JPH0288303U - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0288303U JPH0288303U JP16873788U JP16873788U JPH0288303U JP H0288303 U JPH0288303 U JP H0288303U JP 16873788 U JP16873788 U JP 16873788U JP 16873788 U JP16873788 U JP 16873788U JP H0288303 U JPH0288303 U JP H0288303U
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- bit
- attenuator
- drain
- inductor
- source
- Prior art date
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- Pending
Links
- 230000005669 field effect Effects 0.000 claims 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
Landscapes
- Non-Reversible Transmitting Devices (AREA)
- Variable-Direction Aerials And Aerial Arrays (AREA)
- Attenuators (AREA)
Description
第１図ａはこの考案の一実施例のＦＥＴを用い
た定位相デイジタル可変減衰器の構成を示す接続
図、第１図ｂはＦＥＴの簡略等価回路図、第２図
はこの考案の他の実施例のＰＩＮダイオードを用
いた定位相デイジタル可変減衰器の構成を示す接
続図、第３図ａは従来の反射形可変減衰器の構成
を示す接続図、第３図ｂはＰＩＮダイオードの等
価回路図、第３図ｃはＰＩＮダイオードの簡略等
価回路図である。 図において、１は第１の１／４波長線路、２は
第１のＦＥＴ、３は第２のＦＥＴ、４は第１の抵
抗、５は第２の抵抗、６は第１のインダクタ、７
は第２のインダクタ、８はグランド、９は第１ビ
ツト減衰器、１０は第Ｎの１／４波長線路、１１
は第２Ｎ―１のＦＥＴ、１２は第２ＮのＦＥＴ、
１３は第２Ｎ―１の抵抗、１４は第２Ｎの抵抗、
１５は第２Ｎ―１のインダクタ、１６は第２Ｎの
インダクタ、１７は第Ｎビツト減衰器、１８はＮ
ビツトデイジタル可変減衰器、１９はドレインソ
ース間抵抗、２０はドレインソース間容量、２１
は第１のＰＩＮダイオード、２２は第２のＰＩＮ
ダイオード、２３は第２Ｎ―１のＰＩＮダイオー
ド、２４は第２ＮのＰＩＮダイオード、２５は９
０度位相差ハイブリツト、２６は接触抵抗、２７
は接合抵抗、２８は接合容量である。なお、図中
同一符号は同一または相当部分を示す。
た定位相デイジタル可変減衰器の構成を示す接続
図、第１図ｂはＦＥＴの簡略等価回路図、第２図
はこの考案の他の実施例のＰＩＮダイオードを用
いた定位相デイジタル可変減衰器の構成を示す接
続図、第３図ａは従来の反射形可変減衰器の構成
を示す接続図、第３図ｂはＰＩＮダイオードの等
価回路図、第３図ｃはＰＩＮダイオードの簡略等
価回路図である。 図において、１は第１の１／４波長線路、２は
第１のＦＥＴ、３は第２のＦＥＴ、４は第１の抵
抗、５は第２の抵抗、６は第１のインダクタ、７
は第２のインダクタ、８はグランド、９は第１ビ
ツト減衰器、１０は第Ｎの１／４波長線路、１１
は第２Ｎ―１のＦＥＴ、１２は第２ＮのＦＥＴ、
１３は第２Ｎ―１の抵抗、１４は第２Ｎの抵抗、
１５は第２Ｎ―１のインダクタ、１６は第２Ｎの
インダクタ、１７は第Ｎビツト減衰器、１８はＮ
ビツトデイジタル可変減衰器、１９はドレインソ
ース間抵抗、２０はドレインソース間容量、２１
は第１のＰＩＮダイオード、２２は第２のＰＩＮ
ダイオード、２３は第２Ｎ―１のＰＩＮダイオー
ド、２４は第２ＮのＰＩＮダイオード、２５は９
０度位相差ハイブリツト、２６は接触抵抗、２７
は接合抵抗、２８は接合容量である。なお、図中
同一符号は同一または相当部分を示す。
Claims (1)
- 第Ｎ（Ｎ＝１…Ｎ）の１／４波長線路と、一端
が前記１／４波長線路と接続され他の一端が、ソ
ース電極が接地されかつドレインソース間に第２
Ｎ―１のインダクタが接続された第２Ｎ―１の電
界効果トランジスタのドレイン電極に接続された
第２Ｎ―１の抵抗と、一端が上記１／４波長線路
の他の一端と接続され他の一端が、ソース電極が
接地されかつドレインソース間に第２Ｎのインダ
クタが接続された第２Ｎの電界効果トランジスタ
のドレイン電極と接続された第２の抵抗とを備え
た第Ｎビツト減衰器において、第１ビツト減衰器
から第Ｎビツト減衰器までを縦属接続したことを
特徴とするＮビツト定位相デイジタル可変減衰器
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16873788U JPH0288303U (ja) | 1988-12-27 | 1988-12-27 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16873788U JPH0288303U (ja) | 1988-12-27 | 1988-12-27 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0288303U true JPH0288303U (ja) | 1990-07-12 |
Family
ID=31458179
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16873788U Pending JPH0288303U (ja) | 1988-12-27 | 1988-12-27 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0288303U (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012004635A (ja) * | 2010-06-14 | 2012-01-05 | New Japan Radio Co Ltd | 温度可変減衰器 |
| US11451208B2 (en) | 2018-03-29 | 2022-09-20 | Mitsubishi Electric Corporation | Switching circuit and variable attenuator |
-
1988
- 1988-12-27 JP JP16873788U patent/JPH0288303U/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012004635A (ja) * | 2010-06-14 | 2012-01-05 | New Japan Radio Co Ltd | 温度可変減衰器 |
| US11451208B2 (en) | 2018-03-29 | 2022-09-20 | Mitsubishi Electric Corporation | Switching circuit and variable attenuator |