっ
て、前記目的を達成したものである。
具体的には、パーフロロポリエーテル鎖と塗膜材と親和
性の高い有機基を結合したフッ素系化合物と塗膜材と溶
剤とを混合した塗料を作成し、固体表面に塗布し、塗膜
表面にパーフロロポリエーテル鎖（Ｒｆ）を析出させ、
逆に有機基は塗膜内に埋め込む。この状態で塗膜を硬化
することによってパーフロロポリエーテル鎖（Ｒｆ）を
固定することができる。
本発明で言うパーフロロポリエーテル鎖（Ｒｆ）及び有
機基の具体的な構成を以下に記載する。
パーフロロポリエーテル鎖（Ｒｆ）の例としては、下記
一般式で示されるｄｕ　Ｐｏｎｔ社のクライトツクス１
４３またはクライトツクス１５７シリーズがある。
Ｆ（ＣＦ（ＣＦ８）−ＣＦｚ−０天ＣＦ（ＣＦｇ）（式
中ｎは１以上の整数） また、Ｍｏｎｔｅｆｌｕｏｓｅ社のホンプリンＹ及びホ
ンプリンＺシリーズがある。
（Ｆ（Ｃ３Ｆｅ○ボＣＦ２０ｈけＣＦ　２）Ｙ　）−又
は（（Ｃ２Ｆ４０廿ＣＦ２Ｏ駄ＣＦ　２）Ｙ）−（式中
、ｎは１以上の整数、Ｘ、Ｙ、はＯまたは１以上の整数
） また、本発明で言う有機基の例としては、式１式％ 〔式中、Ａ　１　、　Ａ　ｘは−ＣＨ２−１−〇〇−，
−Ｃ０ＮＨＯ−、−Ｓ−、−ＳＣ２−のいずれかである
。
また、Ｘは前記と同じである。また、Ｙ２は１価又は２
価である。〕で表わされる分子団から形成される。この
中でも、特に、以下の有機基が、本発明の効果を発揮す
る上で有効である。
具体的には 例えば などが挙げられる。
前記有機基の分子団と親水性基を結合させて用いること
もできる。このような例としては、ポリビニルアルコー
ル、ポリビニルブチラール、ポリセルロース、無水マレ
イン酸とイソブチレンとの共重合体、ポリウレタン、エ
ポキシ化合物、フェノール樹脂、ビニルフェノール重合
体あるいは共重合体、不飽和イミド系化合物あるいは該
オリゴマ、ポリイミド、ポリアミドイミド、ポリエーテ
ルイミド、ポリエステルイミド、ポリカーボネート、ポ
リケトン、ポリエーテルケトン、ポリアミド、ポリエス
テル、ポリシロキサン、ポリホスファゼン、ポリブタジ
ェン、ポリイソブチレン、ポリエチレン、ポリプロピレ
ンなどがある。
上記の中でも、特に、ポリビニルアルコール。
ポリビニルブチラール、ポリセルロース、エポキシ化合
物、ビニルフェノール重合体、フェノール樹脂との結合
が、本発明の効果を発揮する上で有効である。
また、本発明で言う、有機基が有機塗膜材料の溶解度パ
ラメータと少なくとも±１（ｃａＱ／■８）１／２の範
囲である化合物とは、例えば有機塗膜材料の溶解パラメ
ータが１４　（ｃａΩ／ａｎ３）”／２である場合には
、本発明で言う有機基の溶解パラメータは１３〜１５　
（ｃａ　Ｑ　／　ａｍ’）’／２であることが必要とな
る。
例えば、本発明において、次の有機基、の溶解パラメー
タは１３．８（ｃａΩ／ｃｍ８）”／２である。
また、本発明において、有機塗膜材とは、例えば、フェ
ノール樹脂、尿素樹脂、メラミン樹脂。
不飽和ポリエステル樹脂、エポキシ樹脂、不飽和イミド
系化合物あるいは各種ディールス・アルダ付加物、ポリ
ビニルフェノールあるいは共重合体。
シリコン樹脂、ホスファゼン樹脂、ポリエチレン。
ポリプロピレン、ポリブタジェン、ポリイソプレン、ポ
リエーテル、ポリカーボネート、ポリケトン、ポリスル
ホン、ポリアミド、ポリイミド、ポリオキサゾール、ポ
リベンズイミダゾール、ポリチアゾール、あるいは、上
記重合体（オリゴマを含む）の各種変性物（共重合体）
がある。　上記の有機塗膜用材料には、公知の改質材、
添加剤を併用して用いることもできる。
例えば、酸化ジルコン、シリカ、アルミナ、水１１を化
アルミニウム、チタニア、亜塩華、炭酸カルシウム、マ
グネサイト、クレー、カオリン、タルク、珪砂、ガラス
、溶融石英ガラス、アスベスト。
マイカ、各種ウィスカー、カーボンブラック、黒鉛及び
二硫化モリブデン等のような無機質充填剤。
高級脂肪酸及びワックス類等のような離型剤、エポキシ
シラン、ビニルシラン、ボラン及びアルコキシチタネー
ト系化合物等のようなカップリング剤が配合される。又
、必要に従って、含ハロゲン化合物、酸化アンチモン及
びリン化合物などの難燃性付与剤を用いることができる
。
又、ワニス等のように、溶液として使用することもでき
る。その際用いられる溶剤としては、Ｎ−メチル−２−
ピロリドン、Ｎ、Ｎ−ジメチルスルホン セトアミド、Ｎ、Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ。
Ｎ−ジエチルホルムアミド、Ｎ−メチルホルムアミド、
ジメチルスルホオキシド、Ｎ、Ｎ−ジメチルメトキシア
セトアミド、ヘキサメチルフオスホルアミド、ピリジン
、ジメチルスルホン、テトラルメチルスルホン及びジメ
チルテトラメチレンスルホン等があり、又、フェノール
系溶剤群としては、フェノール、クレゾール及びキシレ
ノール等がある。
実施例１ ３００ｍＱの還流器付三ロフラスコに、クライトツク２
１５７Ｆｓ−Ｌ　（分子量２５００．デュポン社製）１
２ｇ　（０，００４８モル）と、トリフロロトリクロロ
エタン３５ｇの混合溶液を導入する。次に塩化チオニル
（Ｓ　ＯＣＱ　ｚ　）　５０　ｍΩを加え、攪拌しなが
ら６７℃で３時間反応させる。
その際、ピリジン３滴を、反応溶液中に滴下する。
反応終了後、真空蒸留で未反応の塩化チオニル、及びト
リフロロトリクロロエタン、反応生成物ＨＣｕを除去す
る。こうして、クライトックス１５７ＦＳ−Ｌの末端が
酸塩化物のフッ素化物〔Ａ′〕 （ｎは平均１４） を得る。
