JPH01110501U - - Google Patents

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JPH01110501U
JPH01110501U JP653788U JP653788U JPH01110501U JP H01110501 U JPH01110501 U JP H01110501U JP 653788 U JP653788 U JP 653788U JP 653788 U JP653788 U JP 653788U JP H01110501 U JPH01110501 U JP H01110501U
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field effect
effect transistor
degree
ground
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JP653788U
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  • Waveguide Switches, Polarizers, And Phase Shifters (AREA)

Description

【図面の簡単な説明】
第1図はこの考案の一実施例の構成を示す接続
図、第2図は従来の反射形移相器の構成を示す接
続図、第3図は電界効果トランジスタの簡略等価
回路、第4図は電界効果トランジスタ共振時の等
価回路である。 図において、1は90度位相差ハイブリツド、
2は抵抗、3は1/4波長線路、4は第一の電界
効果トランジスタ、5は第二の電界効果トランジ
スタ、6はグランド、7はドレインソース間抵抗
、8はドレインソース間容量、9はドレインゲー
ト間抵抗、10はドレインゲート間容量、11は
ソースゲート間抵抗、12はソースゲート間容量
、13はインダクタである。なお、図中、同一符
号または相当部分を示すものとする。

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. 90度位相差ハイブリツドと、前記90度位相
    差ハイブリツドの出力二端子の一端子とグランド
    間に直列に接続された抵抗と、1/4波長線路と
    、第一の電界効果トランジスタと、上記90度位
    相差ハイブリツドの出力二端子の他の端子とグラ
    ンド間に直列に接続された抵抗と、1/4波長線
    路と第二の電界効果トランジスタとを備えたこと
    を特徴とする振幅補償反射形移相器。
JP653788U 1988-01-21 1988-01-21 Pending JPH01110501U (ja)

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JP653788U JPH01110501U (ja) 1988-01-21 1988-01-21

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JPH01110501U true JPH01110501U (ja) 1989-07-26

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ID=31210802

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