JPH0287615A - 縮小投影露光装置のアライメント方法 - Google Patents
縮小投影露光装置のアライメント方法Info
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- JPH0287615A JPH0287615A JP63241439A JP24143988A JPH0287615A JP H0287615 A JPH0287615 A JP H0287615A JP 63241439 A JP63241439 A JP 63241439A JP 24143988 A JP24143988 A JP 24143988A JP H0287615 A JPH0287615 A JP H0287615A
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- Japan
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- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 16
- 238000005259 measurement Methods 0.000 abstract description 6
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 abstract description 4
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 abstract 1
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 13
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 1
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
- G03F7/70858—Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
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- G03F7/70858—Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature
- G03F7/70883—Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature of optical system
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- Health & Medical Sciences (AREA)
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- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は縮小投影露光装置のアライメント法に〔従来の
技術〕 従来、この種の露光装置のアライメント方法は、半導体
集積回路装置の集積度が高まる程精密に行なわれる必要
がある。特に、何枚かのパターンをウェーハ上に転写す
る場合、目合わ方法、すなわち、アライメント方法が重
要視されるようになってきた。
技術〕 従来、この種の露光装置のアライメント方法は、半導体
集積回路装置の集積度が高まる程精密に行なわれる必要
がある。特に、何枚かのパターンをウェーハ上に転写す
る場合、目合わ方法、すなわち、アライメント方法が重
要視されるようになってきた。
第２図はウェーハ上に露光する一露光パターン領域を示
す平面図、第３図は従来のアライメント方法の一例を説
明するためのフローチャートである。まず、ウェーハに
一露光パターンを露光しようとする方向を定めるプリア
ライメントを行なう。
す平面図、第３図は従来のアライメント方法の一例を説
明するためのフローチャートである。まず、ウェーハに
一露光パターンを露光しようとする方向を定めるプリア
ライメントを行なう。
次に、マスクのグローバルアライメントマーク２とウェ
ーハのグローバルアライメントマークとを機械的に粗い
位置合せするグローバルアライメントを行なう。次に、
光学的にＴ Ｔ Ｌ （Ｔ ｈｏｒｏｕｇｈＴｂｅ
Ｌｅｎｓ）アライメントにより、目合わ線であるＴＴＬ
アライメントマーク３の位置ずれがあるるか否かを、光
学的に測定する。もし、あれば、位置ずれ量を測定し、
この位置ずれ量をパルス換算し、このパルス数によりス
テージドライバーに指令し、ステージの位置を変え、位
置の補正を完了する。次に、ウェーハ上にパターンを露
光する。
ーハのグローバルアライメントマークとを機械的に粗い
位置合せするグローバルアライメントを行なう。次に、
光学的にＴ Ｔ Ｌ （Ｔ ｈｏｒｏｕｇｈＴｂｅ
Ｌｅｎｓ）アライメントにより、目合わ線であるＴＴＬ
アライメントマーク３の位置ずれがあるるか否かを、光
学的に測定する。もし、あれば、位置ずれ量を測定し、
この位置ずれ量をパルス換算し、このパルス数によりス
テージドライバーに指令し、ステージの位置を変え、位
置の補正を完了する。次に、ウェーハ上にパターンを露
光する。
また、マスクのパターンの縮小率については、特にチエ
’７りをすることなく、装置の定期的な点検に委ねられ
ていた。
’７りをすることなく、装置の定期的な点検に委ねられ
ていた。
〔発明が解決しようとする課題Ｊ
上述した従来のアライメント方法は、前の露光工程で縮
小率のずれのチエツク及び補正が行なわれていなので、
前の露光工程での目合せのときに、パターンとウェーハ
の位置ずれがなくとも、縮小率のずれによるパターンず
れが生ずるという欠点がある。特に、この縮小率のずれ
によるパターンすれは、パターンの中心よりは外周につ
れて大きくなるので、半導体チップサイズが大きくなる
程、この影響が大きくなる。更に、パターンを転写する
毎に、この縮小率によるパターンずれが助長されるとい
う欠点がある。
小率のずれのチエツク及び補正が行なわれていなので、
前の露光工程での目合せのときに、パターンとウェーハ
の位置ずれがなくとも、縮小率のずれによるパターンず
れが生ずるという欠点がある。特に、この縮小率のずれ
によるパターンすれは、パターンの中心よりは外周につ
れて大きくなるので、半導体チップサイズが大きくなる
程、この影響が大きくなる。更に、パターンを転写する
毎に、この縮小率によるパターンずれが助長されるとい
う欠点がある。
本発明の目的は、ウェーハに複数回に渡り転写されるパ
ターン同志のずれのない縮小投影露光装置のアライメン