一方、２００　ｍ　Ｄの還流器付三ロフラスコに無水硫
酸マグネシウムで充分に脱水した１、４ビス（４−アミ
ノフェノキシ）ベンゼン（三井東圧社製）８ｇ　（０，
０２７モル）とトリエチルアミン１．９　ｇ　（０，０
０１７モ＃）、及びアセトレフ０ｍ氾を加える。
この溶液を、室温で攪拌しながらベンゾイルクロライド
２．４　ｇ　（０，０１７モル）をゆっくりと滴下した
。滴下終了後１時間反応を続けた。この反応液をろ過し
、更にろ液にエタノールを加え、再度ろ過し、ろ過をカ
ラムクロマトグラフィー〔カラム：ワコーゲルＣ−２０
０（昭和電工社製、長さ１．２ｍ　、内径５１）〕で分
離操作を行い、目的物である化合物〔Ａ“〕 を２．５５ｇ　（０，００６４モル）得た。
次に化合物（Ａ’　１２．５５ｇを、２００　ｍ　Ｑの
還流器付三ロフラスコに取り、無水硫酸マグネシウムで
脱水したトリフロロトリクロロエタン３０ｍＱ、アセト
ン３５ｍｆｌ及びトリエチルアミン０．４７　ｇ　　を
加えた。この溶液に、前記のフッ素化合物［Ａ’　〕１
２　ｇ　（０，００５モル）を含むトリフロロトリクロ
ロエタン溶液をゆっくりと滴下し、６０’Ｃで約１時間
反応後、反応液をろ過し、ろ憑物をトリフロロトリクロ
ロエタンで希釈した後、メタノールで洗浄し、トリフロ
ロトリクロロの茶褐色の粘ちょう状の化合物を８．７ｇ
得る。
実施例２ ３００ｍＱの還流器付三ロフラスコに、タライトツクス
１５７ＦＳ−Ｍ（分子量４８００．デュポン社製）２４
ｇ　（０，００４８モル）とトリフロロトリクロロエタ
ン７０ｇの混合溶液を導入する。
次に、ＳＯＣＱ２１００ｍＡを加え、攪拌しながら６７
℃で３時間反応させる。その際、ピリジン３滴を、反応
溶液中に滴下する。
反応終了後、真空蒸留で未反応のＳ　ＯＣＱ　２及びト
リフロロトリクロロエタン、反応生成物Ｈ（１１を除去
する。こうしてクライトツクス１５７ＦＳＭの末端が酸
塩化物のフッ素化物〔Ｂ′〕を得る。
一方、３００ｍＱの還流器付三ロフラスコに、Ｌｏｇを
アセトン１００ｍｆｌに溶解した溶液を導入する。
次にＳ　ＯＣＱ　ｘを１００ｍＱ加え６７℃で３時間攪
拌反応させる。その際、ピリジン３滴を、反応溶液中に
滴下する。その後、未反応の５ＯＣＱｘ。
アセトン、反応生成物Ｈ（ｌを除去する。こうし−ｃｏ
ｃｃ）を得る。
一方、１０１００Ｏの還流器付三ロフラスコに無水硫酸
マグネシウムで充分に脱水した１、３−ビス（４−アミ
ノフェノキシ）ベンゼン８　ｇ　（０，０２７モル）と
トリエチルアミン１．９　　ｇ　（０，０１７モル）及
びアセトン５００　ｍ　Ｑを加える。この溶液を室温で
攪拌しながら、前記したフェノキシ安息香酸の酸塩化物
Ｌｏｇにアセトン１００ｍｆｉを加えた溶液を滴下する
。室温で攪拌しながら３時間反応させる。反応後、溶液
をろ過し、その後、未反応の５ＯＣＱｚ　、アセトン、
反応生成物Ｈｆｌを真空蒸留で除去する。次に、蒸留残
物をカラムクロマトグラフィー〔カラム：ワコーゲルＣ
−２００（昭和電工社製、長さ０．５ｍ　、内径５ａｎ
））で分離操作を行い、目的物である化合物〔Ｂ＃〕を
１６ｇ　（０，０３２モル）得た。
次に化合物ＣＢ’　］　７ｇ　（０，０１４モル）を、
２００ｍＱのナス型フラスコに取り、この中に、２ｇ　
（０，０１４モル）、メチルクロルヨウ化ピＨｓ ン３．３ｇ及びジクロルメタン４０ｍＡを加える。
この溶液を６０℃に加熱し、約１時間攪拌反応後、反応
液に５％濃度のＨＣＱ溶液溶液２５奢Ａ下し、充分に攪
拌する。この際発生する結晶をろ過収集し、水洗し目的
物である化合物ＣＢ＃′）を５ｇ得この化合物（Ｂ”１
５ｇ　（０，００８２モル）を、１００ｍｆｌの還流器
付三ロフラスコに取り、これにトリエチルアミン１ｇと
アセトン３０ｍＱを加え、４５°Ｃに加温した。その後
、充分に脱水したトリフロロトリクロロエタン２０　ｍ
　Ｑ、とフッ素化合物［Ｂ’〕１５ｇとの混合溶液をゆ
っくりと滴下し、１時間かけて反応する。反応終了後、
溶液をろ過し、その後、未反応の５ＯＣＱｚ、アセ１−
ン、トリフロロトリクロロエタン、反応生成物である ＨＣＱを真空蒸留で除去する。蒸留残物をトリフロロト
リクロロエタンで溶解し、茶色の結晶を除去後、水とエ
タノールで洗浄し、下記の目的とする生成物を１１．２
ｇ　得る。
実施例３ ２００　ｍ　Ｑの還流器付三ロフラスコに、下式クライ
トツクス１５７ＦＳ−Ｌ　（デュポン社製品）４４ｇ（
０，０２モル） （式中、ｎは平均１４） とトリフロロ１〜リクロロエタン１００ｇの混合溶液を
封入する。茨に、塩化チオニル（ＳＯＣ（１２）１０ｇ
を封入し８０℃、４時間加熱、かく拌を続ける。反応終
了後、真空蒸留で未反応のＳＯＣＱ　２、反応副生物で
あるＨＣＱ、及び溶剤であるトリフロロ１〜リクロロエ
タンを除去にうしてフッ素化合物の酸塩化物を得る。
１００ｍＵの還流器付の三ロフラスコに無水硫酸マグネ
シウムで充分に脱水した１、３ビス（４（ｎは平均２９
） （０，０２７ｍｏＱ）とトリエチルアミン１．９ｇ　（
０，０１７ｍｏＱ）及びアセトン’ｌｏｍＱを加える。
この混合溶解を室温で撹拌しながらベンゾイルクロライ
ド２．４　ｇ　（０，０１７ｍｏＱ、）をゆっくりと滴
下した。滴下終了後１時間反応を続けた。
この反応物をろ過し、さらにろ液にエタノールを加え、
再度ろ過し、ろ液をカラムクロマトグラフィー〔カラム
：ワコーゲルＣ−２００（昭和電工社製品長さ１．２ｍ
内径５ａｎ）で分離操作を行い反応物（１）を２．５５
ｇ　（０，００６４ｍｏＱ）得た。
次に反応物（１）２．５５ｇ（０，００６４ｍｏＡ）を
