JPH028757A - Probe apparatus - Google Patents

Probe apparatus

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JPH028757A
JPH028757A JP16024388A JP16024388A JPH028757A JP H028757 A JPH028757 A JP H028757A JP 16024388 A JP16024388 A JP 16024388A JP 16024388 A JP16024388 A JP 16024388A JP H028757 A JPH028757 A JP H028757A
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tester
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Keiichi Yokota
横田 敬一
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Tokyo Electron Yamanashi Ltd
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Abstract

PURPOSE:To achieve a higher measuring efficiency with the curtailment of operator's manipulation for the alteration of the type a wafer to be measured by recognizing the type of the wafer to be measured to perform a processing automatically for each wafer with the alteration of types. CONSTITUTION:A controller 3 drives a transfer mechanism 7 to take a semiconductor 2 out of a cassette within a storage section 9. Then, a wafer type code is recognized with a recognizing mechanism 8 and the type of the wafer 2 is judged from the results of recognition. Then, operations such exchange of probe cards 5, positioning of a probe 5a, alteration of a probe parameter and alteration of a test parameter of a tester 20 are performed automatically for all wafers depending on the species of the wafer.

Description

【発明の詳細な説明】 [発明の目的] (産業上の利用分野) 本発明は、プローブ装置に関する。[Detailed description of the invention] [Purpose of the invention] (Industrial application field) The present invention relates to a probe device.

(従来の技術) プローブ装置は、半導体製造工程において、半導体ウェ
ハ上に形成された半導体デノくイスの試験Al1定に利
用される。
(Prior Art) A probe device is used for testing Al1 of a semiconductor device formed on a semiconductor wafer in a semiconductor manufacturing process.

すなわち、プローブ装置は、真空チャ・ツク等により試
料台上に半導体ウエノ)を吸着保持し、この試料台を駆
動して半導体ウエノ1に形成された各半導体デバイスの
電極パッドにプローブカードの探針を接触させる。そし
て、テスタによりプリセ・ソトされたテストプログラム
に従い上記の半導体デバイスの電気的特性を測定する。
That is, the probe device adsorbs and holds the semiconductor wafer on a sample stage using a vacuum chuck or the like, drives the sample stage, and attaches the tip of the probe card to the electrode pad of each semiconductor device formed on the semiconductor wafer 1. contact. Then, the electrical characteristics of the semiconductor device are measured according to the test program preset and programmed by the tester.

このようなプローブ装置において、4−1定品種を変更
する場合、半導体デバイスの電極ノく・ンドの位置等が
変わる場合には、プローブカードの交換およびプローブ
カードの探針の位置合せを行う必要があり、また、プロ
ーブカードの探針を半導体デバイスの電照バッドに接触
させるための試料台の駆動パターンも変わるため、この
試料台の駆動制御を行うためのプローブパラメータも変
更する必要がある。さらに、測定品種によってテスタか
ら供給する検査信号およびテスタで測定すべき項目等が
変わるため、テスタのテストパラメータも変更する必要
がある。
In such a probe device, when changing the standard product in 4-1 or changing the position of the electrode node or node of the semiconductor device, it is necessary to replace the probe card and align the probe tip of the probe card. In addition, since the drive pattern of the sample stage for bringing the probe of the probe card into contact with the illumination pad of the semiconductor device also changes, the probe parameters for controlling the drive of this sample stage also need to be changed. Furthermore, since the test signals supplied from the tester and the items to be measured by the tester change depending on the type of product to be measured, it is also necessary to change the test parameters of the tester.

従来のプローブ装置では、上述のようなプローブカード
の交換、プローブカードの探針の位置合せ、プローブパ
ラメータの変更およびテスタのテストパラメータの変更
等は、オペレータ操作により行う必要がある。
In conventional probe devices, the above-mentioned changes such as replacing the probe card, aligning the probe of the probe card, changing the probe parameters, and changing the test parameters of the tester must be performed by an operator.