ト方法を提供することにある。
ターン同志のずれのない縮小投影露光装置のアライメン
ト方法を提供することにある。
本発明の縮小投影露光装置のアライメント方法は、ウェ
ーハ上に所定の縮小率で縮小されて投影されたマスクパ
ターンの少なくとも特定の二点の座標を測定する工程と
、前記二点の座標から前記二点の距離を求める工程と、
前記二点の距離と前記二点の距離の設計値とのずれ量を
演算しマスク縮小率の誤差を求める工程と、前記縮小率
の誤差に応じてレンズの前記縮小率を補正する工程とを
含んで構成される。
ーハ上に所定の縮小率で縮小されて投影されたマスクパ
ターンの少なくとも特定の二点の座標を測定する工程と
、前記二点の座標から前記二点の距離を求める工程と、
前記二点の距離と前記二点の距離の設計値とのずれ量を
演算しマスク縮小率の誤差を求める工程と、前記縮小率
の誤差に応じてレンズの前記縮小率を補正する工程とを
含んで構成される。
次に、本発明について図面を参照して説明する。
第１図は本発明によるアライメント方法の一実施例を説
明するためのフローチャートである。まず、位置ずれを
補正する方法は、従来通り行なう。
明するためのフローチャートである。まず、位置ずれを
補正する方法は、従来通り行なう。
次に、第２図に示す対角線上の縮小率測定用マーク１の
座標を測定し、前記二点の水平方向及び垂直方向の距離
Ａ及びＢを求める。次に、このＡ及びＢの距離と設計上
のそれぞれの基準値である距離と比較し、差があるか否
かを判断し、もし、あれば、倍率ずれΔＡ及びΔＢを算
出する。次に、このΔＡ及びΔＢの量を気圧の大きさに
変換し、この変換された圧力と投影レンズ間のチェンバ
の圧力を同じにし、光の屈折率を変えることにより、倍
率ずれを補正する。
座標を測定し、前記二点の水平方向及び垂直方向の距離
Ａ及びＢを求める。次に、このＡ及びＢの距離と設計上
のそれぞれの基準値である距離と比較し、差があるか否
かを判断し、もし、あれば、倍率ずれΔＡ及びΔＢを算
出する。次に、このΔＡ及びΔＢの量を気圧の大きさに
変換し、この変換された圧力と投影レンズ間のチェンバ
の圧力を同じにし、光の屈折率を変えることにより、倍
率ずれを補正する。
このように、補正された後に、ウェーハにパターンを露
光する。なお、この縮小率の測定は、１０ットのウェー
ハ全数に行なう必要はなく、最初のウェーハのみ行なえ
ば良い。
光する。なお、この縮小率の測定は、１０ットのウェー
ハ全数に行なう必要はなく、最初のウェーハのみ行なえ
ば良い。
以上述べた実施例とは別の実施例では、縮小率測定用マ
ーク１の代りに、例えば、グローバルアライメントマー
ク２とＴＴＬアライメントマーク３を縮小率測定用マー
クとして使用し、これらのＸＹ座標を測定し、第１の実
施例と同様に、縮小倍率を補正してもよい。
ーク１の代りに、例えば、グローバルアライメントマー
ク２とＴＴＬアライメントマーク３を縮小率測定用マー
クとして使用し、これらのＸＹ座標を測定し、第１の実
施例と同様に、縮小倍率を補正してもよい。
以上説明したように本発明は、ウェーハ上のパターンの
位置ずれを補正するとともに、パターンの縮小倍率のず
れも補正するので、回数毎に、露光されるパターン同志
がずれを起さない縮小投影露光装置のアライメント方法
が得られるという効果がある。
位置ずれを補正するとともに、パターンの縮小倍率のず
れも補正するので、回数毎に、露光されるパターン同志
がずれを起さない縮小投影露光装置のアライメント方法
が得られるという効果がある。
第１図は本発明によるアライメント方法の一実施例を説
明するためのフローチャート、第２図はウェーハ上に露
光する一露光パターン領域を示す平面図、第３図は従来
のアライメント方法の一例を説明するためのフローチャ
ー１〜である。 １・・・縮小率測定用マーク、２・・・グローバルアラ
イメントマーク、３・・・ＴＴＬアライメントマーク。
明するためのフローチャート、第２図はウェーハ上に露
光する一露光パターン領域を示す平面図、第３図は従来
のアライメント方法の一例を説明するためのフローチャ
ー１〜である。 １・・・縮小率測定用マーク、２・・・グローバルアラ
イメントマーク、３・・・ＴＴＬアライメントマーク。
Claims (1)
- ウェーハ上に所定の縮小率で縮小されて投影されたマス
クパターンの少なくとも特定の二点の座標を測定する工
程と、前記二点の座標から前記二点の距離を求める工程
と、前記二点の距離と前記二点の距離の設計値とのずれ
量を演算しマスク縮小率の誤差を求める工程と、前記縮
小率の誤差に応じてレンズの前記縮小率を補正する工程
とを含むことを特徴とする縮小投影露光装置のアライメ
ント方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63241439A JPH0287615A (ja) | 1988-09-26 | 1988-09-26 | 縮小投影露光装置のアライメント方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63241439A JPH0287615A (ja) | 1988-09-26 | 1988-09-26 | 縮小投影露光装置のアライメント方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0287615A true JPH0287615A (ja) | 1990-03-28 |
Family
ID=17074325
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63241439A Pending JPH0287615A (ja) | 1988-09-26 | 1988-09-26 | 縮小投影露光装置のアライメント方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0287615A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20010058688A (ko) * | 1999-12-30 | 2001-07-06 | 황인길 | 스테퍼의 렌즈 배율 자동 조정 장치 |
-
1988
- 1988-09-26 JP JP63241439A patent/JPH0287615A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20010058688A (ko) * | 1999-12-30 | 2001-07-06 | 황인길 | 스테퍼의 렌즈 배율 자동 조정 장치 |
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