還流器付の１００ｍＱ　の三ロフラスコに入れ、無水硫
酸マグネシウムで脱水したアセトン３５ｍＱ及びトリエ
チルアミン（Ｅ　ｔ３Ｎ）　０．４７　ｇを封入する。
この三ロフラスコに上記したフッ素化合物の酸塩化物６
ｇ（０，００５ｍｏＡ）をゆつ（りと滴下し、充分に撹
拌する。約１時間反応後、反応液をろ過し、ろ液をトリ
フロロトリクロロエタンで希釈した後、メタノールで洗
浄し、溶剤であるトリフロロトリクロロエタンを留去す
ると下記構造のフッ素化合物を８．７　ｇ　（０，００
３１川ｏＱ）　　得る。
実施例４ 下式に示したフライ１−ラクス１５フＦＳ−Ｍ分子量４
８００）２４ｇ（０，００４，８ｍｏＱ）とトリフロロ
トリクロロエタン７０ｇの混合溶液を。
３００ｍＱの還流器付フラスコに心入する。次に塩化チ
オニル（ＳＯＣＱ２）をｌｏｏｍＱ入れ、撹拌しながら
６７℃で３時間反応させるその際、ピリジン３滴をフラ
スコ内の反応溶液に滴下する。
その後、未反応の塩化チオニル、及び溶剤であるトリフ
ロロドルクロロエタン、さらに反応生成物であるＨＣＱ
を真空蒸留で除去する。こうしてクライトツクス１５７
ＦＳ−Ｍ末端が酸塩化物のフッ素化合物［Ｃコ　（Ｆ　
＋Ｃ５Ｆ８−０　）ＣｚＦｚ−ＣＯＣＱ）を得る 一方、フェノキシ安臭香酸 の還流器付きフラスコに導入する。次に塩化チオニル（
ＳＯＣＱ２）を１００ｍＱ入れ、撹拌しながら６７℃で
３時間反応させる。その際、ピリジン３滴をフラスコに
滴下する。その後、未反応の塩化チオニル、及び溶剤で
あるアセトン、さらに反応生成物であるＨＣＡを真空蒸
留で除去する。こうしてフェノキシ安臭香酸の酸塩化物 （三井東圧（社）製）２５ｇ（０，０６１ｍｏｌ）とト
リエチレンアミン４．６ｇ（０，０４７ｍｏｌ）及びア
セトン４００ｍ　Ｑを加える。
このフラスコを室温で撹拌しながら前記したフェノキシ
安臭香酸の酸塩化物にアセトン１００＋ｎＱを加えた溶
液を滴下する。１２℃でかく拌しながら５時間反応させ
る。反応後、溶液をろ過し、その後、未反応の塩化チオ
ニル、及び溶剤であるアセトン、さらに反応生成物であ
るＨ（ｌを真空蒸留で除去する。次に、蒸留残物ををカ
ラムクロマトグラフィ［カラム：ワコーゲルＣ−２００
（昭和電工（株）製、長さ０．５ｍ　内径５ｃｍ］で分
離操作を行いを得る。
一方、１０００　ｍ　１２の還流器付きの三ロフラスコ
に無水酸マグネシュウムで十分に脱水した２゜２ビス［
４（４アミノフエノシキ）フェニルコプロパン を分離し、目的物である化合物［Ｄ］を４４ｇ得た。　
次に化合物［Ｄコ１９　ｇ（０，０２５ｍｏｌ）を５０
０ｍ　ｌの還流器付きの三日フラスコ中に入れ、トリエ
チルアミン（Ｅｔ３Ｎ）　２５ｇとアセトン１２０ｍ１
を封入し、１４℃でかく拌しておく。その後、十分に脱
水したトリフロロトリクロロエタン６０ｍ１とフッ素化
合物［Ｃ］　５５ｇとの混合溶液をゆっくりと滴下し、
４時間かけて反応する。反応終了後、溶液をろ過し、そ
の後、未反応の塩化チオニル、及び溶剤であるアセトン
、トリフロロトリクロロエタンさらに反応生成物である
ＨＣＱを真空蒸留で除去する。
蒸留残物をトリフロロトリクロロエタンで溶解し、茶色
い結晶を除去後、水とエタノールで洗浄し、下記構造の
目的とする最終生成物を４５ｇ得る。
［実施例　５］ 実施例１と同様にしてクライトツクス１５７　ＦＳ−Ｌ
の末端が酸塩化物のフッ素化合物［Ａ］を１２　ｇ　（
０，００４８ｍｏｌ）得る。次に、５００ｍ　ｎの還流
器付の三ロフラスコに、無水硫酸マグネシウムで充分に
脱水した１゜３ビス（４アミノフエノキシ）ベンゼン（
三井東圧（株）製）　０．７　ｇ　（０，００２３ｍｏ
ｌ）とトリエチルアミン　１　、９　ｇ（０，０１７ｍ
ｏｌ）及びアセトン７０ｍＡを加える。次にフッ素化合
物［Ａ］１２ｇを無水硫酸マグネシウムで充分に脱水し
たトリフロロトリクロロエタン１０ｍ１とアセトン３０
ｍ１の混合溶液に溶解し、三ロフラスコにゆっくりと滴
下した。滴下終了後１時間反応を続けた。反応後、トリ
フロロトリクロロエタン及び反応生成物であるＨＣＱを
真空蒸留で除去する。反応物をトリフロロトリクロロエ
タンで希釈した後、メタノールで洗浄し、溶剤であるト
リフロロトリクロロエタンを留去すると下記構造 （式中、ｎは平均　１４） の茶褐色の粘ちょう状の化合物を１０ｇ得る。
に溶解し、三日フラスコ中にゆっくりと滴下した。
滴下終了後１時間反応を続けた。反応後、トリフロロト
リクロロエタン及び反応生成物であるＨＣＱを真空蒸留
で除去する。反応物をトリフロロトリクロロエタンで希
釈した後、メタノールで洗浄し、溶剤であるトリフロロ
トリクロロエタンを留去すると下記構造 ［実施例　６］ 実施例１と同様にしてフライ１−ラクス１５７　ＦＳ−
Ｌの末端が酸塩化物のフッ素化合物［Ａ′〕を１２ｇ（
０゜００４８ｍｏｌ）得る。次に、５００ｍ　Ｑの還流
器付の三ロフラスコに、無水硫酸マグネシウムで充分に
脱水した。２ビス（４アミノフエノキシフエニル）プロ
パン（式中、ｎは平均１４） の粘ちょう状の化合物を１１ｇ得る。
（三井東圧（株）製）　Ｑ　、８　ｇ　（０，００２ｍ
ｏｌ）とトリエチルアミン４．６ｇ（０，０４７ｍｏｌ
）及びアセトン４００ｍＱを加える。の混合溶液にフッ
素化合物［Ａ′］実施例７ モンテフロル社製品である下式に示したホンプリンＺ−
ＤＩＡＣ Ｈ○○Ｃ−Ｒｆ−ＣＯＯＨ （式中・Ｒｆ番ま蜘２Ｆ４０太→Ｃｈ０六→ＣＦ２ヤ１
１は平均１８、Ｙは平均３３、Ｚは平均１の比率で存在
：平均分子量２２００）を２２ｇ　（０，０１ｍｏ＋２