(発明が解決しようとする課題) しかしながら近年は、使用システムごとに専用化したデ
バイス(ASIC:application spec
irlcntegratedclrculL)を使用す
る傾向にあり、半導体デバイスの製造は、多品種少量生
産となる傾向にある。このため、上述の従来のプローブ
装置では、測定品種が変わるたびに、オペレータにより
プローブカードの交換、プローブカードの探針の位置合
せ、プローブパラメータの変更およびテスタのテストパ
ラメータの変更等を行う必要があり、11p1定効率が
悪化するという問題があった。
(Problem to be solved by the invention) However, in recent years, devices (ASIC: application spec
irlcntegratedclrculL), and the manufacturing of semiconductor devices tends to be high-mix, low-volume production. For this reason, with the conventional probe device described above, each time the measurement type changes, the operator must replace the probe card, align the probe card's probe, change the probe parameters, and change the tester's test parameters. There was a problem that the 11p1 constant efficiency deteriorated.

そこで、プローブカードのウェハの品種に対応した交換
を自動的に実行するアイデアは、本発明者によって発表
されている。しかし、これらの自動操作は、ウェハカセ
ットおよびロット単位で実行されており、1ウエハ毎に
自動的に対応することは記載していない。
Therefore, the inventor of the present invention has announced an idea to automatically exchange probe cards in accordance with the type of wafer. However, these automatic operations are performed on a wafer cassette and lot basis, and there is no mention of automatic handling on a wafer-by-wafer basis.

本発明は、かかる従来の事情に対処してなされたもので
、測定品種を自動的に認識し、品種に応じてプローブカ
ード、テストプログラムを自動的に交換することにより
、多品種のウェハが格納されている場合にも全て自動化
が可能となり、従来に比べてn1定効率を向上させるこ
とができ、生産性の向」−を図ることのできるプローブ
装置を提供しようとするものである。
The present invention has been made in response to such conventional circumstances, and by automatically recognizing the type of wafer to be measured and automatically exchanging probe cards and test programs according to the type, wafers of various types can be stored. The object of the present invention is to provide a probe device that can be fully automated even in cases where the probe device is used, can improve the n1 constant efficiency compared to the conventional method, and can improve productivity.

[発明の構成] (課題を解決するための手段) すなわち本発明は、ウェハに形成された半導体デバイス
の電極パッドにプローブカードの探針を次々と接触させ
、テスタにより検査を行うプローブ装置において、ウェ
ハ収容部内に収容された前記ウェハを順次試料台にロー
ドする手段と、この手段によって前記試料台にロードさ
れる前記ウェハの品種を認識する手段と、この手段によ
って認識されたウェハ品種によって測定位置に所定の前
記プローブカードを配置する手段と、この手段によって
測定位置に配置された前記プローブカードの探針先端位
置を認識して被測定ウェハのアライメントを行う手段と
、前記ウェハの品種に対応したテスタのテストパラメー
タおよび前記試料台の駆動制御を行うためのプローブパ
ラメータを変更する手段とを備えたことを特徴とする。
[Structure of the Invention] (Means for Solving the Problems) That is, the present invention provides a probe device in which probes of a probe card are brought into contact with electrode pads of a semiconductor device formed on a wafer one after another and an inspection is performed using a tester. means for sequentially loading the wafers housed in a wafer accommodating section onto a sample stage; means for recognizing the type of wafers loaded onto the sample stage by this means; and determining a measurement position based on the wafer type recognized by this means. means for aligning the wafer to be measured by recognizing the position of the tip of the probe of the probe card placed at the measurement position by this means; The present invention is characterized by comprising means for changing test parameters of a tester and probe parameters for controlling drive of the sample stage.

(作 用) 上記構成の本発明のプローブ装置では、alll定を行
うウェハの品種を認識し、品種の変更に伴なうプローブ
カードの交換、プローブカードの探針の位置合せ、プロ
ーブパラメータの変更およびテスタのテストパラメータ
の変更等ウェハ毎に自動的に行う。
(Function) The probe device of the present invention having the above configuration recognizes the type of wafer to be subjected to all determination, replaces the probe card in response to a change in type, aligns the probe of the probe card, and changes the probe parameters. Automatically change tester test parameters for each wafer.

しまたがって、測定品種変更時のオペレータ操作を削減
し、従来に比べてiiP+定効率定向率させることがで
き、生産性の向上を図ることができる。
In addition, operator operations when changing the measurement product can be reduced, iiP + constant rate can be achieved compared to the conventional method, and productivity can be improved.

(実施例) 以下本発明のプローブ装置の実施例を図面を参照して説
明する。
(Example) Examples of the probe device of the present invention will be described below with reference to the drawings.

プローブ装置1には、例えば真空チャック等により半導
体ウェハ2を吸着保持し、コントローラ3により駆動制
御され、x、y、zおよびθ方向へ移動可能に構成され
た試料台4が設けられている。また、この試料台4の上
方には、図示しない保持機構が配置されており、この保
持機構によりA11l定用のプローブカード5が試料台
4の上方に保持され、このプローブカード5は、メジャ
ーリングケーブル6を介してテスタ20に電気的に接続
されるよう構成されている。
The probe device 1 is provided with a sample stage 4 configured to suction and hold a semiconductor wafer 2 using, for example, a vacuum chuck, and to be driven and controlled by a controller 3 so as to be movable in x, y, z, and θ directions. Further, a holding mechanism (not shown) is arranged above the sample stand 4, and this holding mechanism holds a probe card 5 for A11 measurement above the sample stand 4, and this probe card 5 is attached to a measuring ring. It is configured to be electrically connected to a tester 20 via a cable 6.

また、上記試料台4の側方には、例えば搬送アームおよ
び位置′決め手段等からなるウェハ搬送機構7と、例え
ば、光学的読取り装置等からなるウェハ認識機構8が配
置されている。そして、ウエハ搬送機構7により、ウェ
ハ収容部9内に収容されたウェハカセット(図示せず)
内の半導体ウェハ2を、上記カセットと試料台4間でロ
ード・アンロードするとともに、ウェハ認識機構8によ
り、例えば試料台4上にロードされた半導体ウェハ2の
IDコードを光電的に読取ることにより半導体ウェハ2
の品種を認識可能に構成されている。
Further, on the side of the sample stage 4, a wafer transport mechanism 7 comprising, for example, a transport arm and positioning means, and a wafer recognition mechanism 8 comprising, for example, an optical reading device are arranged. A wafer cassette (not shown) accommodated in the wafer accommodating section 9 by the wafer transport mechanism 7
By loading and unloading the semiconductor wafers 2 in the cassette between the cassette and the sample stage 4, and photoelectrically reading the ID code of the semiconductor wafer 2 loaded onto the sample stage 4 by the wafer recognition mechanism 8, for example. semiconductor wafer 2
It is configured so that the variety can be recognized.

なお、上記ウェハ搬送機構7およびウェハ認識機構8は
、コントローラ3に接続されており、その動作を制御さ
れる。また、ウェハ認1機横8によって認識された半導
体ウェハ2の品種は、コントローラ3に入力される。そ
して、コントローラ3は、半導体ウェハ2の品種により
、試料台4の駆動制御を行うためのプローブパラメータ
の変更および後述のカード搬送機構10によるプローブ
カードらの交換を行うとともに、この品種に関する情報
をテスタ20に送り、テスタ20により測定品種に対応
するテストパラメータ(テストプログラム)を自動的に
ロードする。
The wafer transport mechanism 7 and wafer recognition mechanism 8 are connected to the controller 3, and their operations are controlled. Further, the type of semiconductor wafer 2 recognized by the wafer recognition machine horizontal 8 is input to the controller 3. Depending on the type of semiconductor wafer 2, the controller 3 changes the probe parameters for controlling the drive of the sample stage 4 and exchanges probe cards etc. using the card transport mechanism 10 (described later), and also transmits information regarding this type to the tester. 20, and the tester 20 automatically loads the test parameters (test program) corresponding to the product to be measured.