）とトリフロロトリクロロエタン１００ｍＭの混合溶剤
を、５００ｍｆｌの還流器付フラスコに導入する。次に
塩化チオニルを５０ｍＱ入れ、攪拌しながら６７℃で３
時間反応させる。その際、ピリジン３滴をフラスコに滴
下する。その後、未反応の塩化チオニル、及び溶剤であ
るトリフロロトリクロロエタン、さらに反応生成物であ
るＨＣＱを真空蒸留で除去する。こうしてホンプリンＺ
ＤＩＡＣの両末端酸塩化物（ＣＱＯＣ−Ｒｆ−ＣＯＣＱ
）のフッ素化合物〔Ｅ〕を得る。
次に、実施例１と同様にして化合物〔Ａ′〕を作成する
。次に化合物（Ａ’　）１０ｇ（０，０２ｍｏＱ）を還
流器付２００ｍＱの三ロフラスコに入れ、無水硫酸マグ
ネシウムで脱水したトリフロロトリクロロエタン３０ｍ
Ｑ、アセトン１００ｍＱ及びトリエチルアミン２ｇを封
入する。この三ロフラスコに上記したフッ素化合物［Ｅ
］　２２ｇ（０，０１ｍ０Ω）を含むトリフロロトリク
ロロエタン溶液をゆっくりと滴下し、６０℃に加熱し、
充分に攪拌反応させる。約１時間後、反応液をろ過し、
ろ液をトリフロロトリクロロエタンで希釈した後、メタ
ノールで洗浄し、溶剤であるトリフロロトリクロロエタ
ンを留去すると下記構造の茶褐色の粘ちは平均３３．２
は平均１の比率で存在：平均分子量２２００）状の化合
物１５ｇを得る。
第　　２　　表 ［実施例８〜１３］ ビスフェノールＡ型のエポキシ樹脂４．５ｇ　、レゾー
ル型のフェノール樹脂４ｇ、及びポリビニルブチラール
樹脂１．５ｇ　より成る有機塗膜材をシクロへキサノン
２０００ｇに溶解せしめた溶液［１］を作製する。次に
実施例１と同様にして得た第１表に示したフッ素系化合
物０．５　ｇ　　をメチルエチルケトン１５ｇに溶解し
、この溶液を溶液〔Ｉ］と混合し溶液［１１］を作製す
る。
アルミ合金製基板上に１μｍ厚さのアモルファスシリコ
ン膜を作製し、この上に溶液［■コを塗布し、５０ｎｍ
厚さに成膜し、その後、２００℃で１時間加熱硬化する
。成膜後の表面の表面張力を、水及びベンゼンで測定し
、それぞれ撥水、撥油性の効果を測定した。結果を第２
表に示した。
比較例としてはアルミ合金製基板上に作製した１μｍ厚
さのアモルファスシリコン膜を用いた。
第２表の結果から、比較例の接触角よりも本発明の塗膜
の接触角がいずれも大きく、撥水、撥油性が優れている
ことが判った。
［実施例１４〜１９］ 実施例８〜１３と同様にして第１表記載のフッ素化合物
を含有した溶液［■］を作製する。
次に、５．２５　インチのＡｆ１合金ディスク表面にＮ
１−Ｐ層とその上に００層を設け、この上にＮ　ｉ　−
Ｃｏの磁性層を５０ｎｍ厚さに蒸着し、更にカーボン膜
を５０ｎｍ厚さに成膜し、磁性層つきディスクを準備す
る。次に、２５００ｒｐｍに設定したスピン塗布機を用
いてディスク上に溶液［１１］を塗布し、膜厚３０〜５
０ｎｍに成膜する。
成膜後、８０℃、３０分子備加熱後、２３０℃。
１時間加熱硬化し、ディスク〔Ｉ］を完成させる。
こうして得られたディスク［１］の潤滑性を球面摺動試
験機で潤滑性を直接評価した。すなわちサファイヤ球面
摺動子に荷重２０ｇを加え、周速４０　ｍ　／　ｓ　、
雰囲気温度２５℃、相対湿度５０％ＲＨ以下の条件でデ
ィスクを回転させ、ディスク上の有機塗膜が破壊するま
での総回転数で潤滑性を評価し、結果を第３表に記載し
た。
比較例として上記の磁性層つきディスクに、米国特許３
４９０９４６に記載のクライトツクス１４３ＣＺをスピ
ン塗布機を用いて膜厚１０ｎｍ程度に塗布し、さらに１
００℃−３０分加熱し比較用ディスクを作製した。
第３表の結果から明らかな様に、本発明は比較例と比べ
有機塗膜層が破損するまでの総回転数が大きく、潤滑性
能に優れていた。
第３表 ［実施例２０］ 水溶性ポリマーであるポリビニルアルコールＰＶＡ−１
１７（クラレ社製品）２ｇをメチルエチルケトン２００
ｇに溶解させた溶液〔ＩＩＩ］を作製する。
次に５００ｍｆｌの還流器付圧ロフラスコに、末端にカ
ルボン酸を持つ下式パーフロロポリエーテル（日本メタ
トロン社製試作品）をＬｏｇ（０，０１モル） Ｆ（ＣＦ−ＣＦ２０）ｎ−ＣＦ−ＣＯＯＨＣＦ　３　　
　　　　　　　　ＣＦ　ａ（式中、ｎは平均７） と、トリフロロトリクロロエタン１００ｇの混合溶液を
封入する。次に、塩化チオニル（Ｓ　ＯＣＱ　２）Ｌｏ
ｇを封入し８０℃、４時間加熱、かく拌を続ける。反応
終了後、真空蒸留で未反応のＳ　ＯＣＱ　２、反応副生
物であるＨＣＩ、及び溶剤であるトリフロロトリクロロ
エタンを除去し反応物（ＩＩ）を作成する。
一方、無水硫酸マグネシウムで脱水したメチルエチルケ
トン２００ｇに分子量２０００の水溶性ポリマーのポリ
ビニルアルコール（東京化成工業社製カタログＮｎＰＯ
３４０）を３０ｇ（０，０３モル）溶解し、充分に無水
硫酸マグネシウムで脱水する。これを反応物（ｎ）の入
っている５００ｍＱの還流器付圧ロフラスコに滴下し、
更にトリエチルアミン（Ｅ　ｔ＋Ｎ）０．６ｇを加え、
６０℃。
４時間反応を続ける。反応後、真空蒸留でメチルエチル
ケトン、及びトリエチルアミンを除去すると、淡茶色の
粘稠状の反応物（１２０ｇを得る。
この反応物（ＩＩＩ）０．１　ｇをメチルエチルケトン
５０ｇに溶解し溶液［ｍ］中に添加し溶液［ＴＶ］を作
製した。
アルミ合金製基板上に１μｍ厚さのアモルファスシリコ
ン膜を作製し、この上に溶液〔ＩＶ］を塗布し、５０ｎ
ｍ厚さに成膜し、その後、１２０℃で１時間乾燥して成
膜する。
成膜後の塗膜表面の表面張力を、水及びベンゼンで測定
し、結果を第４表に示した。