プローブカード5は予め品種に対応して所定のスロット
に格納し、コントローラ3の品種指定に従い、該当する
プローブカード5を所定の位置にセットする。又は、プ
ローブカード5上のコードを光学的に読みとり、コント
ローラ3により認識して該当するプローブカード5を自
動的にセットする。
The probe cards 5 are stored in advance in predetermined slots corresponding to the product types, and the corresponding probe cards 5 are set at predetermined positions according to the product product designation by the controller 3. Alternatively, the code on the probe card 5 is optically read, recognized by the controller 3, and the corresponding probe card 5 is automatically set.

上記カード搬送機構10は、例えば搬送アームおよび位
置決め手段等からなり、カード収容部11内に収容され
たプローブカード5を試料台4上方に配置された前述の
保持機構にロード・アンロード可能に構成されている。
The card transport mechanism 10 includes, for example, a transport arm, positioning means, etc., and is configured to be able to load and unload the probe card 5 stored in the card storage section 11 onto and from the above-mentioned holding mechanism arranged above the sample stage 4. has been done.

さらに、上記試料台4の近傍には、画像認識機構12が
配置されている。この画像認識機構12は、例えばダミ
ーウェハ等により半導体ウェハ2の半導体デバイスの電
極パッドに形成されたプローブカードらの探針5aの針
跡を検出可能に構成されている。そして、この情報は、
コントロラ3に送られ、コントローラ3によって試料台
4の位置が自動補正できるように構成されている。
Furthermore, an image recognition mechanism 12 is arranged near the sample stage 4. The image recognition mechanism 12 is configured to be able to detect the traces of probes 5a of a probe card or the like formed on electrode pads of semiconductor devices on the semiconductor wafer 2 using, for example, a dummy wafer. And this information is
The data is sent to the controller 3, and the position of the sample stage 4 can be automatically corrected by the controller 3.

上記構成のこの実施例のプローブ装置は、コントローラ
3により次のように制御される。
The probe device of this embodiment having the above configuration is controlled by the controller 3 as follows.

すなわち、第2図のフローチャートにも示すように、ま
ずコントローラ3は、ウェハ搬送機構7を駆動してウェ
ハ収容部9内に収容されたウェハカセット内から半導体
ウェハ2を取り出しくa)、ウェハ認識機構8のIDリ
ーダ下にロードする(b)。
That is, as shown in the flowchart of FIG. 2, the controller 3 first drives the wafer transport mechanism 7 to take out the semiconductor wafer 2 from the wafer cassette housed in the wafer accommodating section 9. Load it under the ID reader of mechanism 8 (b).

次に、ウェハ認識機構8によって、半導体ウェハ2のI
Dコードを読み取り、ウェハ品種コードを認識する(c
)。
Next, the wafer recognition mechanism 8 detects the I of the semiconductor wafer 2.
Read the D code and recognize the wafer type code (c
).

そして、上記認識結果から、半導体ウェハ2の品種が新
品種であるか否かを判断しくd)、コントローラ3内の
リストに登録されていない新品種である場合は、イニシ
ャル操作が必要である旨の表示を行う(e)。
Then, based on the above recognition result, it is determined whether or not the type of semiconductor wafer 2 is a new type.d) If it is a new type that is not registered in the list in the controller 3, an initial operation is required. (e).

一方、上記判断の結果、既に登録されている品種の場合
には、コントローラ3内に登録されているプローブパラ
メータのロードを自動的に行う(f)。
On the other hand, if the result of the above judgment is that the type is already registered, the probe parameters registered in the controller 3 are automatically loaded (f).

この後、上記ウェハ品種により、プローブカド5の交換
が必要であるか否かを判断しくg)、交換が必要でない
場合は、次のステップ(h)〜(j)を行わずにステッ
プ(k)に移行する。
After this, it is determined whether or not the probe card 5 needs to be replaced based on the wafer type described aboveg). If replacement is not necessary, proceed to step (k) without performing the next steps (h) to (j). to move to.