比較例としてアルミ合金製基板上に作製した１μｍ厚さ
のアモルファスシリコン膜を用いた。
第４表の結果から、比較例の接触角よりも本発明の塗膜
の接触角が大きく、充分に撥水、撥油性が優れているこ
とが判った。
第　　４　　表 ［実施例２１］ 実施例１と同様にしてフッ素化合物の酸塩化物を作製す
る。
一方、無水硫酸マグネシウムで脱水したメチルエチルケ
トン１００ｇにＰ−ビニルフェノール重合体レジンＭ丸
善石油化学社製品２．５　（０，０２モル）を溶解し、
さらに、無水硫酸マグネシウムで脱水したトリフロロト
リクロロエタン３０ｇ及びトリエチルアミン（Ｅ　ｔ３
Ｎ）０．６　ｇを加えた混合液をフッ素化合物の酸塩化
物の入った還流器付圧ロフラスコに導入し、６０”Ｃ，
４時間反応を続ける。反応後、真空蒸留でメチルエチル
ケトン。
トリフロロトリクロロエタン及びトリエチルアミンを除
去すると、下式の淡茶色の粘稠状の反応物（ＩＶ）２０
ｇを得る。
（式中、Ｒｆはパーフロロ化ポリオキシアルキル基、ｍ
、ｎは１：１の比率）この反応物（ＩＶ）０．０４ｇ　
　をメチルエチルケトン５０ｇとトリフロロトリクロロ
エタンＬｏｇの混合溶液に溶解し、溶液（Ｖ）を調合す
る。
次に、レジンＭ４８ｇと４官能エポキシ樹脂ＸＤ９０５
３（ダウケミカル社製品）８８ｇよりなるバインダーと
硬化促進剤としてオニウム化合物系のトリエチルアンモ
ニウムカリボール塩ＴＥＡ−Ｋ（北興化学社製品）０．
８ｇ　　をメチルエチルケトン２００ｇとシクロへキサ
ノン１５０ｇの混合溶液に溶解させた溶液を調整し、こ
の溶液に溶液（Ｖ）６０ｇを添加し、充分にかく拌後、
この溶液を用いて［実施例１４〜１９］で準備した磁性
層付きディスク上に［実施例１４〜１９］と同様にして
、膜厚３０〜５０ｎｍに成膜する。成膜後、８０℃、３
０分子備加熱後、２３０°Ｃ，１時間加熱硬化し、ディ
スク［■］を完成させる。
こうして得られた磁性層付きディスク［１１］の潤滑製
を［実施例１４〜１９］の場合と同様にして球面摺動試
験機で評価し、結果を第５表に記載した。
比較例として上記の磁性層付きディスクに、米国特許３
４９０９４６に記載のクライトツクス１４３ＣＺを用い
、これをスピン塗布機を用いて膜厚１０ｎｍ程度に塗布
し、１００℃、３０分加熱後のディスクを用いた。
第５表の結果から明らかな様に、本発明は比較例と比べ
有機塗膜層が破損するまでの総回転数が大きく、潤滑性
能に優れていた。
第５表 ［実施例２２］ ＸＤ９０５３　４官能エポキシ樹脂（ダウケミカル社製
）２．２ｇ、フェノール樹脂であるＨＰ６０７Ｎ（日立
化成社製）３．６ｇ、硬化促進剤であるトリエチルアン
モニウムカルポール塩ＴＥＡ−ＫＯ，０２ｇ　　をメチ
ルエチルケトン１３５０ｇとｎ−ブチルセロソルブアセ
テート１５０ｇの混合溶剤に溶解し、溶液［ＶＩ］を作
成する。この系における塗膜材の溶解パラメータはＲｏ
ｂｏｒｔ　Ｆ、Ｆｅｄｏｒｓの提案した計算方法（Ｐｏ
ｌｙｍｅｒ　Ｅｎｇｉｎｅｅｒｉｎｇ　ａｎｄＳｃｉｅ
ｎｃｅ、Ｆｅｂｒｕａｒｙ、　１９７４．　ｖｏｆｌ、
１４．　Ｎａ２１４７〜１５４ページに記載）によると
１４．２５（ｃａｌ／　ｃＪ）’／２である。
次に、第６表記載の溶解パラメータの異なる有＝５６ 機基を持つフッ素化合物０．５ｇをメチルエチルケトン
１０ｇに溶解した溶液を作製し、溶液［ＶＩ］に添加し
溶液［■］を作製する。第６表記載の有機基は１０．０
−１３．８（ｃａｌ／　ａｌｌ）工／２の溶解パラメー
タを持つ。
次に５．２５　インチのＡＱ合金ディスク表面にＮ　ｉ
　−Ｐ層とその上にＣｏ層を設け、この上にＮｉ−Ｃｏ
の磁性層を５０ｎｍ厚さに蒸着し、更にカーボン膜を５
０ｎｍ厚さに成膜し、磁性層つきディスクを準備する。
次に、２５０Ｏｒｐｍに設定したスピン塗布機を用いて
ディスク上に溶液［■］を塗布し、膜厚３０〜５０ｎｍ
に成膜する。
成膜後、８０℃、３０分子備加熱後、２３０℃。
１時間加熱硬化し、ディスク［ｍｌを完成させる。
こうして得られたディスク〔ＩＩＩ］の潤滑性を［実施
例１４〜１９］と同様に球面摺動試験機で潤滑性を直接
評価した。結果を第６表に記載した。
第６表の結果から明らかな様に、本発明は有機基の溶解
パラメータが有機塗膜材の溶解パラメータと比べ±１（
ｃａｌ／ｄ）工／２の範囲で潤滑性が優れていた。
［実施例２３］ 実施例４と同様にして２４ｇのクライトツクス１５７Ｆ
Ｓ−Ｍから末端が酸塩化物 （Ｆ　（Ｃｓ　Ｆ　ｓ　　Ｏ−＋ｆ−Ｃ２Ｆ　４　　Ｃ
ＯＣｎ　）　ノア　ッ素化合物［コを得た。一方、実施
例４と同様にしてＬｏｇのフェノキシ安息香酸から酸塩
化物一方、１０１００Ｏの還流器付の三ロフラスコに無
水硫酸マグネシウムで充分に脱水した２、２ビス（４（
４−アミノフェノキシフェニル）ヘキ製）３２ｇ　（０
，０６１ｍｏＱ）とトリエチルアミン４−６ｇ　（０，
０４７ｍｏＱ）及びアセトン４００ｍＱを加える。この
フラスコを室温で撹拌ながら前記したフェノキシ安息香
酸の酸塩化物ｍｕを加えた溶液を滴下する。１２℃でか
く拌しながら５時間反応させる。反応後、溶液を口過し
、その後、未反応の塩化チオニル、及び溶剤であるアセ
トン、さらに反応生成物であるＨＣｆｉを真空蒸留で除
去する。次に、蒸留残物をカラムクロマトグラフィー［
カラム：ワコーゲル　Ｃ−２００（昭和電工（株）製、
長さ０．５ｍ内径５ａｎ］で分離操作を行い を分離し、目的物である化合物［Ｆ］を１８ｇ得た。次
に化合物［Ｆコ１６　ｇ　（０，０２５ｍｏＱ）を５０
０ｍｎの還流器付きの三日フラスコ中に入れ、トリエチ
ルアミン（ＥｔａＮ）２５ｇとアセトン１２０ｍΩを封
入し、１４℃でかく拌しておく。
その後、十分に脱水したトリフロロトリクロロエタン６
０ｍＱとフッ素化合物［］ （Ｆ（ＣａＦｅ−○→Ｗ−Ｃ２Ｆ４−ＣＯＣＱ）２５ｇ
との混合溶液をゆっくりと滴下し、４時間かけて反応す
る。反応終了後、溶液を口過し、その後、未反応の塩化
チオニル、及び溶剤であるアセトン。
トリフロロトリクロロエタンさらに反応生成物であるＨ
ＣＱを真空蒸留で除去する。蒸留残物をトリフロロトリ
クロロエタンで溶解し、茶色い結晶を除去後、水とエタ
ノールで洗浄し、下記構造の目的とする最終精製物を３
５ｇ得る。
実施例２４ ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂ＥｐｌＯ０４（シェル
社製）４０重量部と、実施例２１の反応物（ＩＶ）１６
重量部と、Ｎ−フェニルマレイミド１２重量部、ジシア
ンジアミド６重部を、Ｎ。
Ｎ′−ジメチルアセトアミドに溶解して、８重量パーセ
ントのワニス１０００　ｍ　Ｑを調整した。次いで、ガ
ラス繊維布（日東紡社製ＷＦ−２３０）に浸漬した。該
含浸プリプレグシートを１００〜１２０℃で約２時間加
熱乾燥してプリプレグを得た。該プリプレグの樹脂含有
率は４８重量パーセントであった。
次に、上記のプリプレグ６枚を重ね１５０〜１６０℃、
１５０ｋｇ−ｆ／ｃｄ、２時間の条件で圧縮成形した。
成形品の引張り強度１６．６ｋｇ／ｆｆ１ａｔｌｏｏ℃
（ＡＳＴＭ、Ｄ−６３８）　、曲げ強度は、１５ｋｇ／
ａ＃　ａｔ　１００’Ｃ（ＡＳＴＭ、　Ｄ　−７９０）
、アイゾツト衝撃強度（ノツチ付）は、６．７ｋｇ−ｃ
ｒｎ／１ｙｌ＝　ａｔ　２５℃（ＡＳＴＭ、Ｄ２５６）
であった。
実施例２５ 実施例１４で作成した溶液〔Ｉｒ］を、Ｎ、Ｎ’ジメチ
ルホルムアミドに溶解して２重量パーセント溶液を調整
した。次に、十分に洗浄した透電導電膜を有するポリエ
チレンテレフタレートフィルム上に、スピンナーを用い
て、３５００ｒ、ｐ、ｍで均一に塗布後、１２０℃で１
５分間乾燥してＮ。
Ｎ′−ジメチルホルムアミドを蒸発させ、膜厚６５０人
の配向制御膜を形成した。この膜をフェルトで一定方向
にラビングし、配向制御膜を有する基板フィルムを作成
した。
このようにして作成した２枚のフィルムの配向制御膜を
対向させて配置し、これらのフィルムをポリエステル系
接着剤よりなる封着剤で接着して液晶表示素子を作成し
た。この素子の配向制御膜間に、フェニルシクロヘキサ
ン系の液晶（メルク社製、ＺＬＩ−１１３２）を配置し
、２枚の直交偏光板間で液晶の配向性を調べたところ、
良好な配向性を示した。
実施例２６ 実施例１で得た化合物Ｎα１のフルオロアルキルエーテ
ル系化合物０．５　ｇ　　と、ポリイミド前駆体ＰＩＱ
　（日立化成社製）１．５ｇ　　をトルエンに溶解して
、樹脂溶液を調製した。該溶液を、多層（２層）配線Ｍ
縁膜として用いた場合の素子構造を、第３図、第４図に
示した。
素子の構成は、Ｓｉ素子基板上に、Ｓｉ○２絶縁層、ポ
リシリコン層、更に第一層目のアルミニウム配線（４−
Ｉ）を形成した後に、上ｉｉｌ！樹脂被膜材料を塗布（
スピンナー使用）、焼付け（２５０℃、６０分間）した
（３−Ｉ）のうち、ポジレジストを塗布して、マルホー
ルのパターニングを行なった。次いで、ＣＦａ−０２を
反応ガスとしてプラズマエッチした。次いで０２を反応
ガスとするプラズマアッシャ−によってポジレジストを
除去した。
次いで、第２層目のアルミニウム配線（４−ＩＩ　）を
形成した後、さらに、上記樹脂液を塗布、焼付け（前記
条件と同じ）した。（３−ＩｒＪ’りなお、第２図は、
第２層目の被覆樹脂として、ポリイミド樹脂（日立化成
製ＰＩＱ）を用いた場合（５層）を示した。
本発明の半導体装置を、フェノールノボラック樹脂を硬
化剤としたエポキシ系樹脂成形材料を用いて樹脂パッケ
ージしたメモリ用ＬＳＩ製品（第２図参考　４Ｍビット
Ｄ−ＲＡＭメモリ）は、８５℃、８５％相対湿度中でバ
イアス印加放置で３０００時間後も、Ａｆｌ配線の腐食
による断線故障の発生はなく、耐湿信頼性にすぐれたＬ
ＳＩを得た。
〔発明の効果〕
本発明によれば、新規なフルオロアルキルエーテル系化
合物は、固体表面の表面改質材料として有用である。ま
た、該化合物を用いた表面改質方法は、撥水性、撥油性
、潤滑性、低表面エネルギ、低誘電率化、低応力化付与
に効果がある。
このため、本発明は、磁気記録媒体の潤滑性付与、ｏｐ
ｃの潤滑性付与、ＬＳＩコート材の耐湿性向上、コンピ
ュータ用多層積層板の低誘電率化など、装置の高性能化
、高信頼度化に大きな貢献ができる。
【図面の簡単な説明】
第１図は、本発明の撥水、撥油性及び潤滑性に優れた有
機塗膜表面のフッ素強度を測定した結果を示すグラフで
ある。測定はＸＰＳ（Ｘ−ｒａｙＰｈｏｔｅｌｅｃｔｒ
ｏｎ　５ｐｅｃｔｒｏｓｃｏｐｙ）を用いた。有機塗膜
の表面層と５ｎｍ深さのフッ素強度を測定した結果、フ
ッ素は塗膜表面のみに存在し、表面層から５ｎｍ深さの
内部では全く存在しない。すなわちパーフロロポリエー
テル鎖は表面にのみ存在していることを示している。 第２図は、本発明の一実施例になる半導体装置の断面図
、第３図、第４図は、本発明に係わる半導体装置の素子
部分の一部断面図である。 １・・・リード線、２・・・半導体素子、３、保護被覆
樹脂、３−Ｉ・・・第１層保護被覆樹脂、３−ＩＩ・・
・第２層保護被覆樹脂、４−Ｉ・・・第１層配線、４−
ＩＩ・・・第２層配線、５・・・ポリイミド系樹脂、６
・・・モールド樹脂、７・・・熱酸化膜。 ６７一