一方、上記判断の結果、プローブカード5の交換が必要
である場合は、カード搬送機構10により試料台4上方
に配置されたプローブカード5石カード収容部11内に
収容された所定のプローブカード5に交換しくh)、前
述のようにダミーウェハを試料台4上にロードして試料
台4を2方向に駆動制御することにより、ダミーウェハ
表面に針跡をト1け、更に画像認識機構12により針跡
を検出することによりプローブカード5の位置認識を行
い(i)、カードθの自動補正を行う(j>。
On the other hand, if the probe card 5 needs to be replaced as a result of the above judgment, the card transport mechanism 10 moves the probe card 5 placed above the sample stage 4 into the predetermined probe card 5 accommodated in the card accommodating section 11. h), by loading the dummy wafer onto the sample stage 4 and controlling the drive of the sample stage 4 in two directions as described above, a needle mark is written on the surface of the dummy wafer, and then the needle mark is created by the image recognition mechanism 12. The position of the probe card 5 is recognized by detecting the trace (i), and the card θ is automatically corrected (j>).

次に、ウェハ搬送機構7により、測定を行う半導体ウェ
ハ2を試料台4上に配置する(k)。
Next, the semiconductor wafer 2 to be measured is placed on the sample stage 4 by the wafer transport mechanism 7 (k).

この後、試料台4の位置を調節することにより、ウェハ
のθの自動補正を行い())、次に登録されている補正
データに従いウェハのX−Yの自動補正を行う(m)。
Thereafter, by adjusting the position of the sample stage 4, θ of the wafer is automatically corrected ()), and then X-Y of the wafer is automatically corrected according to the registered correction data (m).

しかる後、試料台4を駆動して、半導体ウエハ2に形成
された半導体デバイスの電極パッドと、プローブカード
5の探針5aとを接触させ、電極パッドに針跡を形成し
、この針跡を画像認識機構12によって検出することに
より、上記探針5aが電極パッド上に正確にあたってい
るか判断しくn)、探針5aが電極パッド上に正確にあ
たっていない場合は、上記ステップ(β)〜(m)を繰
返して行う。
Thereafter, the sample stage 4 is driven to bring the electrode pad of the semiconductor device formed on the semiconductor wafer 2 into contact with the probe 5a of the probe card 5, thereby forming a needle mark on the electrode pad. It is determined whether the probe 5a is accurately hitting the electrode pad by detection by the image recognition mechanism 12 (n), and if the probe 5a is not accurately hitting the electrode pad, the steps (β) to (m) are performed. Repeat.

一方、探針5aが電極パッド上に正確にあたっている場
合は、テスタ20へ品種コードを送信してテスタ20の
テストパラメータをll−1定品種に応じた所定のテス
トパラメータに変更しくO)、プローブを開始する(p
)。
On the other hand, if the probe 5a is accurately touching the electrode pad, send the product code to the tester 20 and change the test parameters of the tester 20 to predetermined test parameters according to the ll-1 standard product. start (p
).

そして、−枚の半導体ウェハ2のプローブが終了すると
(q)、ウェハ搬送機構7により試料台4上の半導体ウ
ェハ2をアンロードしく「)、全てのウェハの測定が終
了した事を判断しくS)、測定が終了した場合は、動作
を終了し、次のカセットのウェハテストのスタートを待
機する(1)。
Then, when the probing of - semiconductor wafers 2 is completed (q), the wafer transport mechanism 7 unloads the semiconductor wafers 2 on the sample stage 4 (), and it is determined that the measurement of all wafers has been completed. ), if the measurement is completed, the operation is terminated and the process waits for the start of the wafer test of the next cassette (1).

また、全てのウェハのA−1定が終了していない場合は
、上記ステップ(a)からの動作を繰り返し、次の半導
体ウェハ2の測定を行う。
Furthermore, if the A-1 determination has not been completed for all wafers, the operation from step (a) is repeated to measure the next semiconductor wafer 2.

すなわち、この実施例のプローブ装置1によれば、従来
品種変更に伴って行われていたプローブカード5の交換
、探針5aの位置合せ、プローブパラメータの変更およ
びテスタ20のテストパラメータの変更等を全てのウェ
ハについて自動的に行うよう構成したので、オペレータ
操作を削減し、aFI定効率を大幅に向上させることが
できる。
That is, according to the probe device 1 of this embodiment, the replacement of the probe card 5, the alignment of the probe 5a, the change of probe parameters, and the change of the test parameters of the tester 20, etc., which were conventionally performed with a change in product type, can be avoided. Since this is configured to be performed automatically for all wafers, operator operations can be reduced and the aFI constant efficiency can be greatly improved.