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 １、一般式〔 I 〕 ▲数式、化学式、表等があります▼〔 I 〕 〔式中、ｍは１価又は２価を示す。Ｒｆは、▲数式、化
    学式、表等があります▼（ｎは１〜５０である。） ▲数式、化学式、表等があります▼ （ｘ、ｙは１〜５０、ｚは０又は１である。）のいずれ
    かである。 Ｘは▲数式、化学式、表等があります▼又は ▲数式、化学式、表等があります▼（ｑは−ＣＨ＿２−
    、▲数式、化学式、表等があります▼、▲数式、化学式
    、表等があります▼、▲数式、化学式、表等があります
    ▼、−Ｓ−、−ＳＯ＿２−のいずれかである。）のいず
    れかである。又、Ｙは▲数式、化学式、表等があります
    ▼、▲数式、化学式、表等があります▼、 ▲数式、化学式、表等があります▼（ｎは前記と同じで
    ある。）のいずれかである。〕で表わされるアミド結合
    を持つフルオロアルキルエーテル系化合物。 ２、一般式〔 I 〕 ▲数式、化学式、表等があります▼〔 I 〕 〔式中、ｍは１価又は２価を示す。Ｒｆは、▲数式、化
    学式、表等があります▼（ｎは１〜５０である。） ▲数式、化学式、表等があります▼（ｘ、ｙは１〜５０
    、ｚは０又は１である。）のいずれかである。 Ｘは▲数式、化学式、表等があります▼又は▲数式、化
    学式、表等があります▼（ｑは−ＣＨ＿２−、▲数式、
    化学式、表等があります▼、▲数式、化学式、表等があ
    ります▼、▲数式、化学式、表等があります▼、−Ｓ−
    、−ＳＯ＿２−のいずれかである。）のいずれかである
    。又、Ｙは▲数式、化学式、表等があります▼、▲数式
    、化学式、表等があります▼▲数式、化学式、表等があ
    ります▼（ｎは前記と同じである。） のいずれかである。］で表されるアミド結合を持つフル
    オロアルキルエーテル系化合物と有機材料とよりなるこ
    とを特徴とする表面改質材料。 ３、フルオロアルキルエーテル鎖とフッ素原子を含まな
    い有機基とを結合してなる化合物を用い、フルオロアル
    キルエーテル鎖を有機塗膜上に析出配向させ、フッ素原
    子を含まない有機基を塗膜内部に埋込み固定することを
    特徴とする固体表面の表面改質方法。 ４、特許請求の範囲第３項記載のフルオロアルキルエー
    テル鎖とフッ素原子を含まない有機基とを結合してなる
    化合物が、特許請求の範囲第１項記載の一般式〔 I 〕
    で表わされるアミド結合を持つフルオロアルキルエーテ
    ル系化合物であることを特徴とする固体表面の表面改質
    方法。 ５、フッ素原子を含まない有機基が、新水性基であるこ
    とを特徴とする、特許請求の範囲第３項、または特許請
    求の範囲第４項記載の固体表面の表面改質方法。 ６、フッ素原子を含まない有機基の単位構造が、有機塗
    膜の単位構造と同一または類似していることを特徴とす
    る特許請求の範囲第３項または特許請求の範囲第４項記
    載の固体表面の表面改質方法。 ７、フッ素原子を含まない有機基と、有機塗膜の溶解パ
    ラメータが、少なくとも±１（ｃａｌ／ｃｍ＾３）＾１
    ＾／＾２の範囲であることを特徴とする特許請求の範囲
    第３項または特許請求の範囲第４項記載の固体表面の表
    面改質方法。 ８、フルオロアルキルエーテル鎖と、フッ素原子を含ま
    ない有機基とを結合してなる化合物を用い、フルオロア
    ルキルエーテル鎖を有機塗膜上に析出配向させ、フッ素
    原子を含まない有機基を塗膜内部に埋込み固定すること
    により、塗膜の表面エネルギーを３０ｄｙｎ／ｃｍ以下
    にしてなることを特徴とする固体表面の表面改質方法。 ９、フッ素原子を含まない有機基が、少なくともポリビ
    ニルアルコール基、ポリビニルブチラール基、セルロー
    ス基、無水マレイン酸とイソブチレンとの共重合体、ポ
    リグリコール基のいずれかを含むことを特徴とする特許
    請求の範囲第８項記載の固体表面の表面改質方法。 １０、有機塗膜が、ポリイミド、ポリエーテルイミド、
    ポリアミドイミド、ポリカーボネート、ポリエステル、
    ポリウレタン、メラミン樹脂、フェノール樹脂、ポリヒ
    ドロキシスチレン、エポキシ樹脂、不飽和イミドのいず
    れかであることを特徴とする特許請求の範囲第８項記載
    の固体表面の表面改質方法。 １１、一般式〔 I 〕 ▲数式、化学式、表等があります▼〔 I 〕 〔式中、ｍは１価又は２価を示す。Ｒｆは、▲数式、化
    学式、表等があります▼（ｎは１〜５０である。） ▲数式、化学式、表等があります▼（ｘ、ｙは１〜５０
    、ｚは０又は１である。）のいずれかである。 Ｘは▲数式、化学式、表等があります▼又は ▲数式、化学式、表等があります▼（ｑは−ＣＨ＿２−
    、▲数式、化学式、表等があります▼、▲数式、化学式
    、表等があります▼、▲数式、化学式、表等があります
    ▼、−Ｓ−、−ＳＯ＿２−のいずれかである。）のいず
    れかである。又、Ｙは▲数式、化学式、表等があります
    ▼、▲数式、化学式、表等があります▼、▲数式、化学
    式、表等があります▼▲数式、化学式、表等があります
    ▼（ｎは前記と同じである。） のいずれかである。〕で表わされるアミド結合を持つフ
    ルオロアルキルエーテル系化合物と、有機塗膜材とより
    なる組成物を、固体表面に塗布することによつて潤滑性
    にすぐれた固体表面にすることを特徴とする表面改質方
    法。 １２、非磁性基材上に磁性膜を形成した磁気記録媒体に
    おいて、その最外層に少なくとも、一般式〔 I 〕で表
    わされるアミド結合を持つフルオロアルキルエーテル系
    化合物と、有機塗膜材料とを含む組成物を用いて潤滑保
    護層を形成してなることを特徴とする磁気記録媒体。 １３、導電性支持体の上に直接または間接に光導電層を
    設けてなる電子写真感光体において、その最外層に少な
    くとも、一般式〔 I 〕で表わされるアミド結合を持つ
    フルオロアルキルエーテル系化合物と、有機塗膜材料と
    を含む組成物を用いて有機保護膜を形成してなることを
    特徴とする電子写真用感光体。 １４、少なくとも、一般式〔 I 〕で表わされるアミド
    結合を持つフルオロアルキルエーテル系化合物を含む組
    成物からなることを特徴とする軸受。 １５、少なくとも、素子の一部を、少なくとも、一般式
    〔 I 〕で表わされるアミド結合を持つフルオロアルキ
    ルエーテル系化合物を含む組成物で形成されてなる膜を
    有することを特徴とする半導体装置。 １６、少なくとも、一般式〔 I 〕で表わされるアミド
    結合を持つフルオロアルキルエーテル系化合物を含む組
    成物で構成されてなることを特徴とする積層板。 １７、少なくとも、一般式〔 I 〕で表わされるアミド
    結合を持つフルオロアルキルエーテル系化合物を含む組
    成物と、回路配線とより構成されてなることを特徴とす
    る多層配線回路板。 １８、少なくとも、一般式〔 I 〕で表わされるアミド
    結合を持つフルオロアルキルエーテル系化合物を含む組
    成物からなる塗料。 １９、少なくとも、一般式〔 I 〕で表わされるアミド
    結合を持つフルオロアルキルエーテル系化合物を含む組
    成物からなる接着剤。
JP63238727A 1988-09-26 1988-09-26 表面改質剤及びそれを用いた表面改質方法 Expired - Lifetime JPH0637608B2 (ja)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP63238727A JPH0637608B2 (ja) 1988-09-26 1988-09-26 表面改質剤及びそれを用いた表面改質方法
DE68926988T DE68926988T2 (de) 1988-09-26 1989-09-25 Fluoralkyläther, oberflächenmodifizierende Zusammensetzung und Verfahren zur Modifikation von Oberflächen
EP89117633A EP0361346B1 (en) 1988-09-26 1989-09-25 Fluoroalkyl ether, surface modifying composition and method for modifying surface
US07/724,724 US5157066A (en) 1988-09-26 1991-07-02 Fluoroalkyl ether, surface modifying composition and method for modifying surface

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP63238727A JPH0637608B2 (ja) 1988-09-26 1988-09-26 表面改質剤及びそれを用いた表面改質方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH0288635A true JPH0288635A (ja) 1990-03-28
JPH0637608B2 JPH0637608B2 (ja) 1994-05-18

Family

ID=17034360

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP63238727A Expired - Lifetime JPH0637608B2 (ja) 1988-09-26 1988-09-26 表面改質剤及びそれを用いた表面改質方法

Country Status (3)

Country Link
EP (1) EP0361346B1 (ja)
JP (1) JPH0637608B2 (ja)
DE (1) DE68926988T2 (ja)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05171109A (ja) * 1991-12-20 1993-07-09 Kurashiki Kako Co Ltd 低摺動塗料組成物及びそれを用いた自動車用グラスラン
JPH09279056A (ja) * 1996-04-18 1997-10-28 Hitachi Ltd 超撥水塗料及びそれを用いた超撥水塗膜
WO2009096571A1 (ja) * 2008-02-01 2009-08-06 Unimatec Co., Ltd. 新規化合物とその合成方法及びオイル添加剤
WO2022075383A1 (ja) * 2020-10-07 2022-04-14 味の素株式会社 エステル化合物及び樹脂組成物

Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
IT1244751B (it) * 1991-02-15 1994-08-08 Ausimont Spa Coloranti per perfluoropoliossialchileni e composizioni a base di perfluoropoliossialchileni contenenti tali coloranti
JP3173027B2 (ja) * 1991-03-19 2001-06-04 株式会社日立製作所 物体の表面処理法，表面処理剤，表面処理された物品，部品及びそれらを備えた装置
US5334477A (en) * 1992-11-13 1994-08-02 Eastman Kodak Company Thermally assisted transfer process
US5358820A (en) * 1992-11-13 1994-10-25 Eastman Kodak Company Thermally assisted transfer process for transferring electrostatographic toner particles to a thermoplastic bearing receiver
DE4441883C2 (de) * 1994-11-24 1997-12-18 Willy Zaremba Beschichtungsmassen
EP0890138A1 (en) * 1996-03-28 1999-01-13 Minnesota Mining And Manufacturing Company Perfluoroether release coatings for organic photoreceptors
WO2002020676A1 (en) * 2000-09-07 2002-03-14 Nederlandse Organisatie Voor Toegepast-Natuurwetenschappelijk Onderzoek Tno Coating compositions containing perfluoropolyether surfactants
WO2008021123A1 (en) 2006-08-07 2008-02-21 President And Fellows Of Harvard College Fluorocarbon emulsion stabilizing surfactants
CN111116895B (zh) * 2019-12-30 2022-05-06 苏州东杏表面技术有限公司 一种双端全氟聚醚醇的单端封端方法

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3472894A (en) * 1967-03-07 1969-10-14 Du Pont Perfluoroalkyl ether bis(hydroxyalkyl) amides
IT1002396B (it) * 1973-12-28 1976-05-20 Montedison Spa Nn bis ammino alchil ammidi degli acidi poliossaperfluroalcandioici loro derivati e procedimento per la loro preparazione
JPS5759843A (en) * 1980-09-30 1982-04-10 Neos Co Ltd Perfluoroalkyl ether amide derivative and its preparation
JPS5912708A (ja) * 1982-07-15 1984-01-23 Nippon Mektron Ltd 消泡剤
JPS60190748A (ja) * 1984-03-09 1985-09-28 Neos Co Ltd 新規な含弗素カルボアミド化合物およびその製法

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05171109A (ja) * 1991-12-20 1993-07-09 Kurashiki Kako Co Ltd 低摺動塗料組成物及びそれを用いた自動車用グラスラン
JPH09279056A (ja) * 1996-04-18 1997-10-28 Hitachi Ltd 超撥水塗料及びそれを用いた超撥水塗膜
WO2009096571A1 (ja) * 2008-02-01 2009-08-06 Unimatec Co., Ltd. 新規化合物とその合成方法及びオイル添加剤
US20100210875A1 (en) * 2008-02-01 2010-08-19 Unimatec Co., Ltd. Novel Compound, Synthesis Method Thereof, and Oil Additive
US8273919B2 (en) * 2008-02-01 2012-09-25 Unimatec Co., Ltd. Compound, synthesis method thereof, and oil additive
JP2013067664A (ja) * 2008-02-01 2013-04-18 Unimatec Co Ltd オイル添加剤
JP5231456B2 (ja) * 2008-02-01 2013-07-10 ユニマテック株式会社 新規化合物とその合成方法及びオイル添加剤
WO2022075383A1 (ja) * 2020-10-07 2022-04-14 味の素株式会社 エステル化合物及び樹脂組成物

Also Published As

Publication number Publication date
EP0361346B1 (en) 1996-08-21
DE68926988D1 (de) 1996-09-26
DE68926988T2 (de) 1997-02-20
JPH0637608B2 (ja) 1994-05-18
EP0361346A2 (en) 1990-04-04
EP0361346A3 (en) 1991-08-14

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPH0288635A (ja) 表面改質剤及びそれを用いた表面改質方法
Watson et al. Space environmentally stable polyimides and copolyimides derived from [2, 4-bis (3-aminophenoxy) phenyl] diphenylphosphine oxide
US7928154B2 (en) Methods of preparing polymer-organoclay composites and articles derived therefrom
Kuo et al. Correlating the molecular structure of polyimides with the dielectric constant and dissipation factor at a high frequency of 10 GHz
Wu et al. Synthesis and characterization of semiaromatic polyimides containing POSS in main chain derived from double-decker-shaped silsesquioxane
Chen et al. Polydopamine as an efficient and robust platform to functionalize carbon fiber for high-performance polymer composites
US9161440B2 (en) Articles comprising a polyimide solvent cast film having a low coefficient of thermal expansion and method of manufacture thereof
US8568867B2 (en) Polyimide solvent cast films having a low coefficient of thermal expansion and method of manufacture thereof
Li et al. Preparation and properties of thermally conductive photosensitive polyimide/boron nitride nanocomposites
US20080044639A1 (en) Polyimide solvent cast films having a low coefficient of thermal expansion and method of manufacture thereof
JP6040935B2 (ja) 樹脂組成物、樹脂組成物シート、半導体装置およびその製造方法
Liu et al. Preparation, characterization, and properties of novel polyhedral oligomeric silsesquioxane− Polybenzimidazole nanocomposites by Friedel− Crafts reaction
Liao et al. Fabrication of patterned superhydrophobic polybenzoxazine hybrid surfaces
KR100791049B1 (ko) 고분자수지와 소수화된 무기물로 형성된 유무기 하이브리드졸 용액의 제조방법 및 이에 의해 제조된 재료
Tseng et al. Flexible and transparent polyimide films containing two-dimensional alumina nanosheets templated by graphene oxide for improved barrier property
US9738763B2 (en) Resin composition, resin sheet, and production method for semiconductor device
Fan Fluorinated functionalization of graphene oxide and its role as a reinforcement in epoxy composites
US5157066A (en) Fluoroalkyl ether, surface modifying composition and method for modifying surface
JP2005068347A (ja) ポリイミド組成物およびその製造方法と用途
Yi et al. Improved tribological and thermo‐mechanical properties of epoxy resin with micro‐nano structured ZrO2/Ti3C2 particles
Kravtsova et al. Copper-containing compositions based on alicyclic polyimide for microelectronic applications
KR20110033705A (ko) 코어-쉘형 무기-불소 고분자 복합 나노 입자를 이용한 초내오염성 표면
JP2009185213A (ja) 熱硬化性組成物
Li et al. A Bis-Stabilized Interface Strategy for Low-k Benzocyclobutene-Based Hollow Silica Nanocomposites
JP5283885B2 (ja) 高分子樹脂と疎水化された無機物とで形成された有機無機ハイブリッド材料の製造方法、およびこれにより製造された材料

Legal Events

Date Code Title Description
R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080518

Year of fee payment: 14

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090518

Year of fee payment: 15

EXPY Cancellation because of completion of term
FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090518

Year of fee payment: 15