なお、上記実施例では、ウェハ認識機構8により半導体
ウェハ2上のIDコードを読み取るよう構成したが、例
えばICカード、その他の記録媒体を介してコントロー
ラ3に半導体ウェハ2の品種を認識させるよう構成して
もよい。
In the above embodiment, the ID code on the semiconductor wafer 2 is read by the wafer recognition mechanism 8, but the controller 3 may be configured to recognize the type of the semiconductor wafer 2 via an IC card or other recording medium, for example. You may.

[発明の効果] 上述のように、本発明のプローブ装置では、7111定
品種変更時のオペレータ操作を削減し、従来に比べて測
定効率を向上させることができ、生産性の向上を図るこ
とができる。
[Effects of the Invention] As described above, the probe device of the present invention can reduce operator operations when changing the standard 7111 model, improve measurement efficiency compared to the conventional method, and improve productivity. can.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図は本発明の一実施例のプローブ装置の構成を示す
ブロック図、第2図は第1図のプローブ装置の動作を説
明するためのフローチャートである。 1・・・・・・プローブ装置、2・・・・・・半導体ウ
ェハ、3・・・・・・コントローラ、4・・・・・・試
料台、5・・・・・・プローブカード、5a・・・・・
・探針、6・・・・・・メジャリングケーブル、7・・
・・・・ウェハ搬送機構、8・・・・・・ウェハ認識機
構、9・・・・・・ウェハ収容部、10・・・・・・カ
ード搬送機構、11・・・・・・カード収容部、12・
・・・・・画1象認識機構。 出願人     東京エレクトロン株式会社出願人  
   チル山梨株式会社
FIG. 1 is a block diagram showing the configuration of a probe device according to an embodiment of the present invention, and FIG. 2 is a flowchart for explaining the operation of the probe device of FIG. 1. DESCRIPTION OF SYMBOLS 1... Probe device, 2... Semiconductor wafer, 3... Controller, 4... Sample stage, 5... Probe card, 5a・・・・・・
・Probe, 6...Measuring cable, 7...
... Wafer transport mechanism, 8 ... Wafer recognition mechanism, 9 ... Wafer storage section, 10 ... Card transport mechanism, 11 ... Card storage Part, 12・
... Image recognition mechanism. Applicant Tokyo Electron Ltd. Applicant
Chill Yamanashi Co., Ltd.

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] (1)ウェハに形成された半導体デバイスの電極パッド
にプローブカードの探針を次々と接触させ、テスタによ
り検査を行うプローブ装置において、ウェハ収容部内に
収容された前記ウェハを順次試料台にロードする手段と
、この手段によって前記試料台にロードされる前記ウェ
ハの品種を認識する手段と、この手段によって認識され
たウェハ品種によって測定位置に所定の前記プローブカ
ードを配置する手段と、この手段によって測定位置に配
置された前記プローブカードの探針先端位置を認識して
被測定ウェハのアライメントを行う手段と、前記ウェハ
の品種に対応したテスタのテストパラメータおよび前記
試料台の駆動制御を行うためのプローブパラメータを変
更する手段とを備えたことを特徴とするプローブ装置。
(1) In a probe device that tests with a tester by bringing the probes of a probe card into contact with the electrode pads of semiconductor devices formed on the wafer one after another, the wafers housed in the wafer housing section are sequentially loaded onto a sample stage. means for recognizing the type of the wafer loaded onto the sample stage by the means; means for placing the probe card at a predetermined measurement position according to the type of wafer recognized by the means; means for aligning the wafer to be measured by recognizing the position of the tip of the probe of the probe card placed at the position; and a probe for controlling the test parameters of the tester corresponding to the type of the wafer and the drive of the sample stage. A probe device comprising means for changing parameters.
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